JPH03148111A - 半導体装置製造用現像装置 - Google Patents
半導体装置製造用現像装置Info
- Publication number
- JPH03148111A JPH03148111A JP1286292A JP28629289A JPH03148111A JP H03148111 A JPH03148111 A JP H03148111A JP 1286292 A JP1286292 A JP 1286292A JP 28629289 A JP28629289 A JP 28629289A JP H03148111 A JPH03148111 A JP H03148111A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor substrate
- chuck
- developer
- developing device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造用装置に関し、特にフォトレジ
ストパターニング工程に用いる現像装置に関する。
ストパターニング工程に用いる現像装置に関する。
従来、半導体装置製造に使用される現像装置に釦いては
、第３図に示すように半導体支持基体（以下チャックと
呼ぶ）３は、半導体基板ｌよりも小さい寸法のものを用
いていた。
、第３図に示すように半導体支持基体（以下チャックと
呼ぶ）３は、半導体基板ｌよりも小さい寸法のものを用
いていた。
従来、半導体装置製造にかけるフォトレジストパターニ
ングは、半導体基板表両にフォトレジスト膜を付着させ
、目金露光工程によってフォトマスクを介して焼き付は
転写してフォトマスクパターンを半導体基板上のフォト
レジスト膜へ焼キ付け、現像処理によって光の当たった
部分と光の当たらなかった部分とに分離してフォトレジ
ストパターンを形成する。この現像処理に使用されるチ
ャック３は半導体基板１よりも小さいため、半導体基板
ｌ上へ現像液を射出あるいは噴出させ低速回転で現像を
行なうと、第３図に示すように現像液９が半導体基板ｌ
の裏面に廻り込む状態がしばしば生じ、裏面に付着した
現像液の影響で後工程に釦いて半導体装置の歩留り、品
質の低下をもたらしていた。
ングは、半導体基板表両にフォトレジスト膜を付着させ
、目金露光工程によってフォトマスクを介して焼き付は
転写してフォトマスクパターンを半導体基板上のフォト
レジスト膜へ焼キ付け、現像処理によって光の当たった
部分と光の当たらなかった部分とに分離してフォトレジ
ストパターンを形成する。この現像処理に使用されるチ
ャック３は半導体基板１よりも小さいため、半導体基板
ｌ上へ現像液を射出あるいは噴出させ低速回転で現像を
行なうと、第３図に示すように現像液９が半導体基板ｌ
の裏面に廻り込む状態がしばしば生じ、裏面に付着した
現像液の影響で後工程に釦いて半導体装置の歩留り、品
質の低下をもたらしていた。
本発明の目的は、現像液が半導体基板の裏面に廻シ込む
のを防止することのできる現像装置を提供することにあ
る。
のを防止することのできる現像装置を提供することにあ
る。
本発明の現像装置はフォトマスクパターンを焼き付は転
写されたフォトレジスト膜を付着した半導体基板を真空
吸着し回転運動させるチャックと半導体基板上のフォト
レジスト膜にパターンを形成させるために現像液を射出
または噴出するノズルとを有する現像装置にかいて、チ
ャックを半導体基板よりも大きなものとしその周辺部に
半導体基板の厚みと同等またはそれ以上の段差を設はチ
ャ、り内で半導体基板を支持することを特徴とする。本
発明によれば裏面への現像液のまわシ込みを防止するこ
とができ、しかも半導体基板表面の全面に安定した現像
をすることができる。
写されたフォトレジスト膜を付着した半導体基板を真空
吸着し回転運動させるチャックと半導体基板上のフォト
レジスト膜にパターンを形成させるために現像液を射出
または噴出するノズルとを有する現像装置にかいて、チ
ャックを半導体基板よりも大きなものとしその周辺部に
半導体基板の厚みと同等またはそれ以上の段差を設はチ
ャ、り内で半導体基板を支持することを特徴とする。本
発明によれば裏面への現像液のまわシ込みを防止するこ
とができ、しかも半導体基板表面の全面に安定した現像
をすることができる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための現像装置の
断面図であり、第２図は第１図の現像装置のチャック部
に載せられた半導体基板の平面図である。この実施例の
現像装置は、半導体基板１の表面に付着されたフォトレ
ジスト膜（図示せず）にフォトマスクパターンの焼き付
は転写が完了した半導体基板ｌを真空吸着しかつパルス
モータ−２によって回転運動するチャ、り３と、排液口
４を付した下蓋５と、現像液を射出普たは噴出するノズ
ル６および現像後に水洗を行なうための純水を射出ある
いは噴出するノズル７を有した上蓋８とから構成されて
かり、チャック３に真空吸着された半導体基板ｌ上へノ
ズル６から現像液を滴下し表面張力を利用して現像液を
載せた筐ま低速でチャック３を回転させ現像処理を行な
う。このとき、従来の現像装置では半導体基板１よりも
チャック３が小さいため第３図に示すように現像液９が
半導体基板ｌの裏面に廻り込む状態がしばしば生じてい
たが、本実施例の現像装置では第２図に示すように半導
体基板ｌよりもチャック３を拡大し第１図に示すように
半導体基板１の厚みと同等の段差を設はチャック３内に
半導体基板ｌを収容・支持しているので現像液が半導体
基板ｌの裏面に廻シ込むのを防ぐことができる。
断面図であり、第２図は第１図の現像装置のチャック部
に載せられた半導体基板の平面図である。この実施例の
現像装置は、半導体基板１の表面に付着されたフォトレ
ジスト膜（図示せず）にフォトマスクパターンの焼き付
は転写が完了した半導体基板ｌを真空吸着しかつパルス
モータ−２によって回転運動するチャ、り３と、排液口
４を付した下蓋５と、現像液を射出普たは噴出するノズ
ル６および現像後に水洗を行なうための純水を射出ある
いは噴出するノズル７を有した上蓋８とから構成されて
かり、チャック３に真空吸着された半導体基板ｌ上へノ
ズル６から現像液を滴下し表面張力を利用して現像液を
載せた筐ま低速でチャック３を回転させ現像処理を行な
う。このとき、従来の現像装置では半導体基板１よりも
チャック３が小さいため第３図に示すように現像液９が
半導体基板ｌの裏面に廻り込む状態がしばしば生じてい
たが、本実施例の現像装置では第２図に示すように半導
体基板ｌよりもチャック３を拡大し第１図に示すように
半導体基板１の厚みと同等の段差を設はチャック３内に
半導体基板ｌを収容・支持しているので現像液が半導体
基板ｌの裏面に廻シ込むのを防ぐことができる。
第４図は本発明の他の実施例を説明するためのチャック
部分の断崩図である。この実施例の現像装置では、チャ
ック３０表面形状を凹状にし、凹状底面にウェハーｌを
吸着させ、現像液を十分にためて現像処理を行なう。こ
のことにより、従来問題となっていた表面張力の弱い現
像液による表面ヌレ性の悪さを解消でき、ウェハー企画
に安定した現像ができるという利点がある。
部分の断崩図である。この実施例の現像装置では、チャ
ック３０表面形状を凹状にし、凹状底面にウェハーｌを
吸着させ、現像液を十分にためて現像処理を行なう。こ
のことにより、従来問題となっていた表面張力の弱い現
像液による表面ヌレ性の悪さを解消でき、ウェハー企画
に安定した現像ができるという利点がある。
以上説明したように本発明はチャックを半導体基板より
も拡大し半導体基板の厚みと同等もしくはそれ以上の段
差を設けてチャック内に半導体基板を収容し支持するこ
とにより、ノズルから滴下された現像液が半導体基板裏
面に逼り込むのを防ぐことができ、またチャック内に現
像液を十分にためて現像処理を行なうことによりウェノ
）−全面− に安定した現像ができるという効果がある。
も拡大し半導体基板の厚みと同等もしくはそれ以上の段
差を設けてチャック内に半導体基板を収容し支持するこ
とにより、ノズルから滴下された現像液が半導体基板裏
面に逼り込むのを防ぐことができ、またチャック内に現
像液を十分にためて現像処理を行なうことによりウェノ
）−全面− に安定した現像ができるという効果がある。
その結果として、裏面が汚れて生じる半導体収率の低下
や次工程装置の汚れを防止することができ、現像処理の
再現性を向上させ、半導体製品の品質向上に多大なる貢
献を与えることができる。
や次工程装置の汚れを防止することができ、現像処理の
再現性を向上させ、半導体製品の品質向上に多大なる貢
献を与えることができる。
第１図は本発明の一実施例の現像装置の断面図、第２図
は第１図のチャック部の平面図、第３図は従来の現像装
置のチャック部の断面図、第４図は本発明の他の実施例
のチャック部の断面図である。 尚、図にかいて ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・パルスモー
タ−１３・・・・・・チャック、４・・・・・・排液口
、５・・・・・・下蓋、６・・・・・・現像液噴出ノズ
ル、７・・・・・・純水ノズル、８・・・・・・上蓋、
９・・・・・・現像液。
は第１図のチャック部の平面図、第３図は従来の現像装
置のチャック部の断面図、第４図は本発明の他の実施例
のチャック部の断面図である。 尚、図にかいて ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・パルスモー
タ−１３・・・・・・チャック、４・・・・・・排液口
、５・・・・・・下蓋、６・・・・・・現像液噴出ノズ
ル、７・・・・・・純水ノズル、８・・・・・・上蓋、
９・・・・・・現像液。
Claims (1)
- フォトマスクパターンを焼付け転写されたフォトレジ
スト膜を付着した半導体基板を真空吸着し回転運動させ
る基体と前記半導体基板上のフォトレジスト膜に現像液
を供給するノズルとを有する半導体装置製造用現像装置
において、前記基体の面積を前記半導体基板の面積より
も大きくしかつ周辺に半導体基板の厚みと同等以上の段
差を設け、前記基体内で前記半導体基板を支持すること
を特徴とする半導体装置製造用現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286292A JPH03148111A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置製造用現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286292A JPH03148111A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置製造用現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148111A true JPH03148111A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17702492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286292A Pending JPH03148111A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置製造用現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7611581B2 (en) * | 2004-11-29 | 2009-11-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming apparatus |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286292A patent/JPH03148111A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7611581B2 (en) * | 2004-11-29 | 2009-11-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming apparatus |
| US8132526B2 (en) | 2004-11-29 | 2012-03-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming appratus |
| US8449945B2 (en) | 2004-11-29 | 2013-05-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming apparatus |
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