JPH03138904A - 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法Info
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- JPH03138904A JPH03138904A JP1277423A JP27742389A JPH03138904A JP H03138904 A JPH03138904 A JP H03138904A JP 1277423 A JP1277423 A JP 1277423A JP 27742389 A JP27742389 A JP 27742389A JP H03138904 A JPH03138904 A JP H03138904A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器、電気機器で発生する異常電圧、ノ
イズ、パルス、静電気から半導体及び回路を保護すると
ころの５ｒＴｉ０３を主成分とする電圧依存性非直線抵
抗体素子及びその製造方法に関するものである。
イズ、パルス、静電気から半導体及び回路を保護すると
ころの５ｒＴｉ０３を主成分とする電圧依存性非直線抵
抗体素子及びその製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、各種電子機器、電気機器で発生する異常電圧、ノ
イズ、パルス、静電気除去のために）（リスク特性を有
するＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタが使用されてき
た。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次
式のように表すことができる。
イズ、パルス、静電気除去のために）（リスク特性を有
するＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタが使用されてき
た。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次
式のように表すことができる。
Ｉ ＝ （Ｖ／Ｃ）α
ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。
であり、αは電圧非直線指数である。
ＳｉＣバリスタの電圧非直線指数αは２〜７程度、Ｚｎ
Ｏ系バリスタではαが５０にも及ぶものがある。このよ
うなバリスタは、比較的高い電圧の吸収にはすぐれた性
能を有しているが、誘電率が低く、固有の静電容量が小
さく応答性が遅いため、バリスタ電圧以下の低い電圧や
周波数の高いものの吸収に対してはほとんど効果を示さ
ない。
Ｏ系バリスタではαが５０にも及ぶものがある。このよ
うなバリスタは、比較的高い電圧の吸収にはすぐれた性
能を有しているが、誘電率が低く、固有の静電容量が小
さく応答性が遅いため、バリスタ電圧以下の低い電圧や
周波数の高いものの吸収に対してはほとんど効果を示さ
ない。
また、誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、低電圧のノイズなどの除去には、見掛は誘電率ε
が５Ｘ１０’程度で、誘電損失ｔａｎδが１％前後の半
導体コンデンサが利用されている。しかし、このような
半導体コンデンサは、サージなどによりある程度以上の
電圧、電流が印加されると破壊したり、コンデンサとし
ての機能を果たさなくなる。そこで近年、Ｓ ｒ Ｔ
ｉ ０３を主成分とし、バリスタ特性とコンデンサ特性
の両方の機能を有するものが開発されてきている。
が５Ｘ１０’程度で、誘電損失ｔａｎδが１％前後の半
導体コンデンサが利用されている。しかし、このような
半導体コンデンサは、サージなどによりある程度以上の
電圧、電流が印加されると破壊したり、コンデンサとし
ての機能を果たさなくなる。そこで近年、Ｓ ｒ Ｔ
ｉ ０３を主成分とし、バリスタ特性とコンデンサ特性
の両方の機能を有するものが開発されてきている。
発明が解決しようとする課題
ＳｒＴｉＯ３を主成分とする容量性バリスタは、バリス
タ電圧の温度係数が負の値を示し、このような容量性バ
リスタを高温中で使用したり、長時間使用すると素子が
発熱しバリスタ電圧が低下することにより、ひどい場合
にはショートの原因となりうる。さらに、高温中や長時
間°使用する場合、バリスタ電圧が低下するのを見込ん
で使用するため、実効的な制限電圧が増加し、各種電子
機器や電気機器に大きな負荷がかかると言う問題点も同
時に有している。従って、Ｓ ｒ Ｔ ｉ ０３を主成
分とする容量性バリスタにおいて、高温中や長時間使用
中でのバリスタ電圧の低下を抑えるために、バリスタ電
圧の温度係数が正または０の値を示す必要がある。
タ電圧の温度係数が負の値を示し、このような容量性バ
リスタを高温中で使用したり、長時間使用すると素子が
発熱しバリスタ電圧が低下することにより、ひどい場合
にはショートの原因となりうる。さらに、高温中や長時
間°使用する場合、バリスタ電圧が低下するのを見込ん
で使用するため、実効的な制限電圧が増加し、各種電子
機器や電気機器に大きな負荷がかかると言う問題点も同
時に有している。従って、Ｓ ｒ Ｔ ｉ ０３を主成
分とする容量性バリスタにおいて、高温中や長時間使用
中でのバリスタ電圧の低下を抑えるために、バリスタ電
圧の温度係数が正または０の値を示す必要がある。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、５ｒ
Ｔｉ０３を主成分とする電圧依存性非直線抵抗体素子及
びその製造方法を提供することを目的とするものである
。
Ｔｉ０３を主成分とする電圧依存性非直線抵抗体素子及
びその製造方法を提供することを目的とするものである
。
課題を解決するための手段
上記のような問題点を解決するために本発明は、原子価
制御により半導体化したＳｒ、Ｔｉ原子を主成分とする
ペロブスカイト型構造を有する酸化物に、Ｎａ２ＳｉＯ
３を０．２〜５．０ｍｏ １％含ませてなる電圧依存性
非直線抵抗体素子を提供するものである。さらに、Ｓｒ
ＴｉＯ３の粉末を原料としＮｂ、Ｔａなどの原子価制御
剤を適量添加し、さらにＮａ２Ｓ ｉ ０３を０．２〜
５．０ｍｏｌ％添加した混合粉末を成形し、還元雰囲気
中や窒素雰囲気中で１２００〜１５００℃の温度範囲で
焼成し、その後、空気中で９００〜１２００℃の温度範
囲で熱処理を行った後に各種方法で電極を設けた電圧依
存性非直線抵抗体素子の製造方法を提供するものである
。
制御により半導体化したＳｒ、Ｔｉ原子を主成分とする
ペロブスカイト型構造を有する酸化物に、Ｎａ２ＳｉＯ
３を０．２〜５．０ｍｏ １％含ませてなる電圧依存性
非直線抵抗体素子を提供するものである。さらに、Ｓｒ
ＴｉＯ３の粉末を原料としＮｂ、Ｔａなどの原子価制御
剤を適量添加し、さらにＮａ２Ｓ ｉ ０３を０．２〜
５．０ｍｏｌ％添加した混合粉末を成形し、還元雰囲気
中や窒素雰囲気中で１２００〜１５００℃の温度範囲で
焼成し、その後、空気中で９００〜１２００℃の温度範
囲で熱処理を行った後に各種方法で電極を設けた電圧依
存性非直線抵抗体素子の製造方法を提供するものである
。
作用
一般にＳｒＴｉＯ３にＮ ｂ、 Ｔ ａなどの原子を含
む原子価制御剤を適量添加し、還元雰囲気中や窒素雰囲
気中で焼成した素子を空気中で熱処理を行い、その後、
電極を設けて形成した容量性バリスタでは、再酸化の度
合が素子の表面と内部で異なり不均一となる。その結果
、表面では酸素の濃度が多く内部では少ないといった酸
素濃度勾配を持つ。このような容量性バリスタの電子伝
導メカニズムは酸素濃度勾配が原因である非対称エネル
ギー障壁によるものと考えられる。そこで、このような
電子伝導メカニズムを持つ容量性バリスタを高温中や長
時間使用すると、電子が熱エネルギーにより励起され、
常温中では乗り越えることが困難であったエネルギー障
壁を容易に乗り越えることが可能となり、結果としてバ
リスタ電圧が低下する。さらに、このような非対称エネ
ルギー障壁を持つ容量性バリスタでは、バリスタ電圧に
方向性（分極）が生じ易くなる。そこで、この非対称エ
ネルギー障壁をな（す方法、すなわち出来上がった素子
の酸素濃度勾配を抑える方法として、次の二つの方法が
考えられる。まず、第１の方法としてＮａ２５ ｉ ０
３を添加し、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で焼成すると
、Ｎａ原子が５ｒＴｉＯ：＋の結晶中に固溶し、状態的
に不安定な格子歪みを生じる。そして、この様な素子を
空気中で熱処理を行うと、状態的に安定な格子歪みを抑
える方向、すなわち酸化がされ易くなる方向に進み、結
果として素子の内部においても均一に再酸化が起こり酸
素濃度勾配が抑えられると考えられる。第２の方法とし
て空気中での熱処理温度を９００℃以上で行なうと、第
１の方法と同様に素子の内部においても均一に再酸化が
起こり酸素濃度勾配が抑えられると考えられる。従って
、この様な組成や製造方法で得られた容量性バリスタで
は酸素濃度勾配がほとんどなく高温中や、長時間使用し
てもバリスタ電圧の低下が抑えられることとなる。
む原子価制御剤を適量添加し、還元雰囲気中や窒素雰囲
気中で焼成した素子を空気中で熱処理を行い、その後、
電極を設けて形成した容量性バリスタでは、再酸化の度
合が素子の表面と内部で異なり不均一となる。その結果
、表面では酸素の濃度が多く内部では少ないといった酸
素濃度勾配を持つ。このような容量性バリスタの電子伝
導メカニズムは酸素濃度勾配が原因である非対称エネル
ギー障壁によるものと考えられる。そこで、このような
電子伝導メカニズムを持つ容量性バリスタを高温中や長
時間使用すると、電子が熱エネルギーにより励起され、
常温中では乗り越えることが困難であったエネルギー障
壁を容易に乗り越えることが可能となり、結果としてバ
リスタ電圧が低下する。さらに、このような非対称エネ
ルギー障壁を持つ容量性バリスタでは、バリスタ電圧に
方向性（分極）が生じ易くなる。そこで、この非対称エ
ネルギー障壁をな（す方法、すなわち出来上がった素子
の酸素濃度勾配を抑える方法として、次の二つの方法が
考えられる。まず、第１の方法としてＮａ２５ ｉ ０
３を添加し、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で焼成すると
、Ｎａ原子が５ｒＴｉＯ：＋の結晶中に固溶し、状態的
に不安定な格子歪みを生じる。そして、この様な素子を
空気中で熱処理を行うと、状態的に安定な格子歪みを抑
える方向、すなわち酸化がされ易くなる方向に進み、結
果として素子の内部においても均一に再酸化が起こり酸
素濃度勾配が抑えられると考えられる。第２の方法とし
て空気中での熱処理温度を９００℃以上で行なうと、第
１の方法と同様に素子の内部においても均一に再酸化が
起こり酸素濃度勾配が抑えられると考えられる。従って
、この様な組成や製造方法で得られた容量性バリスタで
は酸素濃度勾配がほとんどなく高温中や、長時間使用し
てもバリスタ電圧の低下が抑えられることとなる。
また、この時、本発明のようにＮａ２Ｓ ｉ ０３の添
加量を０．２〜５．０ｍｏｌ％の範囲に規定したのは、
０．２ｍｏ１％未満では添加効果が得られず、５．０ｍ
ｏｌ％を超えると焼結性や信頼性が低下するため容量性
バリスタとしての機能を果たさなくなるためである。な
お、好ましい範囲は、焼結性、信頼性を考えて、０．５
〜２．Ｑｍｏ１％の範囲である。
加量を０．２〜５．０ｍｏｌ％の範囲に規定したのは、
０．２ｍｏ１％未満では添加効果が得られず、５．０ｍ
ｏｌ％を超えると焼結性や信頼性が低下するため容量性
バリスタとしての機能を果たさなくなるためである。な
お、好ましい範囲は、焼結性、信頼性を考えて、０．５
〜２．Ｑｍｏ１％の範囲である。
従って、原子価制御により半導体化しまたＳｒ。
Ｔｉ原子を主成分とするペロブスカイト型構造を有する
容量性バリスタと、原子価制御により半導体化したＳｒ
、Ｔｉ原子を主成分とするペロブスカイト型構造を存す
る酸化物に、Ｎａ２ＳｉＯ３を含ませてなる容量性バリ
スタでは、その微細構造、電気特性が著しく異なり、互
いにして全く別の組成物と考えられる。
容量性バリスタと、原子価制御により半導体化したＳｒ
、Ｔｉ原子を主成分とするペロブスカイト型構造を存す
る酸化物に、Ｎａ２ＳｉＯ３を含ませてなる容量性バリ
スタでは、その微細構造、電気特性が著しく異なり、互
いにして全く別の組成物と考えられる。
実施例
以下に本発明について、実施例を挙げて具体的に説明す
る。まず、原料の５ｒＴｉ０３．原子価制御剤のＮｂ＝
Ｏｓ、バリスタ電圧の温度係数を改善するＮａ２５ｉＱ
、、を下記表に示す組成比になるように秤量、混合した
。これを乾燥後、自動乳鉢で粉砕した。その後、０．５
ｗｔ％ポリビニールアルコール溶液を添加し、１時間混
合し造粒した。
る。まず、原料の５ｒＴｉ０３．原子価制御剤のＮｂ＝
Ｏｓ、バリスタ電圧の温度係数を改善するＮａ２５ｉＱ
、、を下記表に示す組成比になるように秤量、混合した
。これを乾燥後、自動乳鉢で粉砕した。その後、０．５
ｗｔ％ポリビニールアルコール溶液を添加し、１時間混
合し造粒した。
造粒後、１ｔｏｎ／ｃｄの圧力で１２φＸ１．０（Ｍ）
の円板状に成形し、次に空気中で４００℃、２時間の条
件で脱バインダーを行った。その後、Ｎ２・Ｈ２＝ｉｏ
： １の還元雰囲気中で１２００−１５００℃。
の円板状に成形し、次に空気中で４００℃、２時間の条
件で脱バインダーを行った。その後、Ｎ２・Ｈ２＝ｉｏ
： １の還元雰囲気中で１２００−１５００℃。
２時間の条件で焼成した。このよう蹟して得られた第１
．第２図に示す焼結体１を空気中で９００〜１２００℃
、２時間の条件で熱処理を行い１、その後、外周を残す
ようにし電極２，３を形成した。
．第２図に示す焼結体１を空気中で９００〜１２００℃
、２時間の条件で熱処理を行い１、その後、外周を残す
ようにし電極２，３を形成した。
このようにして得られた、Ｎ２： Ｈ２＝１０ ： ］
の還元雰囲気中時で１４００℃１２時間の条件で焼成し
た焼結体を、空気中９００〜１２００℃。
の還元雰囲気中時で１４００℃１２時間の条件で焼成し
た焼結体を、空気中９００〜１２００℃。
２時間の条件で熱処理を行い、Ｘｎ−Ｇａ＠極を塗布し
て形成した容量性バリスタの熱処理温度を９００．１０
００．１１００．１２００℃と変えた場合のバリスタ電
圧の温度係数の値を下記表に併せて示す。ここで、バリ
スタ電圧の温度係数の値は測定温度２０．８０℃でのバ
リスタ電圧ＶＯ，１ｌｌｌＡ値の変化率から以下の式よ
り計算した バリスタ電圧・温度係数△ＶＯ，ｌ□ ×１００÷６０ （％／℃） （以 下 余 白） まず、上記表について解説すると、試料番号１〜３は比
較例である。これらの試料ではバリスタ電圧の温度係数
が負の値となり、測定温度の上昇と共にバリスタ電圧の
値が低下し、添加剤の効果が得られるものである。これ
に対し、その他の本発明の実施例にかかる試料番号４〜
１４ではバリスタ電圧の温度係数が正または０の値とな
り、測定温度が上昇してもバリスタ電圧の値が低下せず
、添加剤の効果が得られるものである。
て形成した容量性バリスタの熱処理温度を９００．１０
００．１１００．１２００℃と変えた場合のバリスタ電
圧の温度係数の値を下記表に併せて示す。ここで、バリ
スタ電圧の温度係数の値は測定温度２０．８０℃でのバ
リスタ電圧ＶＯ，１ｌｌｌＡ値の変化率から以下の式よ
り計算した バリスタ電圧・温度係数△ＶＯ，ｌ□ ×１００÷６０ （％／℃） （以 下 余 白） まず、上記表について解説すると、試料番号１〜３は比
較例である。これらの試料ではバリスタ電圧の温度係数
が負の値となり、測定温度の上昇と共にバリスタ電圧の
値が低下し、添加剤の効果が得られるものである。これ
に対し、その他の本発明の実施例にかかる試料番号４〜
１４ではバリスタ電圧の温度係数が正または０の値とな
り、測定温度が上昇してもバリスタ電圧の値が低下せず
、添加剤の効果が得られるものである。
ここで、本実施例のようにＮａ２ＳｉＯ３の添加量を０
．２〜５．Ｑｍｏ１％の範囲に規定したのは、Ｑ、２ｍ
ｏ１％未満では添加効果が得られず、５、Ｑｍｏ１％を
超えると焼結性や信頼性が低下するため容量性バリスタ
としての機能を果たさなくなるためである。また、熱処
理温度を９００〜１２００℃の範囲に規定したのは９０
０℃未満では素子の内部まで均一に酸化されず酸素濃度
勾配を持ちバリスタ電圧の温度係数が負の値を示すこと
やバリスタ電圧に方向性が生じるためで、１２００℃を
超えるとバリスタ電圧が上昇し、バリスタ特性が優先し
コンデンサ特性が低下し両特性のバランスが崩れるため
に容量性バリスタとしての機能を果たさなくなるためで
ある。なお、本発明の実施例では、一部の組み合わせに
ついて示したが、他の組み合わせについても同様の効果
があることを確認した。さらに、本発明の実施例では、
焼成を還元雰囲気中で行う場合について説明したが、こ
れは窒素雰囲気中で焼成を行うようにしても良いもので
ある。しかし、窒素雰囲気中で焼成を行った場合は、半
導体化が若干しにくい面があるため、還元雰囲気中で焼
成を行うより若干高温度（１４００〜１５００℃）側で
焼成する方が特性上は好ましいものである。
．２〜５．Ｑｍｏ１％の範囲に規定したのは、Ｑ、２ｍ
ｏ１％未満では添加効果が得られず、５、Ｑｍｏ１％を
超えると焼結性や信頼性が低下するため容量性バリスタ
としての機能を果たさなくなるためである。また、熱処
理温度を９００〜１２００℃の範囲に規定したのは９０
０℃未満では素子の内部まで均一に酸化されず酸素濃度
勾配を持ちバリスタ電圧の温度係数が負の値を示すこと
やバリスタ電圧に方向性が生じるためで、１２００℃を
超えるとバリスタ電圧が上昇し、バリスタ特性が優先し
コンデンサ特性が低下し両特性のバランスが崩れるため
に容量性バリスタとしての機能を果たさなくなるためで
ある。なお、本発明の実施例では、一部の組み合わせに
ついて示したが、他の組み合わせについても同様の効果
があることを確認した。さらに、本発明の実施例では、
焼成を還元雰囲気中で行う場合について説明したが、こ
れは窒素雰囲気中で焼成を行うようにしても良いもので
ある。しかし、窒素雰囲気中で焼成を行った場合は、半
導体化が若干しにくい面があるため、還元雰囲気中で焼
成を行うより若干高温度（１４００〜１５００℃）側で
焼成する方が特性上は好ましいものである。
さらに、上記の実施例では、熱処理後の素子の両面にＩ
ｎ−Ｇａを塗布し、電極を形成し電気特性を測定したが
、Ａｇペーストなどの導電性ベーストを印刷し、５００
〜９００℃の温度範囲で焼付けて、電極を形成したり、
蒸着、スパッタリング、メツキなどの方法を用いて電極
を形成しても良いものである。
ｎ−Ｇａを塗布し、電極を形成し電気特性を測定したが
、Ａｇペーストなどの導電性ベーストを印刷し、５００
〜９００℃の温度範囲で焼付けて、電極を形成したり、
蒸着、スパッタリング、メツキなどの方法を用いて電極
を形成しても良いものである。
このようにして得られた本実施例の素子は、バリスタ電
圧の温度係数が正または０の値を示し、高温中や長時間
使用してもバリスタ電圧の低下を抑えられシ１−トや実
効的制限電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧
の方向圧が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性
が向上する。
圧の温度係数が正または０の値を示し、高温中や長時間
使用してもバリスタ電圧の低下を抑えられシ１−トや実
効的制限電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧
の方向圧が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性
が向上する。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、ＳｒＴｉＯ３を主
成分とする容量性バリスタにおいて、バリスタ電圧の温
度係数が正または０の値を示し、また、バリスタ電圧の
方向性が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性が
向上すると言う効果が得られる。
成分とする容量性バリスタにおいて、バリスタ電圧の温
度係数が正または０の値を示し、また、バリスタ電圧の
方向性が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性が
向上すると言う効果が得られる。
従来の容量性バリスタに比べると、バリスタ電圧の温度
係数が正またはＯの値を示し、高温中や長時間使用して
もバリスタ電圧の低下を抑えられショートや実効的制限
電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧の方向性
が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性が向上す
ることができる。
係数が正またはＯの値を示し、高温中や長時間使用して
もバリスタ電圧の低下を抑えられショートや実効的制限
電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧の方向性
が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性が向上す
ることができる。
従って、本発明によれば温度特性、信頼性、寿命特性に
すぐれたノイズ、静電気から半導体及び回路を保護する
ことができる素子を得ることができ、その実用的効果が
極めて大きいものである。
すぐれたノイズ、静電気から半導体及び回路を保護する
ことができる素子を得ることができ、その実用的効果が
極めて大きいものである。
第１図は本発明の一実施例における電圧依存性非直線抵
抗体素子を示す上面図、第２図は同素子の断面図である
。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
抗体素子を示す上面図、第２図は同素子の断面図である
。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (2)
- （１）原子価制御により半導体化したＳｒ，Ｔｉ原子を
主成分とするペロブスカイト型構造を有する酸化物に、
Ｎａ＿２ＳｉＯ＿３を０．２〜５．０ｍｏｌ％含ませて
なる電圧依存性非直線抵抗体素子。 - （２）ＳｒＴｉＯ＿３の粉末を原料としＮｂ，Ｔａなど
の原子価制御剤を適量添加し、さらに Ｎａ＿２ＳｉＯ＿３を０．２〜５．０ｍｏｌ％添加した
混合粉末を成形し、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で１２
００〜１５００℃の温度範囲で焼成し、その後、空気中
で９００〜１２００℃の温度範囲で熱処理を行った後に
、各種方法で電極を設けた電圧依存性非直線抵抗体素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277423A JP2725406B2 (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277423A JP2725406B2 (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03138904A true JPH03138904A (ja) | 1991-06-13 |
| JP2725406B2 JP2725406B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=17583352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277423A Expired - Fee Related JP2725406B2 (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725406B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP1277423A patent/JP2725406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2725406B2 (ja) | 1998-03-11 |
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