JPH09190997A - ウェーハ乾燥装置 - Google Patents
ウェーハ乾燥装置Info
- Publication number
- JPH09190997A JPH09190997A JP8321888A JP32188896A JPH09190997A JP H09190997 A JPH09190997 A JP H09190997A JP 8321888 A JP8321888 A JP 8321888A JP 32188896 A JP32188896 A JP 32188896A JP H09190997 A JPH09190997 A JP H09190997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- ipa
- wafer
- vapor
- ipa vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0408—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一つのチャンバ内で実行される乾燥工程によ
って発生するパーチクルの発生を防止できるウェーハ乾
燥装置を提供すること。 【解決手段】 ＩＰＡ蒸気発生用の第１チャンバ２０
と、乾燥用の第２チャンバ４０とを別個に設け、第１チ
ャンバ２０内に供給ライン２２をからＩＰＡ溶液２１を
供給してヒータ２２で加熱することによりＩＰＡ蒸気を
第１チャンバ２０内に発生させて蒸気発生工程を実行
し、第１チャンバ２０内のＩＰＡ蒸気圧が適正圧になる
と、供給ライン２２を通して第２チャンバ４０内にＩＰ
Ａ蒸気を供給し、第２チャンバ４０内に収納されたウェ
ーハ４５の乾燥を第１チャンバ２０から供給されるＩＰ
Ａ蒸気で乾燥工程を実行する。
って発生するパーチクルの発生を防止できるウェーハ乾
燥装置を提供すること。 【解決手段】 ＩＰＡ蒸気発生用の第１チャンバ２０
と、乾燥用の第２チャンバ４０とを別個に設け、第１チ
ャンバ２０内に供給ライン２２をからＩＰＡ溶液２１を
供給してヒータ２２で加熱することによりＩＰＡ蒸気を
第１チャンバ２０内に発生させて蒸気発生工程を実行
し、第１チャンバ２０内のＩＰＡ蒸気圧が適正圧になる
と、供給ライン２２を通して第２チャンバ４０内にＩＰ
Ａ蒸気を供給し、第２チャンバ４０内に収納されたウェ
ーハ４５の乾燥を第１チャンバ２０から供給されるＩＰ
Ａ蒸気で乾燥工程を実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハの洗浄工
程で使用されるウェーハ乾燥装置に関するもので、具体
的には、ウェーハの洗浄後にそのウェーハを乾燥するウ
ェーハ乾燥装置に関する。
程で使用されるウェーハ乾燥装置に関するもので、具体
的には、ウェーハの洗浄後にそのウェーハを乾燥するウ
ェーハ乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化により半導体製造
工程中のウェーハの洗浄技術は多様化され、それにとも
ない、ウェーハの洗浄技術の重要性は増大している。特
に、微細構造を有する半導体素子の製造工程において、
ウェーハの洗浄工程後のウェーハに付着したパーチクル
(particles) のみならず、静電気、ウォータ・マーク(w
ater mark)、ライン性のパーチクルなどは後続工程に大
きな影響を及ぼすため、ウェーハの乾燥工程の必要性が
さらに増大する。
工程中のウェーハの洗浄技術は多様化され、それにとも
ない、ウェーハの洗浄技術の重要性は増大している。特
に、微細構造を有する半導体素子の製造工程において、
ウェーハの洗浄工程後のウェーハに付着したパーチクル
(particles) のみならず、静電気、ウォータ・マーク(w
ater mark)、ライン性のパーチクルなどは後続工程に大
きな影響を及ぼすため、ウェーハの乾燥工程の必要性が
さらに増大する。
【０００３】このウェーハの乾燥に関して、たとえば、
特開平８−１６２４３４号公報（以下、第１公報とい
う）には、並列収容された多数枚の被乾燥用の半導体ウ
ェーハを容器内に収容し、この容器の上方を密封して容
器の底部から温水を供給しながら、半導体ウェーハを温
水に浸積した状態で温水を半導体ウェーハの上側からオ
ーバ・フローさせて最終水洗を行い、この最終水洗後
に、温水を容器から排水しながら、半導体ウェーハの上
側から有機蒸気を送り込み、有機蒸気が温水に代わって
容器内に充満された時点で有機蒸気の容器への供給を停
止して、この有機蒸気により半導体ウェーハの乾燥を行
い、引き続き容器内減圧により、容器内に残存する有機
蒸気と湿気とを容器外に排出することにより半導体ウェ
ーハを大気中に晒すことなく、水洗から蒸気乾燥に移行
可能とする技術が開示されている。
特開平８−１６２４３４号公報（以下、第１公報とい
う）には、並列収容された多数枚の被乾燥用の半導体ウ
ェーハを容器内に収容し、この容器の上方を密封して容
器の底部から温水を供給しながら、半導体ウェーハを温
水に浸積した状態で温水を半導体ウェーハの上側からオ
ーバ・フローさせて最終水洗を行い、この最終水洗後
に、温水を容器から排水しながら、半導体ウェーハの上
側から有機蒸気を送り込み、有機蒸気が温水に代わって
容器内に充満された時点で有機蒸気の容器への供給を停
止して、この有機蒸気により半導体ウェーハの乾燥を行
い、引き続き容器内減圧により、容器内に残存する有機
蒸気と湿気とを容器外に排出することにより半導体ウェ
ーハを大気中に晒すことなく、水洗から蒸気乾燥に移行
可能とする技術が開示されている。
【０００４】しかし、単一容器内で半導体ウェーハの洗
浄と有機蒸気による乾燥工程とを連続的に行う方法で
は、半導体ウェーハに付着する不純パーチクルの除去が
難しい。そこで、たとえば、特開平８−１４８４６５号
公報（以下、第２公報という）には、半導体基板の薬液
処理、洗浄処理、乾燥処理を同一チャンバ内で行う場合
に、薬液処理工程で生じる蒸気ミスト等の不要気体をチ
ャンバ内から完全に除去するために、チャンバの開閉機
構が開状態時に蓋の全面から外部空気を取り入れるとと
もに、チャンバの底部から強制排気することにより、チ
ャンバ内部の不要気体を排気し、かつ空気の供給により
薬液の蒸気のミストを低コストで排気できる旨開示され
ている。
浄と有機蒸気による乾燥工程とを連続的に行う方法で
は、半導体ウェーハに付着する不純パーチクルの除去が
難しい。そこで、たとえば、特開平８−１４８４６５号
公報（以下、第２公報という）には、半導体基板の薬液
処理、洗浄処理、乾燥処理を同一チャンバ内で行う場合
に、薬液処理工程で生じる蒸気ミスト等の不要気体をチ
ャンバ内から完全に除去するために、チャンバの開閉機
構が開状態時に蓋の全面から外部空気を取り入れるとと
もに、チャンバの底部から強制排気することにより、チ
ャンバ内部の不要気体を排気し、かつ空気の供給により
薬液の蒸気のミストを低コストで排気できる旨開示され
ている。
【０００５】さらに、半導体装置の製造プロセスにおけ
る蒸気洗浄、乾燥工程で使用される洗浄槽に供給される
洗浄溶剤には高純度が要求され、かつ被洗浄物が洗浄溶
剤の蒸気温度まで加熱されることによる金属イオンの析
出を回避するために、洗浄槽に高純度石英が使用される
場合がある。
る蒸気洗浄、乾燥工程で使用される洗浄槽に供給される
洗浄溶剤には高純度が要求され、かつ被洗浄物が洗浄溶
剤の蒸気温度まで加熱されることによる金属イオンの析
出を回避するために、洗浄槽に高純度石英が使用される
場合がある。
【０００６】この高純度石英は高価なことから、特開平
４−２５１９２９号公報（以下、第３公報という）に
は、洗浄物を収納した洗浄槽内に沸点温度よりやや低温
に加温された高純度溶剤を洗浄物に噴射させることによ
り、洗浄物の表面に付着した水分を溶解して洗浄し、洗
浄物の表面に被覆した溶剤を加温して乾燥させることに
より、同一洗浄槽で洗浄工程と乾燥工程とを実行する技
術が開示されている。
４−２５１９２９号公報（以下、第３公報という）に
は、洗浄物を収納した洗浄槽内に沸点温度よりやや低温
に加温された高純度溶剤を洗浄物に噴射させることによ
り、洗浄物の表面に付着した水分を溶解して洗浄し、洗
浄物の表面に被覆した溶剤を加温して乾燥させることに
より、同一洗浄槽で洗浄工程と乾燥工程とを実行する技
術が開示されている。
【０００７】このように、最近、半導体素子の製造に利
用されるウェーハの乾燥装置はいくつかの方向に発展し
た。その一つは遠心力を利用してウェーハを乾燥するス
ピン乾燥器(a spin dryer)であり、そして、もう一つは
イソプロピル・アルコール（ isopropyle alcohol：以
下、ＩＰＡという）の低い蒸気圧を利用してウェーハを
乾燥する乾燥装置（以下、「ＩＰＡ乾燥装置」とよぶ）
である。広義には、前記第１公報ないし第３公報に記載
のウェーハの洗浄処理技術もこのＩＰＡ蒸気を使用して
処理する範疇に属するものと考えられる。
用されるウェーハの乾燥装置はいくつかの方向に発展し
た。その一つは遠心力を利用してウェーハを乾燥するス
ピン乾燥器(a spin dryer)であり、そして、もう一つは
イソプロピル・アルコール（ isopropyle alcohol：以
下、ＩＰＡという）の低い蒸気圧を利用してウェーハを
乾燥する乾燥装置（以下、「ＩＰＡ乾燥装置」とよぶ）
である。広義には、前記第１公報ないし第３公報に記載
のウェーハの洗浄処理技術もこのＩＰＡ蒸気を使用して
処理する範疇に属するものと考えられる。
【０００８】上述したスピン乾燥器は、機械的な力で乾
燥するため、ウェーハが破損したり、高集積化による微
細構造を有する半導体装置によっては完全には乾燥され
なくなるような問題点が発生するため最近ではＩＰＡ乾
燥装置が主に使用されている。
燥するため、ウェーハが破損したり、高集積化による微
細構造を有する半導体装置によっては完全には乾燥され
なくなるような問題点が発生するため最近ではＩＰＡ乾
燥装置が主に使用されている。
【０００９】このようなＩＰＡ乾燥装置は、図２に図示
されているように、外部から供給ライン（不図示）を通
して供給されるＩＰＡ１１を利用してウェーハを約５分
ないし１０分の間、乾燥するプロセス・チャンバ１０を
具備している。具体的には、従来のＩＰＡ乾燥装置にお
いて、キャリア１４(carrier) に収納されたウェーハ１
５が上記のプロセス・チャンバ１０内に進入してＩＰＡ
蒸気によって乾燥される。ＩＰＡ蒸気はプロセス・チャ
ンバ１０内に供給されたＩＰＡ溶液１１がヒータ１６に
よって加熱されることにより生成される。
されているように、外部から供給ライン（不図示）を通
して供給されるＩＰＡ１１を利用してウェーハを約５分
ないし１０分の間、乾燥するプロセス・チャンバ１０を
具備している。具体的には、従来のＩＰＡ乾燥装置にお
いて、キャリア１４(carrier) に収納されたウェーハ１
５が上記のプロセス・チャンバ１０内に進入してＩＰＡ
蒸気によって乾燥される。ＩＰＡ蒸気はプロセス・チャ
ンバ１０内に供給されたＩＰＡ溶液１１がヒータ１６に
よって加熱されることにより生成される。
【００１０】一方、プロセス・チャンバ１０内での乾燥
工程が完了すると、プロセス・チャンバ１０の底面に残
っているＩＰＡ溶液１１は排出ライン１３に連結された
排出用バルブ１３ｂを通して外部の収集タンク（不図
示）に排出される。凝縮蒸気収集板１２で収集された凝
縮蒸気と副産物とは排出ライン１３に連結された排出用
バルブ１３ａを通して上記の収集タンクに排出される。
工程が完了すると、プロセス・チャンバ１０の底面に残
っているＩＰＡ溶液１１は排出ライン１３に連結された
排出用バルブ１３ｂを通して外部の収集タンク（不図
示）に排出される。凝縮蒸気収集板１２で収集された凝
縮蒸気と副産物とは排出ライン１３に連結された排出用
バルブ１３ａを通して上記の収集タンクに排出される。
【００１１】なお、図中の冷却ライン１７はプロセス・
チャンバ１０内の上部にあるＩＰＡ蒸気を凝縮させて、
そのＩＰＡ蒸気がプロセス・チャンバ１０の外部に気体
のまま排出されるのを防止するために使用される。
チャンバ１０内の上部にあるＩＰＡ蒸気を凝縮させて、
そのＩＰＡ蒸気がプロセス・チャンバ１０の外部に気体
のまま排出されるのを防止するために使用される。
【００１２】このように、ＩＰＡ蒸気によって、１次的
なウェーハの乾燥工程が完了されると、ウェーハ１５が
収納されたキャリア１４はプロセス・チャンバ１０から
上部のふたを通して外部に移送されて室温での自然乾燥
工程が実行される。
なウェーハの乾燥工程が完了されると、ウェーハ１５が
収納されたキャリア１４はプロセス・チャンバ１０から
上部のふたを通して外部に移送されて室温での自然乾燥
工程が実行される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来の
ウェーハ乾燥装置を利用してウェーハを乾燥しても、ゲ
ル(Gel) 性のパーチクルは持続的に発生しているし、ま
た、ウェーハのエッジ部位からライン性のパーチクルが
発生するという問題もあった。
ウェーハ乾燥装置を利用してウェーハを乾燥しても、ゲ
ル(Gel) 性のパーチクルは持続的に発生しているし、ま
た、ウェーハのエッジ部位からライン性のパーチクルが
発生するという問題もあった。
【００１４】これは、従来のウェーハ乾燥装置が一つの
プロセス・チャンバ１０を具備しており、このプロセス
・チャンバ１０の上部に設置された冷却ライン１７によ
ってそのプロセス・チャンバ１０の上部に上昇するＩＰ
Ａ蒸気が瞬間的に液化され、再び加熱によってＩＰＡ蒸
気に生成される循環サイクルにより、ウェーハが位置す
る蒸気領域(vapor zone)の形態が変化するためである。
このような蒸気領域の形態変化はウェーハの不完全乾燥
を誘発させ、それによって、ウェーハの上にパーチクル
が残ることになる。
プロセス・チャンバ１０を具備しており、このプロセス
・チャンバ１０の上部に設置された冷却ライン１７によ
ってそのプロセス・チャンバ１０の上部に上昇するＩＰ
Ａ蒸気が瞬間的に液化され、再び加熱によってＩＰＡ蒸
気に生成される循環サイクルにより、ウェーハが位置す
る蒸気領域(vapor zone)の形態が変化するためである。
このような蒸気領域の形態変化はウェーハの不完全乾燥
を誘発させ、それによって、ウェーハの上にパーチクル
が残ることになる。
【００１５】また、従来のウェーハ乾燥装置において、
一つのプロセス・チャンバ１０内でＩＰＡ溶液の供給、
加熱および蒸気形成、凝縮冷却による循環サイクルが連
続的に進行されるので、ＩＰＡ容液自体の汚染によるパ
ーチクルが発生するという課題があった。
一つのプロセス・チャンバ１０内でＩＰＡ溶液の供給、
加熱および蒸気形成、凝縮冷却による循環サイクルが連
続的に進行されるので、ＩＰＡ容液自体の汚染によるパ
ーチクルが発生するという課題があった。
【００１６】さらに、従来のウェーハ乾燥装置におい
て、一つのプロセス・チャンバ１０内での１次乾燥工程
が約８０°Ｃの温度で進行するが、プロセス・チャンバ
１０の外部に移送されたウェーハ１５の２次乾燥工程は
室温の約２５°Ｃ程度の温度に急降下されながら進行す
るので、１次乾燥工程中に形成されたキャリア１４とウ
ェーハ１５とに付着したＩＰＡ蒸気が瞬間的な温度の下
降によって凝縮され、液化される。
て、一つのプロセス・チャンバ１０内での１次乾燥工程
が約８０°Ｃの温度で進行するが、プロセス・チャンバ
１０の外部に移送されたウェーハ１５の２次乾燥工程は
室温の約２５°Ｃ程度の温度に急降下されながら進行す
るので、１次乾燥工程中に形成されたキャリア１４とウ
ェーハ１５とに付着したＩＰＡ蒸気が瞬間的な温度の下
降によって凝縮され、液化される。
【００１７】このように液化されたＩＰＡ混合物が２次
乾燥工程の中に周辺空気と反応してウェーハ１５のエッ
ジ部分に、あるいはキャリア１４とウェーハ１５とが接
触される部分で様々な型の欠陥が発生する課題があっ
た。
乾燥工程の中に周辺空気と反応してウェーハ１５のエッ
ジ部分に、あるいはキャリア１４とウェーハ１５とが接
触される部分で様々な型の欠陥が発生する課題があっ
た。
【００１８】したがって、本発明は、上述の課題を解決
するためになされたもので、ＩＰＡ蒸気を発生させるチ
ャンバとウェーハを乾燥するチャンバとを別途に設け、
一つのチャンバ内で実行される乾燥工程によって発生さ
れるパーチクルの発生を防止でき、かつ半導体装置製造
の歩留まりの向上を期することができるウェーハ乾燥装
置を提供することを目的とする。
するためになされたもので、ＩＰＡ蒸気を発生させるチ
ャンバとウェーハを乾燥するチャンバとを別途に設け、
一つのチャンバ内で実行される乾燥工程によって発生さ
れるパーチクルの発生を防止でき、かつ半導体装置製造
の歩留まりの向上を期することができるウェーハ乾燥装
置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明のウェーハ乾燥装置は、ＩＰＡ蒸気を発生
する第１チャンバを具備するＩＰＡ蒸気発生手段を設け
る。
めに、本発明のウェーハ乾燥装置は、ＩＰＡ蒸気を発生
する第１チャンバを具備するＩＰＡ蒸気発生手段を設け
る。
【００２０】このＩＰＡ蒸気発生手段にＩＰＡ供給ライ
ンを通して連結され、さらに、ＩＰＡ蒸気が供給されて
ウェーハを乾燥する第２チャンバを備えたウェーハ乾燥
手段を設ける。
ンを通して連結され、さらに、ＩＰＡ蒸気が供給されて
ウェーハを乾燥する第２チャンバを備えたウェーハ乾燥
手段を設ける。
【００２１】本発明のウェーハ乾燥装置では、第１チャ
ンバによるＩＰＡ蒸気発生工程と第２チャンバによるウ
ェーハの乾燥工程とが個別に実行され、第２チャンバで
のウェーハ乾燥工程が温度変化なしに実行されるためウ
ェーハに様々な形態で誘発される欠陥抑制する。
ンバによるＩＰＡ蒸気発生工程と第２チャンバによるウ
ェーハの乾燥工程とが個別に実行され、第２チャンバで
のウェーハ乾燥工程が温度変化なしに実行されるためウ
ェーハに様々な形態で誘発される欠陥抑制する。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明のウェーハ乾燥装置
の実施の形態について添付図面を参照して詳しく説明す
る。図１は本発明の実施の形態に係るウェーハ乾燥装置
の構成を示す断面図である。ＩＰＡ蒸気を発生するＩＰ
Ａ蒸気発生手段の主体となるＩＰＡ蒸気発生用チャンバ
２０（以下、「第１チャンバ」とよぶ）と、この第１チ
ャンバ２０とは別途に設けられており、第１チャンバ２
０から発生したＩＰＡ蒸気の供給を受けてウェーハを乾
燥させるウェーハ乾燥手段の主体となる乾燥用チャンバ
４０（以下、「第２チャンバ」とよぶ）とを具備してい
る。
の実施の形態について添付図面を参照して詳しく説明す
る。図１は本発明の実施の形態に係るウェーハ乾燥装置
の構成を示す断面図である。ＩＰＡ蒸気を発生するＩＰ
Ａ蒸気発生手段の主体となるＩＰＡ蒸気発生用チャンバ
２０（以下、「第１チャンバ」とよぶ）と、この第１チ
ャンバ２０とは別途に設けられており、第１チャンバ２
０から発生したＩＰＡ蒸気の供給を受けてウェーハを乾
燥させるウェーハ乾燥手段の主体となる乾燥用チャンバ
４０（以下、「第２チャンバ」とよぶ）とを具備してい
る。
【００２３】本発明では、後述の説明からも明らかなよ
うに、本発明の主要構成要素であるＩＰＡ蒸気発生手段
とウェーハ乾燥手段とに加えて、ＩＰＡ蒸気発生手段は
第１チャンバの底部に設置され、第１チャンバ内に供給
ラインを通して注入されたＩＰＡ溶液を加熱してＩＰＡ
蒸気を発生させる加熱部と、第１チャンバの上部に設置
され、ＰＩＡ蒸気を第１チャンバの外部に漏洩しないよ
うに凝縮させる冷却ラインと、第１チャンバ内のＩＰＡ
蒸気圧が一定の圧力以上の場合、そのＩＰＡ蒸気圧を自
動的に排出させる圧力ゲージとを有している。
うに、本発明の主要構成要素であるＩＰＡ蒸気発生手段
とウェーハ乾燥手段とに加えて、ＩＰＡ蒸気発生手段は
第１チャンバの底部に設置され、第１チャンバ内に供給
ラインを通して注入されたＩＰＡ溶液を加熱してＩＰＡ
蒸気を発生させる加熱部と、第１チャンバの上部に設置
され、ＰＩＡ蒸気を第１チャンバの外部に漏洩しないよ
うに凝縮させる冷却ラインと、第１チャンバ内のＩＰＡ
蒸気圧が一定の圧力以上の場合、そのＩＰＡ蒸気圧を自
動的に排出させる圧力ゲージとを有している。
【００２４】また、ウェーハ乾燥手段は、第２チャンバ
に設置されて、ＩＰＡ蒸気の流入前に第２チャンバ内の
圧力を所定の圧力以下に減圧させ、かつウェーハの乾燥
完了後窒素（Ｎ2 ）ガスを流入させながら第２チャンバ
内のＩＰＡ蒸気を排出させる減圧／排出手段とを有して
いる。
に設置されて、ＩＰＡ蒸気の流入前に第２チャンバ内の
圧力を所定の圧力以下に減圧させ、かつウェーハの乾燥
完了後窒素（Ｎ2 ）ガスを流入させながら第２チャンバ
内のＩＰＡ蒸気を排出させる減圧／排出手段とを有して
いる。
【００２５】さらに、ウェーハ乾燥手段は、第２チャン
バ内にＩＰＡ濃度を検出するセンサを含み、センサによ
ってＩＰＡ成分が検出されなくなるまで減圧／排出手段
で継続してＩＰＡ蒸気を排出させる機能を有している。
バ内にＩＰＡ濃度を検出するセンサを含み、センサによ
ってＩＰＡ成分が検出されなくなるまで減圧／排出手段
で継続してＩＰＡ蒸気を排出させる機能を有している。
【００２６】また、減圧／排出手段は、排出用バルブと
この排出用バルブの開閉によって作動する減圧ポンプと
を含むものである。
この排出用バルブの開閉によって作動する減圧ポンプと
を含むものである。
【００２７】また、第１チャンバは、ＩＰＡ蒸気を凝縮
させて外部に漏洩されないように上部に設置された冷却
ラインを付加するように構成されている。
させて外部に漏洩されないように上部に設置された冷却
ラインを付加するように構成されている。
【００２８】ここで、再び、図１を参照すると、上記の
ような第１チャンバ２０、第２チャンバ４０によってＩ
ＰＡ蒸気発生工程とウェーハ乾燥工程とが別途に実行さ
れるので、従来のように一つのチャンバ内でＩＰＡ溶液
供給ー加熱ーＩＰＡ蒸気発生ー乾燥ー凝縮冷却を行う循
環によって発生され得るパーチクルの発生を完全に除去
できる。
ような第１チャンバ２０、第２チャンバ４０によってＩ
ＰＡ蒸気発生工程とウェーハ乾燥工程とが別途に実行さ
れるので、従来のように一つのチャンバ内でＩＰＡ溶液
供給ー加熱ーＩＰＡ蒸気発生ー乾燥ー凝縮冷却を行う循
環によって発生され得るパーチクルの発生を完全に除去
できる。
【００２９】また、第２チャンバ４０内で温度変化なし
にローディング部４３上のキャリア４４に収納したウェ
ーハ４５を乾燥させることができるし、Ｎ2 ガスを第２
チャンバ４０内に注入しながら内部のＩＰＡ蒸気を外部
に排出させることによって、第２チャンバ４０の内部で
ＩＰＡ蒸気が液化されることはない。その結果、ウェー
ハ４５とキャリア４４との接触部分での混合物がウェー
ハ４５に付着され難くなる。
にローディング部４３上のキャリア４４に収納したウェ
ーハ４５を乾燥させることができるし、Ｎ2 ガスを第２
チャンバ４０内に注入しながら内部のＩＰＡ蒸気を外部
に排出させることによって、第２チャンバ４０の内部で
ＩＰＡ蒸気が液化されることはない。その結果、ウェー
ハ４５とキャリア４４との接触部分での混合物がウェー
ハ４５に付着され難くなる。
【００３０】本発明のウェーハ乾燥装置の一実施の形態
の主要構成要素は、第１チャンバ２０内でＩＰＡ蒸気を
発生させるＩＰＡ蒸気発生部と、第２チャンバ４０内で
ＩＰＡを蒸気を利用してウェーハを乾燥するウェーハ乾
燥部および供給ポンプ３１によって第１チャンバ２０か
ら第２チャンバ４０にＩＰＡ蒸気を供給するＩＰＡ蒸気
供給部３０を具備している。
の主要構成要素は、第１チャンバ２０内でＩＰＡ蒸気を
発生させるＩＰＡ蒸気発生部と、第２チャンバ４０内で
ＩＰＡを蒸気を利用してウェーハを乾燥するウェーハ乾
燥部および供給ポンプ３１によって第１チャンバ２０か
ら第２チャンバ４０にＩＰＡ蒸気を供給するＩＰＡ蒸気
供給部３０を具備している。
【００３１】次に、構成をより具体的に説明する。ＩＰ
Ａ供給ライン２２を通して第１チャンバ２０内に供給さ
れたＩＰＡ２１の溶液は第１チャンバ２０の底部に設置
された加熱部としてのヒータ２３によって加熱されてＩ
ＰＡ蒸気に変わる。第１チャンバ２０内のＩＰＡ蒸気圧
が一定以上に超過すると、圧力ゲージ２５が作動し、第
１チャンバ２０内での適正なＩＰＡ蒸気圧が維持される
まで自動的にＩＰＡ蒸気を第１チャンバ２０の外部に排
出させる。また、冷却ライン２４はＩＰＡ蒸気を冷却す
るためのものであり、第１チャンバ２０内で発生したＩ
ＰＡ蒸気が昇圧されて第１チャンバ２０の外部に漏洩さ
れるのを防止するために設けられたものである。
Ａ供給ライン２２を通して第１チャンバ２０内に供給さ
れたＩＰＡ２１の溶液は第１チャンバ２０の底部に設置
された加熱部としてのヒータ２３によって加熱されてＩ
ＰＡ蒸気に変わる。第１チャンバ２０内のＩＰＡ蒸気圧
が一定以上に超過すると、圧力ゲージ２５が作動し、第
１チャンバ２０内での適正なＩＰＡ蒸気圧が維持される
まで自動的にＩＰＡ蒸気を第１チャンバ２０の外部に排
出させる。また、冷却ライン２４はＩＰＡ蒸気を冷却す
るためのものであり、第１チャンバ２０内で発生したＩ
ＰＡ蒸気が昇圧されて第１チャンバ２０の外部に漏洩さ
れるのを防止するために設けられたものである。
【００３２】第１チャンバ２０内に適正圧のＩＰＡ蒸気
が生成されると、供給バルブ３２をオープンさせながら
供給ポンプ３１を作動させる。供給バルブ３２と供給ポ
ンプ３１とにより、ＩＰＡ供給部３０を構成している。
このＩＰＡ蒸気の供給の際、第１チャンバ２０内のＩＰ
Ａ蒸気は、ＩＰＡ供給部３０を通して第２チャンバ４０
内に供給される。第２チャンバ４０内では、流入された
ＩＰＡ蒸気によって、キャリア４４に収納されたウェー
ハ４５の乾燥工程が実行される。
が生成されると、供給バルブ３２をオープンさせながら
供給ポンプ３１を作動させる。供給バルブ３２と供給ポ
ンプ３１とにより、ＩＰＡ供給部３０を構成している。
このＩＰＡ蒸気の供給の際、第１チャンバ２０内のＩＰ
Ａ蒸気は、ＩＰＡ供給部３０を通して第２チャンバ４０
内に供給される。第２チャンバ４０内では、流入された
ＩＰＡ蒸気によって、キャリア４４に収納されたウェー
ハ４５の乾燥工程が実行される。
【００３３】第２チャンバ４０内にＩＰＡ蒸気が供給さ
れる前に、実質的には排出用バルブ５１をオープンさせ
るとき作動される減圧ポンプ５２によって第２チャンバ
４０の内部圧力が７２０ｍｍＨｇまで減圧される。この
ように、第２チャンバ４０内の圧力が一定の圧力まで減
圧された状態でＩＰＡ蒸気が第１チャンバ２０から第２
チャンバ４０内に迅速に供給される。
れる前に、実質的には排出用バルブ５１をオープンさせ
るとき作動される減圧ポンプ５２によって第２チャンバ
４０の内部圧力が７２０ｍｍＨｇまで減圧される。この
ように、第２チャンバ４０内の圧力が一定の圧力まで減
圧された状態でＩＰＡ蒸気が第１チャンバ２０から第２
チャンバ４０内に迅速に供給される。
【００３４】なお、第２チャンバ４０の外壁内部には、
熱線４２が設置されていて、第２チャンバ４０の温度を
ウェーハ４５の蒸発領域の温度とほぼ一致するように維
持する。
熱線４２が設置されていて、第２チャンバ４０の温度を
ウェーハ４５の蒸発領域の温度とほぼ一致するように維
持する。
【００３５】また、第２チャンバ４０の内部圧力が一定
圧力に到達すると、供給バルブ３２を閉めてＩＰＡ蒸気
の第２チャンバ４０への供給を遮断させて、一定の温度
が維持される蒸発領域でウェーハ４５の乾燥工程が一定
時間の間、実行される。
圧力に到達すると、供給バルブ３２を閉めてＩＰＡ蒸気
の第２チャンバ４０への供給を遮断させて、一定の温度
が維持される蒸発領域でウェーハ４５の乾燥工程が一定
時間の間、実行される。
【００３６】一方、第２チャンバ４０内でのウェーハ乾
燥が完了されると、Ｎ2 供給バルブ５３を調節してＮ2
ガスを第２チャンバ４０内に流入させながら、内部にあ
るＩＰＡ蒸気と副産物とを外部の収集タンク（不図示）
に排出させる。
燥が完了されると、Ｎ2 供給バルブ５３を調節してＮ2
ガスを第２チャンバ４０内に流入させながら、内部にあ
るＩＰＡ蒸気と副産物とを外部の収集タンク（不図示）
に排出させる。
【００３７】ＩＰＡ蒸気および副産物の外部排出は減圧
ポンプ５２の作動により実行される。この一実施の形態
で上記のＮ2 の供給温度は約２４〜６０°Ｃ範囲内で外
部手段によって設定できる。減圧ポンプ５２によって第
２チャンバ４０内のＩＰＡ蒸気を排出させる際、第２チ
ャンバ４０内のＩＰＡ濃度の検出センサ６３の検出作動
によって第２チャンバ４０内のＩＰＡ成分が完全に排出
されるまで上記のＮ2 ガスの注入動作が続行される。こ
のように、ウェーハ４５の乾燥工程が完了すると、第２
チャンバ４０のふた４１が開いてウェーハ４５が収納さ
れたキャリア４４がロボット・システムによって上部に
返送されたのち、再びふた４１が閉じることになる。
ポンプ５２の作動により実行される。この一実施の形態
で上記のＮ2 の供給温度は約２４〜６０°Ｃ範囲内で外
部手段によって設定できる。減圧ポンプ５２によって第
２チャンバ４０内のＩＰＡ蒸気を排出させる際、第２チ
ャンバ４０内のＩＰＡ濃度の検出センサ６３の検出作動
によって第２チャンバ４０内のＩＰＡ成分が完全に排出
されるまで上記のＮ2 ガスの注入動作が続行される。こ
のように、ウェーハ４５の乾燥工程が完了すると、第２
チャンバ４０のふた４１が開いてウェーハ４５が収納さ
れたキャリア４４がロボット・システムによって上部に
返送されたのち、再びふた４１が閉じることになる。
【００３８】また、第２チャンバ４０には、圧力ゲージ
６１と温度センサ６２とがそれぞれ設けられている。圧
力ゲージ６１は第２チャンバ４０内に注入されたＩＰＡ
蒸気の圧力が一定圧以上に超過する場合、外部にＩＰＡ
蒸気を排出させるために設けられたものであり、温度検
出センサ６２は第２チャンバ４０内の温度を検出するた
めに設けられたものである。さらに、排出用バルブ７１
は第２チャンバ４０内の底面に残ることのあるＩＰＡと
乾燥副産物を外部の収集タンクに排出さるために設けら
れている。
６１と温度センサ６２とがそれぞれ設けられている。圧
力ゲージ６１は第２チャンバ４０内に注入されたＩＰＡ
蒸気の圧力が一定圧以上に超過する場合、外部にＩＰＡ
蒸気を排出させるために設けられたものであり、温度検
出センサ６２は第２チャンバ４０内の温度を検出するた
めに設けられたものである。さらに、排出用バルブ７１
は第２チャンバ４０内の底面に残ることのあるＩＰＡと
乾燥副産物を外部の収集タンクに排出さるために設けら
れている。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明のウェーハ乾燥装
置によれば、第１チャンバ、第２チャンバの二つのチャ
ンバによってＩＰＡ蒸気発生工程とウェーハ乾燥工程と
を個別に実行させるようにしたので、一つのチャンバ内
でのＩＰＡ溶液供給ー加熱ーＩＰＡ蒸気発生ー乾燥ー凝
縮冷却をするという循環によって発生し得るパーチクル
の発生を完全に除去することができる。
置によれば、第１チャンバ、第２チャンバの二つのチャ
ンバによってＩＰＡ蒸気発生工程とウェーハ乾燥工程と
を個別に実行させるようにしたので、一つのチャンバ内
でのＩＰＡ溶液供給ー加熱ーＩＰＡ蒸気発生ー乾燥ー凝
縮冷却をするという循環によって発生し得るパーチクル
の発生を完全に除去することができる。
【００４０】また、ＩＰＡ蒸気発生工程と乾燥工程が別
々に実行されることから、第２チャンバでのウェーハの
乾燥工程が温度変化なしに実行でき、ウェーハに様々な
形態の欠陥を誘発させる従来の課題を防止できる。した
がって、良好なウェーハの乾燥により半導体装置の製造
の歩留まりを向上させることができる。
々に実行されることから、第２チャンバでのウェーハの
乾燥工程が温度変化なしに実行でき、ウェーハに様々な
形態の欠陥を誘発させる従来の課題を防止できる。した
がって、良好なウェーハの乾燥により半導体装置の製造
の歩留まりを向上させることができる。
【図１】本発明のウェーハ乾燥装置の一実施の形態の構
成を示す断面図。
成を示す断面図。
【図２】従来のウェーハ乾燥装置の構成を示す断面図。
２０ 第１チャンバ ２１ ＩＰＡ ２２ ＩＰＡ供給ライン ２３ ヒータ ２４ 冷却ライン ２５，６１ 圧力ゲージ ３０ ＩＰＡ供給部 ３１ 供給ポンプ ３２ 供給バルブ ４０ 第２チャンバ ４４ キャリア ４５ ウェーハ ５０ 減圧／排出手段 ５１ 排出用バルブ ５２ 減圧ポンプ ５３ Ｎ2 供給バルブ
Claims (6)
- 【請求項１】 イソプロピル・アルコ−ル（ＩＰＡ）蒸
気を利用するウェーハ乾燥装置において、 前記ＩＰＡ蒸気を発生する第１チャンバを具備したＩＰ
Ａ蒸気発生手段と、 前記ＩＰＡ蒸気発生手段にＩＰＡ供給ラインを通して連
結され、前記ＩＰＡ蒸気の供給を受けてウェーハを乾燥
する第２チャンバを具備したウェーハ乾燥手段と、を具
備したことを特徴とするウェーハ乾燥装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェーハ乾燥装置におい
て、 前記ＩＰＡ蒸気発生手段は、 前記第１チャンバの底部に設置され、前記第１チャンバ
内に供給ラインを通して注入されたＩＰＡ溶液を加熱し
てＩＰＡ蒸気を発生させる加熱部と、 前記第１チャンバ内のＩＰＡ蒸気圧が一定の圧力以上の
場合、ＩＰＡ蒸気圧を自動的に排出させる圧力ゲージ
と、を含むことを特徴とするウェーハ乾燥装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のウェーハ乾燥装置におい
て、 前記ウェーハ乾燥手段は、 前記第２チャンバに設置され、ＩＰＡ蒸気の流入の前に
前記第２チャンバ内の圧力を所定の圧力以下に減圧させ
るとともに、ウェーハの乾燥完了後に窒素（Ｎ2 ）ガス
を流入させながら前記第２チャンバ内のＩＰＡ蒸気を排
出させる減圧／排出手段と、を含むことを特徴とするウ
ェーハ乾燥装置。 - 【請求項４】 請求項１記載のウェーハ乾燥装置におい
て、 前記第１チャンバは、 ＩＰＡ蒸気を凝縮させて外部に漏洩されないように上部
に設置された冷却ラインを含むことを特徴とするウェー
ハ乾燥装置。 - 【請求項５】 請求項３記載のウェーハ乾燥装置におい
て、 前記ウェーハ乾燥手段は、 前記第２チャンバ内にＩＰＡ濃度を検出するセンサを含
み、前記センサによってＩＰＡ成分が検出されなくなる
まで前記減圧／排出手段で引き続いてＩＰＡ蒸気を排出
させることを特徴とするウェーハ乾燥装置。 - 【請求項６】 請求項３記載のウェーハ乾燥装置におい
て、 前記減圧／排出手段は、 排出用バルブと、 この排出用バルブの開閉により作動する減圧ポンプと、
を含むことを特徴とするウェーハ乾燥装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046458A KR100189779B1 (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 웨이퍼의 건조장치 |
| KR1995P-46458 | 1995-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190997A true JPH09190997A (ja) | 1997-07-22 |
| JP3715052B2 JP3715052B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=19437618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32188896A Expired - Fee Related JP3715052B2 (ja) | 1995-12-04 | 1996-12-02 | ウェーハ乾燥装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5855077A (ja) |
| JP (1) | JP3715052B2 (ja) |
| KR (1) | KR100189779B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008306097A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US7650776B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-01-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| CN111578680A (zh) * | 2019-02-15 | 2020-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种晶圆的干燥方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774870A (en) * | 1995-12-14 | 1998-06-30 | Netcentives, Inc. | Fully integrated, on-line interactive frequency and award redemption program |
| JP3194036B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理装置及び乾燥処理方法 |
| US6128830A (en) * | 1999-05-15 | 2000-10-10 | Dean Bettcher | Apparatus and method for drying solid articles |
| US6151794A (en) * | 1999-06-02 | 2000-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for heat treating an object |
| US6289605B1 (en) * | 2000-02-18 | 2001-09-18 | Macronix International Co. Ltd. | Method for drying a semiconductor wafer |
| US7865414B2 (en) * | 2000-03-01 | 2011-01-04 | Passgate Corporation | Method, system and computer readable medium for web site account and e-commerce management from a central location |
| KR20020054397A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 고미야 히로요시 | 반도체 기판의 건조 장치, 건조 방법 및 반도체 장치 |
| US20020188511A1 (en) * | 2001-05-14 | 2002-12-12 | Trilegiant Loyalty Solutions | Interactive online point redemption system |
| KR100456527B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2004-11-09 | 삼성전자주식회사 | 마란고니 효과를 증대시키기 위한 건조 장비 및 건조 방법 |
| KR100454241B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-10-26 | 한국디엔에스 주식회사 | 웨이퍼 건조 장비 |
| US6658764B2 (en) * | 2002-05-10 | 2003-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Apparatus and method for preventing droplets on wafers during solvent drying process |
| KR100464853B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 순간감압가열 건조방법 및 장치 |
| US6918192B2 (en) * | 2002-11-07 | 2005-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Substrate drying system |
| KR100504613B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2005-08-03 | (주)케이.씨.텍 | 이소프로필 알콜 공급 방법 및 장치 |
| US7836900B2 (en) * | 2004-04-02 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, recording medium and software |
| KR100634376B1 (ko) | 2004-07-07 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조 장치 |
| US7637029B2 (en) * | 2005-07-08 | 2009-12-29 | Tokyo Electron Limited | Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method |
| US7479460B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
| KR20080034351A (ko) * | 2006-10-16 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치용 기판의 건조 장치 및 방법 |
| KR100783731B1 (ko) | 2006-12-18 | 2007-12-07 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 건조장비의 이소프로필알코올 공급장치 |
| KR100789886B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2007-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 장치 및 방법 |
| KR100854930B1 (ko) * | 2007-03-09 | 2008-08-29 | 주식회사 케이씨텍 | 건조장치 및 건조방법 |
| US8945281B1 (en) | 2014-01-30 | 2015-02-03 | Msp Corporation | Method and apparatus for vapor generation and wafer cleaning |
| CN106016977B (zh) * | 2016-05-20 | 2018-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 干燥装置 |
| US10821466B2 (en) * | 2017-07-06 | 2020-11-03 | Nordson Corporation | Systems and methods for solvent extraction |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4977688A (en) * | 1989-10-27 | 1990-12-18 | Semifab Incorporated | Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol |
| JP2752001B2 (ja) * | 1990-10-19 | 1998-05-18 | 株式会社日立製作所 | 蒸気乾燥装置 |
| US5351419A (en) * | 1992-07-27 | 1994-10-04 | Motorola, Inc. | Method for vapor drying |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046458A patent/KR100189779B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-02 JP JP32188896A patent/JP3715052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-04 US US08/759,566 patent/US5855077A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7650776B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-01-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2008306097A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN111578680A (zh) * | 2019-02-15 | 2020-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种晶圆的干燥方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5855077A (en) | 1999-01-05 |
| KR970052624A (ko) | 1997-07-29 |
| KR100189779B1 (ko) | 1999-06-01 |
| JP3715052B2 (ja) | 2005-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09190997A (ja) | ウェーハ乾燥装置 | |
| US5520744A (en) | Device for rinsing and drying substrate | |
| KR100335322B1 (ko) | 반도체웨이퍼등의처리방법및그처리장치 | |
| US5368649A (en) | Washing and drying method | |
| WO1992012533A1 (en) | Improved drying apparatus | |
| US6757989B2 (en) | Wafer drying apparatus | |
| KR200160545Y1 (ko) | 알콜 증기건조기 | |
| JP2003224102A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH06163508A (ja) | 基板の乾燥方法および装置 | |
| JP3676756B2 (ja) | 基板の洗浄・乾燥処理装置 | |
| JP4053976B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| KR980011979A (ko) | 웨이퍼 세정/건조 장치 및 방법 | |
| JPS61152020A (ja) | 処理装置 | |
| JP3544326B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| US6425191B1 (en) | Apparatus and method for reducing solvent residue in a solvent-type dryer for semiconductor wafers | |
| KR940008366B1 (ko) | 웨이퍼 세정/건조방법 및 장비 | |
| JPH0714820A (ja) | 乾燥機 | |
| JP2006041372A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH04354128A (ja) | 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置 | |
| KR100697266B1 (ko) | 이송 로봇의 척 세정장치 | |
| JPS6297337A (ja) | 乾燥装置 | |
| JPS63249146A (ja) | マスク洗浄装置 | |
| JP2002350049A (ja) | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 | |
| JP3205986B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100449273B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050802 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050824 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |