JPH0315107A - 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 - Google Patents
導電性金属酸化物焼結体及びその用途Info
- Publication number
- JPH0315107A JPH0315107A JP1148348A JP14834889A JPH0315107A JP H0315107 A JPH0315107 A JP H0315107A JP 1148348 A JP1148348 A JP 1148348A JP 14834889 A JP14834889 A JP 14834889A JP H0315107 A JPH0315107 A JP H0315107A
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- Japan
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- indium oxide
- sintered body
- niobium
- oxide
- transparent conductive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、導電性金属酸化物焼結体及びその用途に関す
る。更に詳しくは、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によ
り形成される透明導電性金属酸化物薄膜及びその原材料
のに関するものである。
る。更に詳しくは、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によ
り形成される透明導電性金属酸化物薄膜及びその原材料
のに関するものである。
［従来の技術］
近年、太陽電池やディスプレー機器の透明電極や、帯電
防止用の導電性コーティングとして透明導電性薄膜の需
要が高まっている。このような透明導電性薄膜は、導電
性金属酸化物組成物のスパッタリング法、ＣｖＤ法等に
より形成されている。
防止用の導電性コーティングとして透明導電性薄膜の需
要が高まっている。このような透明導電性薄膜は、導電
性金属酸化物組成物のスパッタリング法、ＣｖＤ法等に
より形成されている。
従来、このような透明導電性金属酸化物としては異種添
加元素として錫をドーブした酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと記述）、異種添加元素としてアンチモンをドープし
た酸化スズが主に用いられている。
加元素として錫をドーブした酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと記述）、異種添加元素としてアンチモンをドープし
た酸化スズが主に用いられている。
しかし異種添加元素としてアンチモンをドープした酸化
スズは抵抗が高く（比抵抗：ｌｏｗΩ・ｅｌ程度）、一
方比較的低抵抗なＩＴＯでも、比抵抗で０．２麿Ω・Ｃ
麿程度までしか達成されない。このような状況において
、近時より低抵抗な透明導電膜材料が熱望されている。
スズは抵抗が高く（比抵抗：ｌｏｗΩ・ｅｌ程度）、一
方比較的低抵抗なＩＴＯでも、比抵抗で０．２麿Ω・Ｃ
麿程度までしか達成されない。このような状況において
、近時より低抵抗な透明導電膜材料が熱望されている。
これまで酸化インジウムのドーパントとしては錫が最も
多く用いられているが、錫以外にもモリブデン、タング
ステン、チタン（特開昭５９−２０４８２５）、亜鉛、
セリウム、コバルト、ニッケル（特開昭Ｇｏ−２２０５
０５）、トリウム（特開昭５９−１９Ｊｌ６０２）、ル
テニウム、鉛、銅（特開昭５９−１８３７０７），硼素
、ヒ素、アンチモン、ビスマス（特開昭５９−９０３０
７）、シリコン、ゲルマニウム（特開昭６２−２０２４
１５）、アルミニウム、ガリウム（特開昭８２−８４５
８７） 、ハロゲン元素（特開昭６２−１４２７７４）
、テルル（特開昭６３−１７８４１４）等が検討されて
いる。しかしいずれのドーパントにおいても得られる物
の導電性は必ずしも十分ではなかった。
多く用いられているが、錫以外にもモリブデン、タング
ステン、チタン（特開昭５９−２０４８２５）、亜鉛、
セリウム、コバルト、ニッケル（特開昭Ｇｏ−２２０５
０５）、トリウム（特開昭５９−１９Ｊｌ６０２）、ル
テニウム、鉛、銅（特開昭５９−１８３７０７），硼素
、ヒ素、アンチモン、ビスマス（特開昭５９−９０３０
７）、シリコン、ゲルマニウム（特開昭６２−２０２４
１５）、アルミニウム、ガリウム（特開昭８２−８４５
８７） 、ハロゲン元素（特開昭６２−１４２７７４）
、テルル（特開昭６３−１７８４１４）等が検討されて
いる。しかしいずれのドーパントにおいても得られる物
の導電性は必ずしも十分ではなかった。
〔問題点を解決する手段〕
本発明者等は酸化インジウムに異種添加元素をドープし
た導電性金属酸化物に関して鋭意検討を重ねた結果、少
なくともハフニウム又はニオブ成分をドーパントの一部
として含有する酸化インジウムにおいて極めて低抵抗な
透明導電膜が形成可能であることを見出だし、本発明を
完成させるに至ったものである。
た導電性金属酸化物に関して鋭意検討を重ねた結果、少
なくともハフニウム又はニオブ成分をドーパントの一部
として含有する酸化インジウムにおいて極めて低抵抗な
透明導電膜が形成可能であることを見出だし、本発明を
完成させるに至ったものである。
酸化インジウムに異種添加元素をドーブすることによっ
て導電性を向上させる場合、その導電性は酸化インジウ
ム中の電子密度と電子移動度によって規定される。酸化
インジウムに異種添加元素をドーブしていくと電子密度
が増加し、導電性が向上するが、ドーパントの含有量が
必要以上に増大すると、電子の移動度が低下し、導電性
は再び低下する。
て導電性を向上させる場合、その導電性は酸化インジウ
ム中の電子密度と電子移動度によって規定される。酸化
インジウムに異種添加元素をドーブしていくと電子密度
が増加し、導電性が向上するが、ドーパントの含有量が
必要以上に増大すると、電子の移動度が低下し、導電性
は再び低下する。
ハフニウム及び／又はニオブは、錫同様に酸化インジウ
ムにドープすることによりその電子密度を向上させるだ
けでなく、ドープすることによる酸化インジウム中の電
子移動度の低下を抑制するのでドーパントとして極めて
優れている。
ムにドープすることによりその電子密度を向上させるだ
けでなく、ドープすることによる酸化インジウム中の電
子移動度の低下を抑制するのでドーパントとして極めて
優れている。
本発明のハフニウム及び／又はニオブ戊分の含有量は酸
化インジウムに対してこれらの酸化物換算でｔｖｔ％〜
２０ｖｔ％程度、特に０．１ｖｔ％〜５ｖｔ％の範囲が
好ましい。一方、これらの成分を酸化インジウムにドー
プする場合、錫成分と併用して用いることが得られる物
の低抵抗化に極めて効果的であることを見出だした。こ
の際の酸化インジウム中の錫成分及びハフニウム及び／
又はニオブ或分の含有量としては、重量換算で酸化イン
ジウム中のこれらの酸化物の含有量がｌｗｔ％〜２０ｗ
ｔ％、特に３ｖｔ％〜１２ｖｔ％が好ましい。また錫成
分に対するハフニウム及び／又はニオブ戒分の比率にも
特別の制限は無いが、特に３ｖｔ％〜３０ｖｔ％程度が
好ましい。
化インジウムに対してこれらの酸化物換算でｔｖｔ％〜
２０ｖｔ％程度、特に０．１ｖｔ％〜５ｖｔ％の範囲が
好ましい。一方、これらの成分を酸化インジウムにドー
プする場合、錫成分と併用して用いることが得られる物
の低抵抗化に極めて効果的であることを見出だした。こ
の際の酸化インジウム中の錫成分及びハフニウム及び／
又はニオブ或分の含有量としては、重量換算で酸化イン
ジウム中のこれらの酸化物の含有量がｌｗｔ％〜２０ｗ
ｔ％、特に３ｖｔ％〜１２ｖｔ％が好ましい。また錫成
分に対するハフニウム及び／又はニオブ戒分の比率にも
特別の制限は無いが、特に３ｖｔ％〜３０ｖｔ％程度が
好ましい。
前記した量が少ムすぎるとこれらの添加の効果がなく、
又必要以上に多すぎると、得られるものの低抵抗化に悪
影響を及ぼす。
又必要以上に多すぎると、得られるものの低抵抗化に悪
影響を及ぼす。
このような組成の透明導電膜は極めて低抵抗であり、か
つ透明性に優れている。従来ＩＴＯによる透明導電膜に
おいては比抵抗で０，２厘Ω・Ｃ−程度が限界であった
が、本発明組成の透明導電膜においてはそれ以下、特に
０．１８ｍΩ・Ｃ一以下が可能となった。又、透明性に
ついても、膜の光透過率が５５ｏｎ一に於いて８５％以
上で優れたものである。
つ透明性に優れている。従来ＩＴＯによる透明導電膜に
おいては比抵抗で０，２厘Ω・Ｃ−程度が限界であった
が、本発明組成の透明導電膜においてはそれ以下、特に
０．１８ｍΩ・Ｃ一以下が可能となった。又、透明性に
ついても、膜の光透過率が５５ｏｎ一に於いて８５％以
上で優れたものである。
本発明中に存在する各成分は酸化物の形で存在する。
このような低抵抗の透明導電膜を形成する方法の一つと
してスパッタリング法が考えられるが、本発明の組成を
有する焼結体は、上述した優れた透明導電膜を形成する
ターゲットとして用いることが可能である。
してスパッタリング法が考えられるが、本発明の組成を
有する焼結体は、上述した優れた透明導電膜を形成する
ターゲットとして用いることが可能である。
本発明の組或を有する焼結体はこれをスパッタリングす
ることによって極めて低抵抗な透明導電膜を形成するこ
とが可能であるが、当該焼結体は可能な限り高密度であ
ることが好ましい。高密度のターゲットは単に機械的強
度が強いだけでなく、スパッタリングによる組成ずれが
起り難く、導電結晶面配同性の強い、低抵抗な透明導電
膜を形成しやすい。異種元素をドーバントとした酸化イ
ンジウムの見掛けの焼粘体密度は約７ｇ／ｃ１程度であ
るが、本発明の組成の焼結体の密度焼結体の密度として
は、５ｇ／Ｃ１以上である。
ることによって極めて低抵抗な透明導電膜を形成するこ
とが可能であるが、当該焼結体は可能な限り高密度であ
ることが好ましい。高密度のターゲットは単に機械的強
度が強いだけでなく、スパッタリングによる組成ずれが
起り難く、導電結晶面配同性の強い、低抵抗な透明導電
膜を形成しやすい。異種元素をドーバントとした酸化イ
ンジウムの見掛けの焼粘体密度は約７ｇ／ｃ１程度であ
るが、本発明の組成の焼結体の密度焼結体の密度として
は、５ｇ／Ｃ１以上である。
このような焼結体を調製するための酸化物粉末としては
、本発明のｍ或を満足していれば特に制限はないが、上
述したようになるべく高密度な焼結体を得るために微細
で高分散性であることが好ましい。また本発明の焼結体
製造用の原料粉末の製造法としては必要な各成分の酸化
物を混合する方広、各成分を含む溶液を用いてそれらの
成分を共沈させ、共沈物を焼成するなどして複合酸化物
とする方法等いずれも適用可能である。
、本発明のｍ或を満足していれば特に制限はないが、上
述したようになるべく高密度な焼結体を得るために微細
で高分散性であることが好ましい。また本発明の焼結体
製造用の原料粉末の製造法としては必要な各成分の酸化
物を混合する方広、各成分を含む溶液を用いてそれらの
成分を共沈させ、共沈物を焼成するなどして複合酸化物
とする方法等いずれも適用可能である。
このようにして得られた酸化物粉末は予備成型し焼結処
理を行なう。この際の焼結は、温度： １３００〜１５
００℃、時間： ５〜２０時間で大気中又は不活性雰囲
気中で行なう。
理を行なう。この際の焼結は、温度： １３００〜１５
００℃、時間： ５〜２０時間で大気中又は不活性雰囲
気中で行なう。
［発明の効果］
このような組成の金属酸化物焼結体は、透明導電膜の形
成材として用いた場合、特に導電性において極めて優れ
た性能を持つ膜を形成させることができる。
成材として用いた場合、特に導電性において極めて優れ
た性能を持つ膜を形成させることができる。
［実施例］
以下実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施
例になんら限定されるものではない。
例になんら限定されるものではない。
実施例１
酸化インジウムに対し、異種元素酸化物ドーバントを５
ｗｔ％及びｌＯｖｔ％添加した２８ｉ類の複合酸化物（
平均粒径０．５μ傷）を、予備成型（１００ａｍφＸｌ
ｈａ厚さ） ＬＬ４００℃で焼結して焼結体ペレットを
調製した。それぞれのドーパント組成での同一密度にお
ける比抵抗を表１に示した。表１より酸化ハフニウム及
び／又は酸化二オプをドーパントの一部として含有する
酸化インジウムは酸化スズ小独をドーバントとして含有
する場合に比べ、より低抵抗であることが判る。
ｗｔ％及びｌＯｖｔ％添加した２８ｉ類の複合酸化物（
平均粒径０．５μ傷）を、予備成型（１００ａｍφＸｌ
ｈａ厚さ） ＬＬ４００℃で焼結して焼結体ペレットを
調製した。それぞれのドーパント組成での同一密度にお
ける比抵抗を表１に示した。表１より酸化ハフニウム及
び／又は酸化二オプをドーパントの一部として含有する
酸化インジウムは酸化スズ小独をドーバントとして含有
する場合に比べ、より低抵抗であることが判る。
実施例２
酸化インジウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化ス
ズの複合酸化物ターゲットを用いＤＣマグネトロンスパ
ッタリングにより透明導Ｗ膜を調製した。透明導電膜に
おけるドーパント量としては５〜８ｖｔ％程度が最適で
あるが、これを用いてスパッタリングすると、得られる
膜中のドーバント量はターゲット中のそれより低下する
傾向があるため、ターゲット中のドーバントとして全量
でｌｏｖｔ％含有するものを用いた。用いたターゲット
は密度約５ｇ／ｃ１、直径１０ｃｍの焼結体ターゲット
（焼結温度１４００℃）を用い、スバッタガスには純ア
ルゴン、圧力は０．６Ｐａ，投入電力は４ｗ／ａｍ’と
した。また是板には石英ガラスを用い、成膜中は基板は
３５０゜Ｃに加熱した。このような条件において約ａｏ
ｏｏ＾の透明導電膜を調製した。得られた透明導電膜の
特性を表２に示した。これらの異種元素をドーパントの
一部として用いた場合、酸化インジウムに酸化スズのみ
をドープした場合のものに比べ、より低抵抗な透明導電
膜が得られた。さらに膜の光透過率は５５０ｎｍにおい
て全て８５％以上で、透明性においても従来のものに比
べて優れたものであった。
ズの複合酸化物ターゲットを用いＤＣマグネトロンスパ
ッタリングにより透明導Ｗ膜を調製した。透明導電膜に
おけるドーパント量としては５〜８ｖｔ％程度が最適で
あるが、これを用いてスパッタリングすると、得られる
膜中のドーバント量はターゲット中のそれより低下する
傾向があるため、ターゲット中のドーバントとして全量
でｌｏｖｔ％含有するものを用いた。用いたターゲット
は密度約５ｇ／ｃ１、直径１０ｃｍの焼結体ターゲット
（焼結温度１４００℃）を用い、スバッタガスには純ア
ルゴン、圧力は０．６Ｐａ，投入電力は４ｗ／ａｍ’と
した。また是板には石英ガラスを用い、成膜中は基板は
３５０゜Ｃに加熱した。このような条件において約ａｏ
ｏｏ＾の透明導電膜を調製した。得られた透明導電膜の
特性を表２に示した。これらの異種元素をドーパントの
一部として用いた場合、酸化インジウムに酸化スズのみ
をドープした場合のものに比べ、より低抵抗な透明導電
膜が得られた。さらに膜の光透過率は５５０ｎｍにおい
て全て８５％以上で、透明性においても従来のものに比
べて優れたものであった。
表１
注）焼結体密度 ５±０．２ｇ／ｃ１
−３５一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） ハフニウム及び／又はニオブ成分を含む酸化イン
ジウムを主成分とする導電性金属酸化物焼結体。 ２） ハフニウム及び／又はニオブ並びに錫成分を含む
酸化インジウムを主成分とする導電性金属酸化物焼結体
。 ３） ハフニウム及び／又はニオブ成分を含む酸化イン
ジウムを主成分とするスパッタリングターゲット。 ４） ハフニウム及び／又はニオブ並びに錫成分を含む
酸化インジウムを主成分とするスパッタリングターゲッ
ト。 ５） ハフニウム及び／又はニオブ成分を含む酸化イン
ジウムを主成分とする透明導電性膜。 ６） ハフニウム及び／又はニオブ成分並びに錫を含む
酸化インジウムを主成分とする透明導電性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01148348A JP3128124B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01148348A JP3128124B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10086998A Division JP3189782B2 (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0315107A true JPH0315107A (ja) | 1991-01-23 |
| JP3128124B2 JP3128124B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=15450754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01148348A Expired - Fee Related JP3128124B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128124B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202741A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 耐熱性透明電極とその製造方法，および色素増感太陽電池 |
| JP2006298714A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 |
| KR100649162B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2006-11-28 | 주식회사 삼성산업 | Ｍｓｐｃ 제품용 몰드의 탈형 방법 |
| WO2011052375A1 (ja) | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化インジウム系焼結体及び酸化インジウム系透明導電膜 |
| US8038857B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes |
| JP2015017017A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
| JPWO2019187269A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-04-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682182U (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | 新日本製鐵株式会社 | 遠心空気抜き排水流量促進用キャップ及びそれを用いた排水装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4399194A (en) * | 1981-12-30 | 1983-08-16 | Rca Corporation | Transparent conductive film |
| JPH02309511A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Showa Denko Kk | 透明導電膜 |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP01148348A patent/JP3128124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4399194A (en) * | 1981-12-30 | 1983-08-16 | Rca Corporation | Transparent conductive film |
| JPH02309511A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Showa Denko Kk | 透明導電膜 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8507111B2 (en) | 2004-03-09 | 2013-08-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes |
| US8773628B2 (en) | 2004-03-09 | 2014-07-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes |
| US8038857B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes |
| KR100649162B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2006-11-28 | 주식회사 삼성산업 | Ｍｓｐｃ 제품용 몰드의 탈형 방법 |
| US8053664B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-11-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Transparent electrode having thermal stability, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell comprising the same |
| JP2006202741A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 耐熱性透明電極とその製造方法，および色素増感太陽電池 |
| JP2006298714A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 |
| CN102666429A (zh) * | 2009-10-26 | 2012-09-12 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 氧化铟系烧结体及氧化铟系透明导电膜 |
| EP2495224A4 (en) * | 2009-10-26 | 2013-12-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | SINTERED INDIUM OXIDE BODY AND TRANSPARENT AND CONDUCTIVE INDIUM OXIDE FILM |
| JP5411945B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-02-12 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 酸化インジウム系焼結体及び酸化インジウム系透明導電膜 |
| WO2011052375A1 (ja) | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化インジウム系焼結体及び酸化インジウム系透明導電膜 |
| TWI487687B (zh) * | 2009-10-26 | 2015-06-11 | Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 | Indium oxide sintered body and indium oxide transparent conductive film |
| US9214253B2 (en) | 2009-10-26 | 2015-12-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered compact of indium oxide system, and transparent conductive film of indium oxide system |
| JP2015017017A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
| JPWO2019187269A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-04-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3128124B2 (ja) | 2001-01-29 |
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