JPS63234530A - レジスト周辺除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マスクを用いて半導体基板（ウェハー）の表
面にパターンの転写を行うに先だって、ウェハー周辺、
側面及び裏面部に付着したレジストを除去する装置に関
する。

〔従来の技術〕

従来、ウェハーの周辺に付着したレジストを除去する方
法としては、 （１）　　レジスト回転塗布装置をもって半導体基板を
回転させながら半導体基板の裏面端部にレジストの溶剤
を吹き付はレジストを除去する方法（バックリンス方式
と呼ぶ）、 （２）　　縮少投影露光装置により半導体基板周辺部を
全面ステップ露光し、その後の現像処理により、周辺部
のレジストを除去する方法等がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のレジスト周辺除去技術には、それぞれ次
のような欠点がある。

前述した（１）のレジスト周辺除去技術は、半導体基板
の裏面端部にレジストの溶剤を吹き付け、半導体基板表
面及び裏面の周辺部レジストを除去する方式を取ってい
る。従って、溶剤の吹き付は量、吹き付は圧力、吹き付
は位置、半導体基板の回転速度等の条件が設定条件から
ずれた場合、半導体基板裏面端部に吹き付けた溶剤が飛
散し、半導体基板の表面に塗布されているレジストを部
分的に溶かすという欠点がある。

この欠点は、■溶剤が飛散した半導体基板表面部でレジ
スト膜厚が薄くなり、パターン加工精度が悪くなること
。■極度にレジストが溶かされた部分では、レジスト膜
厚が激減しているためピンホール等が発生して、耐エツ
チング性が極めて悪化すること。である。

前述した（２）のレジスト周辺除去技術は、レジスト周
辺除去のために本来不必要な露光を行う必要があり、目
金露光機の処理能力を著しく低下させ、生産性を悪くす
るという欠点がある。さらに、半導体基板の周縁より任
意の点までのレジストを除去することができないという
欠点と半導体基板の裏面部のレジストを除去できないと
いう欠点がある。

今まで述べたいずれの欠点も半導体素子製造工程におい
て、歩留り、及び生産性を低下させる要因となる。

本発明の目的は前記問題点を解消したレジスト周辺除去
装置を提供したことにある。

〔発明の従来技術に対する相違点〕

上述した従来のレジスト周辺除去技術に対し、本発明は
レジスト回転塗布装置等により半導体基板へレジストを
塗布した後、レジストを塗布した半導体基板の周辺、側
面及び裏面部分のレジスト不要部分のみに、紫外線等の
レジストを露光する波長を含んだ光線を照射し、その後
の現像処理により不要部分のみのレジストを完全に除去
する独創的内容を有する。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はレジストを塗布した半導体基板の周辺、側面及
び裏面部分のみに紫外線等のレジストを露光する波長を
含んだ光線を照射する投光器を装備したことを特徴とす
るレジスト周辺除去装置である。

〔作用〕

本発明のレジスト周辺除去装置は半導体基板にレジスト
を回転塗布した後、半導体基板の周辺部分のレジストと
側面及び裏面に回り込んだ不要なレジストのみを除去す
るため、０〜５０００ｒｐｍの任意の回転数で半導体基
板を回転させ、上記半導体基板のレジスト不要部分にの
み紫外線等レジストを露光する波長の光を含んだ光線を
照射するものである。

この光線の照射時間及び半導体基板への光線の照射位置
を任意に制御してレジスト除去を行う。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

（実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例である。

第１図は本発明のレジスト周辺除去装置の正面図である
。１は紫外線等レジストを露光する波長を含んだ光線を
発生する光源、２は光ファイバー、３は投光器、４は半
導体基板、５はチャック、６はモーターである。

第２図は本発明のレジスト周辺除去装置を塗布機に組み
込んだ一実施例である。

７はＣＲＴ（操作部を含む）、８はローダ一部、９は塗
布処理部、１０はプリベーク部、１１はレジスト周辺除
去装置（第１図）、１２はアンローダ−である。

半導体基板４はローダ一部８より塗布処理部９に搬送さ
れ、その後レジストを所望の膜厚に回転塗布をする。例
えばレジストとして東京応化社製ポジ型フォトレジスト
０ＦＰＲ−８００（商品名）を１〜３庫の範囲の所望す
る膜厚に塗布を行う。次にレジストを塗布された半導体
基板４はプリベーク部１０において１００℃〜１３０℃
の範囲内の任意の温度でプリベークを行い、レジスト周
辺除去装置１１　（第１図）に搬送される。ここで、半
導体基板４はチャック５により吸着固定され、モーター
６により１０００〜５０００ｒｐｍの範囲内の任意の回
転数で半導体基板４を回転させる。このときに光源１よ
り発生する光線例えば４３６ｎ　ｍの波長を含んだ光線
を、光ファイバー２を介して投光器３から半導体基板４
の周辺、側面及び裏面部に照射する。なお投光器３は第
１図矢印のように任意に半４体基板４に対し平行移動す
ることが可能である。したがって、不要な半導体基板４
上のレジスト部分に光線を照射することが可能である。

なお、光線を照射する時間はレジストが完全に露光され
る時間以上に照射する必要がある。次に本発明によるレ
ジスト周辺除去装置による処理が終了した後、半導体基
板４はアンローダ一部１２に収納され、後で行われる現
像処理時に半導体基板４のレジスト不要部分が完全に除
去される。

（実施例２） 本発明の第２の実施例として第２図に示す塗布機の塗布
処理部９に、第１図に示したレジスト周辺除去装置を組
み込むことが可能である。この場合、チャック５、モー
ター６は塗布処理部９と併用可能なため、不必要となり
塗布機の構造が簡略化できる利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はレジストの回転塗布終了後
に、レジストを塗布された半導体基板の周辺、側面及び
裏面部分に被着している不要なレジスト部分のみに、紫
外線等のレジストを露光する波長の光を含んだ光線を照
射した後、その後の現像処理により不要なレジスト部分
を完全に除去できる効果がある。

その結果、半導体素子製造上の最大の問題であるゴミの
発生原因となるキャリヤーへのウェハー出し入れの際や
、その他処理取扱中においても半導体基板の周辺、側面
及び裏面のレジストが完全に除去されているため、ゴミ
の発生を防止して製品歩留りの向上を図ることができる
。

また本発明によれば、従来方法であるバックリンス方式
で欠点となっていた半導体表面のレジスト溶けを避ける
ことが可能なため、ピンホールの発生及びコンタクト露
光方式における半導体基板とマスクの密着不良を解消で
き、正確なパターニングを行うことができ、他の露光方
式例えば縮少投影露光方式においても局部的なレジスト
膜厚減少をなくすことができる効果を有するものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のレジスト周辺除去装置の正面図、第２
図は本発明の一実施例を示すレジスト周辺除去装置を内
蔵している塗布機の立体図である。 １・・・光源　　　　　　　　　２・・・光ファイバー
３・・・投光器　　　　　　　　４・・・半導体基板５
・・・チャック　　　　　　　６・・・モーター７・・
ＣＲＴ　　　　　　　　　８・・・ローダ一部９・・・
塗布処理部　　　　　　１０・・・プリベーク部１１・
・・レジスト周辺除去装置　１２・・・アンローダ一部
レジスト周辺除去装置 第１図 １２５機 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）レジストを塗布した半導体基板の周辺、側面及び
   裏面部分のみに紫外線等のレジストを露光する波長を含
   んだ光線を照射する投光器を装備したことを特徴とする
   レジスト周辺除去装置。