JPH03148894A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPH03148894A JPH03148894A JP1288113A JP28811389A JPH03148894A JP H03148894 A JPH03148894 A JP H03148894A JP 1288113 A JP1288113 A JP 1288113A JP 28811389 A JP28811389 A JP 28811389A JP H03148894 A JPH03148894 A JP H03148894A
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- H05K1/02—Details
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
混成集積回路の構造に関し、
混成集積回路の銅薄膜配線層を高価な金に代えて、安価
な金属からなる多層薄膜配線層にすることによって、混
成集積回路全体の価格を低減することを目的とし、 基板上に少なくとも銅薄膜配線層が形成され、前記銅薄
膜配線層とチップ部品の電極端子部とが導電性接着材層
により接着され、前記銅薄膜配線層とＩＣベアチップの
電極端子部との間、および前記銅薄膜配線層とリードフ
レーム内端子との間がワイヤボンディングにより接続さ
れてなる混成集積回路において、前記銅薄膜配線層が少
なくとも銅薄膜配線層と、銅薄膜バリヤ層と、 アルミニウム薄膜配線層の積層膜からなり、前記銅薄膜
配線層の露出部とチップ部品の電極端子部とを導電性接
着材層により接着接続し、前記アルミニウム薄膜配線層
のボンディングパッドとＩＣベアチップの電極端子部と
の間、および前記アルミニウム薄膜配線層のボンディン
グパッドとリードフレーム内端子との間をワイヤボンデ
ィングにより接続して混成集積回路を構成する。 〔崖業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路、と（に、薄膜金属導体配線層を
有する混成集積回路または薄膜／厚膜混成導体配線層を
有する混成集積回路の薄膜金属導体配線層の構成の改良
に関する。 近年、混成集積回路の集積度が増加し大規模化するに従
い、それに使用する基板も大形化する傾向がますます強
くなってきた。 それに伴い、これに使用する導体配線パターンを構成す
る材料の価格も混成集積回路の全体の価格を押し上げる
要因となっている。とくに、チップ部品とＩＣベアチッ
プを搭載する薄膜または薄膜／厚膜混成集積回路におい
ては、通常金（Ａｕ）薄膜配線層を用いるために価格へ
の影響が大きく、価格低減のために新規な銅薄膜配線層
による混成集積回路の開発が求められていた。 〔従来の技術〕 第３図は従来の混成集積回路の例を示す断面図で、薄膜
／厚膜混成集積回路の場合の部分的断面である。 図中、■はセラミック基板、８は基板ｌ上に印刷配線さ
れた厚膜導体層、９は絶縁層で厚膜回路部分とその上に
形成される薄膜回路部分を分離するためのものである。 ２００は銅薄膜配線層で。 たとえば、ＮｉＣｒの銅薄膜密着層２０１と金（八〇）
蒲謳 膜配線層２０２から構成れている。３は抵抗あるいはコ
ンデンサなどのチップ部品、４は半導体ベースのをＣベ
アチップ（外装されていない裸のＩＣチップ）である。 ５は導電性接着材層で、たとえば、銀ペーストであり、
金（Ａｕ）薄膜配線層上チップ部品３の電極端子部との
間を接着固定して電気的に接続する。また、同時に導電
性接着材層５は【Ｃベアチップ４を基板ｌ上に、たとえ
ば、金（Ａｕ） 薄膜配線層２０２の一部に設けた所定
ランドを介して搭載固定するためにも用いられる。 ６はリードフレームの内端子で、金（＾ｕ）Ｆｌ膜配線
層２０２のボンディングパッドとの間をワイヤフ。 たとえば、金（Ａｕ）線により接続される。そのほかに
、ワイヤフはＩＣベアチップ４の電極端子部と金（＾ｕ
）Ｆｌ膜配線層２０２のボンディングパッドとの間を電
気的に接続する。 すなわち、このような混成集積回路では銅薄膜配線層２
００と、搭載部品、たとえば、チップ部品３あるいはＩ
Ｃベアチップ４との接続はワイヤボンディングおよび導
電性接着材という全く異なる接続技術を用いて行われて
いる。 銅薄膜配線層２００の接続露出層、すなわち、金（Ａｕ
）薄膜配線層２０２のボンディングパッドのＡｕ露出面
はその両方を容易に実現できることから広く使用されて
きた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、上記従来例において用いる金（Ａ（１）Ｔｅｌ
膜配線層は極めて高価であり、混成集積回路の価格も高
くなるという問題がある。また、より低価格で資源的に
も豊富な金属、たとえば、アルミニウム（＾ｆｆｉ）
ｔｌ膜を使用することが考えられるが、この場合にはワ
イヤボンディングは金（＾ｕ）１１膜と同様に可能であ
るが、導電性接着材層による接続での接続抵抗は金（Ａ
ｕ）薄膜の場合２０ｍΩ程度であるのに、一方、アルミ
ニウム（Ａ ｆ ）薄膜に対しては１．５Ω以上と約２
桁も大きく、製品性能上使用することができないといっ
た問題があり、それらの解決が求められていた。 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題は、基板ｌ上に少なくとも銅薄膜配線層２が
形成され、前記銅薄膜配線層２とチップ部品３の電極端
子部とが導電性接着材層５により接着され、前記銅薄膜
配線層２とＩＣベアチップ４の電極端子部との間、およ
び前記銅薄膜配線層２とリードフレーム内端子６との間
がワイヤボンディングにより接続されてなる混成集積回
路において、前記銅薄膜配線層２が少なくとも銅薄膜配
線層２２と、銅薄膜バリヤ層２３と、アルミニウム薄膜
配線層２４の積層膜からなり、前記銅薄膜配線層２２の
露出部とチップ部品３の電極端子部とを導電性接着材層
５により接着接続し、前記アルミニウム薄膜配線層２４
のボンディングパッドとＩＣベアチップ４の電極端子部
との間、および前記アルミニウム薄膜配線層２４のボン
ディングパッドとリードフレーム内端子６との間をワイ
ヤボンディングにより接続して混成集積回路を構成する
ことによって解決することができる。 〔作用〕 本発明の混成集積回路の銅薄膜配線層２は、金（＾Ｕ）
を全（使用せず、少なくとも銅薄膜配線層２２と、銅薄
膜バリヤ層２３と、アルミニウム薄膜配線１１２４の積
層膜から構成されている。したがうて、ワイヤボンディ
ングする配線層部分にはアルミニウム薄膜配線１１２４
の露出部であるボンディングパッドを用い、アルミニウ
ム薄膜とは低接触抵抗で接続できない導電性接着材層に
より接続する配線層部分には銅薄膜配線層２２の露出部
を用いることにより、実質的に従来の金（Ａｕ） ＊膜
配線層の場合と同様に、チップ部品３やＩＣベアチップ
４を搭載接続することができる。なお、銅薄膜配線層２
２とアルミニウム薄膜配線層２４の間に、必要に応じて
両金属の拡散を防止するために、クロム（Ｃｒ）などの
銅薄膜バリヤ層を設けておけばよい。 〔実施例〕 第１図は本発明実施例を示す斜視図である。図中、２４
″はアルミニウム薄膜配線層のボンディングパッドで、
たとえば、ＩＣベアチップ４の電極端子部との間および
リードフレーム内端子６との間をワイヤフで接続するた
めのアルミニウム薄膜配線層２４の露出部である。 なお、前記従来例の図面で説明したものと同等の部分に
ついては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説
明は省略する。 第２図は本発明実施例の構成を示す断面図で。 薄膜／厚膜混成集積回路の場合の部分的断面である。 図中、ｌはセラミック基板で、たとえば、大きさ２３ｍ
ｍＸ２３ｍｍ、厚さ０．６ｍｍである。８は基板ｌ上に
印刷配線された厚膜導体層、たとえば、Ａｇ／Ｐｄから
なる厚膜導体配線層で、こ＼には図示してない厚膜抵抗
体などに接続され、必要により薄膜配線層とはスルーホ
ールを介して接続されている。 ９は絶縁層で厚膜回路部分とその上に形成される薄膜回
路部分を分離するためのもので、たとえば、スピンコー
ティングによる厚さ２０ｐｍのポリイミド樹脂層からな
り、必要によりこ＼には図示されてないスルーホールが
設けられる。 ２は銅薄膜配線層で本発明の心臓部をなすものであり、
必要により絶縁層との密着性をよくするための銅薄膜密
着層２１゜たとえば、厚さ５０ｎｍのＣｒｉｌｌｉと、
その上に形成された厚さ２．５μｍのｍｉｌｌ膜配線層
２２と、さらにその上に形成された銅薄膜バリヤ層、た
とえば、厚さ５０ｎｍのＣｒ薄膜と、さらにその上に形
成された厚さ１μｍのアルミニウム薄膜配線層２４と、
さらにその上に必要に応じて形成された銅薄膜保護Ｎ２
５．たとえば、厚さｌＱＯｎｍのＣｒ薄膜とからなり、
この積層膜を形成するには、たとえば、連続スパッタ法
を用いればよい、また、薄膜導体配線パターンは通常の
ホトエッチング法を使用し、この時、同時にチップ部品
３の接続のためのｇ！薄膜配線層の露出部やＩＣベアチ
ップ４の電極端子部とのワイヤボンディングのためのア
ルミニウふ薄膜配線層のボンディングパッド２４”など
も所要の位置に所要の個数を形成する。 ５は導電性接着材層で、たとえば、銀ペーストであり、
上記のごとく予め形成された銅（Ｃｏ） ＦＩ［膜配線
１１２２の露出部とチップ部品３の電極端子部との間を
接着固定して電気的に接続する。また、同時に導電性接
着材層５はＩＣベアチップ４を基板ｌ上に、たとえば、
アルミニウム薄膜配線層２４の露出部を介して搭載固定
（いわゆる。ダイボンディング）するためにも用いられ
る。 ＩＣベアチップ４の電極端子部と、ＩＣベアチップ４の
搭載部分の周囲のアルミニウム薄膜配線層２４の一部に
設けられているボンディングパッド２４との間はワイヤ
７、たとえば、２５μｍφの金（Ａｕ）線を用い、たと
えば、熱圧着超音波ボンディングにより接続される。 ６はリードフレームの内端子で、基板１の周辺のアルミ
ニウム薄膜配線層２４の一部に設けられている他のボン
ディングパッド２４ との間を、同じ（ワイヤフで同様
の方法によりボンディングし、外装、たとえば、トラン
スファー樹脂モールドパッケージを施したのち、試験し
て本発明の混成集積回路を完成する。 このようにして作成された混成集積回路の導体配線抵抗
は充分に小さく実用上全く問題がなく、搭載部品との接
続抵抗も従来の金（＾Ｕ）薄膜配線層の場合と比較して
何ら遜色がなかった。また、温度サイクル試験・振動試
験などにおいても安定な品質を持つことが確認された。 なお、本実施例では＊Ｍ／ ＦＪ膜混成構造の場合−の
例を示したが、薄膜だけから構成される混成集積回路に
おいても、全く同様に本発明が適用できることは言うま
でもない。 また、銅薄膜配線層２のうち、銅薄膜配線層２１．銅薄
膜バリヤ層２３．銅薄膜保護層２５は全体の構成条件に
よっては、その一部または全部を省略除去してもよい。 以上述べた実施例は一例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する材料や部品、および構
成など適宜好ましいもの、あるいはその組み合わせを用
いることができることは勿論である。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の混成集積回路における銅薄
膜配線層２は、金（Ａｕ）を全く使用せずに、安価な銅
薄膜配線層２２とアルミニウアルミニウム薄膜配線層２
４を主体として構成されており。 しかも、ワイヤボンディングする配線層部分にはアルミ
ニウム薄膜配線層２４の露出部であるボンディングパッ
ドを用い、導電性接着材層により接続する配線層部分に
は銅薄膜配線層２２の露出部を用いることにより、実質
的に従来の金（＾ｕ）１３１１膜配線層の場合と同様に
、チップ部品３やＩＣベアチップ４を搭載接続すること
ができる。したがって、混成集積回路の価格低減に寄与
するところが極めて大きい。
な金属からなる多層薄膜配線層にすることによって、混
成集積回路全体の価格を低減することを目的とし、 基板上に少なくとも銅薄膜配線層が形成され、前記銅薄
膜配線層とチップ部品の電極端子部とが導電性接着材層
により接着され、前記銅薄膜配線層とＩＣベアチップの
電極端子部との間、および前記銅薄膜配線層とリードフ
レーム内端子との間がワイヤボンディングにより接続さ
れてなる混成集積回路において、前記銅薄膜配線層が少
なくとも銅薄膜配線層と、銅薄膜バリヤ層と、 アルミニウム薄膜配線層の積層膜からなり、前記銅薄膜
配線層の露出部とチップ部品の電極端子部とを導電性接
着材層により接着接続し、前記アルミニウム薄膜配線層
のボンディングパッドとＩＣベアチップの電極端子部と
の間、および前記アルミニウム薄膜配線層のボンディン
グパッドとリードフレーム内端子との間をワイヤボンデ
ィングにより接続して混成集積回路を構成する。 〔崖業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路、と（に、薄膜金属導体配線層を
有する混成集積回路または薄膜／厚膜混成導体配線層を
有する混成集積回路の薄膜金属導体配線層の構成の改良
に関する。 近年、混成集積回路の集積度が増加し大規模化するに従
い、それに使用する基板も大形化する傾向がますます強
くなってきた。 それに伴い、これに使用する導体配線パターンを構成す
る材料の価格も混成集積回路の全体の価格を押し上げる
要因となっている。とくに、チップ部品とＩＣベアチッ
プを搭載する薄膜または薄膜／厚膜混成集積回路におい
ては、通常金（Ａｕ）薄膜配線層を用いるために価格へ
の影響が大きく、価格低減のために新規な銅薄膜配線層
による混成集積回路の開発が求められていた。 〔従来の技術〕 第３図は従来の混成集積回路の例を示す断面図で、薄膜
／厚膜混成集積回路の場合の部分的断面である。 図中、■はセラミック基板、８は基板ｌ上に印刷配線さ
れた厚膜導体層、９は絶縁層で厚膜回路部分とその上に
形成される薄膜回路部分を分離するためのものである。 ２００は銅薄膜配線層で。 たとえば、ＮｉＣｒの銅薄膜密着層２０１と金（八〇）
蒲謳 膜配線層２０２から構成れている。３は抵抗あるいはコ
ンデンサなどのチップ部品、４は半導体ベースのをＣベ
アチップ（外装されていない裸のＩＣチップ）である。 ５は導電性接着材層で、たとえば、銀ペーストであり、
金（Ａｕ）薄膜配線層上チップ部品３の電極端子部との
間を接着固定して電気的に接続する。また、同時に導電
性接着材層５は【Ｃベアチップ４を基板ｌ上に、たとえ
ば、金（Ａｕ） 薄膜配線層２０２の一部に設けた所定
ランドを介して搭載固定するためにも用いられる。 ６はリードフレームの内端子で、金（＾ｕ）Ｆｌ膜配線
層２０２のボンディングパッドとの間をワイヤフ。 たとえば、金（Ａｕ）線により接続される。そのほかに
、ワイヤフはＩＣベアチップ４の電極端子部と金（＾ｕ
）Ｆｌ膜配線層２０２のボンディングパッドとの間を電
気的に接続する。 すなわち、このような混成集積回路では銅薄膜配線層２
００と、搭載部品、たとえば、チップ部品３あるいはＩ
Ｃベアチップ４との接続はワイヤボンディングおよび導
電性接着材という全く異なる接続技術を用いて行われて
いる。 銅薄膜配線層２００の接続露出層、すなわち、金（Ａｕ
）薄膜配線層２０２のボンディングパッドのＡｕ露出面
はその両方を容易に実現できることから広く使用されて
きた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、上記従来例において用いる金（Ａ（１）Ｔｅｌ
膜配線層は極めて高価であり、混成集積回路の価格も高
くなるという問題がある。また、より低価格で資源的に
も豊富な金属、たとえば、アルミニウム（＾ｆｆｉ）
ｔｌ膜を使用することが考えられるが、この場合にはワ
イヤボンディングは金（＾ｕ）１１膜と同様に可能であ
るが、導電性接着材層による接続での接続抵抗は金（Ａ
ｕ）薄膜の場合２０ｍΩ程度であるのに、一方、アルミ
ニウム（Ａ ｆ ）薄膜に対しては１．５Ω以上と約２
桁も大きく、製品性能上使用することができないといっ
た問題があり、それらの解決が求められていた。 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題は、基板ｌ上に少なくとも銅薄膜配線層２が
形成され、前記銅薄膜配線層２とチップ部品３の電極端
子部とが導電性接着材層５により接着され、前記銅薄膜
配線層２とＩＣベアチップ４の電極端子部との間、およ
び前記銅薄膜配線層２とリードフレーム内端子６との間
がワイヤボンディングにより接続されてなる混成集積回
路において、前記銅薄膜配線層２が少なくとも銅薄膜配
線層２２と、銅薄膜バリヤ層２３と、アルミニウム薄膜
配線層２４の積層膜からなり、前記銅薄膜配線層２２の
露出部とチップ部品３の電極端子部とを導電性接着材層
５により接着接続し、前記アルミニウム薄膜配線層２４
のボンディングパッドとＩＣベアチップ４の電極端子部
との間、および前記アルミニウム薄膜配線層２４のボン
ディングパッドとリードフレーム内端子６との間をワイ
ヤボンディングにより接続して混成集積回路を構成する
ことによって解決することができる。 〔作用〕 本発明の混成集積回路の銅薄膜配線層２は、金（＾Ｕ）
を全（使用せず、少なくとも銅薄膜配線層２２と、銅薄
膜バリヤ層２３と、アルミニウム薄膜配線１１２４の積
層膜から構成されている。したがうて、ワイヤボンディ
ングする配線層部分にはアルミニウム薄膜配線１１２４
の露出部であるボンディングパッドを用い、アルミニウ
ム薄膜とは低接触抵抗で接続できない導電性接着材層に
より接続する配線層部分には銅薄膜配線層２２の露出部
を用いることにより、実質的に従来の金（Ａｕ） ＊膜
配線層の場合と同様に、チップ部品３やＩＣベアチップ
４を搭載接続することができる。なお、銅薄膜配線層２
２とアルミニウム薄膜配線層２４の間に、必要に応じて
両金属の拡散を防止するために、クロム（Ｃｒ）などの
銅薄膜バリヤ層を設けておけばよい。 〔実施例〕 第１図は本発明実施例を示す斜視図である。図中、２４
″はアルミニウム薄膜配線層のボンディングパッドで、
たとえば、ＩＣベアチップ４の電極端子部との間および
リードフレーム内端子６との間をワイヤフで接続するた
めのアルミニウム薄膜配線層２４の露出部である。 なお、前記従来例の図面で説明したものと同等の部分に
ついては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説
明は省略する。 第２図は本発明実施例の構成を示す断面図で。 薄膜／厚膜混成集積回路の場合の部分的断面である。 図中、ｌはセラミック基板で、たとえば、大きさ２３ｍ
ｍＸ２３ｍｍ、厚さ０．６ｍｍである。８は基板ｌ上に
印刷配線された厚膜導体層、たとえば、Ａｇ／Ｐｄから
なる厚膜導体配線層で、こ＼には図示してない厚膜抵抗
体などに接続され、必要により薄膜配線層とはスルーホ
ールを介して接続されている。 ９は絶縁層で厚膜回路部分とその上に形成される薄膜回
路部分を分離するためのもので、たとえば、スピンコー
ティングによる厚さ２０ｐｍのポリイミド樹脂層からな
り、必要によりこ＼には図示されてないスルーホールが
設けられる。 ２は銅薄膜配線層で本発明の心臓部をなすものであり、
必要により絶縁層との密着性をよくするための銅薄膜密
着層２１゜たとえば、厚さ５０ｎｍのＣｒｉｌｌｉと、
その上に形成された厚さ２．５μｍのｍｉｌｌ膜配線層
２２と、さらにその上に形成された銅薄膜バリヤ層、た
とえば、厚さ５０ｎｍのＣｒ薄膜と、さらにその上に形
成された厚さ１μｍのアルミニウム薄膜配線層２４と、
さらにその上に必要に応じて形成された銅薄膜保護Ｎ２
５．たとえば、厚さｌＱＯｎｍのＣｒ薄膜とからなり、
この積層膜を形成するには、たとえば、連続スパッタ法
を用いればよい、また、薄膜導体配線パターンは通常の
ホトエッチング法を使用し、この時、同時にチップ部品
３の接続のためのｇ！薄膜配線層の露出部やＩＣベアチ
ップ４の電極端子部とのワイヤボンディングのためのア
ルミニウふ薄膜配線層のボンディングパッド２４”など
も所要の位置に所要の個数を形成する。 ５は導電性接着材層で、たとえば、銀ペーストであり、
上記のごとく予め形成された銅（Ｃｏ） ＦＩ［膜配線
１１２２の露出部とチップ部品３の電極端子部との間を
接着固定して電気的に接続する。また、同時に導電性接
着材層５はＩＣベアチップ４を基板ｌ上に、たとえば、
アルミニウム薄膜配線層２４の露出部を介して搭載固定
（いわゆる。ダイボンディング）するためにも用いられ
る。 ＩＣベアチップ４の電極端子部と、ＩＣベアチップ４の
搭載部分の周囲のアルミニウム薄膜配線層２４の一部に
設けられているボンディングパッド２４との間はワイヤ
７、たとえば、２５μｍφの金（Ａｕ）線を用い、たと
えば、熱圧着超音波ボンディングにより接続される。 ６はリードフレームの内端子で、基板１の周辺のアルミ
ニウム薄膜配線層２４の一部に設けられている他のボン
ディングパッド２４ との間を、同じ（ワイヤフで同様
の方法によりボンディングし、外装、たとえば、トラン
スファー樹脂モールドパッケージを施したのち、試験し
て本発明の混成集積回路を完成する。 このようにして作成された混成集積回路の導体配線抵抗
は充分に小さく実用上全く問題がなく、搭載部品との接
続抵抗も従来の金（＾Ｕ）薄膜配線層の場合と比較して
何ら遜色がなかった。また、温度サイクル試験・振動試
験などにおいても安定な品質を持つことが確認された。 なお、本実施例では＊Ｍ／ ＦＪ膜混成構造の場合−の
例を示したが、薄膜だけから構成される混成集積回路に
おいても、全く同様に本発明が適用できることは言うま
でもない。 また、銅薄膜配線層２のうち、銅薄膜配線層２１．銅薄
膜バリヤ層２３．銅薄膜保護層２５は全体の構成条件に
よっては、その一部または全部を省略除去してもよい。 以上述べた実施例は一例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する材料や部品、および構
成など適宜好ましいもの、あるいはその組み合わせを用
いることができることは勿論である。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の混成集積回路における銅薄
膜配線層２は、金（Ａｕ）を全く使用せずに、安価な銅
薄膜配線層２２とアルミニウアルミニウム薄膜配線層２
４を主体として構成されており。 しかも、ワイヤボンディングする配線層部分にはアルミ
ニウム薄膜配線層２４の露出部であるボンディングパッ
ドを用い、導電性接着材層により接続する配線層部分に
は銅薄膜配線層２２の露出部を用いることにより、実質
的に従来の金（＾ｕ）１３１１膜配線層の場合と同様に
、チップ部品３やＩＣベアチップ４を搭載接続すること
ができる。したがって、混成集積回路の価格低減に寄与
するところが極めて大きい。
第１図は本発明の実施例を示す斜視図、第２図は本発明
実施例の構成を示す断面図、第３図は従来の混成集積回
路の例を示す断面図である。 図において、 １は基板、 ２・は銅薄膜配線層、 ３はチップ部品、 ４はＩＣベアチップ、 ５導電性接着材層、 ６はリードフレーム内端子、 ７はワイヤ、 ２１は銅薄膜密着層、 ２２は銅薄膜配線層、 ２３は銅薄膜バリヤ層、 ２４はアルミニウム薄膜配線層、 ２５は銅薄膜保護層である。 ＄Ｚ明の失旗例ΣＴ％丁斜纜図 第１ 図 ７ ｌ ｌ Ｉ
Ｉ門−一→杢完明大棚別の情成と示す断面図 ２０２金（Ａｕ）尊腰配線看 ｚｏｏ ：金ｘｓｇ１Ｍ！蒜Ｅ 従来の混威１！積回路の例）Ｒ示１１１面図％ ５図
実施例の構成を示す断面図、第３図は従来の混成集積回
路の例を示す断面図である。 図において、 １は基板、 ２・は銅薄膜配線層、 ３はチップ部品、 ４はＩＣベアチップ、 ５導電性接着材層、 ６はリードフレーム内端子、 ７はワイヤ、 ２１は銅薄膜密着層、 ２２は銅薄膜配線層、 ２３は銅薄膜バリヤ層、 ２４はアルミニウム薄膜配線層、 ２５は銅薄膜保護層である。 ＄Ｚ明の失旗例ΣＴ％丁斜纜図 第１ 図 ７ ｌ ｌ Ｉ
Ｉ門−一→杢完明大棚別の情成と示す断面図 ２０２金（Ａｕ）尊腰配線看 ｚｏｏ ：金ｘｓｇ１Ｍ！蒜Ｅ 従来の混威１！積回路の例）Ｒ示１１１面図％ ５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）上に少なくとも金属薄膜配線層（２）が形
成され、前記金属薄膜配線層（２）とチップ部品（３）
の電極端子部とが導電性接着材層（５）により接着され
、前記金属薄膜配線層（２）とＩＣベアチップ（４）の
電極端子部との間、および前記金属薄膜配線層（２）と
リードフレーム内端子（６）との間がワイヤボンディン
グにより接続されてなる混成集積回路において、 前記金属薄膜配線層（２）が少なくとも銅薄膜配線層（
２２）と、金属薄膜バリヤ層（２３）と、アルミニウム
薄膜配線層（２４）の積層膜からなり、前記銅薄膜配線
層（２２）の露出部とチップ部品（３）の電極端子部と
を導電性接着材層（５）により接着接続し、 前記アルミニウム薄膜配線層（２４）のボンディングパ
ッドとＩＣベアチップ（４）の電極端子部との間、およ
び前記アルミニウム薄膜配線層（２４）のボンディング
パッドとリードフレーム内端子（６）との間をワイヤボ
ンディングにより接続することを特徴とした混成集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1288113A JPH03148894A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1288113A JPH03148894A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148894A true JPH03148894A (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=17725971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1288113A Pending JPH03148894A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148894A (ja) |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP1288113A patent/JPH03148894A/ja active Pending
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