JPH03150802A - 酸化亜鉛バリスタの製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛バリスタの製造方法Info
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- JPH03150802A JPH03150802A JP1290190A JP29019089A JPH03150802A JP H03150802 A JPH03150802 A JP H03150802A JP 1290190 A JP1290190 A JP 1290190A JP 29019089 A JP29019089 A JP 29019089A JP H03150802 A JPH03150802 A JP H03150802A
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
タおよびその製造方法と、サーミスタ。
覆用結晶化ガラス組成物に関するものである。
の金属酸化物を副成分とする酸化亜鉛バリスタは、大き
なサージ耐量と優れた電圧非直線性を有し、近年ギヤプ
レスアレスタ用の素子として従来のシリコンカーバイト
バリスタにとって代わって広く利用されているのは周知
の通りである。
特開昭62−101002号公報などが開示されている
が、前記先行例の内容は以下の通りである。まず、主成
分のZnOに、B12(h。
化物をそれぞれ0.01〜6.0モル%添加した原料粉
末を混合、造粒し、この造粒粉を円柱状に加圧、成形し
、電気炉で1200℃、6時間焼成する。そして得られ
た焼結体の側面に、pb。
%と、長石 20ffifft%と、有機バインダーと
から成るガラスペーストを、スクリーン印刷機で5〜5
00 mg / c++1塗布した後、焼付処理を行う
。このようにして得られた素子の両端面を平面研磨し、
アルミニウムのメタリコン電極を形成し、酸化亜鉛バリ
スタを得るものである。
スタはスクリーン印刷法を用いるため、側面高抵抗層の
厚みが均一に形成され、放電耐量特性のバラツキが小さ
いという長所をもつものの、側面高抵抗層がPbO系ガ
ラスフリットと長石のコンポジットガラスであるため、
放?を耐量特性が低く、またガラス焼付処理時に電圧非
直線性が゛低下し、課電寿命特性も悪化するという欠点
を有していた。
酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法、被覆用結晶化ガ
ラス組成物を提供することを目的とするものである。
成分とする焼結体の側面に、少なくともSiOxを6.
0〜15.0重量%含むPbOを主成分とする結晶化ガ
ラスから成る側面高抵抗層を有する酸化亜鉛バリスタを
提案するものである。
〜15.OfU量%含むPbOを主成分とする結晶化ガ
ラスと有機バインダーから成るガラスペーストを10.
0〜150.0mg/ci塗布し、450℃〜650℃
の温度範囲にて焼付処理し、焼結体に結晶化ガラスから
成る側面高抵抗層を形成する酸化亜鉛バリスタの製造方
法を提案するものである。
3 rSi02を副成分とする結晶化ガラスにおいて、
歩な(ともSiO2を6.0〜15.0重量%含むこと
を特徴とする酸化物セラミック被覆用の結晶化ガラス組
成物を提案するものである。
較べ本発明のPbOを主成分とする結晶化ガラスは、S
iO2の添加により被覆膜の強度が高い上、焼結体との
密着性もよいため、放電耐量特性に優れ、さらに絶縁性
も高いため、焼付処理時の電圧非直線性の低下を最小限
に抑えることが可能となり、課電寿命特性も優れた高信
頼性の酸化亜鉛バリスタを得ることができることとなる
。
、被覆用結晶化ガラス組成物について、実施例に基づき
詳細に説明する。
モル%、Cot’30.5モル%、Mn020.5モル
%、5btO31,0モル%、Cr2030.5モル%
、NiOO,5モル%、SiO20.5モル%を加え、
この粉末を純水、バインダー分散剤とともに例えばボー
ルミルにて充分に混合、粉砕した後、スプレードライヤ
ーにて乾燥、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径
40 mm 。
以上の温度条件にて脱脂処理した。その後、1100℃
〜1250℃の温度範囲で焼成し、焼結体を得た。
にて混合、粉砕した後、白金ルツボにて1000℃〜1
200℃の温度条件で溶融し、急冷してガラス化させた
。このガラスを粗粉砕した後、ボールミルにて微粉砕し
ガラスフリットを得た。
nO25,01iif雇%、B2O35,0ffi量%
から成るガラスフリット80.0重量%と・長石(長石
はKA2Si30B、NaAe S 130g。
力ら成るコンポジットガラスを前記と同様の工程で作成
した。以上のように作製したガラスフリットの、組成お
よびガラス転移点Tg、線膨脹係数αを下記の第1表に
示す。
高くなり、ZnOの添加量が多い場合、ガラス転移点T
gが低くなり結晶化しやすくなる。また、B2O3の添
加量が多い場合、ガラス転移点が高くなり、添加量が1
5.0重量%を超えた場合には結晶化しに((なる。モ
してSiO2の添加量が多くなるに従いガラス転移点は
高くなる傾向があり、線膨脹係数は低くなる傾向がある
。
ンダー(エチルセルロース、ブチルカルピトールアセテ
ートの混合物)15重量%とを、例えば三本ロールミル
にて充分に混合し被覆用ガラスペーストを得た。この被
覆用ガラスペーストを1例えば曲面スクリーン印刷機に
て125〜250メツシユのスクリーンを用いて前記焼
結体の側面に印刷した。ここで、被覆用ガラスペースト
の塗布量は、ペーストを塗布した後、150℃で30分
間乾燥して焼結体の重量差から求めた。
、酢酸n−ブチルを添加して調整した。その後、350
℃〜700℃の温度条件にて被覆用ガラスペーストの焼
付処理を行い、焼結体の側面に側面高抵抗層を形成した
。この焼結体の両端面を平面研磨し、アルミニウムのメ
タリコン電極を形成し酸化亜鉛バリスタを得た。
鉛バリスタの断面図を示す。第1図において、1は酸化
亜鉛を主成分とする焼結体、2は焼結体1の両端面に形
成された電極、3は焼結体1の側面に結晶化ガラスを焼
付処理して得られた側面高抵抗層である。
用いて作製した酸化亜鉛バリスタの外観、 V+l1l
A/V+o、4A、放電Iit fit TJ 性オヨ
U 課Z tF命特性を示す。ここで、被覆用ガラスペ
ーストの塗布量は、50 a++r / an?となる
ようペーストの粘度をコントロールした。また、焼付処
理条件は550℃、1時間である。ここで、試料数は各
ロットn=5個である。また、vI+nA/ V to
、4rAは直流定電流電源を用いて測定した。そして
、放電耐量特性は4/10μsの衝撃電流を5分間隔で
同一方向に2回ずつ印加し、40kAよりステップアッ
プした。さらに、課電寿命特性は周囲温度130℃。
電流が5mA (ピーク値)に至るまでの時間を測定し
た。
10−7i℃より小さい場合は(G1.G18ガラス)
はガラスが剥離し易くなり、90×10−7i℃を超え
た場合にはクラックが発生し易くなることがわかる。こ
れらクラックやガラス剥離が発生した試料は、側面高抵
抗層の絶縁性か悪いため、放電耐量特性が低いことがわ
かる。また、被覆用ガラスの線5彰脹係数が65X10
−7から90 X 10−7/℃の範囲であっても、結
晶性の悪いガラス(G5゜G13ガラス)についてはク
ラックが入りやすく放電耐量特性も低い。これは、結晶
性ガラスの方が非結晶性ガラスに比べ被覆膜の強度が低
いためと考えられる。また、結晶化ガラス成分としての
ZnOの添加は、酸化亜鉛バリスタの電気的緒特性、信
頼性に大きな影響を及ぼさず、ガラスの物性、中でもガ
ラス転移点の低下に役立つ。また、従来例(比較検討用
試料)であろPbO−ZnO−B2O3ガラスと長石の
コンポジットガラスを用いた場合、課電寿命特性は実用
的なレベルではあるが放電耐量特性が低いことがわかる
。
2の添加量が6.0重量%未満の組成系においては、い
ずれの組成系であっても課電寿命特性が悪い。これはS
iO2の添加量が6.0重量%より少ない場合、被覆膜
の絶縁抵抗が低いためであると考えられる。一方、5i
(hの添加量が15.0重量06より多い場合、放電1
iti特性が低い。これは焼付処理時のガラスの流動性
が悪いため、ポーラスになり易いためであると考えられ
る。従って、酸化亜鉛バリスタの側面高抵抗層用のPb
Oを主成分とする結晶化ガラスにおいて、少なくともS
iO2を6.0〜1540重量%含む組成系であること
が必要条件である。
が50.0〜75.0重量%、Zn○が10.0〜30
.0重量%、B2O3が5.0〜10.0重量%、5i
(hが6.0〜15.0ffi量%の範囲が最適である
ことがわかる。また、酸化亜鉛バリスタの側面高抵抗層
用としては、線膨脹係数が65〜90 X 10−7i
℃の範囲内であることが必要である。
ラスペーストの塗布量を検討した。この結果を下記の第
3表に示す。ここで、ガラスペーストの塗布量は1.0
〜300.C)nぎ/C−でペーストの粘度および塗布
回数でコントロールした。そして、第3表より塗布量が
10.0m1r/cnfより少ない場合、被覆膜の強度
が低いため、また塗布量が150.0mr/c−より多
い場合にはガラスにピンホールが発生し易いため、放電
耐量特性が悪い。従って、ガラスペーストの塗布量は1
0.0〜150.ON/−の範囲が最適であることがわ
かる。
ラスペーストの焼付処理条件を検討した。この結果を下
記の第4表に示す。ここで、ガラスペーストの塗布量は
50 、0 mg / cjとなるよう粘度をコントロ
ールした。また、ガラスの焼付処理は350〜700℃
の温度範囲にて保持時間を1時間とし、空気中で行った
。そして、第4表より明らかなように450℃より低温
で焼付処理を行った場合、ガラスが充分に溶融しないた
め放電耐量特性が低く、650℃より高温で焼付処理を
行った場合、電圧比が著しく低下し課電寿命特性が悪化
する。従って、ガラスペーストの焼付処理条件は450
〜650℃の温度範囲が最適であることがわかる。
の代表例として、PbO−ZnO−B2O3S i 0
2の4成分系の被覆用結晶化ガラスについて述べたが、
第5成分として、さらにカラスの結晶化を促進する微量
添加物、例え(JAe203.5n02などを添加して
も本発明の効果に変わりはない。また、ガラス転移点を
低下させる物質として前記実施例ではZnOを用いたが
、これはその他の物質で置き換えることもできるのはも
ちろんである。さらに、本実施例では酸化物セラミック
の代表例として、酸化亜鉛バリスタに本発明のPbOを
主成分とする被覆用結晶化ガラスを用いたが、これは、
チタン酸ストロンチウム系のバリスタ、チタン酸バリウ
ム系のコンデンサやPTCサーミスタ、金属酸化物系の
NTCサーミスタなど、いずれの酸化物セラミックにも
全く同様に適用できるものである。
焼結体の側面に少なくともS i 02を6.0〜15
.0重量%含むPbOを主成分とする結晶化ガラスから
成る側面高抵抗層を有することにより、放電耐量特性2
課電寿命特性の優れた酸化亜鉛バリスタを得ることがで
きる。
、化ガラスを適用した、一実施例による酸化亜鉛バリス
タの断面図−である。 1・・・・・・焼結体、2・・・・・・電極、3・・・
・・・側面高抵抗層。
Claims (4)
- (1) 酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身がバリスタ
特性を有する焼結体の側面に、少なくともSiO_2を
6.0〜15.0重量%含むPbOを主成分とする結晶
化ガラスから成る側面高抵抗層を有する酸化亜鉛バリス
タ。 - (2) 酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身がバリスタ
特性を有する焼結体の測面に、少なくともSiO_2を
6.0〜15.0重量%を含むPbOを主成分とする結
晶化ガラスと有機物から成るガラスペーストを10.0
〜150.0mg/cm^2塗布し、450℃〜650
℃の温度範囲にて焼付処理する酸化亜鉛バリスタの製造
方法。 - (3) 結晶化ガラスの線膨脹係数が65〜90×10
^−^7/℃である特許請求の範囲第2項記載の酸化亜
鉛バリスタの製造方法。 - (4) PbO50.0〜75.0重量%、ZnO10
.0〜30.0重量%、 B_2O_35.0〜10.0重量%、 SiO_26.0〜15.0重量%から成る被覆用結晶
化ガラス組成物。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290190A JP2819691B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
| EP94110291A EP0620566B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
| EP94110295A EP0620567B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
| DE69021552T DE69021552T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung. |
| US07/689,948 US5294908A (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
| AU77879/91A AU641249B2 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
| PCT/JP1990/001442 WO1991007763A1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
| DE69027867T DE69027867T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
| EP90916378A EP0452511B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
| DE69027866T DE69027866T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
| KR1019910700714A KR960011155B1 (ko) | 1989-11-08 | 1990-11-17 | 산화아연배리스터와 그 제조방법 및 피보용 결정화유리조성물 |
| US08/147,182 US5447892A (en) | 1989-11-08 | 1993-11-01 | Crystallized glass compositions for coating oxide-based ceramics |
| US08/388,086 US5547907A (en) | 1989-11-08 | 1995-02-14 | Crystallized glass compositions for coating oxide-based ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290190A JP2819691B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150802A true JPH03150802A (ja) | 1991-06-27 |
| JP2819691B2 JP2819691B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17752916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1290190A Expired - Lifetime JP2819691B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819691B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117224887A (zh) * | 2023-08-01 | 2023-12-15 | 中国矿业大学 | 一种d类干粉灭火剂、其制备方法及其应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5598802A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Nonnlinear voltage resistor |
| JPS5654002A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-13 | Hitachi Ltd | Voltage nonlinear resistor |
| JPS62101002A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1290190A patent/JP2819691B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5598802A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Nonnlinear voltage resistor |
| JPS5654002A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-13 | Hitachi Ltd | Voltage nonlinear resistor |
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| CN117224887A (zh) * | 2023-08-01 | 2023-12-15 | 中国矿业大学 | 一种d类干粉灭火剂、其制备方法及其应用 |
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| JP2819691B2 (ja) | 1998-10-30 |
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