JPH03140860A - 酸素センサ - Google Patents
酸素センサInfo
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- JPH03140860A JPH03140860A JP1279180A JP27918089A JPH03140860A JP H03140860 A JPH03140860 A JP H03140860A JP 1279180 A JP1279180 A JP 1279180A JP 27918089 A JP27918089 A JP 27918089A JP H03140860 A JPH03140860 A JP H03140860A
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Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、固体電解質とし゛Cフッ化ランタンを用いた
酸素センサに関する。
酸素センサに関する。
B6発明の概要
本発明は、低温でもセンサとして動作可能なフッ化ラン
タンを固体電解質として使用するものであり、多孔質基
板上に薄膜状の第1電極を形成し、小粒径のフッ化ラン
タン粉末をプラズマスプレー法により溶射することによ
り、第1電極上にフッ化ランタンの固体電解質層を形成
し、この固体電解質層上に薄膜状の第2電極を形成して
酸素センサを構成することとし、 良好な耐久性を有し、しかも安価に製造できるものとし
たものである。
タンを固体電解質として使用するものであり、多孔質基
板上に薄膜状の第1電極を形成し、小粒径のフッ化ラン
タン粉末をプラズマスプレー法により溶射することによ
り、第1電極上にフッ化ランタンの固体電解質層を形成
し、この固体電解質層上に薄膜状の第2電極を形成して
酸素センサを構成することとし、 良好な耐久性を有し、しかも安価に製造できるものとし
たものである。
C1従来の技術
一般に、燃焼ガス中の酸素を測定するものとして、固体
電解質として用いた酸素センサが実用化されている。
電解質として用いた酸素センサが実用化されている。
固体電解質としては、通常、安定化ジルコニアが使用さ
れる。しかし安定化ジルコニアを用いた酸素センサは、
高温でしか使用できない欠点がある。温度が低い場合、
起電力が発生せず、通常400°C以」二の温度で使用
しなければならない。
れる。しかし安定化ジルコニアを用いた酸素センサは、
高温でしか使用できない欠点がある。温度が低い場合、
起電力が発生せず、通常400°C以」二の温度で使用
しなければならない。
このため、現在、低温においても動作する酸素センサが
研究されており、たとえば固体電解質にフッ化うンタン
(LaF3)を用いたものが提案されている(特開昭6
1−132855号公報参照)。
研究されており、たとえば固体電解質にフッ化うンタン
(LaF3)を用いたものが提案されている(特開昭6
1−132855号公報参照)。
D3発明が解決しようとする課題
上記のLaF3を用いた酸素センサは、単結晶La F
3を使用しなければならないので、非常に高価なものと
なる。このため、商業的に不向きであり、実用化には至
っていない。
3を使用しなければならないので、非常に高価なものと
なる。このため、商業的に不向きであり、実用化には至
っていない。
ここでLaF3を薄膜化し、安価に製作することが考え
られる。薄膜製造技術には、抵抗加熱蒸着法やE、B、
蒸着法、スパッタリング法、CVD法ナトがあり、膜厚
が50μm以上であればスプレー法(溶射法)もある。
られる。薄膜製造技術には、抵抗加熱蒸着法やE、B、
蒸着法、スパッタリング法、CVD法ナトがあり、膜厚
が50μm以上であればスプレー法(溶射法)もある。
しかし、いずれの薄膜製造技術によっても、良好な酸素
センサを得るには問題がある。
センサを得るには問題がある。
抵抗加熱蒸着法やE、 B、蒸着法では、形成されたL
a F3膜がコラムナー構造(柱状構造)をしており、
酸素センサとして長時間使用すると、熱歪によってLa
F3膜にクラックが入ってしまい、起電力が発生しなく
なるという問題がある。
a F3膜がコラムナー構造(柱状構造)をしており、
酸素センサとして長時間使用すると、熱歪によってLa
F3膜にクラックが入ってしまい、起電力が発生しなく
なるという問題がある。
また、スパッタリング法では、成膜速度が非常に遅く、
生産性が悪い。またCVD法では、熱分解CVD法であ
っても、フィルム状の極めて滑らかな膜を得ることがで
きない。
生産性が悪い。またCVD法では、熱分解CVD法であ
っても、フィルム状の極めて滑らかな膜を得ることがで
きない。
さらに、スプレー法では、プラズマスプレー法であって
も、緻密(ガスタイト)な膜を形成することが困難であ
る。
も、緻密(ガスタイト)な膜を形成することが困難であ
る。
本発明は、このような事情に鑑み、安価な成膜技術によ
り製造可能であり、しかも良好な耐久性を有するLa
F、による酸素センサを提供することを目的とする。
り製造可能であり、しかも良好な耐久性を有するLa
F、による酸素センサを提供することを目的とする。
E、課題を解決するための手段
本発明は、上記の目的を達成するために、次の手段を備
えた酸素センサを提供するものである。
えた酸素センサを提供するものである。
■ 多孔質基板上に形成された薄膜状の第1電極。
■ 小粒径のLa Fa粉末をプラズマスプレー法によ
り溶射することにより、この第1電極上に形成された固
体電解質層。
り溶射することにより、この第1電極上に形成された固
体電解質層。
■ この固体電解質層上に形成された薄膜状の第2電極
。
。
F1作用
本発明によれば、固体電解質層は、小粒径のLaF3粉
末を使用してプラズマスプレー法により形成されている
ので、比較的緻密な構造となる。
末を使用してプラズマスプレー法により形成されている
ので、比較的緻密な構造となる。
しかも、スパッタリング法などの薄膜製造技術により両
面に薄膜状の第1電極および第2電極が形成されている
ので、固体電解質層の強度が向上する。
面に薄膜状の第1電極および第2電極が形成されている
ので、固体電解質層の強度が向上する。
また第1電極は、多孔質基板上に形成されているので、
基板と固体電解質層の密着性が向上する。
基板と固体電解質層の密着性が向上する。
それゆえ、長時間使用されても、クラックや剥離が発生
しずらい、耐久性の優れた酸素センサを実現できる。
しずらい、耐久性の優れた酸素センサを実現できる。
G、実施例
以下、図面を用いて、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る酸素センサを示す。
この図においては、説明の便宜のため、膜厚を誇張して
示している。
示している。
この酸素センサの製造工程を説明する。
1は多孔質基板(SUS316L、ボール社製、PO5
、空孔径0.5μm、空孔率約40%)である。この多
孔質基板1は、パイプ(SUS316L)2に溶接され
ている。
、空孔径0.5μm、空孔率約40%)である。この多
孔質基板1は、パイプ(SUS316L)2に溶接され
ている。
まず、この多孔質基板1上に、スパッタリング法により
、厚み約5,000人の白金(pt)膜を形成して第1
電極3とする。
、厚み約5,000人の白金(pt)膜を形成して第1
電極3とする。
この後、多孔質基板1上に、プラズマスプレー法により
、多孔質基板1上に厚み60μmの固体電解質層4を形
成する。固体電解質としてはLaF3を使用す名。
、多孔質基板1上に厚み60μmの固体電解質層4を形
成する。固体電解質としてはLaF3を使用す名。
ここで、このプラズマスプレー法では、プラズマスプレ
ー用の原料粉として平均粒径1μmのLaF3粉末を使
用する。LaF、粉末の平均粒径は、2μm以下が望ま
しい。また微粉末を供給可能な微粉末定量供給装置(フ
ァインフィーダ、水田鉄工製)およびプラズマ溶射装置
(水田鉄工製、5QKW級システム)を使用する。
ー用の原料粉として平均粒径1μmのLaF3粉末を使
用する。LaF、粉末の平均粒径は、2μm以下が望ま
しい。また微粉末を供給可能な微粉末定量供給装置(フ
ァインフィーダ、水田鉄工製)およびプラズマ溶射装置
(水田鉄工製、5QKW級システム)を使用する。
プラズマスプレー条件は、■雰囲気:大気中、■基板温
度:室温、■プラズマスプレーガンー基板距離:]55
0mm■スプレー速度=0.6Kg/h、■使用ガス:
A r−H2、■電流:600A1■電圧 70DC
Vとした。
度:室温、■プラズマスプレーガンー基板距離:]55
0mm■スプレー速度=0.6Kg/h、■使用ガス:
A r−H2、■電流:600A1■電圧 70DC
Vとした。
さらに、この固体電解質層4上に、スパッタリング法に
より、厚み約5,000人の白金膜を形成して第2電極
5とする。第1電極3および第2電極5の形成法は、ス
パッタリング法に限定されず、たとえば白金を含むペー
ストを塗布し、焼成する方法でもよい。
より、厚み約5,000人の白金膜を形成して第2電極
5とする。第1電極3および第2電極5の形成法は、ス
パッタリング法に限定されず、たとえば白金を含むペー
ストを塗布し、焼成する方法でもよい。
本実施例では、原料としてLaF3粉末を用いているの
で、単結晶LaF3を用いる酸素センサに比較して、大
幅なコストダウンが期待できる。
で、単結晶LaF3を用いる酸素センサに比較して、大
幅なコストダウンが期待できる。
次に、この酸素センサの特性を説明する。
酸素センサの第1電極3側を標準空気側とし、第2電極
5側に酸素濃度の低い排気ガスを送り込み、画電極3,
5間に発生する起電力を測定した。
5側に酸素濃度の低い排気ガスを送り込み、画電極3,
5間に発生する起電力を測定した。
この結果を第2図に示す。この測定は、温度300℃で
行った。
行った。
第2図において、(イ)は本実施例に係る酸素センサの
特性を示し、(ロ)は比較例の特性を示す。比較例は、
直径10mm、厚み0.4mmの単結晶La F3の両
面にスパッタリング法により5.000人白金電極を形
成したものである。
特性を示し、(ロ)は比較例の特性を示す。比較例は、
直径10mm、厚み0.4mmの単結晶La F3の両
面にスパッタリング法により5.000人白金電極を形
成したものである。
この測定の結果、プラズマスプレー法で成膜されたLa
F3が発生する起電力は、はぼ単結晶しaF3と同等で
あり、酸素濃度に対する応答速度は、単結晶よりも速い
ことが判った。
F3が発生する起電力は、はぼ単結晶しaF3と同等で
あり、酸素濃度に対する応答速度は、単結晶よりも速い
ことが判った。
応答速度が速くなった理由として、次の2点が考えられ
る。
る。
第1に、固体電解質層4の厚みが薄い点が挙げられる。
本実施例では、固体電解質層4をプラズマスプレー法に
より成膜しているので、単結晶LaF+を用いた比較例
よりも、大幅に薄くすることができる。
より成膜しているので、単結晶LaF+を用いた比較例
よりも、大幅に薄くすることができる。
第2に、画電極3,5が多孔質であることが挙げられる
。第1電極3を多孔質基板1」二に形成することにより
、第1電極3は多孔質となる。また固体電解質層4の表
面には適当な凹凸があるので、第2電極5も多孔質とな
る。画電極3.5が多孔質であるため、比較例と比べて
、画電極3.5の表面での触媒作用が著しく速やかに進
行するものと考えられる。
。第1電極3を多孔質基板1」二に形成することにより
、第1電極3は多孔質となる。また固体電解質層4の表
面には適当な凹凸があるので、第2電極5も多孔質とな
る。画電極3.5が多孔質であるため、比較例と比べて
、画電極3.5の表面での触媒作用が著しく速やかに進
行するものと考えられる。
また、酸素センサに熱歪を加える強度試験も行った。
比較例は、抵抗加熱蒸着およびE、 B、蒸着でLaF
3を成膜して固体電解質層を形成した酸素センサである
。この結果、比較例では、固体電解質層にクラックが発
生したり、基板から固体電解質層が剥離したりする条件
において、本実施例では、固体電解質層4のクラックや
基板からの剥離は発生しなかった。
3を成膜して固体電解質層を形成した酸素センサである
。この結果、比較例では、固体電解質層にクラックが発
生したり、基板から固体電解質層が剥離したりする条件
において、本実施例では、固体電解質層4のクラックや
基板からの剥離は発生しなかった。
この実験により、本実施例では、固体電解質層4の強度
が高く、しかも基板との密着性も良いことが確認された
。
が高く、しかも基板との密着性も良いことが確認された
。
この理由としては、小粒径のLaF3粉末を使用するこ
とにより、比較的緻密なLaF3膜を得ることができ、
しかもLaF、膜の両面に電極3゜5を形成することに
より、さらに強度が高まり、基板との密着性も向上した
ものと考えられる。
とにより、比較的緻密なLaF3膜を得ることができ、
しかもLaF、膜の両面に電極3゜5を形成することに
より、さらに強度が高まり、基板との密着性も向上した
ものと考えられる。
H6発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、LaF3粉末
[2
粉末を使用してプラズマスプレー法により固体電解質層
を形成する。したがって単結晶La F、を使用しなく
てよいので、製造コストの低廉化が期待できる。
を形成する。したがって単結晶La F、を使用しなく
てよいので、製造コストの低廉化が期待できる。
またLa F3粉末として小粒径のものを使用して緻密
なL a F 3膜を形成し、スパッタリング法などの
薄膜製造技術により両面に薄膜状の第1電極および第2
電極を形成することにより、固体電解質層の強度や、基
板と固体電解質層の密着性を確保している。
なL a F 3膜を形成し、スパッタリング法などの
薄膜製造技術により両面に薄膜状の第1電極および第2
電極を形成することにより、固体電解質層の強度や、基
板と固体電解質層の密着性を確保している。
さらに固体電解質層の厚みを小さくでき、しかも電極が
多孔質となるので、酸素濃度に対する応答速度が向上す
る利点がある。
多孔質となるので、酸素濃度に対する応答速度が向上す
る利点がある。
第1図は本発明の一実施例に係る酸素センサの構造を示
す断面図、第2図は第1図の酸素センサの出力特性を示
す説明図である。 1・・・多孔質基板、3・・・第1電極、4・・・固体
電解質層、5・・・第2電極。
す断面図、第2図は第1図の酸素センサの出力特性を示
す説明図である。 1・・・多孔質基板、3・・・第1電極、4・・・固体
電解質層、5・・・第2電極。
Claims (1)
- (1)多孔質基板上に形成された薄膜状の第1電極と、 小粒径のフッ化ランタン粉末をプラズマスプレー法によ
り溶射することにより、この第1電極上に形成された固
体電解質層と、 この固体電解質層上に形成された薄膜状の第2電極と を備えた酸素センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279180A JPH03140860A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 酸素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279180A JPH03140860A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 酸素センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03140860A true JPH03140860A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=17607561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279180A Pending JPH03140860A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 酸素センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03140860A (ja) |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1279180A patent/JPH03140860A/ja active Pending
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