JPH0316425A - 半導体スイッチ装置 - Google Patents
半導体スイッチ装置Info
- Publication number
- JPH0316425A JPH0316425A JP15194189A JP15194189A JPH0316425A JP H0316425 A JPH0316425 A JP H0316425A JP 15194189 A JP15194189 A JP 15194189A JP 15194189 A JP15194189 A JP 15194189A JP H0316425 A JPH0316425 A JP H0316425A
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- JP
- Japan
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- cylinder
- fets
- parallel
- series
- cylindrical body
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
｛産業上の利用分野】
この発明は、バルスレーザ装置等に使用されるパルス発
生回路の一部を構或する高電圧１高電流用の半導体スイ
ッチ装置に関するものである。
生回路の一部を構或する高電圧１高電流用の半導体スイ
ッチ装置に関するものである。
第７図は、例えば「コッパー ペーパー レーザーズ
カム オブ エイジ（レーザー フォーカス，７月号，
１９８２年） ＣＯＰＰＥＲ ＶＡＰＯＲ ＬＡＳＥ
ＲＳ ＣＯＭＥＯＰ ＡＧＥ（ＬＡＳＥＲ ＦＯＣＵＳ
， ＪＵＬＹ， １９８２）Ｊに記載された、従来の銅
蒸気レーザ装置用のパルス発生回路を示す回路図であり
、図において１は高圧の直流電源、２は充電用のりアク
トル、３は充電用のダイオード、４は充放電を行うコン
デンサ、５は充電用の抵抗、６は放電用のサイラトロン
スイッチ、７はレーザチューブである。 次に動作について説明する。 直流電源１から発生される高圧電圧（数ＫＶ一・・数十
ＫＶ）は、リアクトル２、ダイオー ド３及び抵抗５を
通って、コンデンサ４に充電される。次に、サイラ１・
ロンス・イッチ６のグリ・・ノドに導通信号が加えられ
て、このサイラトロンスイッチ６が導通すると、コンデ
ンサ４に蓄えられた電圧は、サイラトロンスイッチ６を
通りレーザチューブ７にパルス電圧として印加される。 その際、レーザチューブ７のインピーダンスは抵抗５の
抵抗値より大幅に小さくなるため、サイラト口ンスイッ
チ６に流れる電流は、主としてレーザチューブ７に流れ
る。これにより、レーザチューブ７が励起され、レーザ
発振を生ずる。 一般に銅蒸気レーザ装置の場合、より急峻なパルス電圧
をレーザチューブ７に印加すれば、より高いレーザ出力
が得られるので、スイッチとして使用されるサイラトロ
ンスイッチ６には数１０ｎｓｅｃのスイッチングが要求
される。
カム オブ エイジ（レーザー フォーカス，７月号，
１９８２年） ＣＯＰＰＥＲ ＶＡＰＯＲ ＬＡＳＥ
ＲＳ ＣＯＭＥＯＰ ＡＧＥ（ＬＡＳＥＲ ＦＯＣＵＳ
， ＪＵＬＹ， １９８２）Ｊに記載された、従来の銅
蒸気レーザ装置用のパルス発生回路を示す回路図であり
、図において１は高圧の直流電源、２は充電用のりアク
トル、３は充電用のダイオード、４は充放電を行うコン
デンサ、５は充電用の抵抗、６は放電用のサイラトロン
スイッチ、７はレーザチューブである。 次に動作について説明する。 直流電源１から発生される高圧電圧（数ＫＶ一・・数十
ＫＶ）は、リアクトル２、ダイオー ド３及び抵抗５を
通って、コンデンサ４に充電される。次に、サイラ１・
ロンス・イッチ６のグリ・・ノドに導通信号が加えられ
て、このサイラトロンスイッチ６が導通すると、コンデ
ンサ４に蓄えられた電圧は、サイラトロンスイッチ６を
通りレーザチューブ７にパルス電圧として印加される。 その際、レーザチューブ７のインピーダンスは抵抗５の
抵抗値より大幅に小さくなるため、サイラト口ンスイッ
チ６に流れる電流は、主としてレーザチューブ７に流れ
る。これにより、レーザチューブ７が励起され、レーザ
発振を生ずる。 一般に銅蒸気レーザ装置の場合、より急峻なパルス電圧
をレーザチューブ７に印加すれば、より高いレーザ出力
が得られるので、スイッチとして使用されるサイラトロ
ンスイッチ６には数１０ｎｓｅｃのスイッチングが要求
される。
従来の銅蒸気レーザ装置等に用いられたパルス発生回路
は以上のように構威されているので、レーザチューブ７
に供給するパルス電圧をより急峻にしてレーザ効率のア
ップを図るため、パルス発生回路に使用されるスイッチ
には、大電力用で数ｌＱｎｓｅｃでスイッチングオンが
可能なサイラトロンスイッチ６が用いられているが、サ
イラトロンスイッチ６は真空管であるため、有限の寿命
を持ち、頻繁に交換する必要があり、またサイラトロン
スイッチ６は手作り品であるため、レーザ効率に影響す
る電流の立ち上がりやスイッチング時間に個々のバラツ
キがあり、品質の安定性や信頼性を損ねる等の問題点が
あった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、寿命が半永久的で、また安定性，信頼性を向
上させることのできる、パルス発生回路に用いて好適な
半導体スイッチ装置を得ることを目的とする。
は以上のように構威されているので、レーザチューブ７
に供給するパルス電圧をより急峻にしてレーザ効率のア
ップを図るため、パルス発生回路に使用されるスイッチ
には、大電力用で数ｌＱｎｓｅｃでスイッチングオンが
可能なサイラトロンスイッチ６が用いられているが、サ
イラトロンスイッチ６は真空管であるため、有限の寿命
を持ち、頻繁に交換する必要があり、またサイラトロン
スイッチ６は手作り品であるため、レーザ効率に影響す
る電流の立ち上がりやスイッチング時間に個々のバラツ
キがあり、品質の安定性や信頼性を損ねる等の問題点が
あった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、寿命が半永久的で、また安定性，信頼性を向
上させることのできる、パルス発生回路に用いて好適な
半導体スイッチ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体スイッチ装置は、互いに直並列接
続された複数個の半導体スイッチを、絶縁体から成る第
１の筒体の外周面に配すると共に、各半導体スイッチの
直列回路の一端を、上記第１の筒体の内部に設けた導電
体から成る第２の筒体に接続し、さらに第１及び第２の
筒体との間又は第１の筒体に冷却室を設け、この冷却室
に冷却液の入口管及び出口管を設けたものである。
続された複数個の半導体スイッチを、絶縁体から成る第
１の筒体の外周面に配すると共に、各半導体スイッチの
直列回路の一端を、上記第１の筒体の内部に設けた導電
体から成る第２の筒体に接続し、さらに第１及び第２の
筒体との間又は第１の筒体に冷却室を設け、この冷却室
に冷却液の入口管及び出口管を設けたものである。
この発明における半導体スイッチ装置は、第２の筒体に
より、各半導体スイッチから見た回路のインダクタンス
が均等になり、従って、電流分布が均等になり、良好な
スイッチング特性が得られると共に、冷却室の冷却液に
より、半導体スイッチの温度上昇を防ぐことができる。
より、各半導体スイッチから見た回路のインダクタンス
が均等になり、従って、電流分布が均等になり、良好な
スイッチング特性が得られると共に、冷却室の冷却液に
より、半導体スイッチの温度上昇を防ぐことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
〜４図はこの発明の第１の実施例を示すもので、第７図
と対応する部分には同一符号を付して説明を省略する。 第４図において、８は複数個の半導体スイッチで、この
実施例においてはＦＥＴ（電界効果トランジスタ）８が
用いられている。これらのＦＥＴ８は、ｎ個のＦ Ｅ
Ｔ’ ８のドし・イン端子Ｄとソース端子Ｓとが互いに
接続されて成る複数の直列回路が、ダイオード３とコン
デンサ４の接続点と直流電ａｔとの間に並列に接続され
ると共に、さらに各ＦＥＴ８の１個づつが並列に接続さ
れて成る直並列回路を構戒している。９，〜９７は導通
信号の人力端子であり、ＦＥＴ８のｎ個の並列回路にお
ける各ＦＥＴ８のゲート端子Ｇに共通に接続されている
。 第１〜３図において、、 ＩＯは絶縁体から成る円筒状
の第１の筒体、】■は第１の筒体１０の内部に同軸的に
所定間隔を以って配された導電体から成る円筒状の第２
の筒体、↓２は第１及び第２の筒体１０．ｌ．ｌの一端
面に設けられた短絡リング４，１３．ｉ４は第１の筒体
１ ０の端部外側に所定間隔を以って配されたリング状
の導電体から成るコンデンサの支持リングで、それぞれ
互いに向い合うフランジ３．３ａ，１．４ａを有してい
る。４ａは上記フランジ１．３ａ，１４ａに両端を接続
されて支持されることにより、互いに並列に接続された
複数個のコンデ冫り゛で、全体として第４図の大容量コ
ンデンサ４を構戒する。１５は支持リングｌ４に接続さ
れた端子、１６は第２の筒体１１に接続された端子であ
ど！２ 上記第１の筒体１０の外Ｐ．ｒｌ面には、第４図におけ
る複数のＦＥＴ８が九いに直並列に接続されて配されて
いる。第１の筒体１０の軸方向に沿ってｎ個のＦ Ｅ
Ｔ ８が直列に接続され、この直列回路が平行に複数列
設けられ、各直列回路の一端のＦＥＴ８のドレイン端子
Ｄが支持リング１３に接続され、他端のＦＥＴ８のソー
ス端子Ｓが短絡リング１２に接続されている。また、各
ＦＥＴ８のドレイン端子Ｄとソース端子Ｓとの接続点が
円周方向の複数のリード線１７によって接続されている
。 ２４は第１の筒体１０と第２の筒体１１との間を閉塞す
る絶縁体から成る蓋、２０は第１及び第２の筒体１０．
１１と蓋２４と短絡リング１２とで形成される冷却室、
２ｌは冷却室２０に収納された冷却液、２２は冷却液２
ｌの冷却室２０への入口管、２３は冷却液２１の冷却室
２０からの出口管である。 次に動作について説明する。 スイッチの安定性を向上させ、かつ寿命レスとするため
に、従来の真空管であるサイラトロンスイッチ６に代え
て、この実施例では半導体スイッチとしてのＦＥＴ８を
用いている。しかしながらサイラトロンスイッチ６が実
現してきたような数Ｋ■〜数１０ＫＶ、数ＩＱｎｓｅｃ
のスイッチングを可能とする単一の半導体スイッチは現
在存在し得ない。数ＩＱｎｓｅｃのスイッチングを実現
する半導体スイッチとしてのＦＥＴ等は耐圧が最大でも
ＩＫＶ程度しか無いため、数ＫＶ〜数１０ＫＶの耐圧を
得るためには、第３図のように、ＦＥＴ８等の高速半導
体の複数個の直並列接続が必要となる。 しかしながら、ＦＥＴ８の直並列接続を行った場合、特
に並列接続では、各ＦＥＴ８への電流の均等な分布が難
しい。銅蒸気レーザ装置の極めて速い時間（数１ ０
０ ｎｓｅｃ）において電流の分布は、ＦＥＴ８の特性
から決まるＯＮ電圧よりも．幾何学的形状から決まる回
路のインダクタンスの逆起電力によって決まる。 この発明の第１の実施例による第１図においては、直並
列接続されたＦＥＴ８が配された第１の筒体１０の内部
に同軸状に導電体から成る第２の筒体ｌ１が配され、こ
の第２の筒体１ｌにより、電流の帰還路が形威される。 従って、各ＦＥＴ８からみたインダクタンスは均一で電
流は均等に流れ、ＦＥＴ８の全体としてのスイッチング
特性が良好になる。なお、端子１５は第４図のダイオ−
ド３とコンデンサ４との接続点に接続され、端子１６は
直流電源１、レーザチューブ７及び抵抗５の各一端に接
続される。 また、Ｆ Ｅ Ｔ ８を配置した第１の筒体１０と第２
の筒体ｌ１との間の冷却室２０に冷却液２１を流すこと
により、ＦＥＴ８の温度上昇が無くなり、温度上昇に伴
うＦＥＴ８の特性変化を防ぐので、電流の各Ｆ Ｅ Ｔ
８ ’＼の分流の均一度が増し、より信頼性の高いス
イノチングが行われる。 第５図は第２の実施例を示し、第ｌの筒体１０の外周面
に鉤形を威す複数個のＦＥＴの固定金具１日を設け、各
固定金具１８により、Ｆ” Ｅ Ｔ ８を縦に支持した
ものである。この場合、Ｆ ｌ三’Ｔ’ ８のドレイン
端子Ｄ（図示せず）は固定金具■８に直接に接続され、
隣接するＦ Ｅ Ｔ８のソース端子Ｓとの接続は固定金
具１８を介して行われる。また円周方向の接続はリード
線１９及び固定金具１８を介して行われる。 上記構戒によれば、ＦＥＴ８が縦に配されるので、第１
及び第２の筒体１０．＋１の長さを、第１図のものより
短くすることができる。 また、第１及び第２の実施例では、第１及び第２の筒体
１０．１１を円筒状としたが、四角形状の第１及び第２
の筒体１０．１１を用いてもよい。 また、上記第１〜２の実施例では、第１及び第２の筒体
１０，１１により、冷却室２０を形成しているが、第３
の実施例を示す第６図のように、第１の筒体１０の２重
構造として、その内部を冷却室２０とし、第２の筒体１
１を第１の筒体１０の内周面に接して設けるようにして
もよい。 さらに、上記第１〜３の実施例では半導体スイッチとし
てＦ Ｅ Ｔ ８を用いたが、ＳＩＴ，ｒＧＢＴ，Ｓｌ
サイリスタ．トランジスタ，サイリスク等を用いてもよ
い。 またさらに、この発明は銅蒸気レーザ装置等に限らず他
の電気回路における半導体スイノチ装置に適用すること
ができる。
〜４図はこの発明の第１の実施例を示すもので、第７図
と対応する部分には同一符号を付して説明を省略する。 第４図において、８は複数個の半導体スイッチで、この
実施例においてはＦＥＴ（電界効果トランジスタ）８が
用いられている。これらのＦＥＴ８は、ｎ個のＦ Ｅ
Ｔ’ ８のドし・イン端子Ｄとソース端子Ｓとが互いに
接続されて成る複数の直列回路が、ダイオード３とコン
デンサ４の接続点と直流電ａｔとの間に並列に接続され
ると共に、さらに各ＦＥＴ８の１個づつが並列に接続さ
れて成る直並列回路を構戒している。９，〜９７は導通
信号の人力端子であり、ＦＥＴ８のｎ個の並列回路にお
ける各ＦＥＴ８のゲート端子Ｇに共通に接続されている
。 第１〜３図において、、 ＩＯは絶縁体から成る円筒状
の第１の筒体、】■は第１の筒体１０の内部に同軸的に
所定間隔を以って配された導電体から成る円筒状の第２
の筒体、↓２は第１及び第２の筒体１０．ｌ．ｌの一端
面に設けられた短絡リング４，１３．ｉ４は第１の筒体
１ ０の端部外側に所定間隔を以って配されたリング状
の導電体から成るコンデンサの支持リングで、それぞれ
互いに向い合うフランジ３．３ａ，１．４ａを有してい
る。４ａは上記フランジ１．３ａ，１４ａに両端を接続
されて支持されることにより、互いに並列に接続された
複数個のコンデ冫り゛で、全体として第４図の大容量コ
ンデンサ４を構戒する。１５は支持リングｌ４に接続さ
れた端子、１６は第２の筒体１１に接続された端子であ
ど！２ 上記第１の筒体１０の外Ｐ．ｒｌ面には、第４図におけ
る複数のＦＥＴ８が九いに直並列に接続されて配されて
いる。第１の筒体１０の軸方向に沿ってｎ個のＦ Ｅ
Ｔ ８が直列に接続され、この直列回路が平行に複数列
設けられ、各直列回路の一端のＦＥＴ８のドレイン端子
Ｄが支持リング１３に接続され、他端のＦＥＴ８のソー
ス端子Ｓが短絡リング１２に接続されている。また、各
ＦＥＴ８のドレイン端子Ｄとソース端子Ｓとの接続点が
円周方向の複数のリード線１７によって接続されている
。 ２４は第１の筒体１０と第２の筒体１１との間を閉塞す
る絶縁体から成る蓋、２０は第１及び第２の筒体１０．
１１と蓋２４と短絡リング１２とで形成される冷却室、
２ｌは冷却室２０に収納された冷却液、２２は冷却液２
ｌの冷却室２０への入口管、２３は冷却液２１の冷却室
２０からの出口管である。 次に動作について説明する。 スイッチの安定性を向上させ、かつ寿命レスとするため
に、従来の真空管であるサイラトロンスイッチ６に代え
て、この実施例では半導体スイッチとしてのＦＥＴ８を
用いている。しかしながらサイラトロンスイッチ６が実
現してきたような数Ｋ■〜数１０ＫＶ、数ＩＱｎｓｅｃ
のスイッチングを可能とする単一の半導体スイッチは現
在存在し得ない。数ＩＱｎｓｅｃのスイッチングを実現
する半導体スイッチとしてのＦＥＴ等は耐圧が最大でも
ＩＫＶ程度しか無いため、数ＫＶ〜数１０ＫＶの耐圧を
得るためには、第３図のように、ＦＥＴ８等の高速半導
体の複数個の直並列接続が必要となる。 しかしながら、ＦＥＴ８の直並列接続を行った場合、特
に並列接続では、各ＦＥＴ８への電流の均等な分布が難
しい。銅蒸気レーザ装置の極めて速い時間（数１ ０
０ ｎｓｅｃ）において電流の分布は、ＦＥＴ８の特性
から決まるＯＮ電圧よりも．幾何学的形状から決まる回
路のインダクタンスの逆起電力によって決まる。 この発明の第１の実施例による第１図においては、直並
列接続されたＦＥＴ８が配された第１の筒体１０の内部
に同軸状に導電体から成る第２の筒体ｌ１が配され、こ
の第２の筒体１ｌにより、電流の帰還路が形威される。 従って、各ＦＥＴ８からみたインダクタンスは均一で電
流は均等に流れ、ＦＥＴ８の全体としてのスイッチング
特性が良好になる。なお、端子１５は第４図のダイオ−
ド３とコンデンサ４との接続点に接続され、端子１６は
直流電源１、レーザチューブ７及び抵抗５の各一端に接
続される。 また、Ｆ Ｅ Ｔ ８を配置した第１の筒体１０と第２
の筒体ｌ１との間の冷却室２０に冷却液２１を流すこと
により、ＦＥＴ８の温度上昇が無くなり、温度上昇に伴
うＦＥＴ８の特性変化を防ぐので、電流の各Ｆ Ｅ Ｔ
８ ’＼の分流の均一度が増し、より信頼性の高いス
イノチングが行われる。 第５図は第２の実施例を示し、第ｌの筒体１０の外周面
に鉤形を威す複数個のＦＥＴの固定金具１日を設け、各
固定金具１８により、Ｆ” Ｅ Ｔ ８を縦に支持した
ものである。この場合、Ｆ ｌ三’Ｔ’ ８のドレイン
端子Ｄ（図示せず）は固定金具■８に直接に接続され、
隣接するＦ Ｅ Ｔ８のソース端子Ｓとの接続は固定金
具１８を介して行われる。また円周方向の接続はリード
線１９及び固定金具１８を介して行われる。 上記構戒によれば、ＦＥＴ８が縦に配されるので、第１
及び第２の筒体１０．＋１の長さを、第１図のものより
短くすることができる。 また、第１及び第２の実施例では、第１及び第２の筒体
１０．１１を円筒状としたが、四角形状の第１及び第２
の筒体１０．１１を用いてもよい。 また、上記第１〜２の実施例では、第１及び第２の筒体
１０，１１により、冷却室２０を形成しているが、第３
の実施例を示す第６図のように、第１の筒体１０の２重
構造として、その内部を冷却室２０とし、第２の筒体１
１を第１の筒体１０の内周面に接して設けるようにして
もよい。 さらに、上記第１〜３の実施例では半導体スイッチとし
てＦ Ｅ Ｔ ８を用いたが、ＳＩＴ，ｒＧＢＴ，Ｓｌ
サイリスタ．トランジスタ，サイリスク等を用いてもよ
い。 またさらに、この発明は銅蒸気レーザ装置等に限らず他
の電気回路における半導体スイノチ装置に適用すること
ができる。
この発明によれば、絶縁体から成る第１の筒体の外周面
に複数個の半導体スイッチの直並列回路を設けると共に
、第１の筒体の内部に配された導電体から成る第２の筒
体に上記半導体スイッチの直列回路の一端を接続し、さ
らに冷却室を設けるように構威したので、各半導体スイ
ッチから見た回路のインダクタンスが均等になり、この
ため、電流が均等に流れ、良好なスイッチング特性が得
られると共に、各半導体スイッチが定格で使用でき、信
頼性及び安定性が向上し、さらに半導体スイ・ンチの温
度上昇による特性変化を防ぐことができ、長時間の使用
に耐える等の効果がある。
に複数個の半導体スイッチの直並列回路を設けると共に
、第１の筒体の内部に配された導電体から成る第２の筒
体に上記半導体スイッチの直列回路の一端を接続し、さ
らに冷却室を設けるように構威したので、各半導体スイ
ッチから見た回路のインダクタンスが均等になり、この
ため、電流が均等に流れ、良好なスイッチング特性が得
られると共に、各半導体スイッチが定格で使用でき、信
頼性及び安定性が向上し、さらに半導体スイ・ンチの温
度上昇による特性変化を防ぐことができ、長時間の使用
に耐える等の効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体スイッチ
装置を示す側面図、第２図は同装置の断面側面図、第３
図は同装置の断面正面図、第４図は同装置を用いたパル
ス発生回＋Ｗを示す回路図、第５図はこの発明の第２の
実施例による半導体スイッチ装置を示す要部側面図、第
６図はこの発明の第３の実施例による半導体スイッチ装
置を示す断面側面図、、第７図は従来の銅蒸気レーザ装
置のパルス発生回路を示す回路図である。 ４ａはコンデンサ、８はＦＥＴ，１０は第１の筒体、１
ｌは第２の筒体、２０は冷却室、２１は冷却液、２２は
入口管− ２３は出口管。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
装置を示す側面図、第２図は同装置の断面側面図、第３
図は同装置の断面正面図、第４図は同装置を用いたパル
ス発生回＋Ｗを示す回路図、第５図はこの発明の第２の
実施例による半導体スイッチ装置を示す要部側面図、第
６図はこの発明の第３の実施例による半導体スイッチ装
置を示す断面側面図、、第７図は従来の銅蒸気レーザ装
置のパルス発生回路を示す回路図である。 ４ａはコンデンサ、８はＦＥＴ，１０は第１の筒体、１
ｌは第２の筒体、２０は冷却室、２１は冷却液、２２は
入口管− ２３は出口管。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁体から成る第１の筒体と、上記第１の筒体の外周
面に配され互いに直並列接続された複数個の半導体スイ
ッチと、上記第１の筒体の内部に配され上記半導体スイ
ッチの直列回路の一端が接続された導電体から成る第２
の筒体と、上記第１の筒体と第２の筒体との間、又は第
１の筒体に設けられた冷却室と、上記冷却室に収納され
る冷却液の入口管及び出口管とを備えた半導体スイッチ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194189A JPH0316425A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体スイッチ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194189A JPH0316425A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体スイッチ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316425A true JPH0316425A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15529558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15194189A Pending JPH0316425A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体スイッチ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8202600B2 (en) | 2006-07-27 | 2012-06-19 | Tradik Co., Ltd. | Artificial leather, base to be used in the leather, and processes for production of both |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15194189A patent/JPH0316425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8202600B2 (en) | 2006-07-27 | 2012-06-19 | Tradik Co., Ltd. | Artificial leather, base to be used in the leather, and processes for production of both |
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