JPH03150844A - テルル化カドミウム系基板の処理方法 - Google Patents
テルル化カドミウム系基板の処理方法Info
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- JPH03150844A JPH03150844A JP28882289A JP28882289A JPH03150844A JP H03150844 A JPH03150844 A JP H03150844A JP 28882289 A JP28882289 A JP 28882289A JP 28882289 A JP28882289 A JP 28882289A JP H03150844 A JPH03150844 A JP H03150844A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はテルル化カドミウム系基板の処理方法に関し、
さらに詳しくは支持台上にガリウムで固定されたテルル
化カドミウム系基板を取り外す方法に関するものである
。
さらに詳しくは支持台上にガリウムで固定されたテルル
化カドミウム系基板を取り外す方法に関するものである
。
［従来の技術］
テルル化カドミウム系基板上にテルル化水銀カドミウム
薄膜のような薄膜を成長させる場合、通常テルル化カド
ミウム系基板は第２図に示すように、モリブデンの支持
台１上に熱接触を取るためにガリウム２を介して貼り付
けている。
薄膜のような薄膜を成長させる場合、通常テルル化カド
ミウム系基板は第２図に示すように、モリブデンの支持
台１上に熱接触を取るためにガリウム２を介して貼り付
けている。
このような支持台１上に貼り付けられたテルル化カドミ
ウム系基板３の表面上にテルル化水銀カドミウム薄膜４
を成長後、従来は支持台１から取り外すために、以下の
３つの手順を実施していた。
ウム系基板３の表面上にテルル化水銀カドミウム薄膜４
を成長後、従来は支持台１から取り外すために、以下の
３つの手順を実施していた。
即ち、第１段階ではモリブデンの支持台１を加熱器５で
加熱し、ガリウムの融点（２９，７５℃）より少し高め
にして固体になっているガリウム２を溶かし、基板が支
持台から取り外せるようにする。
加熱し、ガリウムの融点（２９，７５℃）より少し高め
にして固体になっているガリウム２を溶かし、基板が支
持台から取り外せるようにする。
次いで第２段階では基板をピンセットで支持台１から取
り外し、第３図のようなガリウムの融点より少し高めに
加熱された基板裏面清浄用治具８上にガリウム２の付着
している基板３の裏面を上向きに載せる。最後に、メチ
ルアルコールを含ませた綿棒で基板裏面についているガ
リウム２を拭き取る。このような手順でテルル化カドミ
ウム系基板の取り外しと基板裏面の清浄化を行っていた
。
り外し、第３図のようなガリウムの融点より少し高めに
加熱された基板裏面清浄用治具８上にガリウム２の付着
している基板３の裏面を上向きに載せる。最後に、メチ
ルアルコールを含ませた綿棒で基板裏面についているガ
リウム２を拭き取る。このような手順でテルル化カドミ
ウム系基板の取り外しと基板裏面の清浄化を行っていた
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記の方法において、テルル化カドミウ
ム系基板をモリブデン支持台から取り外してから、第３
図に示すような基板裏面清浄用治具に基板裏面を上にし
て載せると、基板表面の一部が傷つくという問題があっ
た。また、綿棒によりガリウムを拭き取っても基板裏面
に染み込んだガリウムが残っていて、これを取り除くこ
とが困難であった。
ム系基板をモリブデン支持台から取り外してから、第３
図に示すような基板裏面清浄用治具に基板裏面を上にし
て載せると、基板表面の一部が傷つくという問題があっ
た。また、綿棒によりガリウムを拭き取っても基板裏面
に染み込んだガリウムが残っていて、これを取り除くこ
とが困難であった。
本発明は、以上述べたような従来の問題点を解決するた
めになされたもので、基板表面を傷つけることなく基板
裏面のガリウムを完全に除去できるテルル化カドミウム
系基板の処理方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、基板表面を傷つけることなく基板
裏面のガリウムを完全に除去できるテルル化カドミウム
系基板の処理方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ガリウムを介して支持台に固定した薄膜成長
後のテルル化カドミウム系基板を、ガリウムの融点以上
で、かつ成長薄膜が変性しない温度にまで加熱した塩酸
中に支持台ごと浸し、該支持台からテルル化カドミウム
系基板を取り外すと共に、基板裏面を清浄化することを
特徴とするテルル化カドミウム系基板の処理方法である
。
後のテルル化カドミウム系基板を、ガリウムの融点以上
で、かつ成長薄膜が変性しない温度にまで加熱した塩酸
中に支持台ごと浸し、該支持台からテルル化カドミウム
系基板を取り外すと共に、基板裏面を清浄化することを
特徴とするテルル化カドミウム系基板の処理方法である
。
［作用］
テルル化カドミウム系基板を支持台ごとガリウムの融点
より少し高めの温度に設定した塩酸中に浸すと、基板と
支持台の間にあるガリウムは融点以上になり、溶融して
粒状になり、テルル化カドミウム系基板を支持台から容
易に取り外すことができる。またそれと同時に、基板上
に残ったガリウムは塩酸との化学反応で溶解し、基板裏
面の洗浄が行われる。
より少し高めの温度に設定した塩酸中に浸すと、基板と
支持台の間にあるガリウムは融点以上になり、溶融して
粒状になり、テルル化カドミウム系基板を支持台から容
易に取り外すことができる。またそれと同時に、基板上
に残ったガリウムは塩酸との化学反応で溶解し、基板裏
面の洗浄が行われる。
ざらに、塩酸の温度は成長薄膜が変性しない温度、例え
ば成長薄膜がテルル化水銀カドミウムであれば、水銀が
蒸発しない５０°Ｃ付近の温度に設定することにより、
成長薄膜が影響をうけることはなく、またテルル化カド
ミウム系基板も塩酸と反応して溶けることはない。
ば成長薄膜がテルル化水銀カドミウムであれば、水銀が
蒸発しない５０°Ｃ付近の温度に設定することにより、
成長薄膜が影響をうけることはなく、またテルル化カド
ミウム系基板も塩酸と反応して溶けることはない。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の方法の一実施例を示す説明図である。
第１図のように、テルル化カドミウム系基板３がガリウ
ム２によって貼り付けられたモリブデン製の支持台１を
ガリウム２の融点より高く、かつ基板３上に成長させた
テルル化水銀カドミウム薄膜４から水銀が蒸発しない５
０’Ｃ付近の温度に加熱した塩酸７中に浸すと、ガリウ
ム２は融点以上の温度のため固体から液体になり、それ
と同時に塩酸７との化学反応でガリウム２は溶解するた
め、基板３は支持台１から数秒で剥離した。また、塩酸
との化学反応により、基板裏面に付いたガリウムもきれ
いに溶け、基板裏面の洗浄効果もある。この過程におい
て、モリブデンの支持台とテルル化カドミウム系基板は
塩酸と反応して溶けることはない。
ム２によって貼り付けられたモリブデン製の支持台１を
ガリウム２の融点より高く、かつ基板３上に成長させた
テルル化水銀カドミウム薄膜４から水銀が蒸発しない５
０’Ｃ付近の温度に加熱した塩酸７中に浸すと、ガリウ
ム２は融点以上の温度のため固体から液体になり、それ
と同時に塩酸７との化学反応でガリウム２は溶解するた
め、基板３は支持台１から数秒で剥離した。また、塩酸
との化学反応により、基板裏面に付いたガリウムもきれ
いに溶け、基板裏面の洗浄効果もある。この過程におい
て、モリブデンの支持台とテルル化カドミウム系基板は
塩酸と反応して溶けることはない。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明の方法によれば、基板を数
秒で支持台から剥離することができ、基板裏面もガリウ
ムから完全に清浄化されると共に、基板表面に接触する
ことがないので表面を傷つけずに安全に支持台から取り
外すことが可能である。
秒で支持台から剥離することができ、基板裏面もガリウ
ムから完全に清浄化されると共に、基板表面に接触する
ことがないので表面を傷つけずに安全に支持台から取り
外すことが可能である。
従って、従来よりもテルル化カドミウム系基板の取り外
し作業が簡便になり、作業にかかる工数を削減すること
ができる。
し作業が簡便になり、作業にかかる工数を削減すること
ができる。
第１図は本発明の方法の一実施例を示す説明図、第２図
は従来例による基板の取り外し方法を示す説明図、第３
図は従来例による基板裏面の清浄化方法を示す説明図で
ある。 １・・・モリブデン支持台 ２・・・ガリウム ３・・・テルル化カドミウム系基板 ４・・・テルル化水銀カドミウム薄膜 ５・・・加熱器 ６・・・ビーカー ７・・・塩酸 ８・・・基板裏面清浄用治具
は従来例による基板の取り外し方法を示す説明図、第３
図は従来例による基板裏面の清浄化方法を示す説明図で
ある。 １・・・モリブデン支持台 ２・・・ガリウム ３・・・テルル化カドミウム系基板 ４・・・テルル化水銀カドミウム薄膜 ５・・・加熱器 ６・・・ビーカー ７・・・塩酸 ８・・・基板裏面清浄用治具
Claims (1)
- （１）ガリウムを介して支持台に固定した薄膜成長後の
テルル化カドミウム系基板を、ガリウムの融点以上で、
かつ成長薄膜が変性しない温度にまで加熱した塩酸中に
支持台ごと浸し、該支持台からテルル化カドミウム系基
板を取り外すと共に、基板裏面を清浄化することを特徴
とするテルル化カドミウム系基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28882289A JPH03150844A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | テルル化カドミウム系基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28882289A JPH03150844A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | テルル化カドミウム系基板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150844A true JPH03150844A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17735188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28882289A Pending JPH03150844A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | テルル化カドミウム系基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03150844A (ja) |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP28882289A patent/JPH03150844A/ja active Pending
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