JPH01120040A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01120040A JPH01120040A JP62277715A JP27771587A JPH01120040A JP H01120040 A JPH01120040 A JP H01120040A JP 62277715 A JP62277715 A JP 62277715A JP 27771587 A JP27771587 A JP 27771587A JP H01120040 A JPH01120040 A JP H01120040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- bump
- aluminum electrode
- electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/221—Structures or relative sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/231—Shapes
- H10W72/234—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/29—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/941—Dispositions of bond pads
- H10W72/9415—Dispositions of bond pads relative to the surface, e.g. recessed, protruding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に於けるバンプ電極構造に関する
。
。
従来の半導体装置に於ける一般的なバンプ電極構造は、
バンプ電極層をアルミニウム電極の上面中央部且つ前記
第２の絶縁膜上に延在して設けられている為、該アルミ
ニウム電極中央部と該アルミニウム電極の上面周辺部上
に設けられた該第２の絶縁膜との段差が、該バンプ電極
層にパターニングされ、該バンプ電極層上面が凹状の構
造となっている。
バンプ電極層をアルミニウム電極の上面中央部且つ前記
第２の絶縁膜上に延在して設けられている為、該アルミ
ニウム電極中央部と該アルミニウム電極の上面周辺部上
に設けられた該第２の絶縁膜との段差が、該バンプ電極
層にパターニングされ、該バンプ電極層上面が凹状の構
造となっている。
従来のバンプ電極構造に於ては、上部が凹構造となって
いる為、バンプ実装に於て、対向する基板側のボンディ
ング用フィンガーが、バンプ電極層上面の外周周辺部に
接触する構造となり、バンプｆ！！１極とフィンガーと
の接触面積が低下することによる密着性不良の問題があ
る。又、実装時のフィンガーからの熱及び圧力のストレ
スが、バンプ電価外周部に極部的に集中する為、パフ１
ｗｉ極下の、構成材料の破壊をもたらすといった問題が
ある。
いる為、バンプ実装に於て、対向する基板側のボンディ
ング用フィンガーが、バンプ電極層上面の外周周辺部に
接触する構造となり、バンプｆ！！１極とフィンガーと
の接触面積が低下することによる密着性不良の問題があ
る。又、実装時のフィンガーからの熱及び圧力のストレ
スが、バンプ電価外周部に極部的に集中する為、パフ１
ｗｉ極下の、構成材料の破壊をもたらすといった問題が
ある。
本発明は、この様な問題点を解決するもので、その目的
とするところは、従来のバンプｆｆｌ極構造に於けるバ
ンプ、電極層下の絶縁膜等による段着を、バンプ電極領
域の外側に設け、バンプｆｆｌ極上面の平坦化構造をと
ることにより、実装時のバンプ電極とフィンガーとの接
触面積を増やし密行強度の大幅な向上を提０（するとと
もに、実装時のバンプへの熱及び圧力ストレスが均一と
なる構造による。バンプ下構成材料の破壊防止を提供す
ることにある。
とするところは、従来のバンプｆｆｌ極構造に於けるバ
ンプ、電極層下の絶縁膜等による段着を、バンプ電極領
域の外側に設け、バンプｆｆｌ極上面の平坦化構造をと
ることにより、実装時のバンプ電極とフィンガーとの接
触面積を増やし密行強度の大幅な向上を提０（するとと
もに、実装時のバンプへの熱及び圧力ストレスが均一と
なる構造による。バンプ下構成材料の破壊防止を提供す
ることにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けられた第１
の絶縁膜と該第１の絶縁股上に設けられたアルミニウム
電極ｉ極と、該第１の絶縁膜上より該アルミニウム電極
の上面周辺部上に延在して設けられた第２の絶縁膜と、
該アルミニウム電極の上面中央部に設けられた第１の金
属膜層と、該第１の金屑膜層上のバンブ電極層とを有す
ることを特徴とする半導体装置。
の絶縁膜と該第１の絶縁股上に設けられたアルミニウム
電極ｉ極と、該第１の絶縁膜上より該アルミニウム電極
の上面周辺部上に延在して設けられた第２の絶縁膜と、
該アルミニウム電極の上面中央部に設けられた第１の金
属膜層と、該第１の金屑膜層上のバンブ電極層とを有す
ることを特徴とする半導体装置。
（２） 半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜と該第
１の絶縁股上に設けられたアルミニウム電極と、該第１
の絶縁股上より該アルミニウム電極の上面周辺部に延在
して設けられた第２の絶縁膜と、該アルミニウム電極の
上面中央部且つ該第２の絶縁股上に延在して設けられた
第１の金屑膜層と、該第１の金屑膜層及び該アルミニウ
ム電極が接触している領域の内側且つ該第１の金属膜層
上のバンブ？ｌ！極層とを育することを特徴とする。
１の絶縁股上に設けられたアルミニウム電極と、該第１
の絶縁股上より該アルミニウム電極の上面周辺部に延在
して設けられた第２の絶縁膜と、該アルミニウム電極の
上面中央部且つ該第２の絶縁股上に延在して設けられた
第１の金屑膜層と、該第１の金屑膜層及び該アルミニウ
ム電極が接触している領域の内側且つ該第１の金属膜層
上のバンブ？ｌ！極層とを育することを特徴とする。
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図は、アルミニウム電極２上中央部に例えばチタン
−白金−金等の金Ｒｍｍ４を形成し、更に金層膜層４上
にバンプ電極届５を設けた一実施例である。
−白金−金等の金Ｒｍｍ４を形成し、更に金層膜層４上
にバンプ電極届５を設けた一実施例である。
第２図は、アルミニウム電極２上中央部且つ絶縁ｖ！：
３上に延在して金層膜層４を設け、バンプ電価５を、ア
ルミニウム電極２と金屑膜層４の接触領域より内側に設
けた一実施例である。
３上に延在して金層膜層４を設け、バンプ電価５を、ア
ルミニウム電極２と金屑膜層４の接触領域より内側に設
けた一実施例である。
第１図、第２図ともに、アルミニウム電極２の上面周辺
部に設けられた絶縁膜３の領域より内側の平坦領域上に
バンプ電価５を設けることを特徴とする。
部に設けられた絶縁膜３の領域より内側の平坦領域上に
バンプ電価５を設けることを特徴とする。
第３図は、本発明のバンプ電極構造に於ける実装伏囮を
示した実施例である。
示した実施例である。
第４図は、従来のバンブＴ１極構造を示す。
第５図は、従来のバンプ電極構造於ける実装状態を示す
。
。
上述の如く、本発明によれば、バンプ電価上面の平坦化
構造をとることができ、実装時のバンプ電価と実装フィ
ンガーとの接触面積増加による密着強度の大幅な向上を
もたらすとともに、実装時の熱及び圧力ストレスに対す
るバンプ下構成材料の破壊防止をもたらすものである。
構造をとることができ、実装時のバンプ電価と実装フィ
ンガーとの接触面積増加による密着強度の大幅な向上を
もたらすとともに、実装時の熱及び圧力ストレスに対す
るバンプ下構成材料の破壊防止をもたらすものである。
第１図、第２図は、本発明の半導体装置であるバンプ電
極構造断面図。 第３図は、本発明のバンプ電極構造の半導体装置を実装
した時の構造断面図。 第４図は、従来のバンプ電極構造断面図。 第５図は、従来のバンプ電極構造の半導体装置を実装し
た時の構造断面図。 １・・・５ｉＯｚ、ＳｉＮ等の絶縁膜。 ２・・・アルミニウム電極。 ３・・・Ｓ １０ ｔ 、Ｓ ｉＮ等の絶縁膜。 ４・・・チクノー白金−金、クロム−銅−金、チタン−
パラジウム−金等の金層膜層。 ５・・・バンプ電価。 ６・・・実装基板側のポンデイン用フィンガー。 以 上 填１０ 寛２０ 第３図 第４図 第５図
極構造断面図。 第３図は、本発明のバンプ電極構造の半導体装置を実装
した時の構造断面図。 第４図は、従来のバンプ電極構造断面図。 第５図は、従来のバンプ電極構造の半導体装置を実装し
た時の構造断面図。 １・・・５ｉＯｚ、ＳｉＮ等の絶縁膜。 ２・・・アルミニウム電極。 ３・・・Ｓ １０ ｔ 、Ｓ ｉＮ等の絶縁膜。 ４・・・チクノー白金−金、クロム−銅−金、チタン−
パラジウム−金等の金層膜層。 ５・・・バンプ電価。 ６・・・実装基板側のポンデイン用フィンガー。 以 上 填１０ 寛２０ 第３図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜と該第１
の絶縁膜上に設けられたアルミニウム電極と、該第１の
絶縁膜上より該アルミニウム電極の上面周辺部上に延在
して設けられた第２の絶縁膜と、該アルミニウム電極の
上面中央部に設けられた第１の金属膜層と、該第１の金
属膜層上のバンプ電極層とを有することを特徴とする半
導体装置。 - （２）半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜と該第１
の絶縁膜上に設けられたアルミニウム電極と、該第１の
絶縁膜上より該アルミニウム電極の上面周辺部上に延在
して設けられた第２の絶縁膜と、該アルミニウム電極の
上面中央部且つ該第２の絶縁膜上に延在して設けられた
第１の金属膜層と、該第１の金属膜層及び該アルミニウ
ム電極が接触している領域の内側且つ該第１の金属膜層
上のバンプ電極層とを有することを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277715A JPH01120040A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277715A JPH01120040A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120040A true JPH01120040A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17587309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277715A Pending JPH01120040A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120040A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462414B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-10-08 | Altera Corporation | Integrated circuit package utilizing a conductive structure for interlocking a conductive ball to a ball pad |
| US6525422B1 (en) * | 1997-01-20 | 2003-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including bump electrodes |
| US6940166B2 (en) | 2003-01-22 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for designing the same |
| US7446399B1 (en) | 2004-08-04 | 2008-11-04 | Altera Corporation | Pad structures to improve board-level reliability of solder-on-pad BGA structures |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62277715A patent/JPH01120040A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525422B1 (en) * | 1997-01-20 | 2003-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including bump electrodes |
| US6933607B2 (en) | 1997-01-20 | 2005-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with bumps on electrode pads oriented in given direction |
| US7005741B2 (en) | 1997-01-20 | 2006-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and/or circuit substrate including bump electrodes and electrode pads |
| US6462414B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-10-08 | Altera Corporation | Integrated circuit package utilizing a conductive structure for interlocking a conductive ball to a ball pad |
| US6929978B2 (en) | 1999-03-05 | 2005-08-16 | Altera Corporation | Method of fabricating an integrated circuit package utilizing a conductive structure for improving the bond strength between an IC package and a printed circuit board |
| US6940166B2 (en) | 2003-01-22 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for designing the same |
| US7446399B1 (en) | 2004-08-04 | 2008-11-04 | Altera Corporation | Pad structures to improve board-level reliability of solder-on-pad BGA structures |
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