JPH03141654A - フリップチップ素子の実装方法 - Google Patents
フリップチップ素子の実装方法Info
- Publication number
- JPH03141654A JPH03141654A JP1278367A JP27836789A JPH03141654A JP H03141654 A JPH03141654 A JP H03141654A JP 1278367 A JP1278367 A JP 1278367A JP 27836789 A JP27836789 A JP 27836789A JP H03141654 A JPH03141654 A JP H03141654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flip
- thin film
- insulating substrate
- ferromagnetic thin
- chip element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野 ］
本発明はフリップチップ素子を絶縁基板上にフェイスダ
ウンボンディングにより実装する方法に関するものであ
る。
ウンボンディングにより実装する方法に関するものであ
る。
［従来の技術 ］
第３図はフェイスダウンボンディングによる従来のフリ
ップチップ素子の実装方法の一例を示す側面図である。
ップチップ素子の実装方法の一例を示す側面図である。
この図に見られるように下面の電極面にハンダバンプ２
２を形成したフリップチップ素子２１をセラミックやガ
ラス等で作られたｉｆ！！緑基板２３の回路パターン２
４上に実装する場合、まず絶縁基板２３をホットプレー
ト２５上にセットし、コレット２６により吸引保持した
フリップチップ素子２１をフェイスダウンして各ハンダ
バンプ２２が対応する回路パターン２４上に載るように
位匝合わせした後、ホットプレート２５により加熱を行
って、各ハンダバンプ２３を溶融することによりフリッ
プチップ素子２１の電極と絶縁基板２３の回路パターン
２４との導通を得ている。
２を形成したフリップチップ素子２１をセラミックやガ
ラス等で作られたｉｆ！！緑基板２３の回路パターン２
４上に実装する場合、まず絶縁基板２３をホットプレー
ト２５上にセットし、コレット２６により吸引保持した
フリップチップ素子２１をフェイスダウンして各ハンダ
バンプ２２が対応する回路パターン２４上に載るように
位匝合わせした後、ホットプレート２５により加熱を行
って、各ハンダバンプ２３を溶融することによりフリッ
プチップ素子２１の電極と絶縁基板２３の回路パターン
２４との導通を得ている。
〔発明が解決しようとする課題 ］
しかしながら、以上に述べたフリップチップ素子の実装
方法では、絶縁基板とフリップチップ素子の全体を加熱
しなければならないため、絶縁基板上に熱に弱い部品例
えば液晶パネル等を同時に実装するような場合、この液
晶パネル等が加熱により機能障害等を生じて、その結果
製品の不良率が増大するという問題があった。
方法では、絶縁基板とフリップチップ素子の全体を加熱
しなければならないため、絶縁基板上に熱に弱い部品例
えば液晶パネル等を同時に実装するような場合、この液
晶パネル等が加熱により機能障害等を生じて、その結果
製品の不良率が増大するという問題があった。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、液晶パネル等の熱に弱い部品と共にフリップチップ
素子を絶縁基板上に実装する場合でも、液晶パネル等に
機能障害等を生じさせることのないフリップチップ素子
の実装方法を実現することを目的とするものである。
で、液晶パネル等の熱に弱い部品と共にフリップチップ
素子を絶縁基板上に実装する場合でも、液晶パネル等に
機能障害等を生じさせることのないフリップチップ素子
の実装方法を実現することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段及び作用 〕この目的を達
成するため、本発明は、フリップチップ素子を絶縁基板
上にフェイスダウンボンディングにより実装するフリッ
プチ・７プ素子の実装方法において、フリップチップ素
子の電極面に強磁性体薄膜を形成して、この強磁性体薄
膜上にハンダバンプを設けると共に、絶縁基板の回路パ
ターン上にも強磁性体薄膜を形成して、この強磁性体薄
膜上にハンダの濡れ性の良好な金属膜を形成しておき、
前記フリップチップ素子のハンダバンプを絶縁基板の金
属膜上に位置合わせした後、該絶縁基板と共にフリップ
チップ素子を磁界発生装置から発生する高周波磁場内に
置くことにより前記強磁性体薄膜の発熱を誘起し、この
発・熱した強磁性体薄膜によりハンダバンプを上下から
加熱して溶融させることによりフリップチップ素子の電
極と絶！！基板の回路パターンを導通させるようにした
ものである。
成するため、本発明は、フリップチップ素子を絶縁基板
上にフェイスダウンボンディングにより実装するフリッ
プチ・７プ素子の実装方法において、フリップチップ素
子の電極面に強磁性体薄膜を形成して、この強磁性体薄
膜上にハンダバンプを設けると共に、絶縁基板の回路パ
ターン上にも強磁性体薄膜を形成して、この強磁性体薄
膜上にハンダの濡れ性の良好な金属膜を形成しておき、
前記フリップチップ素子のハンダバンプを絶縁基板の金
属膜上に位置合わせした後、該絶縁基板と共にフリップ
チップ素子を磁界発生装置から発生する高周波磁場内に
置くことにより前記強磁性体薄膜の発熱を誘起し、この
発・熱した強磁性体薄膜によりハンダバンプを上下から
加熱して溶融させることによりフリップチップ素子の電
極と絶！！基板の回路パターンを導通させるようにした
ものである。
このような本発明の方法によれば、従来のように絶縁基
板全体を加熱する必要がなく、ハンダバンプの上下の強
磁性体薄膜のみを磁界により発熱させてハンダバンプブ
を？容融させることができるため、液晶パネル等の熱に
弱い部品と共にフリップチップ素子を絶縁基板上に実装
する場合に、この液晶パネル等に熱を加えることなくフ
リップチップ素子を実装することが可能となり、従来の
ように液晶パネル等が加熱により機能障害等を生じるこ
とを防止できるので製品の不良率を著しく低下させるこ
とができる。
板全体を加熱する必要がなく、ハンダバンプの上下の強
磁性体薄膜のみを磁界により発熱させてハンダバンプブ
を？容融させることができるため、液晶パネル等の熱に
弱い部品と共にフリップチップ素子を絶縁基板上に実装
する場合に、この液晶パネル等に熱を加えることなくフ
リップチップ素子を実装することが可能となり、従来の
ように液晶パネル等が加熱により機能障害等を生じるこ
とを防止できるので製品の不良率を著しく低下させるこ
とができる。
［実施例］
以下図面を参照して実施例を説明する。
第１図は本発明によるフリップチップ素子の実装方法の
一実施例を示す側面図、第２図は第１図の実施例の要部
斜視図である。
一実施例を示す側面図、第２図は第１図の実施例の要部
斜視図である。
図においてｌは例えば後述する液晶パネルを駆動するド
ライバＩＣ等のフリップチップ素子で、このフリップチ
ップ素子１の下面に設けた電極上に強磁性体薄膜２を形
成し、更にこの強磁性体薄膜２上にハンダバンプ３を形
成する。
ライバＩＣ等のフリップチップ素子で、このフリップチ
ップ素子１の下面に設けた電極上に強磁性体薄膜２を形
成し、更にこの強磁性体薄膜２上にハンダバンプ３を形
成する。
ここで強磁性体薄膜２の材料としては、Ｎ、やＣ０等が
あげられるが、ハンダバンプ３の拡散防止の観点からＮ
、を使うのが望ましい。
あげられるが、ハンダバンプ３の拡散防止の観点からＮ
、を使うのが望ましい。
４はガラスあるいはセラミンクによる絶縁基板で、この
絶縁基板４上にはＩＴＯ膜のような透明電導性薄膜等に
よる回路パターン５を例えば後述する液晶パネルの接続
用導体としてスパッタリングや蒸着により形成し、その
上に前記強磁性体薄膜２と同様の強磁性体薄膜６を形成
して、更にこの強磁性体薄膜６上にハンダ付は性を重視
してハンダの濡れ性の良好なＡ、やＣｕによる金属膜７
を形成する。
絶縁基板４上にはＩＴＯ膜のような透明電導性薄膜等に
よる回路パターン５を例えば後述する液晶パネルの接続
用導体としてスパッタリングや蒸着により形成し、その
上に前記強磁性体薄膜２と同様の強磁性体薄膜６を形成
して、更にこの強磁性体薄膜６上にハンダ付は性を重視
してハンダの濡れ性の良好なＡ、やＣｕによる金属膜７
を形成する。
８は液晶、９はスペーサ、１０はガラス等の透明板で、
これらは絶縁基板４上で液晶パネルを構成するものであ
り、またｌｌａ、ｌｌｂは一対の誘導コイルで、この両
誘導コイルｌｌａ、ｌｌｂは磁界発生装置を構成するも
のである。
これらは絶縁基板４上で液晶パネルを構成するものであ
り、またｌｌａ、ｌｌｂは一対の誘導コイルで、この両
誘導コイルｌｌａ、ｌｌｂは磁界発生装置を構成するも
のである。
この構成において、フリップチップ素子１を液晶パネル
と共に絶縁基板４上に実装する場合、まず液晶８、スペ
ーサ９、及び透明板１０を絶縁基板４上で組み立てて前
記回路パターン５に接続した液晶パネルを構成する。
と共に絶縁基板４上に実装する場合、まず液晶８、スペ
ーサ９、及び透明板１０を絶縁基板４上で組み立てて前
記回路パターン５に接続した液晶パネルを構成する。
次に、絶８！基板４のチップ実装位置にフリップチップ
素子１をフェイスダウンして、このフリップチップ素子
１のハンダバンプ４を対応する回路パターン５の金属膜
７上に位置合わせし、フラックス等でフリップチップ素
子１を絶縁基板４に仮止めする。
素子１をフェイスダウンして、このフリップチップ素子
１のハンダバンプ４を対応する回路パターン５の金属膜
７上に位置合わせし、フラックス等でフリップチップ素
子１を絶縁基板４に仮止めする。
この状態でフリップチップ素子１と絶縁基板４を上下か
ら挟むように誘導コイルｌｌａ、ｌｌｂを配し、両誘導
コイルｌｌａ、ｌｌｂに電流を流して磁界Ａを発生させ
ながら、矢印Ｂで示したように誘導コイルＩｌａ、ｌｌ
ｂをフリップチップ素子ｌの一端から他端まで移動させ
ると、これによりフリップチップ素子１の各強磁性体薄
膜２と絶縁基板４の各強磁性体薄膜６は前記の磁界Ａに
よる高周波磁場内に置かれることになり、順次発熱が誘
起される。
ら挟むように誘導コイルｌｌａ、ｌｌｂを配し、両誘導
コイルｌｌａ、ｌｌｂに電流を流して磁界Ａを発生させ
ながら、矢印Ｂで示したように誘導コイルＩｌａ、ｌｌ
ｂをフリップチップ素子ｌの一端から他端まで移動させ
ると、これによりフリップチップ素子１の各強磁性体薄
膜２と絶縁基板４の各強磁性体薄膜６は前記の磁界Ａに
よる高周波磁場内に置かれることになり、順次発熱が誘
起される。
この強磁性体薄膜２．６の発熱によりハンダバンプ４は
上下から加熱され、順次溶融して金属膜７と接続するた
め、これによりフリップチップ素子ｌの電極と絶縁基板
４の回路パターン５が導通して、フリップチップ素子１
は絶縁基板４上に実装される。
上下から加熱され、順次溶融して金属膜７と接続するた
め、これによりフリップチップ素子ｌの電極と絶縁基板
４の回路パターン５が導通して、フリップチップ素子１
は絶縁基板４上に実装される。
尚、上述した実施例では両誘導コイルｌ１ａ１１ｂを移
動させて、強磁性体薄膜２．６による高周波誘導加熱に
よりハンダバンプ４を順次熔融させることでフリップチ
ップ素子１を絶縁基板４上に実装するものとしたが、誘
導コイル１１ａ５１１ｂを一定位置に固定し、フリップ
チップ素子１を仮止めした絶縁基板４を両誘導コイル１
ｌａ１１ｂ間で移動させるようにしても同様に実装する
ことができ、また誘導コイルｌｌａ、ｌｌｂを複数対づ
つ配置して、これらの複数対の誘導コイルｌｌａ、ｌｌ
ｂによる高周波磁場内にフリップチップ素子１が入るよ
うにすれば一度に全てのハンダバンプ４を溶融させて短
時間で実装することも可能である。
動させて、強磁性体薄膜２．６による高周波誘導加熱に
よりハンダバンプ４を順次熔融させることでフリップチ
ップ素子１を絶縁基板４上に実装するものとしたが、誘
導コイル１１ａ５１１ｂを一定位置に固定し、フリップ
チップ素子１を仮止めした絶縁基板４を両誘導コイル１
ｌａ１１ｂ間で移動させるようにしても同様に実装する
ことができ、また誘導コイルｌｌａ、ｌｌｂを複数対づ
つ配置して、これらの複数対の誘導コイルｌｌａ、ｌｌ
ｂによる高周波磁場内にフリップチップ素子１が入るよ
うにすれば一度に全てのハンダバンプ４を溶融させて短
時間で実装することも可能である。
以上、説明したように本発明は、フリップチップ素子の
電極面に強磁性体薄膜を形成して、この強磁性体薄膜上
にハンダバンプを設けると共に、絶縁基板の回路パター
ン上にも強磁性体薄１１りを形成して、この強磁性体薄
膜上にハンダの濡れ性の良好な金属膜を形成しておき、
前記フリップチップ素子のハンダバンプを絶縁基板の金
属膜上に位置合わせした後、該絶縁基板と共にフリップ
デツプ素子を磁界発生装置から発生する高周波磁場内に
置くことにより前記強磁性体薄膜の発熱を誘起し、この
発熱した強磁性体薄膜によりハンダバンプを上下から加
熱して溶融させることによりフリップチップ素子の電極
と絶縁基板の回路パターンを導通させてフリップチップ
素子を絶縁基板上に実装するものとしている。
電極面に強磁性体薄膜を形成して、この強磁性体薄膜上
にハンダバンプを設けると共に、絶縁基板の回路パター
ン上にも強磁性体薄１１りを形成して、この強磁性体薄
膜上にハンダの濡れ性の良好な金属膜を形成しておき、
前記フリップチップ素子のハンダバンプを絶縁基板の金
属膜上に位置合わせした後、該絶縁基板と共にフリップ
デツプ素子を磁界発生装置から発生する高周波磁場内に
置くことにより前記強磁性体薄膜の発熱を誘起し、この
発熱した強磁性体薄膜によりハンダバンプを上下から加
熱して溶融させることによりフリップチップ素子の電極
と絶縁基板の回路パターンを導通させてフリップチップ
素子を絶縁基板上に実装するものとしている。
従って、このような本発明の方法によれば、従来のよう
に絶縁基板全体を加熱する必要がなく、ハンダバンプの
上下の強磁性体薄膜のみを磁界により発熱させてハンダ
バンプを溶融させることができるため、液晶パネル等の
熱に弱い部品と共にフリップチップ素−子を絶縁基板上
に実装する場合に、この液晶パネル等に熱を加えること
なくフリップチップ素子を実装することが可能となり、
従来のように液晶パネル等が加熱により機能障害等を生
じることを防１Ｆできるので製品の不良率を著しく低下
させることができるという効果が得られる。
に絶縁基板全体を加熱する必要がなく、ハンダバンプの
上下の強磁性体薄膜のみを磁界により発熱させてハンダ
バンプを溶融させることができるため、液晶パネル等の
熱に弱い部品と共にフリップチップ素−子を絶縁基板上
に実装する場合に、この液晶パネル等に熱を加えること
なくフリップチップ素子を実装することが可能となり、
従来のように液晶パネル等が加熱により機能障害等を生
じることを防１Ｆできるので製品の不良率を著しく低下
させることができるという効果が得られる。
第１図は本発明によるフリップチップ素子の実装方法の
一実施例を示す側面図、第２図は同実施例の要部斜視図
、第３図は従来のフリップチップ素子の実装方法の一例
を示す側面図である。 １：フリップチップ素子 ２；強磁性体薄膜 ３：ハンダバンプ ４：絶縁基板 ５；回路パターン ６：強磁性体薄膜 ７：金属膜 １１ａ、ｌｌｂ：誘導コイル
一実施例を示す側面図、第２図は同実施例の要部斜視図
、第３図は従来のフリップチップ素子の実装方法の一例
を示す側面図である。 １：フリップチップ素子 ２；強磁性体薄膜 ３：ハンダバンプ ４：絶縁基板 ５；回路パターン ６：強磁性体薄膜 ７：金属膜 １１ａ、ｌｌｂ：誘導コイル
Claims (1)
- （１）フリップチップ素子を絶縁基板上にフェイスダウ
ンボンディングにより実装するフリップチップ素子の実
装方法において、 フリップチップ素子の電極面に強磁性体薄膜を形成して
、この強磁性体薄膜上にハンダバンプを設けると共に、 絶縁基板の回路パターン上にも強磁性体薄膜を形成して
、この強磁性体薄膜上にハンダの濡れ性の良好な金属膜
を形成しておき、 前記フリップチップ素子のハンダバンプを絶縁基板の金
属膜上に位置合わせした後、 該絶縁基板と共にフリップチップ素子を磁界発生装置か
ら発生する高周波磁場内に置くことにより前記強磁性体
薄膜の発熱を誘起し、 この発熱した強磁性体薄膜によりハンダバンプを上下か
ら加熱して溶融させることによりフリップチップ素子の
電極と絶縁基板の回路パターンを導通させることを特徴
とするフリップチップ素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278367A JPH03141654A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | フリップチップ素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278367A JPH03141654A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | フリップチップ素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141654A true JPH03141654A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17596356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1278367A Pending JPH03141654A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | フリップチップ素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141654A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206200A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｔａｂ用フィルムキャリアのｉｃチップ接合方法 |
| US6288376B1 (en) * | 1999-03-10 | 2001-09-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for melting a bump by induction heating |
| US6525422B1 (en) | 1997-01-20 | 2003-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including bump electrodes |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1278367A patent/JPH03141654A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206200A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｔａｂ用フィルムキャリアのｉｃチップ接合方法 |
| US6525422B1 (en) | 1997-01-20 | 2003-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including bump electrodes |
| US6933607B2 (en) | 1997-01-20 | 2005-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with bumps on electrode pads oriented in given direction |
| US7005741B2 (en) | 1997-01-20 | 2006-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and/or circuit substrate including bump electrodes and electrode pads |
| US6288376B1 (en) * | 1999-03-10 | 2001-09-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for melting a bump by induction heating |
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