JPH031428A - イオンビーム装置 - Google Patents
イオンビーム装置Info
- Publication number
- JPH031428A JPH031428A JP1135554A JP13555489A JPH031428A JP H031428 A JPH031428 A JP H031428A JP 1135554 A JP1135554 A JP 1135554A JP 13555489 A JP13555489 A JP 13555489A JP H031428 A JPH031428 A JP H031428A
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- Japan
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- ion source
- source electrode
- ion
- layer
- ion beam
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- Pending
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンビーム装置に係り、特にイオンビーム加
工機に使用するのに好適なイオン源１！極を有するイオ
ンビーム装置に関する。
工機に使用するのに好適なイオン源１！極を有するイオ
ンビーム装置に関する。
イオンビームミリング装置や、イオンビーム打込み装置
等のイオンビーム加工機で使用されるイオン源は、第３
図に示す通り、少なくとも１ヶ以上の穴を有する少なく
とも１枚以上のイオン源電極１（第３図においては２枚
）と、イオン源チャンバ２より構成され、イオンビーム
３を発生し、試料４を照射してこれを加工する。（スパ
ッタ、打込み、デポジション等）。なお、第３図には記
載していないが、真空排気のための真空排気装置等が必
要となる。
等のイオンビーム加工機で使用されるイオン源は、第３
図に示す通り、少なくとも１ヶ以上の穴を有する少なく
とも１枚以上のイオン源電極１（第３図においては２枚
）と、イオン源チャンバ２より構成され、イオンビーム
３を発生し、試料４を照射してこれを加工する。（スパ
ッタ、打込み、デポジション等）。なお、第３図には記
載していないが、真空排気のための真空排気装置等が必
要となる。
従来イオンビーム装置には、このイオン源電極１として
等方性黒鉛などのガス放出量の多い材質が使われる様に
なってきた。なお、等方性黒鉛のガス放出特性に関して
は、「核融合炉第一壁としての黒鉛共通材料の総合的特
性評価」 （昭和６１年度研究成果報告書）等で報告さ
れている。
等方性黒鉛などのガス放出量の多い材質が使われる様に
なってきた。なお、等方性黒鉛のガス放出特性に関して
は、「核融合炉第一壁としての黒鉛共通材料の総合的特
性評価」 （昭和６１年度研究成果報告書）等で報告さ
れている。
しかしながら上記従来技術は、イオン源電極よりのガス
放出に関しては配慮がされておらず、イオン源電極より
放出されたガスが、試料に悪影響を与えるという問題点
があった。
放出に関しては配慮がされておらず、イオン源電極より
放出されたガスが、試料に悪影響を与えるという問題点
があった。
たとえばイオン源電極の清浄時に、イオン源電極内部に
吸着したアルコール類などの物質が、イオンビーム照射
時にイオン源電極内部よりアウトガスとして放出され、
試料に付着して汚染してしまうなどの問題があげられる
。
吸着したアルコール類などの物質が、イオンビーム照射
時にイオン源電極内部よりアウトガスとして放出され、
試料に付着して汚染してしまうなどの問題があげられる
。
本発明の第１の目的は、イオン源電極よりのガス放出を
防止することにある。また本発明の第２の目的は、ガス
放出を防止したイオン源電極を容易に製造する方法を提
供することにある。そして本発明の第３の目的は、イオ
ン源電極よりのガス放出による試料への悪影響を防止し
たイオンビーム加工機を提供することにある。
防止することにある。また本発明の第２の目的は、ガス
放出を防止したイオン源電極を容易に製造する方法を提
供することにある。そして本発明の第３の目的は、イオ
ン源電極よりのガス放出による試料への悪影響を防止し
たイオンビーム加工機を提供することにある。
上記第１の目的を達成するために本発明は、イオン源チ
ャンバとイオン源電極を備え、該イオン源チャンバ内で
生成されるプラズマから前記イオン源電極でイオンビー
ムを引出すイオンビーム装置において、前記イオン源電
極は、少くとも一枚の電極が原子構造の異なる層を有す
る多層構造のものであることを特徴とするものである。
ャンバとイオン源電極を備え、該イオン源チャンバ内で
生成されるプラズマから前記イオン源電極でイオンビー
ムを引出すイオンビーム装置において、前記イオン源電
極は、少くとも一枚の電極が原子構造の異なる層を有す
る多層構造のものであることを特徴とするものである。
また、イオン源電極は、少くとも一枚の電極の表面層を
原子間の距離のち密な物質層とすることによって、内部
層に含まれる物質の透過量の少ない層としたものである
。
原子間の距離のち密な物質層とすることによって、内部
層に含まれる物質の透過量の少ない層としたものである
。
そして第２の目的を達成するために、イオン源電極のう
ち少くとも一枚は、イオンビーム引き出し穴の加工後に
、原子構造の異なる物質によって表面をコーティングす
ることを特徴とし、第３の目的を達成するために、イオ
ン源チャンバからイオン源電極によって引き出されたイ
オンビームを試料に照射して加工するイオンビーム加工
機において、前記イオン源電極は、少くとも一枚の電極
が原子構造の異なる層を有する多層構造のものであるこ
とを特徴とするものである。
ち少くとも一枚は、イオンビーム引き出し穴の加工後に
、原子構造の異なる物質によって表面をコーティングす
ることを特徴とし、第３の目的を達成するために、イオ
ン源チャンバからイオン源電極によって引き出されたイ
オンビームを試料に照射して加工するイオンビーム加工
機において、前記イオン源電極は、少くとも一枚の電極
が原子構造の異なる層を有する多層構造のものであるこ
とを特徴とするものである。
上記構成によれば、イオン源電極を多層構造とし、イオ
ン源チャンバと反対側の表面層をガス透過量の少ない物
質でできた層とすることにより、内部の層に吸着された
物質がアウトガスとして放出するのを防止できる。
ン源チャンバと反対側の表面層をガス透過量の少ない物
質でできた層とすることにより、内部の層に吸着された
物質がアウトガスとして放出するのを防止できる。
また、穴加工後、表面にコーテイング膜をつけることに
より、表面層を穴加工することなく多層構造をもつイオ
ン源電極を製造することができる。
より、表面層を穴加工することなく多層構造をもつイオ
ン源電極を製造することができる。
また、多層構造をもつイオン源電極を使用することによ
って、試料に対してガス放出による悪影響のないイオン
ビーム加工機が可能となる。
って、試料に対してガス放出による悪影響のないイオン
ビーム加工機が可能となる。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図により説明
する。
する。
第１図は本発明の要部である１枚のイオン源電極１１の
断面図である。第１図において、イオン源電極１１は、
物質１２でできた層１３及び暦１３の表面側の物質１４
でできた層１５，１６の３層にて構成される。
断面図である。第１図において、イオン源電極１１は、
物質１２でできた層１３及び暦１３の表面側の物質１４
でできた層１５，１６の３層にて構成される。
第２図は第１図のＡ部拡大図、即ち層１３と、層１５又
は１６（図では層１６）の一部を拡大したものである。
は１６（図では層１６）の一部を拡大したものである。
層１５，１６がない場合、Ｎ１３に吸着された物質１７
は、アウトガスとして放出され試料に悪影響を及ぼす。
は、アウトガスとして放出され試料に悪影響を及ぼす。
しかし／１ｆ１５，１６は、吸着された物質１７（例え
ばアルコール分子）の透過量が少ない物質でできている
ため、外部への放出が防止できるという効果がある。
ばアルコール分子）の透過量が少ない物質でできている
ため、外部への放出が防止できるという効果がある。
即ち、第２図において、イオン源電極の表面の層１６は
、原子（符号１８で示す）構造が、Ｎ１３の物質１２の
原子（符号１９で示す）構造よりち密に構成された物質
１４でできている。そのために、層１３の内部に吸着さ
れた物質１７は、層１６を透過することができない。ま
た、層１６の表面から異物質が層１３の内部に入り込む
ことも防止される。
、原子（符号１８で示す）構造が、Ｎ１３の物質１２の
原子（符号１９で示す）構造よりち密に構成された物質
１４でできている。そのために、層１３の内部に吸着さ
れた物質１７は、層１６を透過することができない。ま
た、層１６の表面から異物質が層１３の内部に入り込む
ことも防止される。
また、イオン源電極１１には少なくとも１ヶ以上のイオ
ンビーム引出し用の穴加工をする必要があるが、層１３
に穴加工をおこなった後、層１５゜１６をコーティング
によってつくることも可能である。この方法だと、層１
５．１６に穴加工が不要となる。
ンビーム引出し用の穴加工をする必要があるが、層１３
に穴加工をおこなった後、層１５゜１６をコーティング
によってつくることも可能である。この方法だと、層１
５．１６に穴加工が不要となる。
コーティング方法としては、イオンビームミキシング技
術、イオンビームスパッタ技術、化学蒸着による方法な
どが応用できる。
術、イオンビームスパッタ技術、化学蒸着による方法な
どが応用できる。
もちろん層１３と層１５，１６と同一物質でもよいし、
また異なる物質でも可能である。たとえば、六開けが容
易な鉄を層１３とし、成形穴開は後、イオンビームミキ
シング技術でチタンナイトライド（Ｔ ： Ｎ）をコー
ティングして層１５．１６とする。こうすることによっ
て、鉱内部よりのアウトガスを防止できる他、鉄自身に
よる試料の汚染も防止できるという効果がある。
また異なる物質でも可能である。たとえば、六開けが容
易な鉄を層１３とし、成形穴開は後、イオンビームミキ
シング技術でチタンナイトライド（Ｔ ： Ｎ）をコー
ティングして層１５．１６とする。こうすることによっ
て、鉱内部よりのアウトガスを防止できる他、鉄自身に
よる試料の汚染も防止できるという効果がある。
また、層１３を等方性黒鉛とし、層１５．１６として熱
分解炭素を化学蒸着法によってコーティングするといっ
た。同一物質（この場合炭素）の構造の異なる層を多層
構造としてイオン源電極を構成することも可能である。
分解炭素を化学蒸着法によってコーティングするといっ
た。同一物質（この場合炭素）の構造の異なる層を多層
構造としてイオン源電極を構成することも可能である。
コーティングによればイオン源電極を増やすことができ
るという効果もある。また、穴の内面まで［１５，１６
が及び、アウトガスがそれだけ少なくなる効果もある。
るという効果もある。また、穴の内面まで［１５，１６
が及び、アウトガスがそれだけ少なくなる効果もある。
また、上記多層構造をもつイオン源電極を使用すること
によりイオン源電極からのアウトガスを防止でき、試料
に悪影響を与えることなく加工のおこなえるイオンビー
ム加工機となる。
によりイオン源電極からのアウトガスを防止でき、試料
に悪影響を与えることなく加工のおこなえるイオンビー
ム加工機となる。
なお、本実施例においては、少なくとも１枚以上のイオ
ン源電極の１枚について記載したが、これに限るもので
はない。即ち試料に近い側の１枚の試料側表面のみを多
層構造としてもよいし、また、すべての電極を多層構造
としてもよい。
ン源電極の１枚について記載したが、これに限るもので
はない。即ち試料に近い側の１枚の試料側表面のみを多
層構造としてもよいし、また、すべての電極を多層構造
としてもよい。
なお、物質については、炭素、鉄とＴ：Ｎについて述べ
たが、材質あるいは構造の異なる層で構成された多層構
造であって、アウトガスを少なくする働きをもつもので
あれば良く、また、層の厚さも、物質の材質多層膜形成
法により異なるが。
たが、材質あるいは構造の異なる層で構成された多層構
造であって、アウトガスを少なくする働きをもつもので
あれば良く、また、層の厚さも、物質の材質多層膜形成
法により異なるが。
アウトガスを少なくする厚さであれば良い。
本発明によれば、イオン源電極を多層構造としたことに
より、イオン源電極からのガスの放出を防止できる効果
がある。また、ガス放出を防止したイオン源電極を容易
に製造することができ、さらに、イオン源電極からのガ
ス放出による試料への悪影響を防止したイオンビーム加
工機を提供することができる。
より、イオン源電極からのガスの放出を防止できる効果
がある。また、ガス放出を防止したイオン源電極を容易
に製造することができ、さらに、イオン源電極からのガ
ス放出による試料への悪影響を防止したイオンビーム加
工機を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の要部を示す断面図、第２図
は第１図のＡ部拡大図、第３図は一般的なイオンビーム
装置の断面図である。 １１・・・イオン源電極、１２・・・物質、１３・・・
層、１４・・・表面物質、１５．１６・・・表面層。 １７・・・吸着物質、１８．１９・・・原子。
は第１図のＡ部拡大図、第３図は一般的なイオンビーム
装置の断面図である。 １１・・・イオン源電極、１２・・・物質、１３・・・
層、１４・・・表面物質、１５．１６・・・表面層。 １７・・・吸着物質、１８．１９・・・原子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン源チャンバとイオン源電極を備え、該イオン
源チャンバ内で生成されるプラズマから前記イオン源電
極でイオンビームを引出すイオンビーム装置において、
前記イオン源電極は、少くとも一枚の電極が原子構造の
異なる層を有する多層構造のものであることを特徴とす
るイオンビーム装置。 ２、イオン源チャンバとイオン源電極を備え、該イオン
源チャンバ内で生成されるプラズマから前記イオン源電
極でイオンビームを引出すイオンビーム装置において、
前記イオン源電極は、少くとも一枚の電極が同一物質で
且つ原子配列の異なる層からなる多層構造のものである
ことを特徴とするイオンビーム装置。 ３、イオン源チャンバとイオン源電極を備え、該イオン
源チャンバ内で生成されるプラズマから前記イオン源電
極でイオンビームを引出すイオンビーム装置において、
前記イオン源電極は、前記イオン源チャンバと反対側の
表面層を原子間の距離のち密な物質層とすることによっ
て、内部層に含まれる物質の透過量の少ない層としたも
のであることを特徴とするイオンビーム装置。 ４、イオン源チャンバとイオン源電極を備え、該イオン
源チャンバ内で生成されるプラズマから前記イオン源電
極でイオンビームを引出すイオンビーム装置において、
前記イオン源電極は、前記イオン源チャンバと反対側の
表面に、該表面層と原子構造の異なるコーティング層を
設けたものであることを特徴とするイオンビーム装置。 ５、イオン源チャンバからイオンビームを引き出すイオ
ン源電極において、前記イオンビームを引き出す電極の
うち少くとも一枚の電極は、原子構造の異なる層を有す
る多層構造のものであることを特徴とするイオン源電極
。 ６、イオン源チャンバからイオンビームを引き出すイオ
ン源電極において、前記イオンビームを引き出す電極の
うち少くとも一枚の電極は、前記イオン源チャンバと反
対側の表面層を原子間の距離のち密な物質層とすること
によって、内部層に含まれる物質の透過量の少ない層と
したものであることを特徴とするイオン源電極。 ７、イオン源チャンバからイオンビームを引き出すイオ
ン源電極において、前記イオンビームを引き出す電極の
うち少くとも一枚の電極は、前記イオン源チャンバと反
対側の表面に、該表面層と原子構造の異なるコーティン
グ層を設けたものであることを特徴とするイオン源電極
。 ８、イオン源チャンバからイオンビームを引き出すイオ
ン源電極の製造方法において、前記イオンビームを引き
出す電極のうち少くとも一枚の電極は、該イオンビーム
の引き出し穴を加工した後、原子構造の異なる物質によ
って前記イオン源チャンバの表面をコーティングするこ
とを特徴とするイオン源電極の製造方法。 ９、前記電極は炭素材を用い、穴加工後、化学的蒸着に
よって高密度炭素材をコーティングする請求項８記載の
製造方法。 １０、イオン源チャンバからイオン源電極によって引き
出されたイオンビームを試料に照射して加工するイオン
ビーム加工機において、前記イオン源電極は、少くとも
一枚の電極が原子構造の異なる層を有する多層構造のも
のであることを特徴とするイオンビーム加工機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135554A JPH031428A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | イオンビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135554A JPH031428A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | イオンビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031428A true JPH031428A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15154516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1135554A Pending JPH031428A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | イオンビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009104625A (ja) * | 1996-11-04 | 2009-05-14 | Mobility Electronics Inc | コンピュータ周辺機器の適応装置及び方法 |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1135554A patent/JPH031428A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009104625A (ja) * | 1996-11-04 | 2009-05-14 | Mobility Electronics Inc | コンピュータ周辺機器の適応装置及び方法 |
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