JPH03141544A - レーザ変位計を備えた走査型電子顕微鏡 - Google Patents
レーザ変位計を備えた走査型電子顕微鏡Info
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- JPH03141544A JPH03141544A JP1279220A JP27922089A JPH03141544A JP H03141544 A JPH03141544 A JP H03141544A JP 1279220 A JP1279220 A JP 1279220A JP 27922089 A JP27922089 A JP 27922089A JP H03141544 A JPH03141544 A JP H03141544A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 201000010276 collecting duct carcinoma Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子顕微鏡に関するものである。
[従来技術]
従来の電子顕微鏡では、χy力方向は数十人の分解能で
直接測定していたが、Z方向には直接n1定する方法が
ないため、試料台傾斜法或いは複数検出器法で間接的に
データを得ていた。
直接測定していたが、Z方向には直接n1定する方法が
ないため、試料台傾斜法或いは複数検出器法で間接的に
データを得ていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、試料台傾斜法では、一つの画像を取り込
んだ後に試料台を傾斜して、次の画像を取り込みステレ
オ法或いは視差の原理で立体像を算出するのであるが、
2つの画像間における対応点マツチングという膨大な計
算を行なわなければならず、精度も上がらなかった。又
、複数検出法では、検出器の信号強度の組より試料表面
の角度という近似式で各点を求めていた。
んだ後に試料台を傾斜して、次の画像を取り込みステレ
オ法或いは視差の原理で立体像を算出するのであるが、
2つの画像間における対応点マツチングという膨大な計
算を行なわなければならず、精度も上がらなかった。又
、複数検出法では、検出器の信号強度の組より試料表面
の角度という近似式で各点を求めていた。
ここでZjはj番目の高さ、Anはn番目の傾きである
。しかしながら上記方式では、積分していくに従い、即
ちjの数が大きくなればなる程誤差が累積し形が歪むと
いう欠点があった。
。しかしながら上記方式では、積分していくに従い、即
ちjの数が大きくなればなる程誤差が累積し形が歪むと
いう欠点があった。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、既存の走査型電子顕微鏡にレーザー変位計を
備え、3次元とも数十人の分解能で数μ角の物体の3次
元形状を直接測定できる装置を提供するものである。
のであり、既存の走査型電子顕微鏡にレーザー変位計を
備え、3次元とも数十人の分解能で数μ角の物体の3次
元形状を直接測定できる装置を提供するものである。
[課題を解決するための手段]
この目的を達成するために本発明では、走査型電子顕微
鏡に、Z方向に数人の分解能を持つレ−ザヘテロダイン
干渉計と該顕微鏡内に、該干渉計まで試料を移動させる
ための移動機構と、精密位置決めする為の微動機構及び
移動ff1il)J走用のレーザ干渉計を備えている。
鏡に、Z方向に数人の分解能を持つレ−ザヘテロダイン
干渉計と該顕微鏡内に、該干渉計まで試料を移動させる
ための移動機構と、精密位置決めする為の微動機構及び
移動ff1il)J走用のレーザ干渉計を備えている。
[作用]
上記構成を有する本発明において、移動機構は、試料を
電子線照射位置からレーザー照射位置まで移動させ、微
動機構及び移動量計測用レーザー干渉計を用いて、あら
かじめ設定された距離を極めて正確に(例えば精度1n
mで)移動させ、電子線照射された試料上位置とほぼ同
じ位置にレーザー光が照射されるようにする。
電子線照射位置からレーザー照射位置まで移動させ、微
動機構及び移動量計測用レーザー干渉計を用いて、あら
かじめ設定された距離を極めて正確に(例えば精度1n
mで)移動させ、電子線照射された試料上位置とほぼ同
じ位置にレーザー光が照射されるようにする。
父上記微動機構は、試料をX、Y方向に微動させ、その
試料の凹凸に従い照射されたレーザー光の反射光に位相
変化を与える。
試料の凹凸に従い照射されたレーザー光の反射光に位相
変化を与える。
又試料の凹凸による位相変化を受けたレーザー光は、光
ヘテロダイン干渉光学系で、ヘテロダイン検波され、更
に基準ビート信号と比較する事により上記位相変化を検
出し、人の凹凸を検出測定するのである。
ヘテロダイン干渉光学系で、ヘテロダイン検波され、更
に基準ビート信号と比較する事により上記位相変化を検
出し、人の凹凸を検出測定するのである。
[実施例]
以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
第1図における図番号10〜85は従来型の走査型電子
顕微鏡と同じ構成を示すものである。電子線照射位置と
レーザー光照射位置は、後述するレーザ干渉計であらか
じめ精密に測定しておく。
顕微鏡と同じ構成を示すものである。電子線照射位置と
レーザー光照射位置は、後述するレーザ干渉計であらか
じめ精密に測定しておく。
走査型電子顕微鏡(以下SEMと略す)で、測定個所を
観察及び設定し、決められた距離だけレーザー照射位置
方向に移動し、更に微動機構により精密に位置決めする
。位置決め終了後、微動機構(85)により試料χy力
方向スキャンし、レーザー反射光に試料の凹凸を光の位
相差として与える。位相差情報をもった反射光は、無偏
光ビームスプリッタ(以下NPBSと記す)で合波、所
謂光ヘテロダイン検波され、センサー(390)に検知
されるのである。
観察及び設定し、決められた距離だけレーザー照射位置
方向に移動し、更に微動機構により精密に位置決めする
。位置決め終了後、微動機構(85)により試料χy力
方向スキャンし、レーザー反射光に試料の凹凸を光の位
相差として与える。位相差情報をもった反射光は、無偏
光ビームスプリッタ(以下NPBSと記す)で合波、所
謂光ヘテロダイン検波され、センサー(390)に検知
されるのである。
以下光の経路を追って詳細に説明する。
レーザー光源(200)を出たレーザーは戻り光防止用
アイソレータ(210)を通りビームスプリッタ−(以
下BSと略す)で第1ヘテロダイン干渉用ビーム(反射
光)と第2ヘテロダイン干渉用ビーム(透過光)に分け
られる。この時偏波面は、S波(つまり紙面に垂直)に
なっているものとする。第2ヘテロダイン用ビームは更
にNPBS (290)によって被変調用ビームと凹凸
測定用ビームとに分けられる。被変調用ビームは音響光
学変調器等からなる光周波数シフターにより例えば10
0KHz程シフトされ、一部はBS(310)、NPB
S (230)を経てセンサー(240)に入り又一部
はBS (320)、NPBS (380)を経て、セ
ンサー(390)に入る。BS (320)を通過した
変調ビームは、偏光ビームスプリッタ(以下PBS)に
より反射されλ/4板(340)、反射ミラー(350
)そして再びλ/4板(340)を通過し、PBS(3
30)に入る。この時点では、λ/4板(340)を2
回通過しているのでP波となっており、従ってPBS
(330)を今度は通過した後、NPBS (360)
を経て、センサー(370)に入る。以上光周波数シフ
ター(300)を経て、センサーに入った光の周波数は
、元の光周波数をfoとすると金てfo+100KHz
になっているのである。
アイソレータ(210)を通りビームスプリッタ−(以
下BSと略す)で第1ヘテロダイン干渉用ビーム(反射
光)と第2ヘテロダイン干渉用ビーム(透過光)に分け
られる。この時偏波面は、S波(つまり紙面に垂直)に
なっているものとする。第2ヘテロダイン用ビームは更
にNPBS (290)によって被変調用ビームと凹凸
測定用ビームとに分けられる。被変調用ビームは音響光
学変調器等からなる光周波数シフターにより例えば10
0KHz程シフトされ、一部はBS(310)、NPB
S (230)を経てセンサー(240)に入り又一部
はBS (320)、NPBS (380)を経て、セ
ンサー(390)に入る。BS (320)を通過した
変調ビームは、偏光ビームスプリッタ(以下PBS)に
より反射されλ/4板(340)、反射ミラー(350
)そして再びλ/4板(340)を通過し、PBS(3
30)に入る。この時点では、λ/4板(340)を2
回通過しているのでP波となっており、従ってPBS
(330)を今度は通過した後、NPBS (360)
を経て、センサー(370)に入る。以上光周波数シフ
ター(300)を経て、センサーに入った光の周波数は
、元の光周波数をfoとすると金てfo+100KHz
になっているのである。
又、凹凸測定用のビームはBS (400)によって一
部反射されてNPBS (380)で先の変調光と合波
された後、センサー(390)に入る。
部反射されてNPBS (380)で先の変調光と合波
された後、センサー(390)に入る。
この時、BS (400)を経てセンサー(390)に
入った光の周波数はfoであるので、センサー(390
)上では、先の変調光とヘテロダイン干渉する事になり
、常に100KHzのビート信号が検出されるのである
(以下基準信号fBと記す入さて、BS(400)を通
過した凹凸測定用ビームは、P/S波であるので、PB
S(410)で反射され、その後、λ/4板(420)
ウィンド(430)及び対物レンズ(400)を経て、
試料上凹凸部に届く。試料は常にスキャンされて移動し
ている事から、レーザー光は試料上の凹凸によりドツプ
ラーシフトΔfz(=1/λ・2v−1/λ−2L>
−(1)を受けfo+△fzのt 光周波数となって、PBS (410)に入る。この時
、λ/4板(420)を2回通過した事からP波となっ
ており、PBS (410)を通過する。
入った光の周波数はfoであるので、センサー(390
)上では、先の変調光とヘテロダイン干渉する事になり
、常に100KHzのビート信号が検出されるのである
(以下基準信号fBと記す入さて、BS(400)を通
過した凹凸測定用ビームは、P/S波であるので、PB
S(410)で反射され、その後、λ/4板(420)
ウィンド(430)及び対物レンズ(400)を経て、
試料上凹凸部に届く。試料は常にスキャンされて移動し
ている事から、レーザー光は試料上の凹凸によりドツプ
ラーシフトΔfz(=1/λ・2v−1/λ−2L>
−(1)を受けfo+△fzのt 光周波数となって、PBS (410)に入る。この時
、λ/4板(420)を2回通過した事からP波となっ
ており、PBS (410)を通過する。
通過したビームは、NPBS (360)で先の変調光
(f o+100KHz)と合波されてセンサー(37
0)に入る。センサー(370)では、(fo+Δf、
o)と(fo+100KHz)のヘテロダイン干渉(或
いは検波)が起こり、その結果100KHz+Δfzの
11定信号(以下fDで略す)が得られるのである。そ
して△fはfBとfDを比較する事で求まるのである。
(f o+100KHz)と合波されてセンサー(37
0)に入る。センサー(370)では、(fo+Δf、
o)と(fo+100KHz)のヘテロダイン干渉(或
いは検波)が起こり、その結果100KHz+Δfzの
11定信号(以下fDで略す)が得られるのである。そ
して△fはfBとfDを比較する事で求まるのである。
又凹凸ff1Zは上式(1)よりZ−λ/2/、”Δf
dtと△f−f、−fBよりZ−λ/2.J’、”(f
o−fB) d を−λ/2[CD Cs]となり第
2図に示す信号処理ブロック図で求まるのである。一方
BS(220)で反射された第1ヘテロダイン干渉用ビ
ームは、光ファイバー(250)、ウィンド(260)
を経てキャップ・アイ(280)に反射され逆の経路を
経て、NPBS (230)で先の変調光と合波されセ
ンサー(240)に入る。移動機構及び微動機構が動く
と、前回と同様にドツプラーシフト△fχが起こる為、
センサー(240)ではfL−100KHz+△fχの
ビート信号が検出される。Δfχと移動量Xと関係は、
ドツプラーの公式Δfχ−2/λ・Vχ−2/λ・kよ
LLも り求まりX−λ/2f;Δfxdt−λ/2fI(fL
−fB)dt霧λ/2[CL Cs] となる。
dtと△f−f、−fBよりZ−λ/2.J’、”(f
o−fB) d を−λ/2[CD Cs]となり第
2図に示す信号処理ブロック図で求まるのである。一方
BS(220)で反射された第1ヘテロダイン干渉用ビ
ームは、光ファイバー(250)、ウィンド(260)
を経てキャップ・アイ(280)に反射され逆の経路を
経て、NPBS (230)で先の変調光と合波されセ
ンサー(240)に入る。移動機構及び微動機構が動く
と、前回と同様にドツプラーシフト△fχが起こる為、
センサー(240)ではfL−100KHz+△fχの
ビート信号が検出される。Δfχと移動量Xと関係は、
ドツプラーの公式Δfχ−2/λ・Vχ−2/λ・kよ
LLも り求まりX−λ/2f;Δfxdt−λ/2fI(fL
−fB)dt霧λ/2[CL Cs] となる。
信号処理回路は、第2図に示したものと全く同一のもの
を使用し、fDをfLに変更するだけでよい。
を使用し、fDをfLに変更するだけでよい。
次に信号処理ブロック図を第2図を用いて簡単に説明す
る。測定信号fo (又はfL)と基準信号fBをコ
ンパレータ(105)に入力し矩形波に変換し、カウン
タ(110)に入力する。このカウンタ値は図示しない
タイミングによってラッチ器(115)によってラッチ
され、引き算器(135)に渡される。引き算器の結果
も図示しないタイミングによってラッチ器(145)に
ラッチされ、バス(150)に出される。つまりこのラ
ッチ器(145)は、前出のZ−λ/2[Co−CB1
のうち(CD CB)の整数値Nをバスに出すのであ
る。ところが実際は、移動量及び凹凸量はλ/2毎の整
数値の他にλ/2以下の少数部もあるので、それを求め
るためにfDとfBと高周波クォーツクロックのAND
をとりカウンタ(130)で計数し、ラッチ(145)
と同じタイミングでラッチしバス(150)にM値とし
て出力する。詳細を第3図に示す。この時、計数値の最
大値は、fQ /fBであり例えば、fQ−100MH
z、fB =100KHzとすると最大値は1000と
なるo Cpu (155)は、ラッチ器(140)の
M値を読みM/1000を計算し少数部とするのである
。つまり、整数部少数部をまとめるZ−λ/2 (N+
M/1000)となり分解能λ/2000 (#3人)
で変位が測定できるのである。X方向の移動量も全く同
じ原理でa)J定できるのである。
る。測定信号fo (又はfL)と基準信号fBをコ
ンパレータ(105)に入力し矩形波に変換し、カウン
タ(110)に入力する。このカウンタ値は図示しない
タイミングによってラッチ器(115)によってラッチ
され、引き算器(135)に渡される。引き算器の結果
も図示しないタイミングによってラッチ器(145)に
ラッチされ、バス(150)に出される。つまりこのラ
ッチ器(145)は、前出のZ−λ/2[Co−CB1
のうち(CD CB)の整数値Nをバスに出すのであ
る。ところが実際は、移動量及び凹凸量はλ/2毎の整
数値の他にλ/2以下の少数部もあるので、それを求め
るためにfDとfBと高周波クォーツクロックのAND
をとりカウンタ(130)で計数し、ラッチ(145)
と同じタイミングでラッチしバス(150)にM値とし
て出力する。詳細を第3図に示す。この時、計数値の最
大値は、fQ /fBであり例えば、fQ−100MH
z、fB =100KHzとすると最大値は1000と
なるo Cpu (155)は、ラッチ器(140)の
M値を読みM/1000を計算し少数部とするのである
。つまり、整数部少数部をまとめるZ−λ/2 (N+
M/1000)となり分解能λ/2000 (#3人)
で変位が測定できるのである。X方向の移動量も全く同
じ原理でa)J定できるのである。
このように微動機構によりχyスキャンしなから2を測
定する事により試料表面上のポイント(Z、y、z)が
求まり、ROM (160)に書かれたプログラムに従
って、グラフィックデイスプレィ(170)に3次元表
示され、先のSEMによる画像と比較され、SEMの画
像をZ方向に極めて精度のよい値を与えるのである。尚
、(165)は計算に使用するRAMである。又光ヘテ
ロダイン光学系については、第4図に示した二周波直交
ゼーマンレーザー等を使い構成してもよいのである。そ
の他−々例示はしないが、当業者の知識に基づき様々な
態様で変形して構成できるものとする。
定する事により試料表面上のポイント(Z、y、z)が
求まり、ROM (160)に書かれたプログラムに従
って、グラフィックデイスプレィ(170)に3次元表
示され、先のSEMによる画像と比較され、SEMの画
像をZ方向に極めて精度のよい値を与えるのである。尚
、(165)は計算に使用するRAMである。又光ヘテ
ロダイン光学系については、第4図に示した二周波直交
ゼーマンレーザー等を使い構成してもよいのである。そ
の他−々例示はしないが、当業者の知識に基づき様々な
態様で変形して構成できるものとする。
[発明の効果]
以上詳述したことから明らかなように、本発明によれば
、本装置は、高分解能レーザー変位計を備えているので
、SEMでは正確に測定できない高さ方向も数人の分解
能で測定できるというメリットがある。
、本装置は、高分解能レーザー変位計を備えているので
、SEMでは正確に測定できない高さ方向も数人の分解
能で測定できるというメリットがある。
第1図から第4図までは本発明を具体化した実図は、小
数部カウントの説明図、第4図は、他の実施例を示す図
である。 図中、10はFE電子銃、20は偏向コイル、70は試
材、85は微動機構、90は移動ステージ、200はレ
ーザー光源、370.390はフォトセンサーである。
数部カウントの説明図、第4図は、他の実施例を示す図
である。 図中、10はFE電子銃、20は偏向コイル、70は試
材、85は微動機構、90は移動ステージ、200はレ
ーザー光源、370.390はフォトセンサーである。
Claims (1)
- 1、走査型電子顕微鏡であって、Z方向に数Åの分解能
を持つレーザヘテロダイン干渉計と、該干渉計まで移動
させる移動機構と、精密位置決めする為の微動機構及び
移動量測定用同レーザーヘテロダイン干渉計とを備えた
事を特徴とする走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279220A JPH03141544A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | レーザ変位計を備えた走査型電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279220A JPH03141544A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | レーザ変位計を備えた走査型電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141544A true JPH03141544A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17608102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279220A Pending JPH03141544A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | レーザ変位計を備えた走査型電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7483560B2 (en) | 2003-01-17 | 2009-01-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method for measuring three dimensional shape of a fine pattern |
| US7888643B2 (en) | 2006-02-03 | 2011-02-15 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Focusing and positioning device for a particle-optical raster microscope |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1279220A patent/JPH03141544A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7483560B2 (en) | 2003-01-17 | 2009-01-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method for measuring three dimensional shape of a fine pattern |
| US7888643B2 (en) | 2006-02-03 | 2011-02-15 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Focusing and positioning device for a particle-optical raster microscope |
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