JPH03138844A - イオンマイクロアナライザ - Google Patents
イオンマイクロアナライザInfo
- Publication number
- JPH03138844A JPH03138844A JP1275878A JP27587889A JPH03138844A JP H03138844 A JPH03138844 A JP H03138844A JP 1275878 A JP1275878 A JP 1275878A JP 27587889 A JP27587889 A JP 27587889A JP H03138844 A JPH03138844 A JP H03138844A
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- JP
- Japan
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- ion
- ions
- voltage
- secondary ion
- ion beam
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンマイクロアナライザに係り、特に、二次
イオンの極性切替えで、試料表面の一次イオンビーム照
射位置のずれのない一次イオンビーム偏向補正に関する
。
イオンの極性切替えで、試料表面の一次イオンビーム照
射位置のずれのない一次イオンビーム偏向補正に関する
。
従来の装置は、表面分析に関する正置に記載されている
ように、−次イオンビームにはｏ２＋イオン、Ｃｓ＋イ
オン、Ｇａ＋イオンなどを用い、測定試料表面から二次
イオン質量分析計に引き出される二次イオンは正イオン
と負イオンの双方が用いられる。これは測定対象の元素
によって、正イオン・負イオンの生成効率が異なるため
である。
ように、−次イオンビームにはｏ２＋イオン、Ｃｓ＋イ
オン、Ｇａ＋イオンなどを用い、測定試料表面から二次
イオン質量分析計に引き出される二次イオンは正イオン
と負イオンの双方が用いられる。これは測定対象の元素
によって、正イオン・負イオンの生成効率が異なるため
である。
又、イオンマイクロアナライザは表面の微小領域の分析
を目的とする装置であるために、−次イオンを試料表面
に照射して、スパッタされる二次イオンを効率よく質量
分析計に導くために、二次イオンの引出電極が試料表面
に近く垂直方向に配置され、試料表面と二次イオン引出
電極の間には高い電圧が印加される。従って試料表面の
空間には電界が発生し、その空間を斜めに一次イオンビ
ームが通過するので、−次イオンビームはこの電界によ
って偏向される。正の二次イオンを引出すときは試料表
面に正電位が印加され、負の二次イオンを引き出すとき
は試料表面に負の電位が印加されるので、上記電界は極
性が逆となり、−次イオンの偏向方向も逆となる。
を目的とする装置であるために、−次イオンを試料表面
に照射して、スパッタされる二次イオンを効率よく質量
分析計に導くために、二次イオンの引出電極が試料表面
に近く垂直方向に配置され、試料表面と二次イオン引出
電極の間には高い電圧が印加される。従って試料表面の
空間には電界が発生し、その空間を斜めに一次イオンビ
ームが通過するので、−次イオンビームはこの電界によ
って偏向される。正の二次イオンを引出すときは試料表
面に正電位が印加され、負の二次イオンを引き出すとき
は試料表面に負の電位が印加されるので、上記電界は極
性が逆となり、−次イオンの偏向方向も逆となる。
上記従来技術は、二次イオン質量分析の正・負の極性切
替で、−次イオンビームの試料表面照射位置がずれると
いう問題がある。
替で、−次イオンビームの試料表面照射位置がずれると
いう問題がある。
本発明の目的は、−次イオンビームの偏向電極に印加す
る電圧に、上記位置ずれを補正する電圧を加算すること
によって、二次イオンの極性切替で二次イオンの照射位
置ずれのないイオンマイクロアナライザを提供すること
にある。
る電圧に、上記位置ずれを補正する電圧を加算すること
によって、二次イオンの極性切替で二次イオンの照射位
置ずれのないイオンマイクロアナライザを提供すること
にある。
上記目的を達成するために、従来の二次イオン偏向電圧
と、二次イオン引出電圧の一部を加算する回路を追加し
たものである。
と、二次イオン引出電圧の一部を加算する回路を追加し
たものである。
二次イオンの偏向量は、二次イオン引出電極の形と、試
料表面と二次イオン引出電極間の電界と二次イオン加速
電圧などにより決まるので、上記加算は装置によって調
整できるものである。
料表面と二次イオン引出電極間の電界と二次イオン加速
電圧などにより決まるので、上記加算は装置によって調
整できるものである。
二次イオンビーム系に、従来の偏向電極とは独立に、前
記試料表面上の二次イオンビーム照射位置ずれを補正す
るための偏向電極を具備させることによっても同等の効
果は得られる。しかし、イオン源と試料表面までの距離
が長くなり、装置全体を考慮すると得策ではない。
記試料表面上の二次イオンビーム照射位置ずれを補正す
るための偏向電極を具備させることによっても同等の効
果は得られる。しかし、イオン源と試料表面までの距離
が長くなり、装置全体を考慮すると得策ではない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。高電
圧が印加されたイオン源１から、接地電位のイオン引出
電極２により二次イオンが加速され、静電レンズ４，７
およびスリット３，５で所望のビーム径とイオンビーム
密度を測定試料８の表面に得る。測定試料８には高電圧
が印加され、−次イオンビームが試料表面に照射される
ことによって放出される二次イオンは二次イオン引出電
極によって加速され、電場１３と磁場１５とスリット１
２，１４．１６で構成される二次イオン質量分析計に導
入される。電場１３と磁場１５で分散され、特定の質量
電荷比のイオンのみがイオン検出器１７で検出され、デ
ータ処理装置２４にデータ収集され、そして所望の質量
スペクトルや、特定元素の平面分布・深さ方向分布など
を得る。
圧が印加されたイオン源１から、接地電位のイオン引出
電極２により二次イオンが加速され、静電レンズ４，７
およびスリット３，５で所望のビーム径とイオンビーム
密度を測定試料８の表面に得る。測定試料８には高電圧
が印加され、−次イオンビームが試料表面に照射される
ことによって放出される二次イオンは二次イオン引出電
極によって加速され、電場１３と磁場１５とスリット１
２，１４．１６で構成される二次イオン質量分析計に導
入される。電場１３と磁場１５で分散され、特定の質量
電荷比のイオンのみがイオン検出器１７で検出され、デ
ータ処理装置２４にデータ収集され、そして所望の質量
スペクトルや、特定元素の平面分布・深さ方向分布など
を得る。
−次イオン偏向電極６はＸ、Ｙ方向対をなした平行平板
電極で、−次イオン偏向電圧発生器２１の走査信号を印
加して二次イオンビームをＸＹ力方向偏向される。試料
表面の形状Ｉｍや、特定元素の平面分析像を得るときに
使用される。二次イオン偏向電極１１は測定試料８から
引出された二次イオンの軸と電場１３．磁場１５で構成
される質量分析計の軸を合致させるためのものである。
電極で、−次イオン偏向電圧発生器２１の走査信号を印
加して二次イオンビームをＸＹ力方向偏向される。試料
表面の形状Ｉｍや、特定元素の平面分析像を得るときに
使用される。二次イオン偏向電極１１は測定試料８から
引出された二次イオンの軸と電場１３．磁場１５で構成
される質量分析計の軸を合致させるためのものである。
二次イオン加速電圧発生器２２と二次イオン引出電圧発
生器２３で発生する各電圧は測定試料８と二次イオン引
出電極９に印加される。さらに第２図に示すごとく、負
の二次イオンを得るときは（ａ）測定試料に負の高電圧
を印加する、正の二次イオンを得るときは（ｂ）測定試
料に正の高電圧を印加する。正の二次イオンビーム１８
は上記電圧によって点線のごとく偏向され、所望の二次
イオン照射位置からずれる。このずれを補正するために
、ずれに相当する逆方向の二次イオン偏向電圧を加算す
るための電圧加算回路２０を挿入する。
生器２３で発生する各電圧は測定試料８と二次イオン引
出電極９に印加される。さらに第２図に示すごとく、負
の二次イオンを得るときは（ａ）測定試料に負の高電圧
を印加する、正の二次イオンを得るときは（ｂ）測定試
料に正の高電圧を印加する。正の二次イオンビーム１８
は上記電圧によって点線のごとく偏向され、所望の二次
イオン照射位置からずれる。このずれを補正するために
、ずれに相当する逆方向の二次イオン偏向電圧を加算す
るための電圧加算回路２０を挿入する。
本発明によれば、二次イオンの正負切替えによって、−
次イオンビームの測定試料表面の照射位置のずれがなく
なり、同一場所の正負双方の二次イオン質量分析が容易
に迅速に出来る。
次イオンビームの測定試料表面の照射位置のずれがなく
なり、同一場所の正負双方の二次イオン質量分析が容易
に迅速に出来る。
又、二次イオンの引出の軸と質量分析計の軸が常に一定
に守ることができるので安定な測定が可能となる。
に守ることができるので安定な測定が可能となる。
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は二次
イオン引出電極の電圧により二次イオンビームの偏向方
向を示す図である。 １・・・イオン源、２・・イオン引出電極、３，５・リ
スリット、４，７・・・静電レンズ、６・・・−次イオ
ン偏向電極、８・・・測定試料、９・・・二次イオン引
出電極、１０・・・静電レンズ、１１・・・二次イオン
偏向電極、１２．１４．１６・・・スリット、１３・・
・電場、１５・・・磁場、１７・・・イオン検出器、１
８・・・−次イオンビーム、１９・・・二次イオンビー
ム、２０・・・電圧加算回路、２１・・・−次イオン偏
向電圧発生器、２２二次イオン加速電圧発生器、２３・
・・二次イオン第 １ 図
イオン引出電極の電圧により二次イオンビームの偏向方
向を示す図である。 １・・・イオン源、２・・イオン引出電極、３，５・リ
スリット、４，７・・・静電レンズ、６・・・−次イオ
ン偏向電極、８・・・測定試料、９・・・二次イオン引
出電極、１０・・・静電レンズ、１１・・・二次イオン
偏向電極、１２．１４．１６・・・スリット、１３・・
・電場、１５・・・磁場、１７・・・イオン検出器、１
８・・・−次イオンビーム、１９・・・二次イオンビー
ム、２０・・・電圧加算回路、２１・・・−次イオン偏
向電圧発生器、２２二次イオン加速電圧発生器、２３・
・・二次イオン第 １ 図
Claims (1)
- １、イオン源から高電圧によつて引出された一次イオン
ビームを、静電レンズで細束化して、測定試料表面に照
射し、その試料表面から放出される二次イオンを電場と
磁場で質量分散させるイオンマイクロアナライザに於い
て、二次イオン引出電極の電圧の１部を一次イオン偏向
電極の電圧に加算することを特徴とするイオンマイクロ
アナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1275878A JPH03138844A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | イオンマイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1275878A JPH03138844A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | イオンマイクロアナライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03138844A true JPH03138844A (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=17561692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1275878A Pending JPH03138844A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | イオンマイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03138844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196892A (en) * | 1991-06-28 | 1993-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image forming apparatus having a disordering and charging device for disordering a developing agent remaining on an image bearing member and for charging the image bearing member |
| JP2013044563A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析方法 |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP1275878A patent/JPH03138844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196892A (en) * | 1991-06-28 | 1993-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image forming apparatus having a disordering and charging device for disordering a developing agent remaining on an image bearing member and for charging the image bearing member |
| JP2013044563A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析方法 |
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