JPH03140470A - プラズマｃｖｄ装置およびその反応室内クリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置およびその反応室内クリーニング方法Info
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- JPH03140470A JPH03140470A JP27872989A JP27872989A JPH03140470A JP H03140470 A JPH03140470 A JP H03140470A JP 27872989 A JP27872989 A JP 27872989A JP 27872989 A JP27872989 A JP 27872989A JP H03140470 A JPH03140470 A JP H03140470A
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- Japan
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- reaction chamber
- plasma cvd
- electrode
- cvd apparatus
- plasma
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子を製造するプラズマＣＶＤ装置に係
り、特に、装置内に付着した薄膜材料をクリーニングす
るに好適なプラズマＣＶＤ装置。
り、特に、装置内に付着した薄膜材料をクリーニングす
るに好適なプラズマＣＶＤ装置。
および、プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法に関す
るものである。
るものである。
空胴共振室壁に設けたスロットからマイクロ波を放射せ
しめ、反応室内にプラズマを発生させて基板を処理する
プラズマ処理装置については、特開昭６３−１０３０８
８号公報、及び特開昭６３−２６３７２５号公報に開示
された技術が公知である。
しめ、反応室内にプラズマを発生させて基板を処理する
プラズマ処理装置については、特開昭６３−１０３０８
８号公報、及び特開昭６３−２６３７２５号公報に開示
された技術が公知である。
次に、上記公知技術の概要を述べる。
一般に、導波管あるいは導波管の一種と考えられる空胴
共振器内をマイクロ波が進行する場合。
共振器内をマイクロ波が進行する場合。
導波管の表面には、電場、磁場に対応した電流が流れる
。この電流は横切るように導波管の一部にスリット形状
の孔を設けると、スリットの両端に電荷がたまり、これ
がマイクロ波の進行に伴って変化することからスリット
両端間の電場が変化し導波管の外部にマイクロ波が放射
される。これがマイクロ波の素子に用いられるスロット
アンテナの原理であり、上記スリットをスロットと呼ん
でいる。
。この電流は横切るように導波管の一部にスリット形状
の孔を設けると、スリットの両端に電荷がたまり、これ
がマイクロ波の進行に伴って変化することからスリット
両端間の電場が変化し導波管の外部にマイクロ波が放射
される。これがマイクロ波の素子に用いられるスロット
アンテナの原理であり、上記スリットをスロットと呼ん
でいる。
このプラズマ処理装置は、上記を原理としたものであっ
て、たとえば第６図に示す構造になっている。マグネト
ロン３で発生したマイクロ波は。
て、たとえば第６図に示す構造になっている。マグネト
ロン３で発生したマイクロ波は。
導波管２を通って空胴共振器１に導入され、該空胴共振
器１の下面に設けられたスロット４からマイクロ波が反
応室７に放射され、低圧力の反応室でプラズマが発生す
る０反応室に供給するガスとしてエツチングガスを選べ
ば、基板６にドライエツチング処理を行なうことができ
、ＣＶＤガスを供給すれば、薄膜を形成することができ
る。
器１の下面に設けられたスロット４からマイクロ波が反
応室７に放射され、低圧力の反応室でプラズマが発生す
る０反応室に供給するガスとしてエツチングガスを選べ
ば、基板６にドライエツチング処理を行なうことができ
、ＣＶＤガスを供給すれば、薄膜を形成することができ
る。
薄膜を形成する場合は、Ｓ ｉ Ｈ４、Ｎ ２０ 、
Ｓ ｉ（ＯＣ２Ｈｇ）４０２．ＮＨ３，ＮｚなどのＣＶ
Ｄガスをプラズマ発生室７内に導入し、所定の圧力に保
つ。次に、マグネトロン３で、マイクロ波を発生させス
リット４からマイクロ波窓５を通して反応室７にマイク
ロ波を放射し、プラズマを発生させ、ＣＶＤガスを分解
して基板に薄膜を形成する。その際に基板以外のプラズ
マ発生室内壁にもＣＶＤ薄膜が付着する。多数枚連続し
てＣＶＤ成膜を行なった場合には、プラズマ発生室内壁
の付着物も成長し、成長が進んで剥離すると基板上にゴ
ミとして付着する問題がある。そのため、定期的にプラ
ズマ発生室内壁をクリーニングする必要があり、成膜後
、プラズマエツチングにて除去する。
Ｓ ｉ（ＯＣ２Ｈｇ）４０２．ＮＨ３，ＮｚなどのＣＶ
Ｄガスをプラズマ発生室７内に導入し、所定の圧力に保
つ。次に、マグネトロン３で、マイクロ波を発生させス
リット４からマイクロ波窓５を通して反応室７にマイク
ロ波を放射し、プラズマを発生させ、ＣＶＤガスを分解
して基板に薄膜を形成する。その際に基板以外のプラズ
マ発生室内壁にもＣＶＤ薄膜が付着する。多数枚連続し
てＣＶＤ成膜を行なった場合には、プラズマ発生室内壁
の付着物も成長し、成長が進んで剥離すると基板上にゴ
ミとして付着する問題がある。そのため、定期的にプラ
ズマ発生室内壁をクリーニングする必要があり、成膜後
、プラズマエツチングにて除去する。
クリーニング時には、ＣＦ４．ＮＦ３などのエツチング
ガスを供給するとともに、マイクロ波を導入してエツチ
ングガスのプラズマを発生させる。
ガスを供給するとともに、マイクロ波を導入してエツチ
ングガスのプラズマを発生させる。
いわば、余分な個所（反応室の内壁など）に付着した薄
膜を、エツチングに類似した操作で除去する訳である。
膜を、エツチングに類似した操作で除去する訳である。
前記従来技術によるクリーニングにおいては、反応室内
のクリーニングの進行速度が均一でなく、場所によって
クリーニング進行速度が異なるので、結果的にクリーニ
ング所要時間が長い。
のクリーニングの進行速度が均一でなく、場所によって
クリーニング進行速度が異なるので、結果的にクリーニ
ング所要時間が長い。
すなわち、クリーニングする際には、ＣＦ、などのエツ
チングガスを反応室に供給すると共にマイクロ波を放射
してプラズマを発生させ、反応室内壁に付着したＣＶＤ
反応生成物をエツチングすることにより除去するのであ
るが、プラズマはマイクロ波が放射される空胴共振器に
近い程、濃く、そこから遠ざかるにつれて薄いプラズマ
になる６プラズマ密度の測定例を第７図に示す。プラズ
マ発生室内の圧力が高い程、プラズマの濃淡は顕著にな
る。そのため、エツチング速度も空胴共振器に近い程、
高速であり、そこから遠ざかるにつれてエツチング速度
が低下する。つまり、空胴共振器に近いマイクロ波窓や
その近傍ではクリーニングが早く行なわれるが、基板載
置台や、マイクロ波窓の周辺部ではクリーニングに多く
の時間が掛かる。
チングガスを反応室に供給すると共にマイクロ波を放射
してプラズマを発生させ、反応室内壁に付着したＣＶＤ
反応生成物をエツチングすることにより除去するのであ
るが、プラズマはマイクロ波が放射される空胴共振器に
近い程、濃く、そこから遠ざかるにつれて薄いプラズマ
になる６プラズマ密度の測定例を第７図に示す。プラズ
マ発生室内の圧力が高い程、プラズマの濃淡は顕著にな
る。そのため、エツチング速度も空胴共振器に近い程、
高速であり、そこから遠ざかるにつれてエツチング速度
が低下する。つまり、空胴共振器に近いマイクロ波窓や
その近傍ではクリーニングが早く行なわれるが、基板載
置台や、マイクロ波窓の周辺部ではクリーニングに多く
の時間が掛かる。
本発明は上述の事情に鑑みて為されたもので、迅速にク
リーニングを行い得るプラズマＣＶＤ装置、及び１反応
生成物を急速に除去し得るプラズマＣＶＤ装置のクリー
ニング方法を提供することを目的とする。
リーニングを行い得るプラズマＣＶＤ装置、及び１反応
生成物を急速に除去し得るプラズマＣＶＤ装置のクリー
ニング方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために創作した本発明の装置・方
法の基本的原理は、エツチングガスとマイクロ波とによ
る従来技術に係るクリーニング操作と併せて、反応室内
に電極を設けて高周波電力を印加する。
法の基本的原理は、エツチングガスとマイクロ波とによ
る従来技術に係るクリーニング操作と併せて、反応室内
に電極を設けて高周波電力を印加する。
上記の原理に基づく具体的な構成として、本発明に係る
プラズマＣＶＤ装置は、マイクロ波発生手段と、空胴共
振器と１反応室とを備え、前記空胴共振器と反応室との
間のマイクロ波窓の近傍にスロットが設けられており、
上記スロットから反応室内にマイクロ波を放射するとと
もに該反応室にガスを供給してプラズマを発生させ、上
記反応室内に設置した基板の表面に薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において。
プラズマＣＶＤ装置は、マイクロ波発生手段と、空胴共
振器と１反応室とを備え、前記空胴共振器と反応室との
間のマイクロ波窓の近傍にスロットが設けられており、
上記スロットから反応室内にマイクロ波を放射するとと
もに該反応室にガスを供給してプラズマを発生させ、上
記反応室内に設置した基板の表面に薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において。
上記反応室内に、電力を印加する電極を設けた。
また、上記の発明装置を用いて行う本発明方法は、マイ
クロ波発生手段と、空胴共振器と、反応室とを備え、前
記空胴共振器と反応室との間のマイクロ波窓の近傍にス
ロットが設けられており、上記スロットから反応室内に
マイクロ波を放射するとともに該反応室にガスを供給し
てプラズマを発生させ、上記反応室内に設置した基板の
表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上
記反応室内に電極を設け、この電極に高周波電力を印加
するとともに前記反応室内にエツチングガスを導入し、
かつ前記スロットからマイクロ波を放射する６ 〔作用〕 上記の構成よりなるプラズマＣＶＤ装置を用いて上記の
クリーニング方法を行うと１反応室内に設けられた電極
に高周波電力が印加されて、該電極の近傍に高周波プラ
ズマが発生し、エツチングガスを分解させるので、イオ
ン及びラジカルが多量に発生し、ＣＶＤ反応生成物をエ
ツチングする。
クロ波発生手段と、空胴共振器と、反応室とを備え、前
記空胴共振器と反応室との間のマイクロ波窓の近傍にス
ロットが設けられており、上記スロットから反応室内に
マイクロ波を放射するとともに該反応室にガスを供給し
てプラズマを発生させ、上記反応室内に設置した基板の
表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上
記反応室内に電極を設け、この電極に高周波電力を印加
するとともに前記反応室内にエツチングガスを導入し、
かつ前記スロットからマイクロ波を放射する６ 〔作用〕 上記の構成よりなるプラズマＣＶＤ装置を用いて上記の
クリーニング方法を行うと１反応室内に設けられた電極
に高周波電力が印加されて、該電極の近傍に高周波プラ
ズマが発生し、エツチングガスを分解させるので、イオ
ン及びラジカルが多量に発生し、ＣＶＤ反応生成物をエ
ツチングする。
これにより、反応室内のクリーニング処理の進行が著し
く促進される。
く促進される。
以下１本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ装置を示
す第１図について説明する。同図（ａ）は垂直断面図、
同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
す第１図について説明する。同図（ａ）は垂直断面図、
同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
第１図（ａ）に示すように、空胴共振器１はＥＯＩモー
ドの空胴共振器であり、導波管２を通してマグネトロン
３からマイクロ波が供給される６空胴共振器の下面には
Ｅｅｌモードに対応した形状のスロット４が形成されて
いて、その下面に石英ガラス製のマイクロ波窓５が設置
されている。基板６は、反応室７内の基板載置台８の上
に載せられである６反応室７は、図示していない真空排
気手段により、排気口９から真空排気される。ガスはガ
ス導入口１０を通ってガス吹出口１１から反応室７に供
給される。ガス吹出口１１とプラズマ発生室７との間は
、アルミナセラミクスの絶縁体２Ｌａで電気的に絶縁さ
れている。
ドの空胴共振器であり、導波管２を通してマグネトロン
３からマイクロ波が供給される６空胴共振器の下面には
Ｅｅｌモードに対応した形状のスロット４が形成されて
いて、その下面に石英ガラス製のマイクロ波窓５が設置
されている。基板６は、反応室７内の基板載置台８の上
に載せられである６反応室７は、図示していない真空排
気手段により、排気口９から真空排気される。ガスはガ
ス導入口１０を通ってガス吹出口１１から反応室７に供
給される。ガス吹出口１１とプラズマ発生室７との間は
、アルミナセラミクスの絶縁体２Ｌａで電気的に絶縁さ
れている。
マイクロ波窓５の周辺部１１には高周波電源２０−ａが
接続されており、高周波電力が印加される構成になって
いる。更に、基板載置台８とプラズマ発生室７との間に
絶縁物２０−ｂが設けられており、基板載置台８に高周
波電源１２−ｂが接続されている。
接続されており、高周波電力が印加される構成になって
いる。更に、基板載置台８とプラズマ発生室７との間に
絶縁物２０−ｂが設けられており、基板載置台８に高周
波電源１２−ｂが接続されている。
この実施例のプラズマＣＶＤ装置を用いてクリニングを
行う際は、スロット４から反応室７内にマイクロ波を放
射してエツチングガスのプラズマを発生させる。更に高
周波電源１２−ａ及び１２−ｂから高周波電力をガス吹
出口１０及び基板載置台に印加して、高周波プラズマを
発生させる。
行う際は、スロット４から反応室７内にマイクロ波を放
射してエツチングガスのプラズマを発生させる。更に高
周波電源１２−ａ及び１２−ｂから高周波電力をガス吹
出口１０及び基板載置台に印加して、高周波プラズマを
発生させる。
従来技術によってマイクロ波のみでプラズマを発生させ
クリーニングした場合、マイクロ波の導入部つまりマイ
クロ波窓やそれに近い部分でクリニングが速く、マイク
ロ波窓周辺部の下面や基板載置台のクリーニングが遅く
、クリーニングに時間がかかるという問題があったこと
は記述の如くであるが１本実施例においてはマイクロ波
窓の周辺部、及び基板載置台にも高周波電力を印加して
プラズマを発生させるため、マイクロ波窓の下側周辺部
や基板載置台のクリーニングが高速で進行し、クリーニ
ング所要時間が著しく短縮される。
クリーニングした場合、マイクロ波の導入部つまりマイ
クロ波窓やそれに近い部分でクリニングが速く、マイク
ロ波窓周辺部の下面や基板載置台のクリーニングが遅く
、クリーニングに時間がかかるという問題があったこと
は記述の如くであるが１本実施例においてはマイクロ波
窓の周辺部、及び基板載置台にも高周波電力を印加して
プラズマを発生させるため、マイクロ波窓の下側周辺部
や基板載置台のクリーニングが高速で進行し、クリーニ
ング所要時間が著しく短縮される。
前記と異なる実施例を第２図に示す。本例では、絶縁体
２０−ａ’で反応室７の側壁をおおう様に構成し、ガス
吹出口を含む導電部材１１′をその内側に配して、高周
波電力を印加できる構成としである。
２０−ａ’で反応室７の側壁をおおう様に構成し、ガス
吹出口を含む導電部材１１′をその内側に配して、高周
波電力を印加できる構成としである。
この実施例では反応室側面にも高周波プラズマを発生さ
せることができるため、反応室側壁も高速にクリーニン
グすることが出来、プラズマ発生室の全領域でのクリー
ニングができる。
せることができるため、反応室側壁も高速にクリーニン
グすることが出来、プラズマ発生室の全領域でのクリー
ニングができる。
さらに異なる実施例を第３図に示す。第３図では、空胴
共振器を同軸型とし、軸を通して基板の中央にガスを供
給しかつ周囲からもガスを供給する構成になっている。
共振器を同軸型とし、軸を通して基板の中央にガスを供
給しかつ周囲からもガスを供給する構成になっている。
中央のガス吹出口ＩＬｂと共振器ｉ−ｂとの間に円筒形
状の絶縁体２０−Ｃが設けられており中央のガス導入手
段と共振器とを電気的に絶縁している。中央のガス吹出
口１１−ｂは高周波電源１２−ｃと接続されている。そ
のため、プラズマ発生室内のガス吹出口１１−ｂの近傍
に高周波プラズマを発生させることができ、ガス吹出口
１１−ｂを高速にクリーニングすることができる。
状の絶縁体２０−Ｃが設けられており中央のガス導入手
段と共振器とを電気的に絶縁している。中央のガス吹出
口１１−ｂは高周波電源１２−ｃと接続されている。そ
のため、プラズマ発生室内のガス吹出口１１−ｂの近傍
に高周波プラズマを発生させることができ、ガス吹出口
１１−ｂを高速にクリーニングすることができる。
さらに異なる実施例を第４図に示す。本例では、基板載
置台８の下部に設けた駆動機構により、該基板載置台８
が上下に移動できる構成になっている。つまり、モータ
２２の軸にピニオンギヤ２１ａが取付いており、それが
ラック２１ｂと噛みあっており、一方、基板載置台８は
、リニアベアリング２３で案内されている。
置台８の下部に設けた駆動機構により、該基板載置台８
が上下に移動できる構成になっている。つまり、モータ
２２の軸にピニオンギヤ２１ａが取付いており、それが
ラック２１ｂと噛みあっており、一方、基板載置台８は
、リニアベアリング２３で案内されている。
２４は真空封止用のベローズである。
これにより、モータ２２が回ると基板載置台８が上下に
駆動される。この機構により、クリーニング時には、基
板載置台を上昇させ、前述したマイクロ波プラズマの高
密度域に入れて、基板載置台を高速にクリーニングする
ことができる。この第４図の実施例は、更に、高周波電
源１２−ｂにより基板載置台に高周波電力を印加するこ
とによって、基板載置台８とマイクロ波窓周辺部１１と
の距離が短いため、その間に高密度の高周波プラズマを
発生させることができ、マイクロ波窓周辺部を高速にク
リーニングすることが、できる。
駆動される。この機構により、クリーニング時には、基
板載置台を上昇させ、前述したマイクロ波プラズマの高
密度域に入れて、基板載置台を高速にクリーニングする
ことができる。この第４図の実施例は、更に、高周波電
源１２−ｂにより基板載置台に高周波電力を印加するこ
とによって、基板載置台８とマイクロ波窓周辺部１１と
の距離が短いため、その間に高密度の高周波プラズマを
発生させることができ、マイクロ波窓周辺部を高速にク
リーニングすることが、できる。
他の実施例を第５図に示す。この例では、基板載置台８
の周囲にリング状の高周波電極２５を設けである。この
電極２５は前述した第４図の実施例と同様な上下駆動機
構が備えられてあり、高周波電源１２−ｂと接続されて
いる。ＣＶＤ成膜時には電極２５を下降させておき、ク
リーニング時には仮想線で描いた２５′の如くマイクロ
波窓５の周辺部１１に接近させる。この状態ゼ高周波電
力を印加すると、高周波電極２５とマイクロ波窓５の周
辺部１１との間で高密度の高周波プラズマが発生し、マ
イクロ波窓周辺部１１を高速でクリーニングすることが
できる。
の周囲にリング状の高周波電極２５を設けである。この
電極２５は前述した第４図の実施例と同様な上下駆動機
構が備えられてあり、高周波電源１２−ｂと接続されて
いる。ＣＶＤ成膜時には電極２５を下降させておき、ク
リーニング時には仮想線で描いた２５′の如くマイクロ
波窓５の周辺部１１に接近させる。この状態ゼ高周波電
力を印加すると、高周波電極２５とマイクロ波窓５の周
辺部１１との間で高密度の高周波プラズマが発生し、マ
イクロ波窓周辺部１１を高速でクリーニングすることが
できる。
以上説明したように、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置
を用いて本発明に係るクリーニング方法を実施すると、 従来技術に係るマイクロ波プラズマによるクリニングの
進行の遅い部分（マイクロ波窓の周辺。
を用いて本発明に係るクリーニング方法を実施すると、 従来技術に係るマイクロ波プラズマによるクリニングの
進行の遅い部分（マイクロ波窓の周辺。
基板載置台、基板載置台周辺）に高周波プラズマを発生
させて、高速でクリーニングを行うことができる。
させて、高速でクリーニングを行うことができる。
第１図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例を
示し、（Ａ）は垂直断面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図
である。 第２図乃至第５図はそれぞれ上記と異なる実施例の断面
図である。 第６図は従来例のプラズマＣＶＤ装置を説明するための
部分破断斜視図である。 第７図はプラズマの分布密度を示す図表である。 １・・・空胴共振器、２・・・導波管、３・・・マグネ
トロン、４・・・スロット、５・・・マイクロ波窓、６
・・・基板。 ７・・・反応室、８・・・基板載置台、１１・・・マイ
クロ波窓の周辺部、１２ａ 〜１２ｃ ・＝高周波電源
、２０−ａ、 ２Ｏ−ｂ−絶縁物。
示し、（Ａ）は垂直断面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図
である。 第２図乃至第５図はそれぞれ上記と異なる実施例の断面
図である。 第６図は従来例のプラズマＣＶＤ装置を説明するための
部分破断斜視図である。 第７図はプラズマの分布密度を示す図表である。 １・・・空胴共振器、２・・・導波管、３・・・マグネ
トロン、４・・・スロット、５・・・マイクロ波窓、６
・・・基板。 ７・・・反応室、８・・・基板載置台、１１・・・マイ
クロ波窓の周辺部、１２ａ 〜１２ｃ ・＝高周波電源
、２０−ａ、 ２Ｏ−ｂ−絶縁物。
Claims (10)
- １．マイクロ波発生手段と、空胴共振器と、反応室とを
備え、前記空胴共振器と反応室との間のマイクロ波窓の
近傍にスロットが設けられており、上記スロットから反
応室内にマイクロ波を放射するとともに該反応室にガス
を供給してプラズマを発生させ、上記反応室内に設置し
た基板の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置にお
いて、 上記反応室内に、高周波電力を印加する電極が設けられ
ていることを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置。 - ２．前記の高周波電力を印加する電極が、マイクロ波窓
の周辺に設けられていることを特徴とする、請求項１に
記載のプラズマＣＶＤ装置。 - ３．前記の高周波電力を印加する電極が、基板載置台の
周辺に設けられていることを特徴とする、請求項１に記
載のプラズマＣＶＤ装置。 - ４．前記の基板を載置する基板載置台が反応室に対して
電気的に絶縁されていて、前記の高周波電力を印加する
電極を兼ねていることを特徴とする、請求項１に記載の
プラズマＣＶＤ装置。 - ５．前記の空胴共振器は同軸型であり、その軸内部のガ
ス導入口が該空胴共振器に対して電気的に絶縁されてい
て、前記の高周波電力を印加する電極を兼ねていること
を特徴とする、請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。 - ６．前記の高周波電力を印加する電極は、マイクロ波窓
に対して接近，離間する方向に移動せしめ得る構造であ
ることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマＣＶＤ
装置。 - ７．前記の基板載置台の周辺に設けられた電極はマイク
ロ波窓に対して接近，離間する方向に移動せしめ得る構
造であることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマ
ＣＶＤ装置。 - ８．前記の載置台は、マイクロ波窓に対して接近，離間
せしめ得る構造であることを特徴とする、請求項４に記
載のプラズマＣＶＤ装置。 - ９．マイクロ波発生手段と、空胴共振器と、反応室とを
備え、前記空胴共振器と反応室との間のマイクロ波窓の
近傍にスロットが設けられており、上記スロットから反
応室内にマイクロ波を放射するとともに該反応室にガス
を供給してプラズマを発生させ、上記反応室内に設置し
た基板の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置にお
いて、 上記反応室内に電極を設け、この電極に高周波電力を印
加するとともに前記反応室内にエッチングガスを導入し
、かつ前記スロットからマイクロ波を放射することを特
徴とする、プラズマＣＶＤ装置およびその反応室内クリ
ーニング方法。 - １０．前記の電極を、マイクロ波窓に対して接近，離間
する方向に移動せしめ得る構造とし、 ＣＶＤ成膜時よりもマイクロ波窓に接近させて高周波電
力を印加するとともにエッチングガスを供給することを
特徴とする、請求項７に記載のプラズマＣＶＤ装置およ
びその反応室内クリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278729A JP2945420B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278729A JP2945420B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9313558A Division JP3055888B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03140470A true JPH03140470A (ja) | 1991-06-14 |
| JP2945420B2 JP2945420B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=17601388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014120680A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Japan Steel Works Ltd:The | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 |
| JP2020004672A (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS58171563A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-08 | Toshiba Corp | チユ−ブ型プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS62287079A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS63103088A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Hitachi Ltd | エッチング方法及びその装置 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1278729A patent/JP2945420B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| CN113954268A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-01-21 | 益路恒丰衡水沥青科技有限公司 | 胶粉微波脱硫设备的介质片清洗系统 |
| CN113954268B (zh) * | 2021-10-28 | 2023-09-12 | 益路恒丰衡水沥青科技有限公司 | 胶粉微波脱硫设备的介质片清洗系统 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2945420B2 (ja) | 1999-09-06 |
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