JPH03145193A - 混成集積回路装置の製造方法 - Google Patents
混成集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03145193A JPH03145193A JP1283597A JP28359789A JPH03145193A JP H03145193 A JPH03145193 A JP H03145193A JP 1283597 A JP1283597 A JP 1283597A JP 28359789 A JP28359789 A JP 28359789A JP H03145193 A JPH03145193 A JP H03145193A
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- Japan
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- circuit device
- integrated circuit
- parts
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一般的な半田付方法（フロー、リフロー半田ゴ
テ付ｖｐｓ法）等、どの様な方法でも面実装可能な混成
集積回路装置の製造方法に関するものである〇 従来の技術 近年、混成集積回路の需要は年々増加の一途をたどり、
ビデオ、０ム等さ！ざまの分野に利用されている。
テ付ｖｐｓ法）等、どの様な方法でも面実装可能な混成
集積回路装置の製造方法に関するものである〇 従来の技術 近年、混成集積回路の需要は年々増加の一途をたどり、
ビデオ、０ム等さ！ざまの分野に利用されている。
以下図面を用いて従来の製造方法による混成集積回路装
置について説明する。
置について説明する。
第４図は従来の混成集積回路装置の標準的な構造を示す
。すなわち、１１はＳＯタイプ半導体ＩＣ１１２はミニ
モールドトランジスタあるいはダイオード、１３はチッ
プコンデンサ、１４はセラミック材等で成る基板、１６
はリード線、１６は共晶点ハンダ、１７はモールド樹脂
である。
。すなわち、１１はＳＯタイプ半導体ＩＣ１１２はミニ
モールドトランジスタあるいはダイオード、１３はチッ
プコンデンサ、１４はセラミック材等で成る基板、１６
はリード線、１６は共晶点ハンダ、１７はモールド樹脂
である。
発明が解決しようとする課題
前記の様な混成集積回路装置を用い電子回路装置を作る
時、まずこのようなＳＩＰタイプの混成集積回路装置は
マザーボードに挿入され、マザーボードの裏側で、リー
ド線１５が７０−半田付される。
時、まずこのようなＳＩＰタイプの混成集積回路装置は
マザーボードに挿入され、マザーボードの裏側で、リー
ド線１５が７０−半田付される。
この混成集積回路装置の共晶点ハンダ１６は共晶点温度
１８３℃を超えないので特に問題はない。
１８３℃を超えないので特に問題はない。
しかし上記のような各種電子部品およびリード線１６を
共晶点半田（１８３℃）で基板と接続している構造では
、リード形状をＤＩＰ型、ＳＯ型またはＱＦＰ型にした
場合に面実装部品として使用することはできない。
共晶点半田（１８３℃）で基板と接続している構造では
、リード形状をＤＩＰ型、ＳＯ型またはＱＦＰ型にした
場合に面実装部品として使用することはできない。
なぜならば、たとえば上記部品をリフローで半田付する
場合を考えると、リフロー中にその温度により混成集積
回路装置の内部の共晶半田が再溶融し、損傷するのであ
る。
場合を考えると、リフロー中にその温度により混成集積
回路装置の内部の共晶半田が再溶融し、損傷するのであ
る。
本発明は上記欠点に鑑み、各種電子部品およびリード線
の半田付に高温半田（例えば融点が２６０℃以上のもの
）を使用した混成集積・回路装置の製造方法を提供しリ
ード形状をＳＯタイプに加工することによって面実装可
能な混成集積回路装置を実現することを目的とする。
の半田付に高温半田（例えば融点が２６０℃以上のもの
）を使用した混成集積・回路装置の製造方法を提供しリ
ード形状をＳＯタイプに加工することによって面実装可
能な混成集積回路装置を実現することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明は基板上の所定の位
置に高温ハンダをのせ、所定の位置に各種電子部品を配
置し、ハンダ付すべき箇所にスリットを有する遮蔽板を
介して高温ハンダにレーザ筺たは光ビームを照射して電
子部品を基板上に接続するものである。
置に高温ハンダをのせ、所定の位置に各種電子部品を配
置し、ハンダ付すべき箇所にスリットを有する遮蔽板を
介して高温ハンダにレーザ筺たは光ビームを照射して電
子部品を基板上に接続するものである。
作用
本発明によれば、リード形状をＤ Ｉ Ｐａ、ＳＯ型、
またはＱＦＰ型にした場合にも、フロー、リフロー、ｖ
ｐｓ、半田ゴテ付をはじめあらゆる半田付方法によって
面実装することができる。なぜなら、スリットを有する
遮蔽板を用いて半田付するため、半田付時の熱で電子部
品やリード線を損傷することなく面実装することができ
るからである０ 実施例 以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。
またはＱＦＰ型にした場合にも、フロー、リフロー、ｖ
ｐｓ、半田ゴテ付をはじめあらゆる半田付方法によって
面実装することができる。なぜなら、スリットを有する
遮蔽板を用いて半田付するため、半田付時の熱で電子部
品やリード線を損傷することなく面実装することができ
るからである０ 実施例 以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。
第１図ａ、ｂ、ｃは本発明の実施例により製造される混
成集積回路装置の構造を示すものである。
成集積回路装置の構造を示すものである。
第１図ａ、ｂ、ｃにおいて１はＳＯタイプ半導体ＩＣ，
２はミニモールド型トランジスタまたはダイオード、３
はチップコンデンサ、４は面に印刷・焼成等により抵抗
・コンデンサ・接続用パターンを設けたアルミナ材等で
戊る基板、６はリード線、６は前記の各種部品やリード
線を接続用パターンに接続させる半田（高温半田）、ア
は外装用のモールド樹脂である。
２はミニモールド型トランジスタまたはダイオード、３
はチップコンデンサ、４は面に印刷・焼成等により抵抗
・コンデンサ・接続用パターンを設けたアルミナ材等で
戊る基板、６はリード線、６は前記の各種部品やリード
線を接続用パターンに接続させる半田（高温半田）、ア
は外装用のモールド樹脂である。
以上のように構成された混成集積回路装置の製造方法に
おいて、本発明の特徴である各種部品と基板電極を高温
半田で接続する方法について説明すると、第２図Ｃ９第
３図ａのように基板２４上にクリーム半田２６を印刷方
法等によう塗布する。
おいて、本発明の特徴である各種部品と基板電極を高温
半田で接続する方法について説明すると、第２図Ｃ９第
３図ａのように基板２４上にクリーム半田２６を印刷方
法等によう塗布する。
次に第２図す、第３図すに示すようにクリーム半田２６
印刷された基板２４上の所定の位置に所定の各種部品２
１．２３をマウントする。次に第２図Ｃ９第３図Ｃに示
すようにマウントされた基板２４を所定の治具にセット
し、各種部品２１゜２３の端子部あるいはハンダ付はラ
ンド部付近に所定の穴の設けられた遮蔽板２８を所定の
位置にセットし、上方からレーザー光を照射して半田を
溶融させ、各種部品２１．２３を基板２４上の接続用パ
ターンに半田付をする。
印刷された基板２４上の所定の位置に所定の各種部品２
１．２３をマウントする。次に第２図Ｃ９第３図Ｃに示
すようにマウントされた基板２４を所定の治具にセット
し、各種部品２１゜２３の端子部あるいはハンダ付はラ
ンド部付近に所定の穴の設けられた遮蔽板２８を所定の
位置にセットし、上方からレーザー光を照射して半田を
溶融させ、各種部品２１．２３を基板２４上の接続用パ
ターンに半田付をする。
この時、レーザー（例えばＹＡＧレーザ−）に対する遮
蔽板は例えば銅製あるいはセラミック材製であり、また
レーザーの代わりに光ビームを用いる場合には例えばム
ｌ製の遮蔽板を用いる。
蔽板は例えば銅製あるいはセラミック材製であり、また
レーザーの代わりに光ビームを用いる場合には例えばム
ｌ製の遮蔽板を用いる。
前記のような遮蔽板を用いることにより、各種部品２１
．２３の端子部分の高温半田を溶融させた時、部品２１
．２３本体はそれより低い温度に保つことが可能となり
、部品２１．２３自体にはダメージを与えず、半田付す
ることができる０さらに第２図Ｃ９第３図ｄのように部
品２１゜２３実装された基板２４にさらにクリーム半田
２６を印刷方法等により塗布して、リード線２５を前記
と同様の方・法で取付ける。ただしリード付の場合、本
図では部品実装の反対面につけているが、これは部品実
装面でも同様に出来る。またリード付はレーザー、光ビ
ームの他に半田ゴテによる方法にて取付けてもよい。
．２３の端子部分の高温半田を溶融させた時、部品２１
．２３本体はそれより低い温度に保つことが可能となり
、部品２１．２３自体にはダメージを与えず、半田付す
ることができる０さらに第２図Ｃ９第３図ｄのように部
品２１゜２３実装された基板２４にさらにクリーム半田
２６を印刷方法等により塗布して、リード線２５を前記
と同様の方・法で取付ける。ただしリード付の場合、本
図では部品実装の反対面につけているが、これは部品実
装面でも同様に出来る。またリード付はレーザー、光ビ
ームの他に半田ゴテによる方法にて取付けてもよい。
そしてリード付後、第２図Ｃ９第３図０のようにモール
ド樹脂２７でモールドし、及び第２図ｆ。
ド樹脂２７でモールドし、及び第２図ｆ。
第３図ｆのようにリード加工を行う。
以上のように本実施例によれば、部品実装およびリード
付をレーザー、光ビームと遮蔽板とを使用して高温半田
（融点２６０℃以上）で実施することにより、またリー
ド加工を面実装型にすることにより、あらゆる半田付方
法（半田フロー、リフロー、半田ゴテ付、ｖｐｓ ）で
使用できる面実装混成集積回路装置を実現することがで
きる。
付をレーザー、光ビームと遮蔽板とを使用して高温半田
（融点２６０℃以上）で実施することにより、またリー
ド加工を面実装型にすることにより、あらゆる半田付方
法（半田フロー、リフロー、半田ゴテ付、ｖｐｓ ）で
使用できる面実装混成集積回路装置を実現することがで
きる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、各種部品、リード線等を
それらの本体を損傷することなく、確実に取付けること
ができ、その完成品をあらゆる半・田付方法（半田フロ
ー、リフロー、半田ゴテ付、ｖｐｓ ）で、面実装する
ことができる混成集積回路装置を実現することが可能と
なりその実用的効果は大なるものがある。
それらの本体を損傷することなく、確実に取付けること
ができ、その完成品をあらゆる半・田付方法（半田フロ
ー、リフロー、半田ゴテ付、ｖｐｓ ）で、面実装する
ことができる混成集積回路装置を実現することが可能と
なりその実用的効果は大なるものがある。
の構造図、第２図ａ−ｗｆ、第３図ロ −ｆ’は本発明
的な構造図である。
的な構造図である。
１・・・・・・ＳＯタイプ半導体ＩＣ１２・・・・・・
ミニモールド型トランジスタ、３・・・・・・チップコ
ンデンサ、４．２４・・・・・・基板、６，２６・・・
・・・リード線、６・・・・・・半田、７，２７・・・
・・・モールド樹脂、２１．２３・・・・・・部品、２
６・・・・・・クリーム半田、２８・山・・遮蔽板０
ミニモールド型トランジスタ、３・・・・・・チップコ
ンデンサ、４．２４・・・・・・基板、６，２６・・・
・・・リード線、６・・・・・・半田、７，２７・・・
・・・モールド樹脂、２１．２３・・・・・・部品、２
６・・・・・・クリーム半田、２８・山・・遮蔽板０
Claims (1)
- 基板上の所定の位置に高温ハンダをのせ、所定の位置に
各種電子部品を配置し、ハンダ付けすべき箇所にスリッ
トを有する遮蔽板を介して高温ハンダにレーザまたは光
ビームを照射して電子部品を基板上に接続する混成集積
回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283597A JPH03145193A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283597A JPH03145193A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145193A true JPH03145193A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17667565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1283597A Pending JPH03145193A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03145193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641174U (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | ミツミ電機株式会社 | はんだ付け装置 |
| JP2007201286A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | 表面実装モジュールの製造方法および表面実装モジュール |
| JP2010051989A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Sharp Corp | レーザ接合方法 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1283597A patent/JPH03145193A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641174U (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | ミツミ電機株式会社 | はんだ付け装置 |
| JP2007201286A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | 表面実装モジュールの製造方法および表面実装モジュール |
| JP2010051989A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Sharp Corp | レーザ接合方法 |
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