JPH03141633A - 半導体ウェハー外周部のフォトレジスト除去方法 - Google Patents
半導体ウェハー外周部のフォトレジスト除去方法Info
- Publication number
- JPH03141633A JPH03141633A JP1280495A JP28049589A JPH03141633A JP H03141633 A JPH03141633 A JP H03141633A JP 1280495 A JP1280495 A JP 1280495A JP 28049589 A JP28049589 A JP 28049589A JP H03141633 A JPH03141633 A JP H03141633A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- photoresist film
- outer periphery
- positive
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造におけるフォトリングラフィ
工程に関し、特に不定形半導体ウェハーのポジ形フォト
レジスト膜の処理方法に関する。
工程に関し、特に不定形半導体ウェハーのポジ形フォト
レジスト膜の処理方法に関する。
従来半導体ウェハー上へのフォトレジスト膜の形成は、
スピンオン塗布方式が用いられており、この際半導体外
周部のフォトレジスト膜の除去は、第３図に示す通りス
ピンナーチャック５に固定された半導体ウェハーｌを２
００ｒｐｍ程度で回転させながら半導体ウェハー１の裏
面側に外周より３〜１０ｍｍ内側に設けられたノスル６
よりＭＥＫ等の溶剤を半導体ウェハー１に吹き付けるこ
により行っていた。
スピンオン塗布方式が用いられており、この際半導体外
周部のフォトレジスト膜の除去は、第３図に示す通りス
ピンナーチャック５に固定された半導体ウェハーｌを２
００ｒｐｍ程度で回転させながら半導体ウェハー１の裏
面側に外周より３〜１０ｍｍ内側に設けられたノスル６
よりＭＥＫ等の溶剤を半導体ウェハー１に吹き付けるこ
により行っていた。
上述した従来の半導体ウェハー外周部のフォトレジスト
膜除去方法は半導体ウェハー外周部とノズルとの間の距
離が変動したり、半導体ウェハーに角があったりすると
除去されるフォトレジス）・膜の面積が大きく変動する
欠点があった。
膜除去方法は半導体ウェハー外周部とノズルとの間の距
離が変動したり、半導体ウェハーに角があったりすると
除去されるフォトレジス）・膜の面積が大きく変動する
欠点があった。
このため、光半導体素子用化合物半導体ウェハー等の矩
形半導体ウェハーや不定形半導体ウェハーに、従来の半
導体ウェハー外周部のフォトレジスト膜除去方法を適用
しても完全なフォトレジスト除去は行われず、半導体ウ
ェハー外周部に付着したフォトレジスト膜が治工具量と
の接触によりゴミとなったり、高粘度のフォトレジスト
を用いた場合に起こる半導体ウェハー外周部のレジスト
盛り上りにより安定した工程が得られなかった。
形半導体ウェハーや不定形半導体ウェハーに、従来の半
導体ウェハー外周部のフォトレジスト膜除去方法を適用
しても完全なフォトレジスト除去は行われず、半導体ウ
ェハー外周部に付着したフォトレジスト膜が治工具量と
の接触によりゴミとなったり、高粘度のフォトレジスト
を用いた場合に起こる半導体ウェハー外周部のレジスト
盛り上りにより安定した工程が得られなかった。
本発明によれば、半導体ウェハーの裏面側より紫外光を
照射し回折または多重反射により半導体ウェハー表面外
周部のポジ形フォトレジスト膜の露光を行なう工程と、
露光されたフォトレジスト膜を現像液を用いて現像し除
去する工程とを含む半導体ウェハー外周部ポジ形フォト
レジスト除去方法を得る。
照射し回折または多重反射により半導体ウェハー表面外
周部のポジ形フォトレジスト膜の露光を行なう工程と、
露光されたフォトレジスト膜を現像液を用いて現像し除
去する工程とを含む半導体ウェハー外周部ポジ形フォト
レジスト除去方法を得る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体裏面から紫外光を照
射する工程について示している。
射する工程について示している。
半導体ウェハーｌは石英板２上に裏面が石英板２に接す
るように置かれ、その上部にＡｆｆｌ蒸着膜によるミラ
ー３が配置されている。本実施例では、この状態で石英
板２を通して紫外光４を照射することにより半導体ウェ
ハー１のエッヂ部で光を回折させ、内側へ廻り込んだ紫
外光をミラー３と半導体ウェハー１との間で多重反射さ
せることにより半導体ウェハ−１外周部のポジ形フ１）
レジスト膜の露光を行ない、しかる後に現像液を用いて
現像を行なうこにより被露光領域のポジ形フォトレジス
ト膜を除去するものである。
るように置かれ、その上部にＡｆｆｌ蒸着膜によるミラ
ー３が配置されている。本実施例では、この状態で石英
板２を通して紫外光４を照射することにより半導体ウェ
ハー１のエッヂ部で光を回折させ、内側へ廻り込んだ紫
外光をミラー３と半導体ウェハー１との間で多重反射さ
せることにより半導体ウェハ−１外周部のポジ形フ１）
レジスト膜の露光を行ない、しかる後に現像液を用いて
現像を行なうこにより被露光領域のポジ形フォトレジス
ト膜を除去するものである。
第２図は本発明の他の実施例で用いる半導体ウェハー裏
面からの紫外光の照射方法について示す。半導体ウェハ
ー１はスピンナーチャック５に裏面が接するように真空
吸着される。本実施例は、スピンナーチャック５を回転
させることにより半導体ウェハー１を回転させながら半
導体ウニノ＼−１の表面と同一平面より１°〜３°程度
の傾きをもって半導体ウェハー１の裏面側より紫外光４
を照射し、半導体ウェハー１のエッヂ部による回７折、
フォトレジスト膜に紫外光４が入射する際の屈折により
半導体ウェハー１の内側へ廻り込む紫外光により半導体
ウェハ−１外周部のフォトレジスト膜を露光しその後現
像を行なうことによりこれを除去するものである。
面からの紫外光の照射方法について示す。半導体ウェハ
ー１はスピンナーチャック５に裏面が接するように真空
吸着される。本実施例は、スピンナーチャック５を回転
させることにより半導体ウェハー１を回転させながら半
導体ウニノ＼−１の表面と同一平面より１°〜３°程度
の傾きをもって半導体ウェハー１の裏面側より紫外光４
を照射し、半導体ウェハー１のエッヂ部による回７折、
フォトレジスト膜に紫外光４が入射する際の屈折により
半導体ウェハー１の内側へ廻り込む紫外光により半導体
ウェハ−１外周部のフォトレジスト膜を露光しその後現
像を行なうことによりこれを除去するものである。
以上説明したように、本発明は、半導体ウェハー裏面よ
り紫外光を照射し回折、多重反射２等により紫外光が半
導体ウェハー表面へ廻込む現象を利用して半導体ウェハ
ー外周のポジ形フォトレジスト膜を露光するため、半導
体ウェハーの形状に影習を受けず安定して半導体ウェハ
ー外周部のポジ形フォトレジスト膜を除去できる効果が
ある。
り紫外光を照射し回折、多重反射２等により紫外光が半
導体ウェハー表面へ廻込む現象を利用して半導体ウェハ
ー外周のポジ形フォトレジスト膜を露光するため、半導
体ウェハーの形状に影習を受けず安定して半導体ウェハ
ー外周部のポジ形フォトレジスト膜を除去できる効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例における紫外線の照射方式に
ついて示す図、第２図は本発明の他の実施例における紫
外線の照射方式について示す図、第３図は従来の半導体
ウェハー外周部のフォトレジスト膜除去方法を示す図で
ある。 １・・・・・・半導体ウェハー ２・・・・・・石英板
、３・・・・・・ミラー ４・・・・・・紫外光、５・
・・・・・スピンナーチャック、６・・・・・・ノズル
。
ついて示す図、第２図は本発明の他の実施例における紫
外線の照射方式について示す図、第３図は従来の半導体
ウェハー外周部のフォトレジスト膜除去方法を示す図で
ある。 １・・・・・・半導体ウェハー ２・・・・・・石英板
、３・・・・・・ミラー ４・・・・・・紫外光、５・
・・・・・スピンナーチャック、６・・・・・・ノズル
。
Claims (1)
- 半導体ウェハー裏面側より紫外光を照射する工程と現
像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とする半
導体ウェハー外周部のフォトレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280495A JPH03141633A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体ウェハー外周部のフォトレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280495A JPH03141633A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体ウェハー外周部のフォトレジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141633A true JPH03141633A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17625881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1280495A Pending JPH03141633A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体ウェハー外周部のフォトレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141633A (ja) |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1280495A patent/JPH03141633A/ja active Pending
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