JPH03150933A - データ伝送方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は例えば端末機と携帯形半導体記憶装置との間
のデータ伝送を行なうためのデータ伝送方式に関するも
のである。

〔従来の技術〕

第３図は従来のデータ伝送方式を説明するための携帯形
半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図にお
いて、１１はアドレスバス２６、データバス２７及びコ
ントロールバス２８を介して図示しない端末機とデータ
転送を行ないデータの書込み／読み出しが可能なスタテ
ックＲＡＭ、３は電源線１６ａの電圧が規定値以上に達
すると電源線１６ａと内部電源線１９間を導通させる電
源制御回路である。また、電源制御回路３はリセット信
号線２５にハイレベルの信号を送出する。

！４は電源線１６ａの電圧が無い時、電源制限用抵抗１
３及び逆充電防止用ダイオード１２を介して内部電源線
１９に電圧を供給する内部電池である。１５は内部電源
線１９上のノイズを除去するためのコンデンサ、１７ａ
は電源の接地線である。

接地線１７ａは基準レベルで通常はＯ■である。

次に動作について説明する。

今、端末機から、電源線１６ａに規定値以上の電圧が供
給された場合、電源制御回路３は電源線１６ａと内部電
源線１９間を導通せしめる。従って、内部電源線１９に
は電源線１６ａの電圧が供給されると同時にリセット信
号線２５にハイレベルの信号を送出する。スタテックＲ
ＡＭＩＩはすセント信号線２５にハイレベル信号が印加
されるとイネーブル状態（動作可能状態）となる。この
時端末機はアドレスバス２６．データバス２７及びコン
トロールバス２８を介し、スタテックＲＡＭ１ｌにアク
セス（データの書込み／続出し）が可能である。この動
作は周知の技術であるので省略する。また、内部電源線
１９の電位は内部電池１４の電位より高いからダイオー
ドＩ２の作用のため、内部電池１４は電流を消費する事
は無い。

−船釣に電源線１６ａ、内部電源線１９及び内部電池１
４の電位はそれぞれ５Ｖ、４．５Ｖ及び３■である。次
に電源線１６ａの電圧が無い時は、電源制御回路３は電
源綿１６ａと内部電源線１９間を遮断とする。それと同
時にリセット信号線２５にローレベルの信号を送出する
。従って、スタテックＲＡＭＩＩはディセイブル状態（
動作禁止状態）となる。この時、内部電源線１９へは内
部電池１４の電圧が抵抗１３及びダイオード１２を介し
て、供給される。このため、スタテックＲＡＭ１１の記
憶データは保持する事ができる。抵抗１３はダイオード
１２が破壊した時に、内部電源線Ｉ９から内部電池１４
に流れ込む電流を制限する。コンデンサ１５は内部電源
線１９に重畳したノイズを除去する。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上説明したように従来のデータ伝送方式は、端末機と
携帯形半導体記憶装置との間でデータ伝送を行なうのに
アドレスバス２６．データバス２７及びコントロールバ
ス２８等の信号線が必要になる。例えば、スタテックＲ
ＡＭＩＩのメモリ容量を１Ｍビットとした場合、アドレ
スバス２６はアドレス線Ａ０〜Ａ１６を必要として信号
線の本数が１７本となり、データバス２７はデータ線Ｄ
０〜Ｄ７を必要として信号線の本数が８本となる。また
、コントロールバス２８は少なくともチップイネーブル
信号線、ライトイネーブル信号線及びアウトプットイネ
ーブル信号線の３本が必要となる。したがって携帯形半
導体記憶装置は端末機と接続するには電源線１６ａ及び
接地線！？ａを含めて３０ビンのコネクタが必要になる
。

このように従来のデータ伝送方式によれば、メモリ容量
の増大、メモリの種類の変更、データバス長の拡長、付
加機能の変更や向上等に伴ってますますコネクタのピン
数が増加し、これによってコネクタの挿抜力が非常に大
きくなったり、接触の信頼性が落ちたり、またコストが
高くなったりする問題点が生じる。また、コネクタの接
続本数が多くなることにより外来ノイズの影響が太き（
なり、データ処理の信頼性が低下するという問題点が生
じる。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、装置間を接続するコネクタのピン数を激的に
少なくできると共に、メモリ容量の増大、メモリの種類
の変更、データバス長の拡長、付加機能の変更や向上等
によっても、コネクタのピン数を増加させる必要がなく
、これによりコネクタの接触の信頼性を向上させると共
に、外来ノイズの影響を少なくし、データ処理の信頼性
の向上を図れるデータ伝送方式を提供することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るデータ伝送方式は、送信すべきデータ信
号を変調して変調信号を作成すると共に受信した変調信
号を復調して復調信号を作成する変復調回路４ａ、４ｂ
をデータ転送を行なう装置（携帯形半導体記憶装置１、
端末機３０）にそれぞれ備え、装置内の回路素子を駆動
させるための電源線１６ａ、１６ｂに上記変調信号を重
畳させ、装置間のデータ伝送を行なうことを特徴とする
ものである。

〔作用〕

例えば装置（記憶装置ｌ）から装置（端末機３０）へデ
ータ信号を伝送する場合、変復調回路４ａは送信するデ
ータ信号の変調信号を電源線１６ａに重畳させる。この
電源綿１６ａ上の変調信号は電源線１６ｂを介して変復
調回路４ｂに入力され、復調されて送られたデータを示
す復調信号となる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例に係るデータ伝送方式を用
いたデータ処理装置の構成を示すブロック図である６図
において、携帯形半導体記憶装置１は、フィルタ２ａ、
電源制御回路３、変復調回路４ａ、ＣＰＵ　（中央処理
装置）９、発振回路１０、スタテックＲＡＭＩＩ、結合
用コンデンサ１２ａ、逆充電防止用ダイオード１２、電
流制限用抵抗１３、内部電池１４、コンデンサ１５、電
源線１６ａ、電源の接地線１７ａ、第１内部電源線１８
、及び第２内部電源線１９などを備える。

上記フィルタ２ａは電源線１６ａに重畳した（詳しくは
電源電圧に重畳した）変調波を除去して第１内部電源線
１８へ電源電圧を送り出す、電源制御回路３は、第１内
部電源線１８の電圧が規定値以上に達すると第１内部電
源線１８と第２内部電源線１９間を導通させると共に、
リセット信号線２５に例えばハイレベルの信号を送出す
る。変復調回路４ａは、受信変調信号線２０と送信変調
信号線２２とを切り換える（可動接点Ｃを接点ａ又は接
点すに切り換える）切換回路５と、受信変調信号を増幅
する増幅回路６と、この増幅回路６で増幅された変調信
号を復調する復調回路７と、送信すべきデータ信号を変
調する変調回路８とを備える。ＣＰＵ９は発振回路ｌＯ
から出力されるクロック信号（クロック信号線２９の信
号）に従って演算・制御を行ない、スタテックＲＡＭＩ
Ｉに対してデータの書き込み／読み出しを行なう。スタ
テックＲＡＭＩＩのアドレスバス２６、データバス２７
及びコントロールバス２８は従来のように端末機に直接
接続されず、ＣＰＵ９の入出力端子に接続される。内部
電池１４はこの記憶装置１の携帯時にスタテックＲＡＭ
ＩＩの記憶データを保持するためにバックアップする。

コンデンサ１５は内部電源線１９上のノイズを除去する
。

端末機３０は、電源線１６ｂに重畳した変調波を除去し
て５■電源線３２に与えないようにするフィルタ２ｂと
、送信すべきデータ信号を変調して変調信号を作成する
と共に受信した変調信号を復調して復調信号を作成する
変復調回路４ｂと、変調信号を通過させる結合用コンデ
ンサ１２ｂと、記憶装置１とデータ送受するための各種
制御を行なう制御部３１とを備える。端末機３０の電源
線１６ｂと接地線１７ｂは、記憶装置１の電源線１６ａ
と接地線１７ａにそれぞれ接続される。

この実施例では携帯形半導体記憶装置１と端末機３０と
の接続を示す。記憶装置ｌと端末機３０間のデータ伝送
は直列伝送で行ない、データ信号は変調して電源線１６
ａ、１６ｂに重畳させて行なう。電源線を用いてデータ
伝送を行なうので、伝送線は１本（詳しくは電源線及び
接地線で２本）であるから、同時に双方向の信号伝送は
できない。

したがって、端末機３０から記憶装置１へ、記憶装置１
から端末機３０へ交互にデータ伝送を行なう必要がある
。−船釣にこの種のデータ伝送方式として、半二重伝送
方式がある。また、同期のとり方としては、調歩同期を
とる場合が多い。これらの伝送手順は周知の技術である
ので、ここでは説明を省略する。以上、この発明ではデ
ータの送受は半二重・調歩周期方式とする。また、この
発明の特徴である、電源線にデータを重畳するためには
、−船釣にＯＶ、５Ｖの２値化信号では不可であるため
、変調した上、重畳させる事が必要である。変調方法と
して、振幅変調、周波数変調、位相変調等があるが、こ
こでは振幅変調による方式を採用するものとする。第２
図に変調・復調信号を示す。

次にこの実施例の動作について説明する。端末機３０と
記憶装置ｌが接続され、電源線１６ａに５■電源線３２
から電源線１６ｂを介して電圧が供給された場合、電源
制御回路３は第１内部電源′４ｆＡ１８の電圧が所定電
圧値以上に達すると、第１内部電源線１８と第２内部電
源線１９間を導通させる。これにより、第２内部電源線
１９には電源電圧が供給され、それと同時にリセット信
号線２５にハイレベルの信号を送出する。この時、ＣＰ
Ｕ９はリセット解除され、動作可能な状態になる。一方
、スタテックＲＡＭＩＩも動作可能状態となり、いつで
も、データ信号の送受が可能になる。ここで、フィルタ
２ａは変調信号の高周波成分を除去し、第１内部電源線
１８にはこの高周波成分を除去した電源電圧が供給され
る。ＣＰＵ９は、リセット解除の動作として切換回路５
を送受信切換信号線２４の信号によって制御し、可動接
点Ｇを接点ａ側に設定して受信状態とする。

今、端末機３０から記憶装置１のＣＰＵヘデータ信号を
書き込む場合を考える。端末機３０の制御部３１は、書
き込みデータ信号を変復調回路４ｂで変調し、コンデン
サ１２ｂから電源線１６ｂにそのデータ信号の変調信号
を重畳する。

この時、記憶装置１の切換回路５は受信状態にあり、可
動接点Ｃは接点ａに接続されている。したがって上記変
調信号は電源線１６ｂ、電源線１６ａ、コンデンサ１２
ａ、切換回路５、受信変１！信号線２０の順に伝達され
る。この時の受信変調信号線２０の信号の波形は第２図
（ａｌに示すようになる。この受信変調信号線２０の信
号は増幅回路６で増幅された後（第２図（ｂｌ）、復調
回路７で復調され、復調信号となる。この復調信号は復
調信号線２１ａを伝送し、第２図（Ｃ）に示すように端
末機３０の変復調回路４ｂに与えられる前のデータ信号
（書き込みデータ）と同じ波形の調歩同期信号である。

ＣＰＵ９はこの調歩同期信号を処理し、所定のスタテッ
クＲＡＭＩＩにデータ信号を書き込む、ＣＰＵ９とスタ
テックＲＡＭＩＩはアドレスバス２６．データバス２７
及びコントロールバス２８で接続されているので、周知
の技術で書き込みができる。

次に端末機３０は記憶装置ｌのスタテックＲＡＭＩＩか
らデータ信号を読み出す場合は、所定の命令コードを送
出して制御部３１を受信状態とする。記憶装置１のＣＰ
Ｕ９は、上記命令コードにより切換回路５の可動接点Ｇ
を接点す側に接続した後、スタテックＲＡＭＩＩの該当
領域から順次データ信号を読み出し、シーケンシャル的
に送信信号線２３ａを介して変調回路８ヘデ一タ信号を
送る。変調回路８はそのデータ信号を振幅変調する。こ
の変調信号は切換回路５の接点す及び可動接点Ｃを介し
て、コンデンサ１２ａ、電源線１６ａ、電源＆１ｌ１６
ｂ、及びコンデンサ１２ｂを経て変復調回路４ｂに入力
され、復調される。この復調信号は復調信号線２１ｂを
介して制御部３１に入力される。したがって制御部３１
はスタテックＲＡＭＩＩからの読み出しデータ信号を処
理することになる。以上のような書き込み／読み出し動
作を記憶装置ｌと端末機３０とで交互に行なうことによ
り、記憶装置１と端末機３０との情報交換が可能である
。

次に電源線１６ａに電圧が無い時は電源制御回路３の作
用により第２内部電源線１９の電圧がローレベルとなり
、スタテックＲＡＭＩＩはディセイブル状態となるが、
第２内部電源線１９には内部電池１４から抵抗１３及び
ダイオード１２を介して電圧が供給される。したがって
スタテックＲＡＭＩＩの記憶データは保持される。

このように上記実施例では端末機と携帯形半導体記憶装
置間のデータの送受は電源線を介して行なうので、端末
機との接続手段であるコネクタのビンは２本で済むこと
ができる。更に、メモリ容量の増大、メモリの種類の変
更、付加機能の変更や向上に対しても、すべて、通信デ
ータの内容を変更すれば対処できるので、端末機との接
続手段であるコネクタのピン本数は２本のままで良い。

なお、上記実施例ではスタテックＲＡＭＩＩを使用した
が、他の半導体メモリに置き換えても良い。この場合、
内部電池１４、抵抗１３及びダイオードＩ２は不要とす
ることもできる。また、携帯形半導体記憶装置１はＣＰ
Ｕ９を内蔵するため、セキュリティ機能を容易に持つこ
とができる。また、上記実施例では振幅変調方式を採用
したが、その他の変調方式を採用してもよい。また、上
記実施例では電源電圧を５■にしたが、それに限らず回
路素子の動作電圧に応じた電源電圧を供給すればよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、送信すべきデータ信号を
変調して変調信号を作成すると共に受信した変調信号を
復調して復調信号を作成する変復調回路をデータ伝送の
対象となる装置にそれぞれ備え、装置内の回路素子を駆
動させるための電源線に上記変調信号を重畳させ、装置
間のデータ伝送を行なうようにしたので、データの送受
に専用の信号ピンを、装置間を接続するコネクタに設け
る必要がな（なり、これによりコネクタのピン数を例え
ば２本に激的に少なくできると共に、メモリ容量の増大
、メモリの種類の変更、データバス長の拡長、付加機能
の変更や向上等によっても、コネクタのピン数を増加さ
せる必要がなくなり、また、セキュリティ機能の付加も
容易にでき、したがってコネクタの接触の信頼性が向上
すると共に、外来ノイズの影響が少な（なり、データ処
理の信頼性が向上するという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係るデータ伝送方式を用
いたデータ処理装置の構成を示すブロック図、第２図は
この実施例において変調・復調動作を説明するための信
号波形図、第３図は従来のデータ伝送方式を説明するた
めの携帯形半導体装・・・・・・変復調回路、１６ａ、
１６ｂ・・・・・・電源線、３０・・・・・・端末機（
装置）。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 送信すべきデータ信号を変調して変調信号を作成すると
   共に受信した変調信号を復調して復調信号を作成する変
   復調回路を、データ伝送の対象となる装置にそれぞれ備
   え、装置内の回路素子を駆動させるための電源線に上記
   変調信号を重畳させ、装置間のデータ伝送を行なうこと
   を特徴とするデータ伝送方式。