【発明の詳細な説明】
〔産業上の利川分野〕
本発明は、半導体製造装置、特に、反射型投影露光装置
の光学系の構造に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体製造装置、特に、反射型投影露光装置
において、２枚以上のマスクを装着し、２枚以上のマス
クを同時に、−光する事ができる光学系を備えることに
よって、無欠陥のレジストパターンの形成を可能にさせ
るものである。
〔従来の技術〕
従来の半導体製造装置は、特に、反射型投影露光装置の
光学系は、第２図にあるように、台形ミラー１２、凹面
鏡１３、凸面鏡１４で反射させ半導体基板１５に１枚の
マスク１６のパターンしか露光できない構造であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前述第２図の構造では、１枚のマスクしか露光
できないため、１枚のマスクに異物が付着した場合、そ
の異物がそのまま転写されパターン欠陥となる問題を有
していた。
そこで、本発明はこの様な問題点を解決するため、同一
パターンの２枚以上のマスクを装着し、上記２枚以上の
マスクを同時に露光する事ができる光学系を備えること
によって、１枚のマスクに付着した異物によるパターン
欠陥を、他のマスクからの光で露光させることで無欠陥
のレジストパターンの形成を可能にさせることを目的と
している。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体製造装置は、反射型投影露光装置におい
て、同一パターンの２枚以上のマスクを装着し、上記２
枚以上のマスクを同時に露光する事ができる光学系を備
えたことを特徴とする特＊実 施 例〕
第１ｖ！Ｊは、本発明の実施例に都ける断面図であり、
１は露光光線、２は露光光線を２つに分岐させるハーフ
ミラ−，３は１枚目のマスク、４はマスク３と同一パタ
ーンの２枚１のマスク、５．６は露光光線１を全反射す
るミラー、７はマスク３とマスク４の２つのパターン像
を合成させるハーフミラ−，８は台形ミラー、９は凹面
鏡、１０は凸面鏡、１１は半導体基板である。
露光光線１は、ハーフミラ−２で２系統に分岐され、片
方はミラー６で全反射されマスク４のパターンをハーフ
ミラーフに作る。又、もう一方の露光光線はマスク３の
パターンをミラー５で全反射し、上記ハーフミラーフに
作る。上記ハーフミラーフで合成されたパターンは、台
形ミラー８、凹面鏡９、凸面鏡１０で全反射され、無欠
陥パターンを半導体基板１１に結像することを可能にし
た。
なお、半導体基板はガラス基板等の使用も可能である。
又、マスクも２枚だけでなく３枚以上でも可能である。
〔発明の効果〕
以上述べた様に、本発明によれば同一パターンの２枚以
上のマスクを装着し、上記２枚以上のマスクを同時に露
光する事ができるマスク光学系を備えたことにより、無
欠陥のレジストパターンの形成を可能にさせる効果を有
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field in Icheon] The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, particularly to the structure of an optical system of a reflection type projection exposure apparatus. [Summary of the Invention] The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus, particularly a reflective projection exposure apparatus, equipped with an optical system capable of attaching two or more masks and simultaneously illuminating the two or more masks. This makes it possible to form a defect-free resist pattern. [Prior Art] As shown in FIG. 2, a conventional semiconductor manufacturing apparatus, particularly an optical system of a reflection type projection exposure apparatus, uses a trapezoidal mirror 12, a concave mirror 13, and a convex mirror 14 to reflect light onto a semiconductor substrate 15. The structure was such that only the pattern of the mask 16 could be exposed. [Problems to be Solved by the Invention] However, with the structure shown in FIG. 2, only one mask can be exposed, so if foreign matter adheres to one mask, the foreign matter will be directly transferred and cause a pattern defect. It had Therefore, in order to solve these problems, the present invention is equipped with an optical system that can attach two or more masks with the same pattern and expose the two or more masks simultaneously. The purpose of this method is to make it possible to form a defect-free resist pattern by exposing pattern defects caused by foreign matter attached to a mask to light from another mask. [Means for Solving the Problems] The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is a reflection type projection exposure apparatus, in which two or more masks with the same pattern are attached, and the above two
Special implementation example characterized by being equipped with an optical system that can simultaneously expose more than one mask] 1st v! J is a sectional view according to an embodiment of the present invention,
1 is the exposure light beam, 2 is a half mirror that splits the exposure light beam into two, 3 is the first mask, 4 is 2 masks with the same pattern as mask 3, and 5.6 is the total reflection of the exposure light beam 1. 7 is a half mirror for synthesizing the two pattern images of masks 3 and 4, 8 is a trapezoidal mirror, 9 is a concave mirror, 10 is a convex mirror, and 11 is a semiconductor substrate. The exposure light beam 1 is branched into two lines by a half mirror 2, and one is totally reflected by a mirror 6 to form a pattern of a mask 4 in a half mirror pattern. The other exposure light beam is totally reflected on the pattern of the mask 3 by the mirror 5 to form the above-mentioned half mirror. The pattern synthesized by the half mirror is totally reflected by the trapezoidal mirror 8, concave mirror 9, and convex mirror 10, making it possible to image a defect-free pattern on the semiconductor substrate 11. Note that a glass substrate or the like can also be used as the semiconductor substrate. Furthermore, it is possible to use not only two masks but also three or more masks. [Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, by providing a mask optical system that can attach two or more masks with the same pattern and simultaneously expose the two or more masks, This has the effect of making it possible to form a defect-free resist pattern.
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]
第１図は本発明の一実施例の−主要断面図であり、−節
２図は従来の主要断面図である。
１・・・・・・露光光線
２．７・・・・ハーフミラ−
３，４，１６Φマスク
５．６・・・・ミラー
８．１−２・・・台形−ミラー
９．１３・・！凹面鏡
１０．１４・・凸面鏡
１１．１５・・半導体基板
−以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）−フ
と６１１，１１
＆ｊラーFIG. 1 is a main sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a main sectional view of a conventional device. 1...Exposure beam 2.7...Half mirror 3,4,16Φ mask 5.6...Mirror 8.1-2...Trapezoid mirror 9.13...! Concave mirror 10.14... Convex mirror 11.15... Semiconductor substrate - Applicant Seiko Epson Co., Ltd. Agent Patent attorney Kizobe Suzuki (and 1 other person) - F
and 611,11 &j.