JPH03136411A - 半導体スイッチ装置 - Google Patents
半導体スイッチ装置Info
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- JPH03136411A JPH03136411A JP31456889A JP31456889A JPH03136411A JP H03136411 A JPH03136411 A JP H03136411A JP 31456889 A JP31456889 A JP 31456889A JP 31456889 A JP31456889 A JP 31456889A JP H03136411 A JPH03136411 A JP H03136411A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
この発明は、パルスレーザ装置等に使用されるパルス発
生回路の一部を構成する高電圧、高電流用の半導体スイ
ッチ装置に関するものである。
生回路の一部を構成する高電圧、高電流用の半導体スイ
ッチ装置に関するものである。
第９図は、例えば「コツバー ペーパー レーザーズ
カム オン エイジ（レーザー フォーカス、７月号、
１９８２年）ＣＯＰＰＥＲνＡＰＯＲＬＡＳＥＲ５Ｃ
ＯＭＥＯＦ ＡＧＥ （ＬＡＳＥＲＦＯＣＵＳ、 ＪＵ
ＬＹ、 １９８２）Ｊに記載された従来の銅蒸気レーザ
装置用のパルス発生回路を示す回路図であり、図におい
て１は高圧の直流電源、２は充電用のりアクドル、３は
充電用のダイオード、４は充放電を行うコンデンサ、５
は充電用の抵抗、６は放電用のサイシトロンスイッチ、
７はレーザチューブである。 次に動作について説明する。 直流電源１から発生される高圧電圧（数ＫＶ〜数十ＫＶ
）は、リアクトル２、ダイオード３及び抵抗５を通って
、コンデンサ４に充電される。次に、サイシトロンスイ
ッチ６のグリッドに導通信号が加えられて、このサイラ
トロンスイッチ６が導通ずると、コンデンサ４に蓄えら
れた電圧は、サイラトロンスイッチ６を通りレーザチュ
ーブ７にパルス電圧として印加される。その際、レーザ
チューブ７のインピーダンスは抵抗５の抵抗値より大幅
に小さくなるため、サイラトロンスイッチ６に流れる電
流は、主としてレーザチューブ７に流れる。これにより
、レーザチューブ７が励起され、レーザ発振を生ずる。 一般に銅蒸気レーザ装置の場合、よりゃ、峻なパルス電
圧をレーザチューブ７に印加すれば、より高いレーザ出
力が得られるので、スイッチとして使用されるサイラト
ロンスイッチ６には数１０ｎｓｅｃのスイッチングが要
求される。
カム オン エイジ（レーザー フォーカス、７月号、
１９８２年）ＣＯＰＰＥＲνＡＰＯＲＬＡＳＥＲ５Ｃ
ＯＭＥＯＦ ＡＧＥ （ＬＡＳＥＲＦＯＣＵＳ、 ＪＵ
ＬＹ、 １９８２）Ｊに記載された従来の銅蒸気レーザ
装置用のパルス発生回路を示す回路図であり、図におい
て１は高圧の直流電源、２は充電用のりアクドル、３は
充電用のダイオード、４は充放電を行うコンデンサ、５
は充電用の抵抗、６は放電用のサイシトロンスイッチ、
７はレーザチューブである。 次に動作について説明する。 直流電源１から発生される高圧電圧（数ＫＶ〜数十ＫＶ
）は、リアクトル２、ダイオード３及び抵抗５を通って
、コンデンサ４に充電される。次に、サイシトロンスイ
ッチ６のグリッドに導通信号が加えられて、このサイラ
トロンスイッチ６が導通ずると、コンデンサ４に蓄えら
れた電圧は、サイラトロンスイッチ６を通りレーザチュ
ーブ７にパルス電圧として印加される。その際、レーザ
チューブ７のインピーダンスは抵抗５の抵抗値より大幅
に小さくなるため、サイラトロンスイッチ６に流れる電
流は、主としてレーザチューブ７に流れる。これにより
、レーザチューブ７が励起され、レーザ発振を生ずる。 一般に銅蒸気レーザ装置の場合、よりゃ、峻なパルス電
圧をレーザチューブ７に印加すれば、より高いレーザ出
力が得られるので、スイッチとして使用されるサイラト
ロンスイッチ６には数１０ｎｓｅｃのスイッチングが要
求される。
従来の銅蒸気レーザ装置等に用いられるパルス発生回路
は以上のように構成されているので、レーザチューブ７
に供給するパルス電圧をより急峻にしてレーザ効率のア
ップを図るため、パルス発生回路に使用されるスイッチ
には、大電力用で数１０ｎｓｅｃでスイッチングオンが
可能なサイラトロンスイッチ６が用いられているが、サ
イラトロンスイッチ６は真空管であるため、有限の寿命
を持ち、頻繁に交換する必要があり、またサイラトロン
スイッチ６は手作り品であるため、レーザ効率に影響す
る電流の立ち上がりやスイッチング時間に個々のバラツ
キがあり、品質の安定性や信頼性を損ねる等の問題点が
あった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、寿命が半永久的で、また安定性、信頼性を向
上させることのできる、パルス発生回路に用いて好適な
半導体スイッチ装置を得ることを目的とする。
は以上のように構成されているので、レーザチューブ７
に供給するパルス電圧をより急峻にしてレーザ効率のア
ップを図るため、パルス発生回路に使用されるスイッチ
には、大電力用で数１０ｎｓｅｃでスイッチングオンが
可能なサイラトロンスイッチ６が用いられているが、サ
イラトロンスイッチ６は真空管であるため、有限の寿命
を持ち、頻繁に交換する必要があり、またサイラトロン
スイッチ６は手作り品であるため、レーザ効率に影響す
る電流の立ち上がりやスイッチング時間に個々のバラツ
キがあり、品質の安定性や信頼性を損ねる等の問題点が
あった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、寿命が半永久的で、また安定性、信頼性を向
上させることのできる、パルス発生回路に用いて好適な
半導体スイッチ装置を得ることを目的とする。
請求項１の発明に係る半導体スイッチ装置は、互いに直
並列接続された複数個の半導体スイッチを第１の筒体に
配すると共に、各半導体スイッチの直列回路の一端を、
上記第１の筒体の内部又は外部に設けた導電体から成る
第２の筒体に接続したものである。 請求項２の発明に係る半導体スイッチ装置は、互いに直
並列接続された複数個の半導体スイッチを第１の筒体に
配すると共に、各半導体スイッチの直列回路の一端を、
上記第１の筒体の内部又は外部に設けた導電体から成る
第２の筒体に接続し、さらに、第１の筒体の一端部に２
つの支持リングを嵌め込み、それらの間に複数のコンデ
ンサを並列に接続すると共に、一方の支持リングに上記
直列回路の他端を接続したものである。
並列接続された複数個の半導体スイッチを第１の筒体に
配すると共に、各半導体スイッチの直列回路の一端を、
上記第１の筒体の内部又は外部に設けた導電体から成る
第２の筒体に接続したものである。 請求項２の発明に係る半導体スイッチ装置は、互いに直
並列接続された複数個の半導体スイッチを第１の筒体に
配すると共に、各半導体スイッチの直列回路の一端を、
上記第１の筒体の内部又は外部に設けた導電体から成る
第２の筒体に接続し、さらに、第１の筒体の一端部に２
つの支持リングを嵌め込み、それらの間に複数のコンデ
ンサを並列に接続すると共に、一方の支持リングに上記
直列回路の他端を接続したものである。
請求項１の発明における半導体スイッチ装置は、第２の
筒体により、各半導体スイッチから見た回路のインダク
タンスが均等になり、従って、電流分布が均等になり、
良好なスイッチング特性が得られる。 請求項２における半導体スイッチ装置は、第２の筒体に
より、均等な電流分布が得られると共に、パルス電圧を
得るためのコンデンサを含めて一体化されたパルス発生
回路をコンパクトな形で得ることができる。
筒体により、各半導体スイッチから見た回路のインダク
タンスが均等になり、従って、電流分布が均等になり、
良好なスイッチング特性が得られる。 請求項２における半導体スイッチ装置は、第２の筒体に
より、均等な電流分布が得られると共に、パルス電圧を
得るためのコンデンサを含めて一体化されたパルス発生
回路をコンパクトな形で得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
〜３図はこの発明の第１の実施例を示すもので、第７図
と対応する部分には同一符号を付して説明を省略する。 第３図において、８は複数個の半導体スイッチで、この
実施例においてはＦＥＴ（電界効果トランジスタ）８が
用いられている。これらのＦＥＴ８は、ｎ個のＦＥＴ８
のドレイン端子りのソース端子Ｓとが互いに接続されて
成る複数の直列回路が、ダイオード３とコンデンサ４の
接続点と直流電源１との間に並列に接続されると共に、
さらに各ＦＥＴ８の１個づつが並列に接続されて成る直
並列回路を構成している。９１〜９．は導通信号の入力
端子であり、ＦＥＴ８のｎ個の並列回路における各ＦＥ
Ｔ８のゲート端子Ｇに共通に接続されている。 第１図及び第２図において、１０は絶縁体から成る円筒
状の第１の筒体、１１は第１の筒体１０の内部に同軸的
に所定間隔を以って配された導電体から成る円筒体の第
２の筒体、１２は第１及び第２の筒体１０．１１の一端
面に設けられた短絡リング、１３．１４は第１の筒体１
０の端部外側に所定間隔を以って配されたリング状の導
電体から成るコンデンサの支持リングで、それぞれ互い
に向い合うフランジ１３ａ、１４ａを有している。 ４ａは上記フランジ１３ａ、１４ａに両端を接続されて
支持されることにより、互いに並列に接続された複数個
のコンデンサで、全体として第３図の大容量コンデンサ
４を構成する。１５は支持リング１４に接続された端子
、１６は第２の筒体１１に接続された端子である。 上記第１の筒体ｌＯの外周面には、第３図における複数
のＦＥＴ８が互いに直並列に接続されて配されている。 第１の筒体１０の軸方向に沿ってｎ個のＦＥＴＢが直列
に接続され、この直列回路が平行に複数列設けられ、各
直列回路の一端のＦＥＴ８のドレイン端子りが支持リン
グエ３に接続され、他端のＦＥＴ８のソース端子Ｓが短
絡リング１２に接続されている。また、各ＦＥＴ８のド
レイン端子りとソース端子Ｓとの接続点が円周方向の複
数のリード線１７によって接続されている。 次に動作について説明する。 スイッチの安定性を向上させ、かつ寿命レスとするため
に、従来の真空管であるサイラトロンスイッチ６に代え
て、この実施例では半導体スイッチとしてのＦＥＴ８を
用いている。しかしながらミサイラトロンスイッチ６が
実現してきたような数に■〜数１０ＫＶ、数ＩＱｎｓｅ
ｃのスイッチングを可能とする単一の半導体スイッチは
現在存在し得ない。数１０ｎｓｅｃのスイッチングを実
現する半導体スイッチとしてのＦＥＴ等は耐圧が最大で
もｌＫＶ程度しか無いため、数ＫＶ〜数１０ＫＶの耐圧
を得るためには、第３図のように、ＦＥＴ８等の高速半
導体の複数個の直並列接続が必要となる。 しかしながら、ＦＥＴ８の直並列接続を行った場合、特
に並列接続では各ＦＥＴ８に対する電流の均等な分布が
難しい。銅薫気レーザ装置の極めて速い時間（数１００
ｎ５ｅｃ）において電流の分布は、ＦＥＴ８の特性か
ら決まるＯＮ電圧よりも、幾何学的形状から決まる回路
のインダクタンスの逆起電力によって決まる。 この発明の第１の実施例による第１図においては、直並
列接続されたＦＥＴ８が配された第１の筒体１０の内部
に同輔状に導電体から成る第２の筒体１１が配され、こ
の第２の筒体１１により、電流の帰還路が形成される。 従って、各ＦＥＴ８からみたインダクタンスは均一で電
流は均等に流れ、ＦＥＴ８の全体としてのスイッチング
特性が良好になる。なお、端子１５は第３図のダイオー
ド３とコンデンサ４との接続点に接続され、端子１６は
直流電源１、レーザチューブ７及び抵抗５の各一端に接
続される。 第４図は第２の実施例を示し、第１の筒体１０の外周面
に鉤形を成す複数個のＦＥＴの固定金具１８を設け、各
固定金具１８により、ＦＥＴ８を縦に支持したものであ
る。この場合、ＦＥＴ８のドレイン端子Ｄ（図示せず）
は固定金具１８に直接に接続され、隣接するＦＥＴ８の
ソース端子Ｓとの接続は固定金具１８を介して行われる
。また円周方向の接続はリード線１９及び固定金具１８
を介して行われる。 上記構成によればＦＥＴ８が縦に配されるので、第１及
び第２の筒体１０，１１の長さを、第１図のものより短
くすることができる。 なお、上記第１及び第２の実施例では、第１の筒体１０
と第２の筒体１１とを所定の間隔を置いて同軸的に配し
、両者を短絡リング１２で接続したが、第３の実施例を
示す第５図のように、ＦＥＴ８のソース端子Ｓを直接筒
２の筒体１１に接続して短絡リング１２を省略してもよ
い。 また、第１〜３の実施例では、第１及び第２の筒体１０
．１１を円筒状としたが、第４の実施例を示す第６図の
ように、四角形状の第１及び第２の筒体１０．１１を用
いてもよい。 第７図及び第８図は第５の実施例を示すもので、この実
施例では、第１の筒体１０は第２の筒体１１の内部に配
されている。また第１の筒体１ｏは、複数個の導電体か
ら成るＦＥＴ取付用の取付リング１０ａと、これらの取
付リング１０ａを互いに一接続して全体的に筒体を形成
する絶縁体リング１０ｂとから構成されている。そして
、取付はリング１０ａの内側には放熱部１０ｃが一体的
に設けられ、この放熱部１０ｃにＦＥＴ８が、そのドレ
イン端子りを接続されて取付けられている。また第１の
筒体１０の一端に支持リング１３．１４が、第２の筒体
１１から外方に突出する形で設けられ、それらのフラン
ジ１３ａ、１４ａの間には複数個のコンデンサ４ａが設
けられている。 第１の筒体１０の軸方向に沿ってｎ個のＦＥＴ８が直列
に接続され、この直列回路が平行に複数列（第８図では
４列）設けられ、各直列回路の一端のＦＥＴ８のドレイ
ン端子りが放熱部１０ｃを介して支持リング１３に接続
され、各直列回路の他端のＦＥＴ８のソース端子Ｓが短
絡リング１２に接続されている。また、第８図のように
、各ＦＥＴ８のドレイン端子りが接続された放熱部１０
Ｃとソース端子Ｓとの接続点ａが円周方向の複数（７）
Ｔ）−ド線１７によって接続されることにより、ｎ個
の並列回路が構成されている。 この第５の実施例によれば、導電体である第２の筒体１
１により、第１の筒体１０の周囲が覆われているので、
ノイズ等が外部へ漏洩するのを防ぐ等のシールド効果が
得られる。 なお、この第５の実施例においても、ＦＥＴ８のソース
端子Ｓを直接第２の筒体１１に接続して短絡リング１２
を省略してもよく、また第１及び第２の筒体１０，１１
を四角形状としてもよい。 さらに、上記第１〜５の実施例では半導体スイッチとし
てＦＥＴ８を用いたが、ＳＩＴ、ＩＧＢＴ、Ｓｌサイリ
スク、トランジスタ、サイリスク等を用いてもよい。 またさらに、この発明は銅蒸気レーザ装置等に限らず他
の電気回路における半導体スイッチ装置に適用すること
ができる。
〜３図はこの発明の第１の実施例を示すもので、第７図
と対応する部分には同一符号を付して説明を省略する。 第３図において、８は複数個の半導体スイッチで、この
実施例においてはＦＥＴ（電界効果トランジスタ）８が
用いられている。これらのＦＥＴ８は、ｎ個のＦＥＴ８
のドレイン端子りのソース端子Ｓとが互いに接続されて
成る複数の直列回路が、ダイオード３とコンデンサ４の
接続点と直流電源１との間に並列に接続されると共に、
さらに各ＦＥＴ８の１個づつが並列に接続されて成る直
並列回路を構成している。９１〜９．は導通信号の入力
端子であり、ＦＥＴ８のｎ個の並列回路における各ＦＥ
Ｔ８のゲート端子Ｇに共通に接続されている。 第１図及び第２図において、１０は絶縁体から成る円筒
状の第１の筒体、１１は第１の筒体１０の内部に同軸的
に所定間隔を以って配された導電体から成る円筒体の第
２の筒体、１２は第１及び第２の筒体１０．１１の一端
面に設けられた短絡リング、１３．１４は第１の筒体１
０の端部外側に所定間隔を以って配されたリング状の導
電体から成るコンデンサの支持リングで、それぞれ互い
に向い合うフランジ１３ａ、１４ａを有している。 ４ａは上記フランジ１３ａ、１４ａに両端を接続されて
支持されることにより、互いに並列に接続された複数個
のコンデンサで、全体として第３図の大容量コンデンサ
４を構成する。１５は支持リング１４に接続された端子
、１６は第２の筒体１１に接続された端子である。 上記第１の筒体ｌＯの外周面には、第３図における複数
のＦＥＴ８が互いに直並列に接続されて配されている。 第１の筒体１０の軸方向に沿ってｎ個のＦＥＴＢが直列
に接続され、この直列回路が平行に複数列設けられ、各
直列回路の一端のＦＥＴ８のドレイン端子りが支持リン
グエ３に接続され、他端のＦＥＴ８のソース端子Ｓが短
絡リング１２に接続されている。また、各ＦＥＴ８のド
レイン端子りとソース端子Ｓとの接続点が円周方向の複
数のリード線１７によって接続されている。 次に動作について説明する。 スイッチの安定性を向上させ、かつ寿命レスとするため
に、従来の真空管であるサイラトロンスイッチ６に代え
て、この実施例では半導体スイッチとしてのＦＥＴ８を
用いている。しかしながらミサイラトロンスイッチ６が
実現してきたような数に■〜数１０ＫＶ、数ＩＱｎｓｅ
ｃのスイッチングを可能とする単一の半導体スイッチは
現在存在し得ない。数１０ｎｓｅｃのスイッチングを実
現する半導体スイッチとしてのＦＥＴ等は耐圧が最大で
もｌＫＶ程度しか無いため、数ＫＶ〜数１０ＫＶの耐圧
を得るためには、第３図のように、ＦＥＴ８等の高速半
導体の複数個の直並列接続が必要となる。 しかしながら、ＦＥＴ８の直並列接続を行った場合、特
に並列接続では各ＦＥＴ８に対する電流の均等な分布が
難しい。銅薫気レーザ装置の極めて速い時間（数１００
ｎ５ｅｃ）において電流の分布は、ＦＥＴ８の特性か
ら決まるＯＮ電圧よりも、幾何学的形状から決まる回路
のインダクタンスの逆起電力によって決まる。 この発明の第１の実施例による第１図においては、直並
列接続されたＦＥＴ８が配された第１の筒体１０の内部
に同輔状に導電体から成る第２の筒体１１が配され、こ
の第２の筒体１１により、電流の帰還路が形成される。 従って、各ＦＥＴ８からみたインダクタンスは均一で電
流は均等に流れ、ＦＥＴ８の全体としてのスイッチング
特性が良好になる。なお、端子１５は第３図のダイオー
ド３とコンデンサ４との接続点に接続され、端子１６は
直流電源１、レーザチューブ７及び抵抗５の各一端に接
続される。 第４図は第２の実施例を示し、第１の筒体１０の外周面
に鉤形を成す複数個のＦＥＴの固定金具１８を設け、各
固定金具１８により、ＦＥＴ８を縦に支持したものであ
る。この場合、ＦＥＴ８のドレイン端子Ｄ（図示せず）
は固定金具１８に直接に接続され、隣接するＦＥＴ８の
ソース端子Ｓとの接続は固定金具１８を介して行われる
。また円周方向の接続はリード線１９及び固定金具１８
を介して行われる。 上記構成によればＦＥＴ８が縦に配されるので、第１及
び第２の筒体１０，１１の長さを、第１図のものより短
くすることができる。 なお、上記第１及び第２の実施例では、第１の筒体１０
と第２の筒体１１とを所定の間隔を置いて同軸的に配し
、両者を短絡リング１２で接続したが、第３の実施例を
示す第５図のように、ＦＥＴ８のソース端子Ｓを直接筒
２の筒体１１に接続して短絡リング１２を省略してもよ
い。 また、第１〜３の実施例では、第１及び第２の筒体１０
．１１を円筒状としたが、第４の実施例を示す第６図の
ように、四角形状の第１及び第２の筒体１０．１１を用
いてもよい。 第７図及び第８図は第５の実施例を示すもので、この実
施例では、第１の筒体１０は第２の筒体１１の内部に配
されている。また第１の筒体１ｏは、複数個の導電体か
ら成るＦＥＴ取付用の取付リング１０ａと、これらの取
付リング１０ａを互いに一接続して全体的に筒体を形成
する絶縁体リング１０ｂとから構成されている。そして
、取付はリング１０ａの内側には放熱部１０ｃが一体的
に設けられ、この放熱部１０ｃにＦＥＴ８が、そのドレ
イン端子りを接続されて取付けられている。また第１の
筒体１０の一端に支持リング１３．１４が、第２の筒体
１１から外方に突出する形で設けられ、それらのフラン
ジ１３ａ、１４ａの間には複数個のコンデンサ４ａが設
けられている。 第１の筒体１０の軸方向に沿ってｎ個のＦＥＴ８が直列
に接続され、この直列回路が平行に複数列（第８図では
４列）設けられ、各直列回路の一端のＦＥＴ８のドレイ
ン端子りが放熱部１０ｃを介して支持リング１３に接続
され、各直列回路の他端のＦＥＴ８のソース端子Ｓが短
絡リング１２に接続されている。また、第８図のように
、各ＦＥＴ８のドレイン端子りが接続された放熱部１０
Ｃとソース端子Ｓとの接続点ａが円周方向の複数（７）
Ｔ）−ド線１７によって接続されることにより、ｎ個
の並列回路が構成されている。 この第５の実施例によれば、導電体である第２の筒体１
１により、第１の筒体１０の周囲が覆われているので、
ノイズ等が外部へ漏洩するのを防ぐ等のシールド効果が
得られる。 なお、この第５の実施例においても、ＦＥＴ８のソース
端子Ｓを直接第２の筒体１１に接続して短絡リング１２
を省略してもよく、また第１及び第２の筒体１０，１１
を四角形状としてもよい。 さらに、上記第１〜５の実施例では半導体スイッチとし
てＦＥＴ８を用いたが、ＳＩＴ、ＩＧＢＴ、Ｓｌサイリ
スク、トランジスタ、サイリスク等を用いてもよい。 またさらに、この発明は銅蒸気レーザ装置等に限らず他
の電気回路における半導体スイッチ装置に適用すること
ができる。
請求項１の発明によれば、第１の筒体に複数個の半導体
スイッチの直並列回路を設けると共に、第１の筒体の内
部又は外部に配された導電体から成る第２の筒体に上記
半導体スイッチの直列回路の一端を接続する構成とした
ので、各半導体スイッチから見た回路のインダクタンス
が均等になり、このため、電流が均等に流れ良好なスイ
ッチング特性が得られると共に、各半導体スイッチが定
格で使用でき、信頼性及び安定性が向上する効果が得ら
れる。 請求項２の発明によれば、第１の筒体に複数個の半導体
スイッチの直並列回路を設けると共に、第１の筒体の内
部又は外部に配された導電体から成る第２の筒体に上記
半導体スイッチの直列回路の一端を接続し、さらに第１
の筒体の端部に複数個のコンデンサを接続した２つの支
持リングを設ける構成としたので、各半導体スイッチへ
電流が均等に流れ、信頼性、安定性が向上すると共に、
充放電用のコンデンサを含めたパルス発生回路をコンパ
クト化できる効果がある。
スイッチの直並列回路を設けると共に、第１の筒体の内
部又は外部に配された導電体から成る第２の筒体に上記
半導体スイッチの直列回路の一端を接続する構成とした
ので、各半導体スイッチから見た回路のインダクタンス
が均等になり、このため、電流が均等に流れ良好なスイ
ッチング特性が得られると共に、各半導体スイッチが定
格で使用でき、信頼性及び安定性が向上する効果が得ら
れる。 請求項２の発明によれば、第１の筒体に複数個の半導体
スイッチの直並列回路を設けると共に、第１の筒体の内
部又は外部に配された導電体から成る第２の筒体に上記
半導体スイッチの直列回路の一端を接続し、さらに第１
の筒体の端部に複数個のコンデンサを接続した２つの支
持リングを設ける構成としたので、各半導体スイッチへ
電流が均等に流れ、信頼性、安定性が向上すると共に、
充放電用のコンデンサを含めたパルス発生回路をコンパ
クト化できる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体スイッチ
装置を示す側面図、第２図は同装置の断面正面図、第３
図は同装置を用いたパルス発生回路を示す回路図、第４
図及び第５図はこの発明の第２及び第３の実施例による
半導体スイッチ装置を示す要部側面図、第６図はこの発
明の第４の実施例による半導体スイッチ装置を示す正面
図、第７図はこの発明の第５の実施例による半導体スイ
ッチ装置を示す断面側面図、第８図は同装置の断面正面
図、第９図は従来の銅蒸気レーザ装置のパルス発生回路
を示す回路図である。 ４ａはコンデンサ、８はＦＥＴ、１０は第１の筒体、１
１は第２の筒体、１３．１４は支持リング。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第４図 第５図 ｔコ 第６図 第９図
装置を示す側面図、第２図は同装置の断面正面図、第３
図は同装置を用いたパルス発生回路を示す回路図、第４
図及び第５図はこの発明の第２及び第３の実施例による
半導体スイッチ装置を示す要部側面図、第６図はこの発
明の第４の実施例による半導体スイッチ装置を示す正面
図、第７図はこの発明の第５の実施例による半導体スイ
ッチ装置を示す断面側面図、第８図は同装置の断面正面
図、第９図は従来の銅蒸気レーザ装置のパルス発生回路
を示す回路図である。 ４ａはコンデンサ、８はＦＥＴ、１０は第１の筒体、１
１は第２の筒体、１３．１４は支持リング。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第４図 第５図 ｔコ 第６図 第９図
Claims (2)
- （１）第１の筒体と、上記第１の筒体に配され互いに直
並列接続された複数個の半導体スイッチと、上記第１の
筒体の内部又は外部に配され上記半導体スイッチの直列
回路の一端が接続された導電体から成る第２の筒体とを
備えた半導体スイッチ装置。 - （２）第１の筒体と、上記第１の筒体に配され互いに直
並列接続された複数個の半導体スイッチと、上記第１の
筒体の内部又は外部に配され上記半導体スイッチの直列
回路の一端が接続された導電体から成る第２の筒体と、
上記第１の筒体の一端部に所定間隔を以って嵌め込まれ
、その一方に上記半導体スイッチの直列回路の他端が接
続された２つの支持リングと、上記２つの支持リングの
間に並列に接続された複数のコンデンサとを備えた半導
体スイッチ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP19900313030 EP0431846B1 (en) | 1989-12-04 | 1990-11-30 | Semiconductor switching apparatus |
| US07/621,999 US5122674A (en) | 1989-12-04 | 1990-12-04 | Semiconductor switching apparatus |
| US07/859,903 US5243230A (en) | 1989-12-04 | 1992-03-30 | Semiconductor switching apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194089 | 1989-06-14 | ||
| JP1-151940 | 1989-06-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136411A true JPH03136411A (ja) | 1991-06-11 |
| JPH071863B2 JPH071863B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=15529534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31456889A Expired - Lifetime JPH071863B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-12-04 | 半導体スイッチ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071863B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638260U (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-20 | 株式会社カイジョー | 半導体スイッチング素子の並列接続実装構造 |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31456889A patent/JPH071863B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638260U (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-20 | 株式会社カイジョー | 半導体スイッチング素子の並列接続実装構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071863B2 (ja) | 1995-01-11 |
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