JPH03149809A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03149809A JPH03149809A JP1289476A JP28947689A JPH03149809A JP H03149809 A JPH03149809 A JP H03149809A JP 1289476 A JP1289476 A JP 1289476A JP 28947689 A JP28947689 A JP 28947689A JP H03149809 A JPH03149809 A JP H03149809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- pattern
- mask
- masks
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利川分野〕
本発明は、半導体製造装置、特に、反射型投影露光装置
の光学系の構造に関する。 〔発明の概要〕 本発明は、半導体製造装置、特に、反射型投影露光装置
において、２枚以上のマスクを装着し、２枚以上のマス
クを同時に、−光する事ができる光学系を備えることに
よって、無欠陥のレジストパターンの形成を可能にさせ
るものである。 〔従来の技術〕 従来の半導体製造装置は、特に、反射型投影露光装置の
光学系は、第２図にあるように、台形ミラー１２、凹面
鏡１３、凸面鏡１４で反射させ半導体基板１５に１枚の
マスク１６のパターンしか露光できない構造であった。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、前述第２図の構造では、１枚のマスクしか露光
できないため、１枚のマスクに異物が付着した場合、そ
の異物がそのまま転写されパターン欠陥となる問題を有
していた。 そこで、本発明はこの様な問題点を解決するため、同一
パターンの２枚以上のマスクを装着し、上記２枚以上の
マスクを同時に露光する事ができる光学系を備えること
によって、１枚のマスクに付着した異物によるパターン
欠陥を、他のマスクからの光で露光させることで無欠陥
のレジストパターンの形成を可能にさせることを目的と
している。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体製造装置は、反射型投影露光装置におい
て、同一パターンの２枚以上のマスクを装着し、上記２
枚以上のマスクを同時に露光する事ができる光学系を備
えたことを特徴とする特＊実 施 例〕 第１ｖ！Ｊは、本発明の実施例に都ける断面図であり、
１は露光光線、２は露光光線を２つに分岐させるハーフ
ミラ−，３は１枚目のマスク、４はマスク３と同一パタ
ーンの２枚１のマスク、５．６は露光光線１を全反射す
るミラー、７はマスク３とマスク４の２つのパターン像
を合成させるハーフミラ−，８は台形ミラー、９は凹面
鏡、１０は凸面鏡、１１は半導体基板である。 露光光線１は、ハーフミラ−２で２系統に分岐され、片
方はミラー６で全反射されマスク４のパターンをハーフ
ミラーフに作る。又、もう一方の露光光線はマスク３の
パターンをミラー５で全反射し、上記ハーフミラーフに
作る。上記ハーフミラーフで合成されたパターンは、台
形ミラー８、凹面鏡９、凸面鏡１０で全反射され、無欠
陥パターンを半導体基板１１に結像することを可能にし
た。 なお、半導体基板はガラス基板等の使用も可能である。 又、マスクも２枚だけでなく３枚以上でも可能である。 〔発明の効果〕 以上述べた様に、本発明によれば同一パターンの２枚以
上のマスクを装着し、上記２枚以上のマスクを同時に露
光する事ができるマスク光学系を備えたことにより、無
欠陥のレジストパターンの形成を可能にさせる効果を有
する。
の光学系の構造に関する。 〔発明の概要〕 本発明は、半導体製造装置、特に、反射型投影露光装置
において、２枚以上のマスクを装着し、２枚以上のマス
クを同時に、−光する事ができる光学系を備えることに
よって、無欠陥のレジストパターンの形成を可能にさせ
るものである。 〔従来の技術〕 従来の半導体製造装置は、特に、反射型投影露光装置の
光学系は、第２図にあるように、台形ミラー１２、凹面
鏡１３、凸面鏡１４で反射させ半導体基板１５に１枚の
マスク１６のパターンしか露光できない構造であった。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、前述第２図の構造では、１枚のマスクしか露光
できないため、１枚のマスクに異物が付着した場合、そ
の異物がそのまま転写されパターン欠陥となる問題を有
していた。 そこで、本発明はこの様な問題点を解決するため、同一
パターンの２枚以上のマスクを装着し、上記２枚以上の
マスクを同時に露光する事ができる光学系を備えること
によって、１枚のマスクに付着した異物によるパターン
欠陥を、他のマスクからの光で露光させることで無欠陥
のレジストパターンの形成を可能にさせることを目的と
している。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体製造装置は、反射型投影露光装置におい
て、同一パターンの２枚以上のマスクを装着し、上記２
枚以上のマスクを同時に露光する事ができる光学系を備
えたことを特徴とする特＊実 施 例〕 第１ｖ！Ｊは、本発明の実施例に都ける断面図であり、
１は露光光線、２は露光光線を２つに分岐させるハーフ
ミラ−，３は１枚目のマスク、４はマスク３と同一パタ
ーンの２枚１のマスク、５．６は露光光線１を全反射す
るミラー、７はマスク３とマスク４の２つのパターン像
を合成させるハーフミラ−，８は台形ミラー、９は凹面
鏡、１０は凸面鏡、１１は半導体基板である。 露光光線１は、ハーフミラ−２で２系統に分岐され、片
方はミラー６で全反射されマスク４のパターンをハーフ
ミラーフに作る。又、もう一方の露光光線はマスク３の
パターンをミラー５で全反射し、上記ハーフミラーフに
作る。上記ハーフミラーフで合成されたパターンは、台
形ミラー８、凹面鏡９、凸面鏡１０で全反射され、無欠
陥パターンを半導体基板１１に結像することを可能にし
た。 なお、半導体基板はガラス基板等の使用も可能である。 又、マスクも２枚だけでなく３枚以上でも可能である。 〔発明の効果〕 以上述べた様に、本発明によれば同一パターンの２枚以
上のマスクを装着し、上記２枚以上のマスクを同時に露
光する事ができるマスク光学系を備えたことにより、無
欠陥のレジストパターンの形成を可能にさせる効果を有
する。
第１図は本発明の一実施例の−主要断面図であり、−節
２図は従来の主要断面図である。 １・・・・・・露光光線 ２．７・・・・ハーフミラ− ３，４，１６Φマスク ５．６・・・・ミラー ８．１−２・・・台形−ミラー ９．１３・・！凹面鏡 １０．１４・・凸面鏡 １１．１５・・半導体基板 −以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）−フ
と６１１，１１ ＆ｊラー
２図は従来の主要断面図である。 １・・・・・・露光光線 ２．７・・・・ハーフミラ− ３，４，１６Φマスク ５．６・・・・ミラー ８．１−２・・・台形−ミラー ９．１３・・！凹面鏡 １０．１４・・凸面鏡 １１．１５・・半導体基板 −以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）−フ
と６１１，１１ ＆ｊラー
Claims (1)
- 反射型投影露光装置において、同一パターンの２枚以
上のマスクを装着し、上記２枚以上のマスクを同時に露
光する事ができる光学系を備えた事を特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289476A JPH03149809A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289476A JPH03149809A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149809A true JPH03149809A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17743768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1289476A Pending JPH03149809A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03149809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255164B1 (en) * | 2001-05-04 | 2007-07-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP1289476A patent/JPH03149809A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255164B1 (en) * | 2001-05-04 | 2007-07-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
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