JPH03142930A - 半導体ウエハの乾燥装置 - Google Patents
半導体ウエハの乾燥装置Info
- Publication number
- JPH03142930A JPH03142930A JP28334489A JP28334489A JPH03142930A JP H03142930 A JPH03142930 A JP H03142930A JP 28334489 A JP28334489 A JP 28334489A JP 28334489 A JP28334489 A JP 28334489A JP H03142930 A JPH03142930 A JP H03142930A
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- Japan
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- dry air
- wafers
- temperature
- wafer
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、半導体ウニ八表面、特に開口幅が狭いトレ
ンチ溝を表面に形成させた半導体ウェハの表面をエツチ
ングして洗浄した後の乾燥装置に関するものである。
ンチ溝を表面に形成させた半導体ウェハの表面をエツチ
ングして洗浄した後の乾燥装置に関するものである。
〔従来の技術１
近年、半導体集積回路の微細化が進み、半導体ウェハ（
単にウェハという）表面に形成される回路の構造が複雑
になってきている。このためウェハ表面上の汚染物や不
要物は、洗浄処理あるいはエツチング処理によって確実
に取り除くとともに一旦取り除いた汚染物や周辺の異物
による再汚染のない状態でリンス、乾燥を行なう必要が
ある第２図は従来の洗浄処理装置を示す概略構成図であ
って、（ａ）は洗浄処理を示し、（ｂ）は乾燥処理を示
すものである。第２図（ａ）において（１）は洗浄処理
装置の槽を示し、この洗浄処理槽（１）内にウェハ（３
）を収納するカセット（２）が載置されている。（４）
は洗浄液（又は純水（５））で前記洗浄処理槽（１）内
に溜められている。第２図（ｂ）において、乾燥処理槽
（６）内にウェハ（３）を収納するカセット（２）がロ
ータ（７）にセットされている。
単にウェハという）表面に形成される回路の構造が複雑
になってきている。このためウェハ表面上の汚染物や不
要物は、洗浄処理あるいはエツチング処理によって確実
に取り除くとともに一旦取り除いた汚染物や周辺の異物
による再汚染のない状態でリンス、乾燥を行なう必要が
ある第２図は従来の洗浄処理装置を示す概略構成図であ
って、（ａ）は洗浄処理を示し、（ｂ）は乾燥処理を示
すものである。第２図（ａ）において（１）は洗浄処理
装置の槽を示し、この洗浄処理槽（１）内にウェハ（３
）を収納するカセット（２）が載置されている。（４）
は洗浄液（又は純水（５））で前記洗浄処理槽（１）内
に溜められている。第２図（ｂ）において、乾燥処理槽
（６）内にウェハ（３）を収納するカセット（２）がロ
ータ（７）にセットされている。
このような洗浄処理槽（１）、乾燥処理槽（６）を使用
して、ウェハ（３）の洗浄を行なうには、予め洗浄処理
槽（１）内を処理液（４）で満たしてウェハ（３）を収
納したカセット（２）を処理液（４）中に浸漬させる。
して、ウェハ（３）の洗浄を行なうには、予め洗浄処理
槽（１）内を処理液（４）で満たしてウェハ（３）を収
納したカセット（２）を処理液（４）中に浸漬させる。
そして洗浄効率を高めるため超音波エネルギーを洗浄液
（４）およびウェハ（３）に加え、さらに洗浄処理槽（
１）の洗浄液（４）を純水（５）と置換し、ウェハ表面
より完全に洗浄液を取り除く。
（４）およびウェハ（３）に加え、さらに洗浄処理槽（
１）の洗浄液（４）を純水（５）と置換し、ウェハ表面
より完全に洗浄液を取り除く。
次に、ウェハ（３）の入ったカセット（２）を乾燥処理
槽（６）にセットした後ロータ（７）を回転させ、ウェ
ハ（３）表面上の純水（５）を遠心力によって振切るこ
とにより乾燥させる。このときウェハ、（３）表面を清
浄に保つために、吸気口（９）より清浄な空気を送り込
み、排気口（１０）より排出させる。
槽（６）にセットした後ロータ（７）を回転させ、ウェ
ハ（３）表面上の純水（５）を遠心力によって振切るこ
とにより乾燥させる。このときウェハ、（３）表面を清
浄に保つために、吸気口（９）より清浄な空気を送り込
み、排気口（１０）より排出させる。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような従来の乾燥装置では、ウェハの表面に形成
される回路の構造が複雑になることにより、特にウェハ
表面に開口幅が深さ寸法の割に狭い溝（以下トレンチ溝
という）が形成される場合ウェハ表面の純水はロータ（
７）の回転の遠心力によりはじき飛ばされるが、トレン
チ溝内の純水は乾燥されにくいためウェハ上に長時間残
ることになる。その結果、ウェハ表面のシリコン原子（
Ｓｔ）と純水が反応し、コロイダルシリカ（ＳｉＯｘ）
になり、コロイダルシリカがトレンチ溝内の汚染物とし
て残るので、半導体デバイスの性能および機能を大きく
損なうことになるという問題点があった。
される回路の構造が複雑になることにより、特にウェハ
表面に開口幅が深さ寸法の割に狭い溝（以下トレンチ溝
という）が形成される場合ウェハ表面の純水はロータ（
７）の回転の遠心力によりはじき飛ばされるが、トレン
チ溝内の純水は乾燥されにくいためウェハ上に長時間残
ることになる。その結果、ウェハ表面のシリコン原子（
Ｓｔ）と純水が反応し、コロイダルシリカ（ＳｉＯｘ）
になり、コロイダルシリカがトレンチ溝内の汚染物とし
て残るので、半導体デバイスの性能および機能を大きく
損なうことになるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、コロイダルシリカ等の半導体ウェハ上の汚染
を生じないで半導体ウェハを乾燥させることのできる半
導体ウェハの乾燥装置を得ることを目的とする。
たもので、コロイダルシリカ等の半導体ウェハ上の汚染
を生じないで半導体ウェハを乾燥させることのできる半
導体ウェハの乾燥装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体つ゛エバの乾燥装置は、洗浄から
乾燥に至るプロセスにおいて、高温、高圧状態で、高圧
、高温の乾燥空気をウェハ上に噴出させることにより、
トレンチ溝内の洗浄液を迅速に乾燥させ、純水とシリコ
ンとの反応によるコロイダルシリカの生成をなくし、ウ
ェハ上の汚染を防止するようにしたものである。
乾燥に至るプロセスにおいて、高温、高圧状態で、高圧
、高温の乾燥空気をウェハ上に噴出させることにより、
トレンチ溝内の洗浄液を迅速に乾燥させ、純水とシリコ
ンとの反応によるコロイダルシリカの生成をなくし、ウ
ェハ上の汚染を防止するようにしたものである。
〔作用］
この発明においては、高温、高圧の乾燥空気がトレンチ
構内の純水にすばやく熱を与え、乾燥を促進させる。
構内の純水にすばやく熱を与え、乾燥を促進させる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図はこの発明に係る乾燥装置を示すもので、（２１
）は乾燥装置本体、（２２）は高温、高圧の乾燥空気（
２３）の導入管で、ウェハ（３）に空気を噴出するため
のノズル（２４）を有している。ウェハ（３）はロータ
（２５）上に設置されている。導入管（２２）の途中に
は、大気圧の空気中の水分を除くための除湿機（２６）
、空気を高圧にするための空気圧縮機（２７）、空気を
高温にするための加熱器（２８）が設けられている。（
２９）はウェハ（３）から水分を取った後の高湿度空気
の排出口である。
）は乾燥装置本体、（２２）は高温、高圧の乾燥空気（
２３）の導入管で、ウェハ（３）に空気を噴出するため
のノズル（２４）を有している。ウェハ（３）はロータ
（２５）上に設置されている。導入管（２２）の途中に
は、大気圧の空気中の水分を除くための除湿機（２６）
、空気を高圧にするための空気圧縮機（２７）、空気を
高温にするための加熱器（２８）が設けられている。（
２９）はウェハ（３）から水分を取った後の高湿度空気
の排出口である。
約２０℃の大気中の空気は、まず除湿機（２６）を通っ
て乾燥空気となった後、空気圧縮機（２７）により約数
気圧の高圧、乾燥空気となり、その後加熱器（２８）を
通って６０〜８０℃の高温高圧空気となって、導入管（
２２）を通り乾燥機本体（２１）内部へ流入し、ノズル
（２４）からロータ（２５）上のウェハ（３）の表面に
向って噴出する。ウェハ（３）上の水分の多くは、ロー
タ（２５）の回転の遠心力および噴流の力によりはじき
飛ばされるが、トレンチ溝内の水分は高温、高圧の乾燥
空気（２３）の噴流により、迅速に加熱され、蒸発して
なくなることになる。ウェハ（３）から水分を奪った乾
燥空気は高湿度の空気となって排出口（２９）より排出
される０以上のようにして、ウェハ（３）上の水分は除
去されるが、高温、高圧の空気は低温、低圧の空気に比
べ多くの量の水分を含有することができるため、ウェハ
（３）上の水分の乾燥速度が速く、また噴流としてウェ
ハ（３）上に供給されるため、ウェハ（３）への熱伝達
効率が良く、より水分の蒸発が促進されるという効果が
得られることになる。
て乾燥空気となった後、空気圧縮機（２７）により約数
気圧の高圧、乾燥空気となり、その後加熱器（２８）を
通って６０〜８０℃の高温高圧空気となって、導入管（
２２）を通り乾燥機本体（２１）内部へ流入し、ノズル
（２４）からロータ（２５）上のウェハ（３）の表面に
向って噴出する。ウェハ（３）上の水分の多くは、ロー
タ（２５）の回転の遠心力および噴流の力によりはじき
飛ばされるが、トレンチ溝内の水分は高温、高圧の乾燥
空気（２３）の噴流により、迅速に加熱され、蒸発して
なくなることになる。ウェハ（３）から水分を奪った乾
燥空気は高湿度の空気となって排出口（２９）より排出
される０以上のようにして、ウェハ（３）上の水分は除
去されるが、高温、高圧の空気は低温、低圧の空気に比
べ多くの量の水分を含有することができるため、ウェハ
（３）上の水分の乾燥速度が速く、また噴流としてウェ
ハ（３）上に供給されるため、ウェハ（３）への熱伝達
効率が良く、より水分の蒸発が促進されるという効果が
得られることになる。
なお、上記実施例においてノズル（２４）からの噴流の
向きをロータ（２５）の遠心方向に少し傾けることによ
り、ロータ（２５）の遠心力との合力によりウェハ（３
）上の水分の除去の速度をより早める効果が得られるこ
とはもちろんであるまた、乾燥装置本体（２１）から排
出された高温高湿度の空気と、圧縮機（２７）から出た
低温高圧の空気との間に熱変換を行わせると、高温高湿
度の空気からの排熱が回収され、乾燥に要する加熱器（
２８）の電力を低減できる効果も得られる。
向きをロータ（２５）の遠心方向に少し傾けることによ
り、ロータ（２５）の遠心力との合力によりウェハ（３
）上の水分の除去の速度をより早める効果が得られるこ
とはもちろんであるまた、乾燥装置本体（２１）から排
出された高温高湿度の空気と、圧縮機（２７）から出た
低温高圧の空気との間に熱変換を行わせると、高温高湿
度の空気からの排熱が回収され、乾燥に要する加熱器（
２８）の電力を低減できる効果も得られる。
〔発明の効果］
以上のように、この発明によればウェハ上の水分を高温
、高圧の乾燥空気の噴流により乾燥するように構成した
ので、トレンチ溝内の乾燥が迅速に行なわれる結果、ト
レンチ溝内の汚染が防止され、高信頼性のウェハが得ら
れる効果がある。
、高圧の乾燥空気の噴流により乾燥するように構成した
ので、トレンチ溝内の乾燥が迅速に行なわれる結果、ト
レンチ溝内の汚染が防止され、高信頼性のウェハが得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による乾燥装置を示す構成
図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来の乾燥装置を示す概略
断面図である。 図において、（３）はウェハ、（２１）は乾燥装置本体
、（２３）は高温、高圧の乾燥空気、（２４）はノズル
、（２５）はロータ、（２６）は除湿機、 （２７） は圧縮機、 （２８） は加熱器、 （２９）は排出口を示す。 なお、
図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来の乾燥装置を示す概略
断面図である。 図において、（３）はウェハ、（２１）は乾燥装置本体
、（２３）は高温、高圧の乾燥空気、（２４）はノズル
、（２５）はロータ、（２６）は除湿機、 （２７） は圧縮機、 （２８） は加熱器、 （２９）は排出口を示す。 なお、
Claims (1)
- （１）半導体ウェハを純水等の洗浄液で洗浄した後、乾
燥空気で乾燥させる乾燥装置において、高温、高圧の乾
燥空気をウェハに噴きつけるようにして、乾燥させるよ
うにしたことを特徴とする半導体ウェハの乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28334489A JPH03142930A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28334489A JPH03142930A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142930A true JPH03142930A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17664270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28334489A Pending JPH03142930A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03142930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481157B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2005-04-07 | (주)케이.씨.텍 | 기판 건조 방법 및 장치 |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28334489A patent/JPH03142930A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481157B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2005-04-07 | (주)케이.씨.텍 | 기판 건조 방법 및 장치 |
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