JPH031485A - 電界発光灯 - Google Patents
電界発光灯Info
- Publication number
- JPH031485A JPH031485A JP1136835A JP13683589A JPH031485A JP H031485 A JPH031485 A JP H031485A JP 1136835 A JP1136835 A JP 1136835A JP 13683589 A JP13683589 A JP 13683589A JP H031485 A JPH031485 A JP H031485A
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- JP
- Japan
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- light
- electroluminescent lamp
- wavelength
- lamp
- binder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
庄ヱ」Ｊソ月１分１−
本発明は、電界発光灯に関し、特に有機分散型電界発光
灯における高輝度・高効率化に関する。
灯における高輝度・高効率化に関する。
従未盆皮直
従来、有機分散型電界発光灯は、第２図に示すようにア
ル、ミ箔などによりなる背面電極３上に絶縁物（例えば
チタン酸バリウムのような高誘電体粉末）及び蛍光体（
例えば硫化亜鉛を銅で活性化した蛍光体）を有機バイン
ダ（例えばシアノエチルセルロース）中にそれぞれ分散
させたものを順次塗布して絶縁層４、発光層５を形成し
、その上に集電帯を印刷した透明導電フィルム等からな
る透明電極６を設け、上下より吸湿フィルム（例えばナ
イロン６（デュポン社商標）７，７で覆い形成された電
界発光素子９を更に上下から防水性の外皮フィルム（例
えばフッ素系フィルム）８，８で密閉封止した構造を有
する。尚、背面電極３と透明電極６からリードがそれぞ
れ接続され外部に導出されている。
ル、ミ箔などによりなる背面電極３上に絶縁物（例えば
チタン酸バリウムのような高誘電体粉末）及び蛍光体（
例えば硫化亜鉛を銅で活性化した蛍光体）を有機バイン
ダ（例えばシアノエチルセルロース）中にそれぞれ分散
させたものを順次塗布して絶縁層４、発光層５を形成し
、その上に集電帯を印刷した透明導電フィルム等からな
る透明電極６を設け、上下より吸湿フィルム（例えばナ
イロン６（デュポン社商標）７，７で覆い形成された電
界発光素子９を更に上下から防水性の外皮フィルム（例
えばフッ素系フィルム）８，８で密閉封止した構造を有
する。尚、背面電極３と透明電極６からリードがそれぞ
れ接続され外部に導出されている。
上記構造の電界発光灯において、絶縁層は発光層に効果
的に電界を与えるための高誘電体層であるり発光を効率
良く反射させるための反射層でもある。しかし、使用さ
れているチタン酸バリウムは粒径が１〜２μｍと大きく
、かつばらつきも大きいため反射率が悪く、高輝度化の
実現が困難であった。
的に電界を与えるための高誘電体層であるり発光を効率
良く反射させるための反射層でもある。しかし、使用さ
れているチタン酸バリウムは粒径が１〜２μｍと大きく
、かつばらつきも大きいため反射率が悪く、高輝度化の
実現が困難であった。
＝の
上記、課題を解決するため、のぞましくは絶縁層を構成
する高誘電体粉末を発光ピーク波長に対して下記の式で
表される散乱力を最大にする粒径Ｄ ｏｐｔとすること
を特徴する。
する高誘電体粉末を発光ピーク波長に対して下記の式で
表される散乱力を最大にする粒径Ｄ ｏｐｔとすること
を特徴する。
但し、高誘電体粉末の粒径を全く同じにそろえることは
現実的でない。そこで発光スペクトルの最大波長と最小
波長とを下記の式に適用して定まる最大値と最小値の間
に分布することを特徴とする。
現実的でない。そこで発光スペクトルの最大波長と最小
波長とを下記の式に適用して定まる最大値と最小値の間
に分布することを特徴とする。
”ｐｔ”１．４１４ ｙｒ ｎｏ Ｍ
λ：光の波長
ｎｏ＝バインダの屈折率
Ｍ ＝ Ｌ ｏｒｅｎｔｚ −Ｌ ｏｒｅｎｔｚ係数ｎ
、、＝高誘電体粉末の屈折率 １反 上記構成によると散乱力が最大、すなわち反射率が良く
なり、輝度φ効率が向上する。
、、＝高誘電体粉末の屈折率 １反 上記構成によると散乱力が最大、すなわち反射率が良く
なり、輝度φ効率が向上する。
これは、散乱力が大きい程、塗膜中で光が通過する距離
が短くなるため塗膜中で減衰させられる機会が少ないた
めに隠ペイ力が増し、反射率が増すためである。
が短くなるため塗膜中で減衰させられる機会が少ないた
めに隠ペイ力が増し、反射率が増すためである。
また、チタン酸バリウムが均一な微粒子であるため、充
てん率を上げることができ、絶縁層の誘電率が向上し、
発光層に効果的な電界を印加できる。
てん率を上げることができ、絶縁層の誘電率が向上し、
発光層に効果的な電界を印加できる。
尖血阻
一般にあるバインダ中の均一粒径顔料の散乱係数は次式
のように表される。（色材協会誌３７巻Ｐ５〜Ｐ９） ここで、Ｋ：比例定数 り二粒径 λ：先の波長 ｎｏ：バインダの屈折率 Ｍ ： Ｌ ｏｒｅｎｔｚ −Ｌ ｏｒｅｎｔｚ係数ｎ
、：顔料の屈折率 電界発光灯の場合、絶縁層と発光層が接しており、全出
力光は、直出光と反射光の和で表され、さらに反射光は
ｌ）絶縁層の表面でＦ ｒｅｓｎｅｌの法則に従って反
射される光、２）絶縁層中で絶縁物表面で反射され外に
出る光、３）絶縁層を通過し、素地で反射され再び塗膜
を通光して外へ出る光の和で表され、この反射光を最大
にするためには絶縁層の内のバインダに吸収される光及
び素地で吸収されるか、素地で反射されてバインダに吸
収される光を最大にすればよい。すなわち絶縁層の散乱
係数が大きい程、光が通過する距離が短くなり、吸収さ
れる光の量を抑えることができる。それ故、（１）式に
おいて散乱係数を最大にするための最適粒径は次式のよ
うに表される。
のように表される。（色材協会誌３７巻Ｐ５〜Ｐ９） ここで、Ｋ：比例定数 り二粒径 λ：先の波長 ｎｏ：バインダの屈折率 Ｍ ： Ｌ ｏｒｅｎｔｚ −Ｌ ｏｒｅｎｔｚ係数ｎ
、：顔料の屈折率 電界発光灯の場合、絶縁層と発光層が接しており、全出
力光は、直出光と反射光の和で表され、さらに反射光は
ｌ）絶縁層の表面でＦ ｒｅｓｎｅｌの法則に従って反
射される光、２）絶縁層中で絶縁物表面で反射され外に
出る光、３）絶縁層を通過し、素地で反射され再び塗膜
を通光して外へ出る光の和で表され、この反射光を最大
にするためには絶縁層の内のバインダに吸収される光及
び素地で吸収されるか、素地で反射されてバインダに吸
収される光を最大にすればよい。すなわち絶縁層の散乱
係数が大きい程、光が通過する距離が短くなり、吸収さ
れる光の量を抑えることができる。それ故、（１）式に
おいて散乱係数を最大にするための最適粒径は次式のよ
うに表される。
ここで、絶縁発光電界発光灯のピーク波長は５１０ ｎ
ａ＋であり、バインダの屈折率ｎｏ ＝＝ｌ、５ ＊
チタン酸バリウムの屈折率ｎ ｓｉ ” ３．０とする
と、最適粒径は、 Ｄｏｐｔ ＝０．１５．ｃｚｍ となり、その時の散乱係数８１は５８．８にとなる。
ａ＋であり、バインダの屈折率ｎｏ ＝＝ｌ、５ ＊
チタン酸バリウムの屈折率ｎ ｓｉ ” ３．０とする
と、最適粒径は、 Ｄｏｐｔ ＝０．１５．ｃｚｍ となり、その時の散乱係数８１は５８．８にとなる。
また、従来のチタン酸バリウムは１〜２μｍと大粒子で
かつばらつきが大きいが、粒径がり、からＤ２まで分布
する場合の散乱係数８２は次式であられされ、 上記の値λ＝５１０ｎｍ 、 ｎｏ ：１．５ ＋
ｎｐ＝３．０を代入すると、Ｓ２は２２．ＯＫとなる。
かつばらつきが大きいが、粒径がり、からＤ２まで分布
する場合の散乱係数８２は次式であられされ、 上記の値λ＝５１０ｎｍ 、 ｎｏ ：１．５ ＋
ｎｐ＝３．０を代入すると、Ｓ２は２２．ＯＫとなる。
すなわち、本発明による電界発光灯に用いる絶縁は従来
品にくらべると２．８７倍散乱係数が大きくなることが
わかる。次にこれらのチタン酸バリウムを用いた絶縁層
の反射率を表１に示す。また、第１図には本発明による
電界発光灯の輝度−電圧特性を示す。尚、点線は従来の
電界発光灯の特性である。
品にくらべると２．８７倍散乱係数が大きくなることが
わかる。次にこれらのチタン酸バリウムを用いた絶縁層
の反射率を表１に示す。また、第１図には本発明による
電界発光灯の輝度−電圧特性を示す。尚、点線は従来の
電界発光灯の特性である。
表、１
このように、発光波長により最適な粒径のチタン酸バリ
ウムを絶縁層として用いることにより、反射率が改善さ
れ電界発光灯の輝度を向上させることができる。
ウムを絶縁層として用いることにより、反射率が改善さ
れ電界発光灯の輝度を向上させることができる。
次に他の実施例として各発光波長における最適粒径の一
覧を表２に示す。
覧を表２に示す。
表、ま
ただし、ｎｐ ＝３．０
ｎｏ＝１．５
とする。
光１四復果−
以上説明したように、本発明によれば高誘電体かつ白色
反射層である絶縁層に用いる高誘電体粉末粒径を発光波
長に応じて最適化し、かっばらっきを抑えることにより
、反射率が向上し、消費電力を増加させることなしに電
界発光灯の輝度を上げ、高輝度、高効率化を実現できる
。
反射層である絶縁層に用いる高誘電体粉末粒径を発光波
長に応じて最適化し、かっばらっきを抑えることにより
、反射率が向上し、消費電力を増加させることなしに電
界発光灯の輝度を上げ、高輝度、高効率化を実現できる
。
第１図は、本発明による電界発光灯の輝度電圧特性を示
す。 第２図は、従来の電界発光灯の拡大断面図である。 第２図 ８−彷徨フィルべ ９、− を刈−４丘Ｘ」撃ニド １０−・４Ｌ芥媛≦Ｌナミ［
す。 第２図は、従来の電界発光灯の拡大断面図である。 第２図 ８−彷徨フィルべ ９、− を刈−４丘Ｘ」撃ニド １０−・４Ｌ芥媛≦Ｌナミ［
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 背面電極と透明電極により絶縁層、発光層を挟持した
電界発光灯の前記絶縁層が高誘電体粉末をバインダに分
散してなるものにおいて、前記高誘電体粉末の粒径分布
が下記の式で定まる最大値と最小値の間にあることを特
徴とする電界発光灯。 最大値＝ ▲数式、化学式、表等があります▼ 最小値＝ ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで、 λ１：前記電界発光灯のスペクトル分布における最大波
長 λ２：電界発光灯のスペクトル分布における最小波長 ｎ＿ｏ：前記バインダの屈折率 ｎ＿ｐ：前記高誘電体粉末の屈折率
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136835A JP2665379B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 電界発光灯 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136835A JP2665379B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 電界発光灯 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031485A true JPH031485A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2665379B2 JP2665379B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=15184620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1136835A Expired - Lifetime JP2665379B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 電界発光灯 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665379B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895526A (en) * | 1995-08-07 | 1999-04-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for growing single crystal |
| WO2002080626A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electroluminescence device |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1136835A patent/JP2665379B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895526A (en) * | 1995-08-07 | 1999-04-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for growing single crystal |
| WO2002080626A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electroluminescence device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2665379B2 (ja) | 1997-10-22 |
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