JPH03141586A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH03141586A JPH03141586A JP1280071A JP28007189A JPH03141586A JP H03141586 A JPH03141586 A JP H03141586A JP 1280071 A JP1280071 A JP 1280071A JP 28007189 A JP28007189 A JP 28007189A JP H03141586 A JPH03141586 A JP H03141586A
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- layer
- carrier supply
- emitting layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、エレクトロルミネッセンス素子に関するも
のである。
のである。
従来から用いられているエレクトロルミネッセンス素子
（以下ｒＥＬ素子」という、）の基本的な構成は第２図
に示されている。ガラス基板１の表面にＩＴＯ（酸化イ
ンジウム錫）膜などの透明導電膜２が形成され、この透
明導電膜２上に第１絶縁層３が形成されている。そして
、この第１絶縁Ｎ３上に硫化亜鉛（ＺｎＳ ： Ｍｎ）
などで構成した発光層４と、第２絶縁層５とが順に積層
され、第１、第２絶縁層３．５により発光層４が挟まれ
た状態となっている。第２絶縁層３上にはアルミニウム
などで構成した背面電極６が形成され、この背面電極６
と透明導電ＩＡ２との間に高周波型ａ７が接続されてい
る。前記第１絶縁層３はたとえば酸化ケイ素（Ｓｉ Ｏ
ｇ）膜と窒化ケイ素（ＳｉｉＮ、）膜とを積層した積層
構造の膜などで構成されており、第２絶縁層５はたとえ
ば窒化ケイ素膜と酸化アルミニウム（Ａｌｔｏｓ）膜と
の積層構造膜などで構成されている。
（以下ｒＥＬ素子」という、）の基本的な構成は第２図
に示されている。ガラス基板１の表面にＩＴＯ（酸化イ
ンジウム錫）膜などの透明導電膜２が形成され、この透
明導電膜２上に第１絶縁層３が形成されている。そして
、この第１絶縁Ｎ３上に硫化亜鉛（ＺｎＳ ： Ｍｎ）
などで構成した発光層４と、第２絶縁層５とが順に積層
され、第１、第２絶縁層３．５により発光層４が挟まれ
た状態となっている。第２絶縁層３上にはアルミニウム
などで構成した背面電極６が形成され、この背面電極６
と透明導電ＩＡ２との間に高周波型ａ７が接続されてい
る。前記第１絶縁層３はたとえば酸化ケイ素（Ｓｉ Ｏ
ｇ）膜と窒化ケイ素（ＳｉｉＮ、）膜とを積層した積層
構造の膜などで構成されており、第２絶縁層５はたとえ
ば窒化ケイ素膜と酸化アルミニウム（Ａｌｔｏｓ）膜と
の積層構造膜などで構成されている。
高周波電源７からの高周波電圧を透明導電膜２と背面電
極６との間に印加すると、発光層４と絶縁層３．５との
界面などにトラップされていたキャリアなどが発光Ｊｉ
ｉ１４の発光中心に衝突して、この発光中心を励起する
。そして、この励起された発光中心が基底状態に遷移す
る際に光が放射される。この光がガラス基板１を透過し
て観察され、このようにして表示が行われる。
極６との間に印加すると、発光層４と絶縁層３．５との
界面などにトラップされていたキャリアなどが発光Ｊｉ
ｉ１４の発光中心に衝突して、この発光中心を励起する
。そして、この励起された発光中心が基底状態に遷移す
る際に光が放射される。この光がガラス基板１を透過し
て観察され、このようにして表示が行われる。
上述のようなＥＬ素子では、発光に寄与するキャリアは
、発光層４と絶！ｉ！１３．５との間にトラップされた
キャリアなどであり、極めて微量のキャリアによって発
光中心の励起が行われているに過ぎず、したがって発光
効率が悪く、また輝度が低いという問題があった。
、発光層４と絶！ｉ！１３．５との間にトラップされた
キャリアなどであり、極めて微量のキャリアによって発
光中心の励起が行われているに過ぎず、したがって発光
効率が悪く、また輝度が低いという問題があった。
この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、発光効
率が高く、また高輝度の発光が可能なエレクトロルミネ
ッセンス素子を提供することである。
率が高く、また高輝度の発光が可能なエレクトロルミネ
ッセンス素子を提供することである。
請求項（１）のエレクトロルミネッセンス素子は、第１
絶縁層と発光層との間および第２絶縁層と発光層との間
の少なくともいずれか一方にキャリア供給層を介在させ
たことを特徴とする請求項（２）のエレクトロルミネッ
センス素子は、前記キャリア供給層が、導体または半導
体であることを特徴とする。
絶縁層と発光層との間および第２絶縁層と発光層との間
の少なくともいずれか一方にキャリア供給層を介在させ
たことを特徴とする請求項（２）のエレクトロルミネッ
センス素子は、前記キャリア供給層が、導体または半導
体であることを特徴とする。
この発明の構成によれば、キャリア供給層に蓄積された
キャリアが発光層に供給されて、このキャリアが発光中
心を衝突・励起するので、発光に寄与するキャリアの数
が増大し、この結果発光効率が向上され、また発光輝度
が向上する。
キャリアが発光層に供給されて、このキャリアが発光中
心を衝突・励起するので、発光に寄与するキャリアの数
が増大し、この結果発光効率が向上され、また発光輝度
が向上する。
前記キャリア供給層としては、キャリアを蓄積し、また
蓄積したキャリアを供給することができる導体または半
導体などを適用することができる。
蓄積したキャリアを供給することができる導体または半
導体などを適用することができる。
第１図はこの発明の一実施例のエレクトロルミネッセン
ス素子（以下ｒＥＬ素子」という、）の基本的な構成を
示す断面図である。この第１図において、前述の第２図
に示された各部に対応する部分には同一の参照符号を付
して示す。
ス素子（以下ｒＥＬ素子」という、）の基本的な構成を
示す断面図である。この第１図において、前述の第２図
に示された各部に対応する部分には同一の参照符号を付
して示す。
この実施例のＥＬ素子では、第１絶縁層３と発光層４と
の間、および発光Ｎ４と第２絶縁Ｎ５との間にそれぞれ
キャリア供給層１０．１１が設けられている。キャリア
供給１１０．１１は、たとえばアルミニウムなどの金属
、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）などの透明導電膜、硫黄
をドープした窒化ホウ素などの半導体などによって構成
されており、このキャリア供給ＪＷＩＯ，１１における
キャリアは、電圧が印加されない状態では、発光層４と
第１．第２絶縁層３．５との間に形成される井戸型ポテ
ンシャルにより捕獲されて、各キャリア供給層１０．１
１内に蓄積されている。
の間、および発光Ｎ４と第２絶縁Ｎ５との間にそれぞれ
キャリア供給層１０．１１が設けられている。キャリア
供給１１０．１１は、たとえばアルミニウムなどの金属
、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）などの透明導電膜、硫黄
をドープした窒化ホウ素などの半導体などによって構成
されており、このキャリア供給ＪＷＩＯ，１１における
キャリアは、電圧が印加されない状態では、発光層４と
第１．第２絶縁層３．５との間に形成される井戸型ポテ
ンシャルにより捕獲されて、各キャリア供給層１０．１
１内に蓄積されている。
高周波ｔａ！Ｘ７からの高周波電圧が印加されると、キ
ャリア供給層１０．１１中のキャリアが発光層４に供給
され、この供給されたキャリアは発光層４内の発光中心
を衝突・励起する。発光中心を励起するキャリアは従来
の構成に比較して格段に多く、したがってキャリアと発
光中心との衝突回数が増大し、これにより発光効率が向
上され、さらに発光輝度が格段に向上される。
ャリア供給層１０．１１中のキャリアが発光層４に供給
され、この供給されたキャリアは発光層４内の発光中心
を衝突・励起する。発光中心を励起するキャリアは従来
の構成に比較して格段に多く、したがってキャリアと発
光中心との衝突回数が増大し、これにより発光効率が向
上され、さらに発光輝度が格段に向上される。
キャリア供給ＪＷＩ０．１１の形成は、たとえばアルミ
ニウム金属を薄着などするようにして行われ、このよう
にして形成されキャリア供給層１０゜１１には成る程度
のキャリアが閉じ込められることになるが、キャリア供
給［１０，１１の形成の際に電子線を照射するなどして
キャリアの注入を行えば、さらに多くのキャリアを閉じ
込めることができ、そのようにして得られたＥＬ素子で
は、さらに高効率および高輝度での発光が可能である。
ニウム金属を薄着などするようにして行われ、このよう
にして形成されキャリア供給層１０゜１１には成る程度
のキャリアが閉じ込められることになるが、キャリア供
給［１０，１１の形成の際に電子線を照射するなどして
キャリアの注入を行えば、さらに多くのキャリアを閉じ
込めることができ、そのようにして得られたＥＬ素子で
は、さらに高効率および高輝度での発光が可能である。
また、背面電極６側のキャリア供給層１１は、Ａｆｆｉ
リッチ黒色ＡＩＮなどの反射率の低い材料で構成される
ことが好ましく、このような材料を適用すれば、ガラス
基板１側からの入射光の反射が防がれるので、ドツトマ
トリクス表示を行う表示装置などにおいて、非発光部か
ら反射光が洩れることを防いで発光部を際立たせること
ができ、したがってコントラストの高い表示が可能にな
る。
リッチ黒色ＡＩＮなどの反射率の低い材料で構成される
ことが好ましく、このような材料を適用すれば、ガラス
基板１側からの入射光の反射が防がれるので、ドツトマ
トリクス表示を行う表示装置などにおいて、非発光部か
ら反射光が洩れることを防いで発光部を際立たせること
ができ、したがってコントラストの高い表示が可能にな
る。
さらにこの場合には、発光部からの光が非発光部で反射
されることも防がれるので、コントラストの向上に一層
有利である。
されることも防がれるので、コントラストの向上に一層
有利である。
前述の実施例では、第１絶縁層３と発光層４との間にキ
ャリア供給７５１０を介在させ、発光層４と第２絶縁層
５との間にキャリア供給層１１を介在させるようにした
が、キャリア供給層１０．１１の少なくとも何れか一方
が設けられれば、前述のような作用を達成して発光効率
および発光輝度の向上に寄与することができる。
ャリア供給７５１０を介在させ、発光層４と第２絶縁層
５との間にキャリア供給層１１を介在させるようにした
が、キャリア供給層１０．１１の少なくとも何れか一方
が設けられれば、前述のような作用を達成して発光効率
および発光輝度の向上に寄与することができる。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明のエレクトロルミネッセンス素子
によれば、発光に寄与するキャリアの数が増大し、発光
中心とキャリアとの衝突回数が増大するので、発光効率
が向上されるとともに、高耀度での発光を行わせること
ができるようになる。
によれば、発光に寄与するキャリアの数が増大し、発光
中心とキャリアとの衝突回数が増大するので、発光効率
が向上されるとともに、高耀度での発光を行わせること
ができるようになる。
第１図はこの発明の一実施例のエレクトロルミネッセン
ス素子の基本的な構成を示す断面図、第２図は従来技術
を示す断面図である。 ３・・・第１絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶
縁層、１０．１１・・・キャリア供給層
ス素子の基本的な構成を示す断面図、第２図は従来技術
を示す断面図である。 ３・・・第１絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶
縁層、１０．１１・・・キャリア供給層
Claims (2)
- （１） 第１絶縁層と第２絶緑層との間に発光層を挟持
させたエレクトロルミネツセンス素子において、前記第
１絶緑層と前記発光層との間および前記第２絶緑層と前
記発光層との間の少なくともいずれか一方にキヤリア供
給層を介在させたことを特徴とするエレクトロルミネツ
センス素子。 - （２） 前記キヤリア供給層は、導体または半導体であ
ることを特徴とする請求項（１）記載のエレクトロルミ
ネツセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280071A JPH03141586A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280071A JPH03141586A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141586A true JPH03141586A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17619896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1280071A Pending JPH03141586A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141586A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081958A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Tdk Corporation | Film mince multicouche fluorescent electroluminescent et dispositif electroluminescent |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1280071A patent/JPH03141586A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081958A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Tdk Corporation | Film mince multicouche fluorescent electroluminescent et dispositif electroluminescent |
| US6876146B2 (en) | 2002-03-26 | 2005-04-05 | Tdk Corporation | Electroluminescence phosphor multilayer thin film and electroluminescence element |
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