JPH03138953A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波高出力トランジスタに関し、特に入出力
整合用のコンデンサを内蔵したものに関するものである
。

〔従来の技術〕

高周波高出力トランジスタ、ことにＩＧＨｚ以上の周波
数帯においてＩＷ以上の出力を得るものは、入出力イン
ピーダンスが小さいので入出力の整合（マツチング）を
容易にし、広帯域化するために第３図に示すように絶縁
基板３の独立したメタライズ面７にトランジスタチップ
１０ａ、１０ｂと出力整合用コンデンサチップ１１．ａ
、１１ｂ、ｌｌｃとが交互にロウ付けされている。

回路配線（ボンディングワイヤ）を最短距離に配置し、
トランジスタチップ相互間のバランスを良くするため、
トランジスタチップとコンデンサチップとは同一のメタ
ライズ面にマウントされている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の高周波高出力トランジスタは、同一のメタライズ
面に複数のトランジスタチップとコンデンサチップとが
ロウ付けされているので、つぎのような問題がある。

（１）各チップのマウント位置出しが難しい。

（２）ロウ付けの際にスクラブ（こする）必要があるが
、その時ロウ流れ（第３図における１８ａ〜１８ｄ）が
生じ、隣のチップの領域まではみ出してロウ付は作業を
困難にしたり、ロウ材がチップ表面まではい上がってシ
ョート不良の原因となる。

同一メタライズ面に異なったサイズのトランジスタチッ
プやコンデンサチップをロウ付けする場合や、さらに異
種ロウ材を使用する場合に、特に問題になる。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の高周波高出力トランジスタにおいて、同一メタ
ライズ面にトランジスタチップと出力整合用コンデンサ
チップとをロウ付けする際に、各々のトランジスタチッ
プとコンデンサチップとの間のメタライズ面にソルダー
ダムを設けている。

〔実施例〕

本発明の第１の実施例について、第１図および第２図を
参照して説明する。

絶縁基板３にメタライズ面４，５，７．９が設けられて
おり、メタライズ面５は絶縁基板３の裏面と接続されて
（図示せず）接地されている。

メタライズ面４には入力端子１が、メタライズ面９には
出力端子２が接続されている。

絶縁基板３として厚さ０．８〜１．５μｍの酸化ベリリ
ウム（ベリリア）が用いられ、Ｍｏ−ＭｎｎシフタＮｉ
−Ａｕメツキによりメタライズされている。

入力端子１，２として鉄−ニッケル系合金が用いられ、
絶縁基板のメタライズ面４．９にはあらかじめＡｕ−Ａ
ｇなどでロウ付けされている。

絶縁基板３のサイズはトランジスタチップのサイズや個
数によって変るが１０ｍｍ口前後のものが多い。

ソルダーダム８によって区切られたメタライズ面７には
、コンデンサチップｌｌａ、ｌｌｂ、１１Ｃとトランジ
スタチップ１０ａ、１０ｂとが交互にロウ付けされる。

接地メタライズ面５の入力端子１の側には入力整合用コ
ンデンサ６がロウ付けされる。

入力整合用コンデンサ６はコンデンサパターン６ａと接
地パターン６ｂとからなり、それぞれ金属細線１２ａ、
１２ｂ、１３ａ、１３ｂでトランジスタチップ１０ａ、
１０ｂと接続され、第２図の等価回路における１６．１
７．６を通じて接地されている。

コンデンサチップおよびトランジスタチップのロウ付け
には、ハード系の共晶合金が用いられることが多い。

例えばＮＰＮトランジスタにはＡｕ−８ｂの、セラミッ
ク製チップコンデンサにはＡｕ−３ｉの共晶合金片が用
いられる。

ソルダーダムとしては一般的にアルミナコートが用いら
れる。絶縁基板３の表面のＭｏ−Ｍｎメタライズ面に厚
さ１０μｍのアルミナをスクリーンプリントする。アル
ミナはロウ材の濡れ付きが悪いのでロウ材の流れを阻止
することができる。

その幅は５０μｍが適切である。

さらにハーメチックシールのための封止キャップが取り
付けられる。そのなめに絶縁基板３にアルミナなどによ
る額縁を設けることがある。

つぎに本発明の第２の実施例について説明する。

ここではソルダーダムとして、第１の実施例のアルミナ
コートの替りにＭｏ−Ｍｎメタライズ面のＮｉ−Ａｕメ
ツキを省略するか、あるいはエツチング除去して、ロウ
材の濡れ付きを防ぐ。

〔発明の効果〕

従来技術において金属細線１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１
５ｄの接続のために用いられていた直線状のソルダーダ
ム８が、本発明においてはコンデンサチップｌｌａ、ｌ
ｌｂ、ｌｌｃとトランジスタチ・ｙｚ７１０ａ、１０ｂ
との間にまで枝状に延長されており、ロウ付けの際にス
クラブしてもロウ材が隣のチップ領域まで流れることは
ない。

このソルダーダム８はチップマウントの位置決めにも役
立たせることができる。

特に超高周波帯の内部整合回路を構成するときに、等間
隔で完全な対称性を保つことにより優れたマツチング特
性を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２１図はそ
の等価回路図、第３図は従来技術による高周波高出力ト
ランジスタを示す平面図である。 １・・・入力端子、２・・・出力端子、３・・・絶縁基
板、４、・・・メタライズ面、６・・・入力整合用コン
デンサ、６ａ・・・コンデンサパターン、６ｂ・・・接
地パターン、７・・・メタライズ面、８・・・ソルダー
ダム、９・・・メタライズ面、１０・・・トランジスタ
、１０ａ。 ｉ　ｏ　ｂ−・・トランジスタチップ、１１ａ、１’ｌ
ｂ。 １１　ｃ　・−・コンデンサチップ、１２ａ、１２ｂ、
１２ｃ金属細線、１３・・・インダクタンス、１３ａ。 １３ｂ・・・金属細線、１４・・・インダクタンス、１
４ａ、１４ｂ、１４ｃ・・・金属細線、１５・・・イン
ダクタンス、１５ａ、１５ｂ、１　！５ｃ・−金属細線
、１６．１７−・・インダクタンス、１８ａ、１８ｂ、
１８ｃ、ｔｓｃｉ・・・ロウ材流れ部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板のメタライズ面にトランジスタチップと出
   力整合用コンデンサチップとをロウ付けして、配線して
   から封止する高周波高出力トランジスタにおいて、各ト
   ランジスタチップとコンデンサチップとの境界にソルダ
   ーダムを設けたことを特徴とする高周波高出力トランジ
   スタ。 ２、ソルダーダムをアルミナコートとする請求項１記載
   の高周波高出力トランジスタ。 ３、モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）処理のみのメ
   タライズ面をソルダーダムとする請求項１記載の高周波
   高出力トランジスタ。