JPH03137836A

JPH03137836A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH03137836A
Application number: JP27387889A
Authority: JP
Inventors: Kenichiro Nakao; 健一郎中尾; Katsusuke Shimazaki; 勝輔島崎
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Ltd
Priority date: 1989-10-23
Filing date: 1989-10-23
Publication date: 1991-06-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光磁気記録媒体に係り、特に、基板上に形成さ
れる光磁気記録膜の防蝕手段に関する。

〔従来の技術〕

従来より、樹脂製基板の信号パターン形成面に少なくと
も光磁気記録膜を含む薄膜層を形成して成る光磁気記録
媒体が提案されている。

光磁気記録膜は、例えば希土類−遷移金属系の非晶質合
金のような磁性材料によって形成されており、腐蝕され
やすい。また、光磁気記録膜の膜厚ハ、３０〜５０（ｎ
ｍ）程度に形成されるので。

僅かな衝撃で損傷されやすい。ががる不都合を防止する
ため、光磁気記録膜の表面には、通常保護膜が被着され
る。

ところで、前記光磁気記録膜の腐蝕は、従来、樹脂製基
板や保護膜を通して浸透する水が原因であると認識され
ており、光磁気記録膜の表面に防水性の保護膜を形成す
る等の耐食処理が提案されている。

防水処理が施された光磁気記録媒体は、何らの防水処理
も施されていない光磁気記録媒体に比べて、延命効果が
認められる。

〔発明が解決しようとする課題〕

然るに、光磁気記録媒体には、実用上、より長寿命であ
ることが要求されるのであって、従来の防蝕手段では未
だ不充分である。

本願出願人は、研究の結果、光磁気韻ａ膜の腐蝕につい
て以下の事実を知得した。

■光磁気記録膜は高温高湿雰囲気中で腐蝕し易（、高温
低湿雰囲気中ではほとんど腐蝕しない。

但し、ガラス基板を用いると高温高湿の雰囲気中でも光
磁気記録膜が腐蝕しにくい。

■分析の結果、腐蝕した光磁気記録膜は水酸化物になっ
ていることが確認された。

■腐蝕した光磁気記録膜からは塩素、イオウ、フッ素な
どの！１蝕性元素が検出される。

■光磁気記録膜の腐蝕は、基板との界面から起る。

■樹脂製基板中には塩素、イオウ、フッ素などの腐蝕性
元素が検出される。

これらの事実から、光磁気記録膜の腐蝕メカニズムは、
以下の通りであると推定される。

まず、樹脂製基板中に含まれる腐蝕性元素が光磁気記録
膜中の金属元素と化学反応を起す。腐蝕性元素が塩素（
Ｃ１）、これと化学反応を起す光磁気記録媒体の金属元
素がテルビウム（Ｔｂ；、２価の金属）である場合を例
にとってこの化学反応を化学式にて説明すると、以下の
通りである。

Ｔ　ｂ　＋　３　ＣＩ−→ＴｂＣｌ３−　　＋２　ｅ・
　・　・　・　・（１）次に、この反応によって生成されたＴｂＣ１４と保護膜
を通して外部から侵入してきた水分が下記の化学反応を
起す。

ＴｂＣ１：ｉ−＋２８２０一＋Ｔ　ｂ　（ＯＨ）　ｚ　＋２８　　＋　３　ＣＩ−
”・（２）さらに、この反応によって生成されたＣ１−
が再び前記第（１）式の化学反応を生じ、腐蝕が連続的
に進行する。

従って、光磁気記録膜の腐蝕は、腐蝕性元素および水分
のうち少なくともいずれか一方の侵入を防止することに
よって防止することができる。然るに、樹脂製基板は多
少とも透水性があり、これを完全に止めることは困難で
、そのための処理を施すと、光磁気記録媒体が大幅にコ
スト高になる。

これに対し、光磁気記録膜への腐蝕性元素の侵入を防止
することは、基板と光磁気記録膜を含む薄膜層との間に
中間層を形成することによって比較的簡単に実施し得る
。

本発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって
、光磁気記録膜への腐蝕性元素の侵入を防止することに
よって光磁気記録膜の腐蝕を防止し、もって長寿命の光
磁気記録媒体を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、前記の目的を達成するため、樹脂製基板の信
号面に、少な・くとも１層の光磁気記録膜を含む薄膜層
を形成して成る光磁気記録媒体において、前記樹脂製基
板と薄膜層との間に、前記光磁気記録膜を腐蝕する腐蝕
性元素を含有せず、かつ腐蝕性元素の透過を妨げる物質
から成る中間層を設けた。

前記腐蝕性元素を含有せず、かつ腐蝕性元素の透過を妨
げる物質としては、腐蝕性元素が全く侵入し得ない物質
を用いても良いし、侵入した腐蝕性元素を捕獲し、薄膜
層への移動を妨げるような物質を用いることもできる。

〔作用〕

樹脂製基板と光磁気記録膜との間に前記の中間層を設け
ると、光磁気記録膜の腐蝕の主原因である樹脂製基板中
の腐蝕性元素が光磁気記録膜に侵入せず、光磁気記録膜
の腐蝕が防止される。よって、耐食性に優れた長寿命の
光情報記録媒体を提供することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の全体構成を示す
要部断面図であって、樹脂製基板１の信号パターン形成
面１ａに中間層２が形成され、この中間層２上に少なく
とも光磁気記録膜を含む薄膜層３が積層されている。

樹脂製基板ｌは、例えばポリカーボネート（ＰＣ）、ポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリメチルペン
テン、エポキシなどの透明な樹脂材料によって形成され
る。樹脂製基板１の片面には、記録／再生用放射線ビー
ム（例えばレーザビーム）を案内するプリグループやプ
リフォーマット信号を表示するプリピット（第２図〜第
５図参照）等の信号パターンが凹凸の形で形成されてい
る。

前記信号パターンは、基板材料の種類に応じて適宜の方
法で形成される。例えば、ＰＣやＰＭＭＡ等の熱可塑性
樹脂については射出成形法が適し、エポキシなどの熱硬
化性樹脂については所に１２Ｐ法（光硬化性樹脂法）や
注型法が適する。さらに、紫外線硬化性樹脂については
注型法が適する。

中間層２は、塩素やイオウ、それにフッ素といった腐蝕
性元素を含有せず、かつこれらの腐蝕性元素の透過を妨
げる物質から形成される。具体的には、窒化シリコン（
ＳｉｉＮｘ、但し、３≦Ｘ≦４）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏｘ、但し、１≦Ｘ≦２）、スチレンのプラズマ重合体
、ポリエチレン、ポリビニルアルコール、硝酸セルロー
ス、アクリレート系紫外線硬化樹脂などを挙げることが
できる。さらに、これらの物質中に、例えばテ１〜ラブ
チルスズなどの腐蝕性元素と結合しやすい物質を添加し
、中間層２で腐蝕性元素を捕獲するようにすることもで
きる。

中間層２は、薄膜層３の内周端３ａおよび外周端３ｂを
保護するため、第１図に示すように、薄膜ＷＩ３の形成
領域よりも広範囲に形成することが好ましい。

中間層２の形成手段としては、中間層材料の種類に応じ
て、スパッタ法、真空蒸着法、プラズマ重合法、スピン
塗布法などの薄膜形成手段を適用することができる。

薄膜層３は、少なくとも１層の光磁気記録膜から構成さ
れ、必要に応じて他の材料から成る１ないし複数層の薄
膜と光磁気記録膜との積層体を用いることもできる。

第２図〜第５図に薄膜層３の膜構造を例示する。

第２図の光磁気記録媒体においては、薄膜層３が、前記
中間層２側より、光磁気記録膜４と、前記樹脂製基板１
よりも高屈折率の誘電体にて形成される誘電体膜５と、
金属製保護膜６とから成る３Ｍ構造になっている。なお
、この図において、７はプリグループ、８はプリピット
を示す。

光磁気記録膜４は１例えばＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｔ
ｅＣｏ、ＴｂＦｅ−ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｔｂ
ＤｙＦａＣｏ、ＧｄＴｂＦａ。

Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　、　Ｑ　ｄ　Ｔ　ｂ　
Ｆ　ｅ　Ｇ　ｅ　、　Ｇ　ｄ　Ｃｏ　。

ＧｄＴｂＣｏ、ＴｂＦｅ／ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ／ＧｄＦ
ｅＣｏ、ＴｂＮｉＦｅ、ＤｙＦｅＧｄＣｏ。

ＭｎＣｕＢ　ｉ、（貴金属）　−ＴｂＦｅなど、公知に
属する任意の光磁気記録材料をもって形成することがで
きる。

誘電体膜５は、光磁気記録膜４と金属製保護膜６との間
で再生用光の多重反射を生じさせ、見掛は上のカー回転
角を大きくして高ＣＮ比の再生信号を得るために設けら
れるものであって、屈折率が前記樹脂製基板１よりも大
きな誘電体をもって形成される。誘電体材料としては、
酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウムなど任
意のものを用いることができるが、光磁気記録膜４の腐
蝕を防止するため、非酸化物系のものが特に好ましい。

金属製保護膜６は、例えばアルミニウムなど、高反射率
の金属材料をもって形成される。

第３図の光磁気記録媒体においては、薄膜層３が、前記
中間層２側より、光磁気記録膜４と、前記樹脂製基板１
よりも高屈折率の誘電体にて形成される誘電体膜５と、
金属製反射膜９と、樹脂製保護膜１０とから成る４層構
造になっている。

金属製反射膜９は、例えばアルミニウムなど、高反射率
の金属材料をもって形成される。

また、樹脂製保護膜１０は、透水性が少ない任意の樹脂
材料をもって形成することができるが、生産性が高いこ
とから、紫外線硬化性樹脂が特に好ましい。

その他、同一の符号が付された部分については、第２図
の場合と同様に形成される。

第４図の光磁気記録媒体においては、薄膜層３が、前記
中間層２側より、前記樹脂製基板ｌよりも高屈折率の誘
電体にて形成される第１誘電体膜１１と、光磁気記録膜
４と、前記第１誘電体膜１１と同様の材料にて形成され
る第２誘電体膜１２と。

金属製保護膜６とから成る４層構造になっている。

前記第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１２は、第２
図の誘電体膜５と同じ材料をもって形成される。

第５図の光磁気記録媒体においては、薄膜層３が、前記
中間層２側より、前記樹脂製基板１よりも高屈折率の誘
電体にて形成される第１誘電体膜１１と、光磁気記録膜
４と、前記第１誘電体膜１１と同様の材料にて形成され
る第２誘電体膜１２と、金属製反射膜９と、樹脂製保護
膜１０とから成る５層構造になっている。

本例の光磁気記録媒体を構成する各部分の材質について
は、第２図ないし第４図のいずれかにて説明したものと
同じであるので、重複を避けるため、該当する部分に同
一の符号を表示して説明を省略する。

前記薄膜層３は、例えば真空蒸着法やスパッタ法などの
真空成膜法によって形成される。

以下、本発明の実験例を示し、本発明の効果に言及する
。

〈第１実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、ＲＦスパ
ッタ法により５ｉ３Ｎｘ（但し、３≦Ｘ≦４）製の中間
層を形成した。成膜条件は第１表に示す通りである。

次いで、前記中間層上に、ＴｂＦｅＣｏ系の光磁気記録
膜を積層した。この光磁気記録膜の成膜条件は、第２表
に示す通りである。

く第２実施例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、ＲＦスパ
ッタ法により５ｉＯｙ（但し、１≦ｙ≦１）製の中間層
を形成した。成膜条件は第４表に示す通りである。

次に、この光磁気記録膜上に誘電体膜として、窒化シリ
コン膜を積層した。この誘電体膜の成膜条件は、第３表
に示す通りである。

以下、第１実施例と同様にして、前記中間層上に光磁気
記録膜と誘電体膜と金属製保護膜とを順次積層した。

最後に、この誘電体膜上に金属保護膜として、アルミニ
ウム合金膜を積層し、第１図および第２図に示した光磁
気記録媒体を作製した。

く第３実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、電子ビー
ム蒸着法により５ｉＯｘ（但し、１≦Ｘ≦２）製の中間
層を形成した。成膜条件は第５表に示す通りである。

である。

第５表以下、第１実施例と同様にして、前記中間層上に光磁気
記録膜と誘電体膜と金属製保護膜とを積層して第１図お
よび第２図に示した光磁気記録媒体を作製した。

く第４実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、プラズマ
重合法によりスチレンプラズマ重合膜の中間層を形成し
た。成膜条件は第６表に示す通り以下、第１実施例と同
様にして、前記中間層上に光磁気記録膜と誘電体膜と金
属製保護膜とを積層して第１図および第２図に示した光
磁気記録媒体を作製した。

〈第５実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、抵抗加熱
蒸着法によりポリエチレン製の中間層を形成した。成膜
条件は第７表に示す通りである。

以下、第１実施例と同様にして、前記中間層上に光磁気
記録膜と誘電体膜と金属製保護膜とを積層して第１図お
よび第２図に示した光磁気記録媒体を作製した。

〈第６実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、スピン塗
布法によりポリビニルアルコール製の中間層を形成した
。具体的な中間層形成方法は以下の通りである。

まず、重合度２０００、鹸化度８８．０％のポリビニル
アルコール粉末を用意し、このポリビニルアルコール中
に含まれる酢酸ソーダを除去するため、水によるデカン
テーションを数回繰り返した。

次いで、このポリビニルアルコールに水を加え、６０〜
８０℃に加熱して２時間程度かく拌し、水に２．５重量
％のポリビニルアルコールを完全に溶解した。

次いで、この水溶液に、ポリビニルアルコールに対して
約１０重量％の重クロム酸アンモニウムを添加し、完全
に溶解した。

さらに、異物を除去するため０．２μｍのフィルタにて
この水溶液をろ過し、下地層形成用のポリビニルアルコ
ールと重クロム酸アンモニウムの水溶液を作製した。

次に、基板の信号パターン面に前記のポリビニルアルコ
ールと重クロム酸アンモニウムの水溶液をスピン塗布し
た。

次に、この膜に超高圧水銀ランプにて紫外線を数分間照
射し、ポリビニルアルコールと重クロム酸アンモニウム
を架橋させて両者の錯体を形成した。これによって、ポ
リカーボネート製基板の信号パターン面に前記錯体から
成る中間層を約８０ｎｍの厚さに形成した。

最後に、この中間層上に、第１実施例の場合と同一の条
件の下で光磁気記録膜と誘電体膜と金属製保護膜とを順
次積層し、第１図および第２図に示した光磁気記録媒体
を作製した。

く第７実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、スピン塗
布法により酢酸鉛を含有したポリビニルアルコール製の
中間層を形成した。具体的な中間層形成方法は以下の通
りである。

まず、前記第６実験例に説明した方法によってそれと同
一のポリビニルアルコールと重クロム酸アンモニウムの
水溶液を作製した。

次いで、このポリビニルアルコールと重クロム酸アンモ
ニウムの水溶液に、ポリビニルアルコールに対して約５
重量％の酢酸鉛粉末を加え、完全に溶解した。

次に、このポリビニルアルコールと重クロム酸アンモニ
ウムと酢酸鉛の水溶液を基板の信号パターン面にスピン
コードしたのち、これに紫外線を照射して膜厚が約８０
ｎｍの中間層を形成した。

〈第８実験例〉ポリカーボネート基板の信号パターン面に、スピン塗布
法により硝酸セルロース製の中間層を形成した。具体的
な中間層形成方法は以下の通りである。

まず５分子量が２２万で、イソプロピルアルコールを約
３０重量％含有した硝酸セルロースとメタノールを、重
量比にして１５：９８５の割合で用意した。

次に、メタノールに硝酸セルロースを加え、１０数時間
かく拌して完全に溶解した。

次に、この溶液をフィルタでろ過したのち、ポリカーボ
ネート基板の信号パターン面にスピン塗布した。

次に、この薄膜を自然乾燥し、約８０ｎｍの厚さの硝酸
セルロース製中間層とした。

く第９実験例〉ポリカーボネート製基板Ｍ号パターン面に、スピン塗布
法によりテトラブチルスズを含有した硝酸セルロース製
の中間層を形成した。具体的な中間層形成方法は以下の
通りである。

まず、前記第８実験例に説明した方法によってそれと同
一の硝酸セルロースのメタノール溶液を作製した。

次いで、この硝酸セルロースのメタノール溶液に、硝酸
セルロースに対して約５重量％のテトラブチルスズを加
え、完全に溶解した。

次に、この溶液をフィルタでろ過したのち、ポジカ一基
板−ト製基板の信号パターン面にスピン塗布した。

次に、この薄膜を自然乾燥し、約８０ｎｍの厚さのテト
ラブチルスズ含有硝酸セルロース製中間層を形成した。

く第１０実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、スピン塗
布法によりアクリレート系紫外線硬化樹脂製の中間層を
形成した。具体的な中間層形成方法は以下の通りである
。

まず、アクリレート系紫外線硬化樹脂（例えば、スリー
ボンド社製の商品名「スリーボンド３０Ｘ４００Ｊ）を
イソプロピルアルコールに完全に溶解した。

次に、この溶液をフィルタでろ過してポリカーボネート
製基板の信号パターン面にスピン塗布し、この膜中に残
留している溶剤を除去するため、８０℃で数分間ベーキ
ングした。

次に、この薄膜にメタルハライドランプより紫外線を照
射し、約１１００ｎの厚さのアクリレート系紫外線硬化
樹脂製中間層とした。

〈第１１実験例〉ポリカーボネート製基板の信号パターン面に、スピン塗
布法によりテトラブチルスズを含有したアクリレート系
紫外線硬化樹脂製の中間層を形成した。具体的な中間層
形成方法は以下の通りである。

まず、前記第１０実験例に説明した方法によってそれと
同一のアクリレート系紫外線硬化樹脂溶液を作製した。

次いで、この溶液に、アクリレート系紫外線硬化樹脂に
対して約１重量％のテトラブチルスズを加え、完全に溶
解した。

次いで、前記第１０実験例と同様にして、スピン塗布、
ベーキング、紫外線照射を行って、約１１００ｎの厚さ
のテトラブチルスズ含有アクリレート系紫外線硬化樹脂
製中間層を形成した。

本発明に係る前記各実験例の光磁気記録媒体と、何ら防
蝕処理がなされていない光磁気記録媒体とを６０℃×９
０％ＲＨ雰囲気中に放置して加速環境試験を行った。第
６図にこの加速環境試験結果を示す。このグラフの横軸
には試験時間が、また縦軸には薄膜層の反射率が目盛ら
れており、本発明に係る光磁気記録媒体のデータが実線
で、また従来例に係る光磁気記録媒体のデータが２点鎖
線で表示されている。但し、測定光は波長が７８０ｎｍ
のレーザであり、測定結果を示す線はそれぞれ３枚の同
種試料平均値である。

このグラフから明らかなように、樹脂製基板に何ら防蝕
処理がなされていない光磁気記録媒体は約２４時間で反
射率が大幅に低下し始めるのに対し、基板に防腐触性元
素下地膜を成膜した本実施例の光情報記録媒体は、いず
れも２０００時間経過後も全く反射率の低下が認められ
なかった。以上の試験結果より、本発明の光磁気記録媒
体は、薄膜層の耐食性の向上に顕著なる効果があること
が判明した。

なお、前記各実験例においては、樹脂製基板としてポリ
カーボネート製基板を例にとって説明したが、エポキシ
樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン
、ポリオレフィン等、他の樹脂製基板についても同様の
効果がある。

また、前記各実験例においては、薄膜層が光磁気記録膜
と誘電体膜と金属製保護膜の３層構造に形成された光磁
気記録媒体を例にとって説明したが、第３図ないし第５
図に示したような他の薄膜構造を有する光磁気記録媒体
についても同様の効果がある。

また、前記各実施例においては、腐蝕性元素として塩素
の影響のみについて説明したが、このほか例えばイオウ
やフッ素などに起因する金属層の腐蝕にも同様の効果が
ある。

本発明の要旨は、樹脂製基板と光磁気記録膜との間に腐
蝕性元素を透過しにくい材料をもって中間層を形成した
点にあるが、これに加えて、他の防蝕処理を組合せるこ
とは任意に行い得る。他の防蝕処理としては、■基板に
、酸素プラズマ、スパッタエッチ、グロー放電、電子ビ
ーム、紫外線などのエネルギを照射する。■基板にベー
キング処理を施す、■基板材料としてもともと腐蝕性元
素の含有率が低いものを選択する、といった手段がある
。

さらに、樹脂製基板の光ビーム入射面に、例えばガラス
など、不透水性にして樹脂製基板よりも高硬度の層を前
記中間層と併せて形成することもできる。

その他、前記実施例に示した光磁気記録媒体を２枚貼り
合せて両面記録形の光磁気記録媒体としたり、光磁気記
録媒体にマグネットクランプ用のハブを付設する等の手
段については、必要に応じて適宜採用することができる
。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によると、樹脂製基板から
の腐蝕性元素のしみ出しを防止もしくは著しく制限する
ことができる。よって、高温高湿雰囲気中に放置しても
光磁気記録膜と腐蝕性元素との化学反応が起らないか、
あるいはこれらの化学反応の進行速度が遅くなり、光磁
気記録媒体の寿命を格段に延長することができる。

【図面の簡単な説明】

図は全て本発明を説明するためのものであって、第１図
は光磁気記録媒体の一例を示す断面図、第２図〜第５図
は薄膜層の各種積層構造を示す要部断面図、第６図は本
発明の詳細な説明するグラフである。１・・・・・・樹脂製基板、２・・・・・・中間層、３
・・・・・・薄膜層、４・・・・・・光磁気記録膜、５
・・・・・・誘電体膜、６・・・・・・金属製保護膜、
７・・・・・・プリグループ、８・・・・・・プリピッ
ト、９・・・・・・金属製反射膜、１０・・・・・・樹
脂製保護膜、１１・・・・・・第１誘電体膜、１２・・
・・・・第２誘電体膜。第１図第２図第３図第４図第５図第６図試験時間（Ｈ「）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光磁気記録膜を腐蝕する腐蝕性元素が混入された
樹脂製基板の信号面に、少なくとも１層の光磁気記録膜
を含む薄膜層を形成して成る光磁気記録媒体において、
前記樹脂製基板と薄膜層との間に、前記腐蝕性元素を含
有せず、かつ前記腐蝕性元素の透過を妨げる物質から成
る中間層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
（２）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記中
間層を、塩素、イオウ、およびフッ素から選択された少
なくとも１種類の腐蝕性元素を含有せず、かつ塩素、イ
オウ、およびフッ素から選択された少なくとも１種類の
腐蝕性元素の透過を妨げる物質にて形成したことを特徴
とする光磁気記録媒体。
（３）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記中
間層を、窒化シリコン（Ｓｉ＿３Ｎｘ、但し、３＜ｘ＜
４）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ、但し、１＜ｘ＜２）、
スチレンのプラズマ重合体、ポリエチレン、ポリビニル
アルコール、硝酸セルロース、アクリレート系紫外線硬
化樹脂から選択された少なくとも１種類の物質を用いて
形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
（４）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記中
間層中に、前記腐蝕性元素と結合しやすい少なくとも１
種類の物質を添加したことを特徴とする光磁気記録媒体
。
（５）請求項４記載の光磁気記録媒体において、前記腐
蝕性元素と結合しやすい物質として、テトラブチルスズ
および酢酸鉛のうち少なくともいずれか一方の物質を前
記中間層中に添加したことを特徴とする光磁気記録媒体
。
（６）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記薄
膜層が、前記中間層側より、光磁気記録膜と、前記樹脂
製基板よりも高屈折率の誘電体にて形成される誘電体膜
と、金属製保護膜とから成る３層構造になつていること
を特徴とする光磁気記録媒体。
（７）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記薄
膜層が、前記中間層側より、光磁気記録膜と、前記樹脂
製基板よりも高屈折率の誘電体にて形成される誘電体膜
と、金属製反射膜と、樹脂製保護膜とから成る４層構造
になつていることを特徴とする光磁気記録媒体。
（８）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記薄
膜層が、前記中間層側より、前記樹脂製基板よりも高屈
折率の誘電体にて形成される第１誘電体膜と、光磁気記
録膜と、前記第１誘電体膜と同様の材料にて形成される
第２誘電体膜と、金属製保護膜とから成る４層構造にな
つていることを特徴とする光磁気記録媒体。
（９）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記薄
膜層が、前記中間層側より、前記樹脂製基板よりも高屈
折率の誘電体にて形成される第１誘電体膜と、光磁気記
録膜と、前記第１誘電体膜と同様の材料にて形成される
第２誘電体膜と、金属製反射膜と、樹脂製保護膜とから
成る５層構造になつていることを特徴とする光磁気記録
媒体。