JPS61271802A - 電圧非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体磁器組成物Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電圧非直線抵抗体磁器組成物、詳しくは各種電
子機器類のサージ吸収、過電圧抑制あるいは火花消去、
ノイズ除去等に利用される電圧非直線抵抗体（以下単に
バリスタという）用磁器組成物に関する。
子機器類のサージ吸収、過電圧抑制あるいは火花消去、
ノイズ除去等に利用される電圧非直線抵抗体（以下単に
バリスタという）用磁器組成物に関する。
一般に電圧−電流特性が非直線性を有する抵抗素子はバ
リスタと称され、その特性は次式の関係式で表わされる
。
リスタと称され、その特性は次式の関係式で表わされる
。
α
１− （Ｖ／Ｃ）
式中■は電流、■は電圧を表わす、又、Ｃは定数であり
、αは電圧非直線性を示す指数である。
、αは電圧非直線性を示す指数である。
従来、このような電圧非直線特性を有するバリスタとし
ては、ＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタがよく知られ
ており、αの値はＳｉＣバリスタで２〜４程度、ＺｎＯ
系バリスタでは２０〜６０程度に達するものが得られて
いる。又、Ｃは材料等によって定まる定数であるが、実
用的には一定の電流例えば１０ｍＡの電流を流したとき
のバリスタ素子端子間の電圧（通常バリスタ電圧と呼ば
れる）をｖｌ。のように表わしている。
ては、ＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタがよく知られ
ており、αの値はＳｉＣバリスタで２〜４程度、ＺｎＯ
系バリスタでは２０〜６０程度に達するものが得られて
いる。又、Ｃは材料等によって定まる定数であるが、実
用的には一定の電流例えば１０ｍＡの電流を流したとき
のバリスタ素子端子間の電圧（通常バリスタ電圧と呼ば
れる）をｖｌ。のように表わしている。
このようにバリスタの電圧−電流特性は非直線性を有す
るため、サージのような異常高電圧の吸収等に優れた性
能を発揮するが、反面、静電容量が０．１８〜２．６
ｎ Ｆと比較的小さいため、ノイズ等の吸収に対しては
殆ど効果がない、そこでノイズ等の吸収の目的にはチタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＣ）１）系の半導体磁器
コンデンサが利用されているが、これも大きなサージが
印加されると破壊されるなどの欠点があった。
るため、サージのような異常高電圧の吸収等に優れた性
能を発揮するが、反面、静電容量が０．１８〜２．６
ｎ Ｆと比較的小さいため、ノイズ等の吸収に対しては
殆ど効果がない、そこでノイズ等の吸収の目的にはチタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＣ）１）系の半導体磁器
コンデンサが利用されているが、これも大きなサージが
印加されると破壊されるなどの欠点があった。
しかし乍ら近年、このような欠点を改善した５ｒＴｉＱ
３系半導体磁器を素材とするバリスタが開発され、その
一部は特公昭５Ｂ−２１８０６号公報等に開示されてい
る。このバリスタは５ｒＴ１０、を主成分とし、これに
半導体化促進金属酸化物として、例えば酸化ニオブ（Ｎ
ｂ ！ Ｏｓ ）、酸化タンタル（Ｔ ａ ｚ ｏｓ
） 、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ５）などを、又、非直
線性改善用金属酸化物として、例えばＣｕ Ｏｓ Ｍ
ｎ Ｏｚなどを添加し、焼結した素子に電極を形成した
もので、このバリスタはペロブスカイト結晶構造を有し
、強誘電性を示すため、バリスタとしての機能だけでな
く、コンデンサとしての機能をも有し、ノイズ除去にも
優れた性能を有している。
３系半導体磁器を素材とするバリスタが開発され、その
一部は特公昭５Ｂ−２１８０６号公報等に開示されてい
る。このバリスタは５ｒＴ１０、を主成分とし、これに
半導体化促進金属酸化物として、例えば酸化ニオブ（Ｎ
ｂ ！ Ｏｓ ）、酸化タンタル（Ｔ ａ ｚ ｏｓ
） 、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ５）などを、又、非直
線性改善用金属酸化物として、例えばＣｕ Ｏｓ Ｍ
ｎ Ｏｚなどを添加し、焼結した素子に電極を形成した
もので、このバリスタはペロブスカイト結晶構造を有し
、強誘電性を示すため、バリスタとしての機能だけでな
く、コンデンサとしての機能をも有し、ノイズ除去にも
優れた性能を有している。
しかし、その製造方法は成形体を中性又は還元性雰囲気
中で焼成して半導体化し、次いで大気中又は酸化性雰囲
気中で熱処理することにより結晶粒界に絶縁層を形成し
た半導体磁器とする方法であるため、各焼成温度、焼成
時間、焼成雰囲気等の製造条件の変動に起因して、得ら
れる半導体磁器の電気的特性にバラツキを生ずるという
問題点があった。
中で焼成して半導体化し、次いで大気中又は酸化性雰囲
気中で熱処理することにより結晶粒界に絶縁層を形成し
た半導体磁器とする方法であるため、各焼成温度、焼成
時間、焼成雰囲気等の製造条件の変動に起因して、得ら
れる半導体磁器の電気的特性にバラツキを生ずるという
問題点があった。
本発明はＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ光半導体磁器組成物のか
かる問題点に着目してなされたもので、種々のバリスタ
電圧Ｖ、。と電圧非直線指数αとを有すると共に、従来
のバリスタに比し静電容量が大きく、さらに製造条件の
変動によっても電気的特性のバラツキの少ないバリスタ
が得られる電圧非直線抵抗体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
かる問題点に着目してなされたもので、種々のバリスタ
電圧Ｖ、。と電圧非直線指数αとを有すると共に、従来
のバリスタに比し静電容量が大きく、さらに製造条件の
変動によっても電気的特性のバラツキの少ないバリスタ
が得られる電圧非直線抵抗体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
本発明者は、この目的を達成すべく鋭意研究を行なった
結果、上記のＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｘを主成分とし、これ
に半導体化促進物質としてニオブ（Ｎｂ）、非直線性改
善物質としてＭｎ 、Ｚｎ 、Ｓｎから選ばれる金属を
夫々配合した組成物にシリカ（Ｓｉ０、）を一定範囲の
割合で添加することにより、焼成によるＳ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ，の結晶粒子の成長を均一化し、バリスタ電圧の変
動が極めて少ない品質の安定したバリスタが得られると
共に静電容量の大きいバリスタが得られる組成物となし
得ることを見出し本発明をなすに至った。
結果、上記のＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｘを主成分とし、これ
に半導体化促進物質としてニオブ（Ｎｂ）、非直線性改
善物質としてＭｎ 、Ｚｎ 、Ｓｎから選ばれる金属を
夫々配合した組成物にシリカ（Ｓｉ０、）を一定範囲の
割合で添加することにより、焼成によるＳ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ，の結晶粒子の成長を均一化し、バリスタ電圧の変
動が極めて少ない品質の安定したバリスタが得られると
共に静電容量の大きいバリスタが得られる組成物となし
得ることを見出し本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は５ｒＴｉＯ：＋を９５．００〜９９
、９３モル％、ＮｂをＮｂ、Ｏ３に換算した値で０，０
１〜１．００モル％、５ｉｆｔを０．０５〜３゜００モ
ル％、Ｍ ｎ＊ Ｚ ｎ 、 Ｓ ｎからなる群から選
ばれる少くとも一種の金属を夫々Ｍｎ０＝、ＺｎＯ＊
Ｓ ｎ Ｏｚに換算した値で０．０１〜１．００モル％
含有する電圧非直線抵抗体磁器組成物（以下単に本発明
組成物という）である。
、９３モル％、ＮｂをＮｂ、Ｏ３に換算した値で０，０
１〜１．００モル％、５ｉｆｔを０．０５〜３゜００モ
ル％、Ｍ ｎ＊ Ｚ ｎ 、 Ｓ ｎからなる群から選
ばれる少くとも一種の金属を夫々Ｍｎ０＝、ＺｎＯ＊
Ｓ ｎ Ｏｚに換算した値で０．０１〜１．００モル％
含有する電圧非直線抵抗体磁器組成物（以下単に本発明
組成物という）である。
以下に本発明組成物の製造法について説明する。
すなわち、主成分としての５ｒＴｉＯ，が９５．００〜
９９．９３モル％、第２成分としてのＮｂがＮｂ２Ｏ，
に換算してｏ、ｏｉ〜１．００モル％、第３成分として
のＭｎ、Ｚｎ、Ｓｎからなる群から選ばれる少なくとも
一種の金属をＭｎ０ｚ 、ＺｎＯ。
９９．９３モル％、第２成分としてのＮｂがＮｂ２Ｏ，
に換算してｏ、ｏｉ〜１．００モル％、第３成分として
のＭｎ、Ｚｎ、Ｓｎからなる群から選ばれる少なくとも
一種の金属をＭｎ０ｚ 、ＺｎＯ。
Ｓ ｎ Ｏｚの金属酸化物に換算した値で０．０１〜１
．００モル％及び第４成分としてＳｉＯ□を０．０５〜
３゜００モル％の組成比で、総和が１００モル％となる
ように夫々を正確に秤量する。この場合、Ｓ「Ｔｉｅ、
はその生成原料となる例えば５ｒＣＯｓとＴｉｅ、との
混合物を出発原料としてもよく、又、Ｎｂｚ ０５ 、
Ｍｎ０ｚ ？ Ｚｎｏ、５ｎｏｔはこれらの金属元素又
は水酸化物、炭酸塩等を出発原料としてもよい。
．００モル％及び第４成分としてＳｉＯ□を０．０５〜
３゜００モル％の組成比で、総和が１００モル％となる
ように夫々を正確に秤量する。この場合、Ｓ「Ｔｉｅ、
はその生成原料となる例えば５ｒＣＯｓとＴｉｅ、との
混合物を出発原料としてもよく、又、Ｎｂｚ ０５ 、
Ｍｎ０ｚ ？ Ｚｎｏ、５ｎｏｔはこれらの金属元素又
は水酸化物、炭酸塩等を出発原料としてもよい。
上記の組成比となるよう混合された各成分は、ボールミ
ル等の粉砕混合機を用いて２〜８時間湿式で粉砕混合し
たのち、濾過脱水し、約ｌＯＯ〜１５０℃で乾燥する。
ル等の粉砕混合機を用いて２〜８時間湿式で粉砕混合し
たのち、濾過脱水し、約ｌＯＯ〜１５０℃で乾燥する。
次いでこの乾燥混合物を空気存在下１０００〜１１００
℃で１〜３時間仮焼したのち、ポリビニルアルコール等
の有機結合剤を添加して３００μ程度の造粒粉末を調製
する。
℃で１〜３時間仮焼したのち、ポリビニルアルコール等
の有機結合剤を添加して３００μ程度の造粒粉末を調製
する。
次に得られた造粒粉末を０．５〜３ ｔｏｎ／−程度の
圧力で加圧成形し、直径約６鶴、厚さ約１．２鶴の円板
とする０次いでこの円板成形体を脱パイ処理し還元雰囲
気（８０〜９５％Ｎよ＋５〜２０％Ｈ８）中で約１３５
０〜１５００℃の範囲で１〜８時間焼成したのち、この
焼成体を空気中で９００−１３００℃の範囲の温度で１
〜５時間再酸化処理することにより本発明の組成物が得
られる。
圧力で加圧成形し、直径約６鶴、厚さ約１．２鶴の円板
とする０次いでこの円板成形体を脱パイ処理し還元雰囲
気（８０〜９５％Ｎよ＋５〜２０％Ｈ８）中で約１３５
０〜１５００℃の範囲で１〜８時間焼成したのち、この
焼成体を空気中で９００−１３００℃の範囲の温度で１
〜５時間再酸化処理することにより本発明の組成物が得
られる。
バリスタ素子は得られた円板状焼結体の両面にオーミッ
ク接触を形成する銀などの導電性金属膜電極を通常の方
法により形成して得られる。
ク接触を形成する銀などの導電性金属膜電極を通常の方
法により形成して得られる。
各配合成分の組成比を変えて上述の方法で種々のバリス
タ素子を製造し、その初期特性を測定した結果を次表に
示した。
タ素子を製造し、その初期特性を測定した結果を次表に
示した。
なお表中■１゜はバリスタ素子に１０ｅ＾の電流を流し
たときのバリスタ素子両端の電圧であり、電圧非直線指
数αはバリスタ素子に１０ｅ＾及び１ｍＡの電流を夫々
流したときのバリスタ素子両端の電圧ＶＩＯとＶ、の比
から α−１／ ｌｏｇ （Ｖ ｒ ｏ／ Ｖ ＋ ）
の式より求めた値で示した。又、静電容量ＣＡはＬＣＲ
メータを使用し、測定周波数ＩＫＨｚで測定した値であ
る。さらに変動係数（％）は■１゜のバラツキを標準偏
差と平均値との比を百分率で示した。なおこれらの特性
値はバリスタの製造時における再酸化温度を１０００’
Ｃとした場合の値を示した。又、表中左欄の試料番号に
※印を付したものは対照例を示す。
たときのバリスタ素子両端の電圧であり、電圧非直線指
数αはバリスタ素子に１０ｅ＾及び１ｍＡの電流を夫々
流したときのバリスタ素子両端の電圧ＶＩＯとＶ、の比
から α−１／ ｌｏｇ （Ｖ ｒ ｏ／ Ｖ ＋ ）
の式より求めた値で示した。又、静電容量ＣＡはＬＣＲ
メータを使用し、測定周波数ＩＫＨｚで測定した値であ
る。さらに変動係数（％）は■１゜のバラツキを標準偏
差と平均値との比を百分率で示した。なおこれらの特性
値はバリスタの製造時における再酸化温度を１０００’
Ｃとした場合の値を示した。又、表中左欄の試料番号に
※印を付したものは対照例を示す。
本発明の組成物において、Ｎｂ２Ｏ５は半導体化促進の
目的で配合されるもので、０．０１〜１．００モル％の
範囲の場合バリスタ電圧■、。が低（、電圧非直線指数
αが大きいバリスタ素子が得られる。しかし、０．０１
モル％未満及び１．００モル％を越えるときは■１゜の
値が大きくなり、又、逆にαが小となって好ましくない
。
目的で配合されるもので、０．０１〜１．００モル％の
範囲の場合バリスタ電圧■、。が低（、電圧非直線指数
αが大きいバリスタ素子が得られる。しかし、０．０１
モル％未満及び１．００モル％を越えるときは■１゜の
値が大きくなり、又、逆にαが小となって好ましくない
。
なお上記の実施例では第２成分としてＮｂ２Ｏ５を添加
した場合を示したが、タンタル（Ｔ ａ ）についても
ニオブ（Ｎｂ）と同族元素であり、そのイオン半径及び
化学的性質が殆ど同一あることがらＮｂ□ＯＳの一部又
は全部に変えてＴａ、Ｏ。
した場合を示したが、タンタル（Ｔ ａ ）についても
ニオブ（Ｎｂ）と同族元素であり、そのイオン半径及び
化学的性質が殆ど同一あることがらＮｂ□ＯＳの一部又
は全部に変えてＴａ、Ｏ。
を添加しても同様の特性のバリスタ素子が得られること
は容易に推察できる。
は容易に推察できる。
又、本発明組成物においてＳｉＯっの添加は上表の結果
から明らかなように、０．０５〜３．０θモル％の範囲
の場合バリスタ素子の静電容量を増加させ、又、バリス
タ電圧ｖ１０の変動係数を減少させる作用がある。しか
しＳｉＯ□が０．０５モル％未満のときはＶ＋Ｏの値が
高くなると共に変動係数も大となり、一方３．００モル
％を越えるときはαが低下すると共に変動係数が大とな
って好ましくない。
から明らかなように、０．０５〜３．０θモル％の範囲
の場合バリスタ素子の静電容量を増加させ、又、バリス
タ電圧ｖ１０の変動係数を減少させる作用がある。しか
しＳｉＯ□が０．０５モル％未満のときはＶ＋Ｏの値が
高くなると共に変動係数も大となり、一方３．００モル
％を越えるときはαが低下すると共に変動係数が大とな
って好ましくない。
Ｓ ｉ Ｏｚの添加によるこのような作用効果は主とし
て主成分である５ｒＴｉＯ＋の結晶粒子の成長が均一化
されることに起因するものと考えられる。
て主成分である５ｒＴｉＯ＋の結晶粒子の成長が均一化
されることに起因するものと考えられる。
ちなみに表中試料番号２２に示される本発明組成物（Ｓ
ｉ Ｏｘ ０．５モル％添加）の結晶構造を示す第
１図の顕微鏡写真（倍率１０００倍）と、試料番号１６
に示される対照組成物（Ｓｉ０゜０．０１モル％添加）
の結晶構造を示す第２図の顕微鏡写真（倍率１０００倍
）とを比較すると、対照組成物においてはＳｒＴｉＯ３
の結晶の成長が均一でなく、微細な粒子の中に部分的に
異常成長した粒子が存在した状態となるのに対し、本発
明の組成物においては、ＳｒＴｉＯ３結晶の成長が均一
に行なわれ、大きさの揃った粒子に成長していることが
わかる。従って５ｒＴｉＯ，粒界における金属酸化物に
よる絶縁体層の形成も均一となり、特性値のバラツキが
減少するものと考えられる。なお、Ｓｉｎｇに変えてＳ
ｉ、Ｎ、等の窒化物を使用しても５ｉＯｚと同様の作用
が得られる。
ｉ Ｏｘ ０．５モル％添加）の結晶構造を示す第
１図の顕微鏡写真（倍率１０００倍）と、試料番号１６
に示される対照組成物（Ｓｉ０゜０．０１モル％添加）
の結晶構造を示す第２図の顕微鏡写真（倍率１０００倍
）とを比較すると、対照組成物においてはＳｒＴｉＯ３
の結晶の成長が均一でなく、微細な粒子の中に部分的に
異常成長した粒子が存在した状態となるのに対し、本発
明の組成物においては、ＳｒＴｉＯ３結晶の成長が均一
に行なわれ、大きさの揃った粒子に成長していることが
わかる。従って５ｒＴｉＯ，粒界における金属酸化物に
よる絶縁体層の形成も均一となり、特性値のバラツキが
減少するものと考えられる。なお、Ｓｉｎｇに変えてＳ
ｉ、Ｎ、等の窒化物を使用しても５ｉＯｚと同様の作用
が得られる。
又、ＭｎＯ，、ＺｎＯ，Ｓｎｏｗの添加は、主にαを増
大させる作用効果があるが、０．０１モル％未満ではそ
の効果が少ないため好ましくなく、又、１．００モル％
を越えるときはバリスタ電圧■１゜が高く、静電容量Ｃ
Ａも小さくなり、かつバリスタ電圧の変動係数も大きく
なって安定したバリスタ素子が得られない。
大させる作用効果があるが、０．０１モル％未満ではそ
の効果が少ないため好ましくなく、又、１．００モル％
を越えるときはバリスタ電圧■１゜が高く、静電容量Ｃ
Ａも小さくなり、かつバリスタ電圧の変動係数も大きく
なって安定したバリスタ素子が得られない。
第３図は前表の試料番号２２の本発明の組成物について
、焼結後における再酸化温度と■１゜及びαとの関係を
示したグラフであり、この結果から明らかなように、再
酸化温度の調節により、ｖｌ。
、焼結後における再酸化温度と■１゜及びαとの関係を
示したグラフであり、この結果から明らかなように、再
酸化温度の調節により、ｖｌ。
及びαの値をコントロールすることができるので、同−
寸法及び同一組成の素子で各種特性を有するバリスタを
製造することができる。なお、試料番号２２の組成物は
第３成分としてＭｎＯ，を０．２モル％添加した場合で
あるが、ＺｎＯ，５ｎｏｔを添加した場合についても第
３図の場合と同様の傾向が得られることが確認された。
寸法及び同一組成の素子で各種特性を有するバリスタを
製造することができる。なお、試料番号２２の組成物は
第３成分としてＭｎＯ，を０．２モル％添加した場合で
あるが、ＺｎＯ，５ｎｏｔを添加した場合についても第
３図の場合と同様の傾向が得られることが確認された。
本発明の組成物によれば、以上の実施例及び作用から明
らかなように、変動係数（バラツキ）の小さな種々のバ
リスタ電圧■１゜と電圧非直線指数αとを有する高品質
で信転性の高いバリスタ素子を得ることができる。又こ
のバリスタは従来のバリスタと比較して静電容量が大き
いので、各種電子機器の過電圧抑制、火花除去及びノイ
ズ吸収等の用途、例えば小型モータ回路における整流子
片と刷子間に発生する火花消去及びノイズ吸収用、マイ
クロコンピュータ制御機器等のノ・ｆズフィルター等の
用途に、バリスタとコンデンサの機能を同時に備えた複
合機能素子として使用することができる。
らかなように、変動係数（バラツキ）の小さな種々のバ
リスタ電圧■１゜と電圧非直線指数αとを有する高品質
で信転性の高いバリスタ素子を得ることができる。又こ
のバリスタは従来のバリスタと比較して静電容量が大き
いので、各種電子機器の過電圧抑制、火花除去及びノイ
ズ吸収等の用途、例えば小型モータ回路における整流子
片と刷子間に発生する火花消去及びノイズ吸収用、マイ
クロコンピュータ制御機器等のノ・ｆズフィルター等の
用途に、バリスタとコンデンサの機能を同時に備えた複
合機能素子として使用することができる。
第１図は本発明の組成物の一実施例についての結晶構造
を示す顕微鏡写真、第２図は対照組成物の結晶構造を示
す顕微鏡写真、第３図は本発明組成物の一実施例につい
ての再酸化温度とＶ、。、αとの関係を示すグラフであ
る。 特 許 出 願 人 石塚電子株式会社第１図
を示す顕微鏡写真、第２図は対照組成物の結晶構造を示
す顕微鏡写真、第３図は本発明組成物の一実施例につい
ての再酸化温度とＶ、。、αとの関係を示すグラフであ
る。 特 許 出 願 人 石塚電子株式会社第１図
Claims (1)
- ＳｒＴｉＯ＿３を９５．００〜９９．９３モル％、Ｎ
ｂをＮｂ＿２Ｏ＿５に換算した値で０．０１〜１．００
モル％、ＳｉＯ＿２を０．０５〜３．００モル％、Ｍｎ
、Ｚｎ、Ｓｎからなる群から選ばれる少くとも一種の金
属を夫々ＭｎＯ＿２、ＺｎＯ、ＳｎＯ＿２に換算した値
で０．０１〜１．００モル％含有することを特徴とする
電圧非直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113229A JPS61271802A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 電圧非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113229A JPS61271802A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 電圧非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271802A true JPS61271802A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14606835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60113229A Pending JPS61271802A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 電圧非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61271802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249404A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Murata Mfg Co Ltd | 複合機能素子 |
| JPH02106904A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Murata Mfg Co Ltd | 複合機能素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5298995A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-19 | Tdk Corp | Ceramic compound of voltage non-linear resistance |
| JPS607701A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1985
- 1985-05-28 JP JP60113229A patent/JPS61271802A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5298995A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-19 | Tdk Corp | Ceramic compound of voltage non-linear resistance |
| JPS607701A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249404A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Murata Mfg Co Ltd | 複合機能素子 |
| JPH02106904A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Murata Mfg Co Ltd | 複合機能素子 |
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