JPH03143221A - 過電流検出回路 - Google Patents
過電流検出回路Info
- Publication number
- JPH03143221A JPH03143221A JP27727689A JP27727689A JPH03143221A JP H03143221 A JPH03143221 A JP H03143221A JP 27727689 A JP27727689 A JP 27727689A JP 27727689 A JP27727689 A JP 27727689A JP H03143221 A JPH03143221 A JP H03143221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- current mirror
- potential
- current
- mirror element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は過電流検出回路に関するもので、特に保護機
能等を１チツプに集積したスマートパワーＩＣ等に有効
な過電流検出回路に関する。
能等を１チツプに集積したスマートパワーＩＣ等に有効
な過電流検出回路に関する。
第２図にモトローラ社のＲａｎｄａｌｌ らによる従来
技術（Ｒａｎｄａｌｌ、ｅｔ ａｌ、、Ｅｌｅｃｔｒｏ
、Ｍｉｎｉ／Ｍｉｃｒ。
技術（Ｒａｎｄａｌｌ、ｅｔ ａｌ、、Ｅｌｅｃｔｒｏ
、Ｍｉｎｉ／Ｍｉｃｒ。
Ｎｏｒｔｈｅａｓｔ Ｃｏｎｆ、Ｒｅｃ、、 １３１５
（１９８１ｉ））の例を示す。
（１９８１ｉ））の例を示す。
ＮチャネルＭＯ５ＦＥＴからなる出力素子１のドレイン
１１は電源に、ソース１２は負荷３に、ゲート１３はド
ライブ回路７につながっており、制御回路６の信号によ
りドライブ回路７が出力素子１のゲート１３をバイアス
し、オンオフを制御する。
１１は電源に、ソース１２は負荷３に、ゲート１３はド
ライブ回路７につながっており、制御回路６の信号によ
りドライブ回路７が出力素子１のゲート１３をバイアス
し、オンオフを制御する。
カレントミラー素子２はゲート２３とドレイン２１が出
力素子１と並列につながれ、ソース２２は検出抵抗４０
につながり、検出抵抗４０の他端は出力素子１のソース
１２に接続されている。
力素子１と並列につながれ、ソース２２は検出抵抗４０
につながり、検出抵抗４０の他端は出力素子１のソース
１２に接続されている。
この構成において、出力素子１とカレントミラー素子２
のセル数やチャネル幅の比を、例えばｎ：ｌとしたとき
、出力素子１のオン時の抵抗Ｒ０ｎはカレントくラー素
子２の抵抗Ｒ６ｎ２の１／ｎとなっている。したがって
検出抵抗４０（抵抗値をＲ９とする）の両端には、理想
的には で表される主電流■１に比例する電圧ｖ３が発生ずるの
で、これを比較器５により検知し、制御回路６に入力す
る過電流検知の信号とする。
のセル数やチャネル幅の比を、例えばｎ：ｌとしたとき
、出力素子１のオン時の抵抗Ｒ０ｎはカレントくラー素
子２の抵抗Ｒ６ｎ２の１／ｎとなっている。したがって
検出抵抗４０（抵抗値をＲ９とする）の両端には、理想
的には で表される主電流■１に比例する電圧ｖ３が発生ずるの
で、これを比較器５により検知し、制御回路６に入力す
る過電流検知の信号とする。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来技術の場合、電圧ｖｓは理想的には■式で表さ
れるが、ＲＯｎ２に対してＲｓが十分に小さくないと、
カレントミラー素子２のソース２２の電位が出力素子１
のソース１２の電位からずれて来てしまうので、これを
さけるため、Ｒ５の値が非常に小さい値に制限されてし
まう。したがってＲ，の値が小さいということは検出電
圧ＶＳの値も非常に小さい値となるので、比較器５によ
る正確な検出が難しくなり、結果として過電流検出の電
流値が大きくばらつくことになるという欠点があった。
れるが、ＲＯｎ２に対してＲｓが十分に小さくないと、
カレントミラー素子２のソース２２の電位が出力素子１
のソース１２の電位からずれて来てしまうので、これを
さけるため、Ｒ５の値が非常に小さい値に制限されてし
まう。したがってＲ，の値が小さいということは検出電
圧ＶＳの値も非常に小さい値となるので、比較器５によ
る正確な検出が難しくなり、結果として過電流検出の電
流値が大きくばらつくことになるという欠点があった。
本発明の目的は以」二のような問題を解決した過電流検
出回路を提供することにある。
出回路を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明は出力素子のカレント
ミラー素子を備えた半導体装置において、カレントミラ
ー素子に定電流を流すための定電流源と、前記出力素子
の出力端子の電位と前記カレントミラー素子の出力端子
の電位とを比較することによって前記出力素子の過電流
状態を検出する手段とを具える。
ミラー素子を備えた半導体装置において、カレントミラ
ー素子に定電流を流すための定電流源と、前記出力素子
の出力端子の電位と前記カレントミラー素子の出力端子
の電位とを比較することによって前記出力素子の過電流
状態を検出する手段とを具える。
（作 用）
本発明によれば、上記構成によって、出力素子の出力端
子の電位とカレントミラー素子の出力端子の電位とが比
較され、きわめて高精度な過電流検出が行なわれる。
子の電位とカレントミラー素子の出力端子の電位とが比
較され、きわめて高精度な過電流検出が行なわれる。
（実施例）
第１図は本発明実施例を示す。
第１図に示すように、カレントミラー素子２のソース２
２にＮチャンネルデプレッション型ＭＯ５ＦＥＴからな
る定電流源４を直列に接続し、出力素子１のソース１２
の電位とカレントミラー素子２のソース２２の電位とを
比較器５により比較することによって過電流検出を行な
う。他の構成は第２図と同様である。
２にＮチャンネルデプレッション型ＭＯ５ＦＥＴからな
る定電流源４を直列に接続し、出力素子１のソース１２
の電位とカレントミラー素子２のソース２２の電位とを
比較器５により比較することによって過電流検出を行な
う。他の構成は第２図と同様である。
上記構成においては、出力素子１とカレントミラー素子
２のセル数の比をｎ：１とした場合、例えば主電流１１
＝ＩＩＭＡＸで過電流検出を行なうには定電流源４の電
流値Ｉ２を Ｉ２＝ＩＩＭＡＸ／ｎ に設定しておくだけで良い。
２のセル数の比をｎ：１とした場合、例えば主電流１１
＝ＩＩＭＡＸで過電流検出を行なうには定電流源４の電
流値Ｉ２を Ｉ２＝ＩＩＭＡＸ／ｎ に設定しておくだけで良い。
負荷３の正常時は出力素子１のソースの電位はカレント
ミラー素子２のソースの電位よりも常に高くなっている
が、負荷３に異常が発生し、主電流■１が大きくなって
くると、出力素子１のソース電位はしだいに低下して、
ＩＩ”ＩＩＭＡＸのときカレントよラー素子２のソース
の電位と等しくなり、さらに電流が増えようとすると、
比較器４がこれを検出し、過電流検出の信号を発生する
。
ミラー素子２のソースの電位よりも常に高くなっている
が、負荷３に異常が発生し、主電流■１が大きくなって
くると、出力素子１のソース電位はしだいに低下して、
ＩＩ”ＩＩＭＡＸのときカレントよラー素子２のソース
の電位と等しくなり、さらに電流が増えようとすると、
比較器４がこれを検出し、過電流検出の信号を発生する
。
例えば、本発明を８０Ｖ−３Ａのスマートパワーハイサ
イドスイッチに適用した結果、過電流検出の検出電流値
のばらつきを従来型の回路の場合と比較して約１７３に
まで小さくすることができた。
イドスイッチに適用した結果、過電流検出の検出電流値
のばらつきを従来型の回路の場合と比較して約１７３に
まで小さくすることができた。
〔発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、きわめて高精度に
過電流を検出することができる。
過電流を検出することができる。
第１図は本発明の実施例を示す回路図、第２図は従来の
過電流検出回路図である。
過電流検出回路図である。
Claims (1)
- 出力素子のカレントミラー素子を備えた半導体装置にお
いて、カレントミラー素子に定電流を流すための定電流
源と、前記出力素子の出力端子の電位と前記カレントミ
ラー素子の出力端子の電位とを比較することによって前
記出力素子の過電流状態を検出する手段とを具えたこと
を特徴とする過電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277276A JP3011727B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 過電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277276A JP3011727B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 過電流検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03143221A true JPH03143221A (ja) | 1991-06-18 |
| JP3011727B2 JP3011727B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17581272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277276A Expired - Lifetime JP3011727B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 過電流検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011727B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422593A (en) * | 1992-05-12 | 1995-06-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current-limiting circuit |
| US5903422A (en) * | 1996-06-21 | 1999-05-11 | Nec Corporation | Overcurrent sensing circuit for power MOS field effect transistor |
| US6369556B2 (en) | 2000-02-02 | 2002-04-09 | Yazaki Corporation | Power supply control device and method |
| WO2005112217A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Rohm Co., Ltd | 過電流検出回路及びこれを有する電源装置 |
| JP2006173720A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toshiba Microelectronics Corp | 過電流検出装置 |
| US7180330B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Output circuit |
| JP2008117254A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Nec Electronics Corp | 電源電圧回路 |
| JP2009130660A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Rohm Co Ltd | 短絡検出回路 |
| US8004256B2 (en) | 2009-03-31 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Current limiting circuit |
| JP2013083471A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
| JP2018014577A (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | 新日本無線株式会社 | 負荷電流検出回路 |
| US10903831B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN113300426A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-08-24 | 珠海迈巨微电子有限责任公司 | 功率器件、电池管理系统及检测电路 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58146111A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 定電流回路 |
| JPS62165413A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | カレントミラ−回路 |
| JPS6315127U (ja) * | 1986-07-11 | 1988-02-01 | ||
| JPS63316113A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 定電圧回路 |
| JPH01193909A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体素子の状態検出及び保護回路とそれを用いたインバータ回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4553084A (en) | 1984-04-02 | 1985-11-12 | Motorola, Inc. | Current sensing circuit |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1277276A patent/JP3011727B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58146111A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 定電流回路 |
| JPS62165413A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | カレントミラ−回路 |
| JPS6315127U (ja) * | 1986-07-11 | 1988-02-01 | ||
| JPS63316113A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 定電圧回路 |
| JPH01193909A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体素子の状態検出及び保護回路とそれを用いたインバータ回路 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422593A (en) * | 1992-05-12 | 1995-06-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current-limiting circuit |
| US5903422A (en) * | 1996-06-21 | 1999-05-11 | Nec Corporation | Overcurrent sensing circuit for power MOS field effect transistor |
| US6369556B2 (en) | 2000-02-02 | 2002-04-09 | Yazaki Corporation | Power supply control device and method |
| US7180330B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Output circuit |
| WO2005112217A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Rohm Co., Ltd | 過電流検出回路及びこれを有する電源装置 |
| JP2006173720A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toshiba Microelectronics Corp | 過電流検出装置 |
| JP2008117254A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Nec Electronics Corp | 電源電圧回路 |
| JP2009130660A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Rohm Co Ltd | 短絡検出回路 |
| US8004256B2 (en) | 2009-03-31 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Current limiting circuit |
| JP2013083471A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
| JP2018014577A (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | 新日本無線株式会社 | 負荷電流検出回路 |
| US10903831B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN113300426A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-08-24 | 珠海迈巨微电子有限责任公司 | 功率器件、电池管理系统及检测电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3011727B2 (ja) | 2000-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930010102B1 (ko) | 전류 검출 기능 부착 트랜지스터 | |
| JPH04134271A (ja) | 出力回路 | |
| JPH03143221A (ja) | 過電流検出回路 | |
| JPH07113861B2 (ja) | 半導体素子の状態検出及び保護回路とそれを用いたインバータ回路 | |
| US5561391A (en) | Clamp circuit and method for detecting an activation of same | |
| US5973551A (en) | Abnormal current detection circuit and load drive circuit including the same | |
| JPH02233007A (ja) | Ｍｏｓトランジスタの電流を検出する装置及び方法 | |
| EP0357366B1 (en) | Improved current mirror circuit | |
| JP2643813B2 (ja) | 安定化電源回路 | |
| EP0789458A1 (en) | Circuit with overload current protection for power transistors | |
| JPH0743399B2 (ja) | 半導体回路 | |
| JP3515695B2 (ja) | 誘導負荷の電流をスイッチング制御するための回路装置 | |
| JPH02278915A (ja) | 電力用ｍｏｓｆｅｔの保護回路 | |
| US4706159A (en) | Multiple power supply overcurrent protection circuit | |
| CA1196953A (en) | Full wave rectifier having an operational amplifier | |
| JP2679582B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3532694B2 (ja) | 電力用半導体要素の温度検出用回路装置 | |
| JPH05241671A (ja) | 基準電圧発生装置および過電流防止機能付半導体装置 | |
| JPH02260712A (ja) | スイッチ回路 | |
| JPS615324A (ja) | 電源回路 | |
| JPH01257270A (ja) | 半導体素子の電流検出回路 | |
| JPH04326768A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03117017A (ja) | トランジスタ出力回路 | |
| JP2611631B2 (ja) | ピークホールド回路 | |
| JP3482455B2 (ja) | ゲート駆動型半導体デバイスのためのゲート電荷回復用回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |