JPH0315178B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0315178B2 JPH0315178B2 JP3944985A JP3944985A JPH0315178B2 JP H0315178 B2 JPH0315178 B2 JP H0315178B2 JP 3944985 A JP3944985 A JP 3944985A JP 3944985 A JP3944985 A JP 3944985A JP H0315178 B2 JPH0315178 B2 JP H0315178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- group
- synthesis example
- synthesis
- atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
本発明は、フタロシアニン化合物をキヤリア生
成層に含有させた電子写真感光体に関する。 先行技術とその問題点 複写機やレーザープリンター等には電子写真感
光体が用いられている。このなかには、機能分離
型積層感光体が含まれるが、これは電極上にキヤ
リア生成層とキヤリア移動層とが積層されている
ものである。キヤリア生成層は光を吸収すること
によりキヤリアを生成する層であり、またキヤリ
ア移動層は生成したキヤリアを移動する層であ
る。 ところで、フタロシアニン化合物は熱、光、湿
度等に対し堅牢性に優れ、光導電材料としても注
目されており、このフタロシアニン化合物をキヤ
リア生成層に適用する試みがなされている。 しかし、この化合物は、レーザープリンタ等に
必要とされる近赤外ないし赤外域に吸収を持たな
いため用いることができず、この点の改善が望ま
れている。 発明の目的 本発明の目的は、キヤリア生成層にフタロシア
ニン化合物を含有させることにより近赤外ないし
赤外域に吸収をもつ電子写真感光体を提供するこ
とにある。 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち、本発明は、電極上にキヤリア生成層
およびキヤリア移動層を有する電子写真感光体に
おいて、 キヤリア生成層が下記式（）または式（）
で示されるフタロシアニン化合物を含有すること
を特徴とする電子写真感光体。 式 （） 式 （） ｛式（）および（）中、Pcは、水素原子、
金属もしくは半金属原子またはM1Xに配位した
フタロシアニン核を表わす。 M1はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
子を表わす。 R1およびR3は、それぞれ、置換または非置換
の脂肪族基または芳香族基を表わす。 R2は置換または非置換の２価の脂肪族基また
は芳香族基を表わす。 Ｙは水素原子またはハロゲン原子を表わす。 ｎは５〜16、１は１〜８、ｍは０〜14の正の整
数を表わす｝ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明の電子写真感光体はキヤリア生成層を有
し、この層には上記式（）または（）で示さ
れるフタロシアニン化合物が含有される。 上記およびにおいて、Pcは水素原子、金
属もしくは半金属原子またはM1Xに配位したフ
タロシアニン核を表わす。 M1はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
子を表わす。 金属または半金属原子としては、例えば、Zn、
Pb、Cu、Ni、Fe、Co、Sr、Ca、Yb、Li、Ag、
Ru、Sm、Tb、Dy、Ｕ、Ｔ、Cs、Pd、Nd、
Ga、In、Sn、Si、Pt、Mn、Ge、Be、Ａ、
Ｖ、Sn、Mg、Ti等； であり、このなかでCu、Ni、Co、Fe、Zn、Ａ
、Pt、Ｖ、水素が好ましい。 M1はＢ金属原子（Ａ、Ga、In、Ｔ、）
であり、このなかで特にＡ、Ga、Inが好まし
い。 Ｘはハロゲン原子、例えばＦ、Ｃ、Br、Ｉ
等； であり、なかでもＣ、Br、Ｉが好ましい。 中心原子が、例えば、１価の水素原子または金
属原子であるときには、２個存在し、２価の金属
原子であるときには１個存在し、ＭがM1Xであ
るときには中心に１つ存在する。 フタロシアニン核は、中心原子がH2であると
き、下記式で表わされる。 式 （） 上記式（）で、−OR1、 −OR2O−、−OR3もしくはＹが置換する位置は
１〜16のいずれかである。 R1およびR3は１価、R2は２価であつて、炭素
数１〜20の置換もしくは非置換の脂肪族基、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレ
ン基、ベンジル基、フエネチル基、シクロヘキシ
ル基、アリル基、ドデシル基、 −CH2CH2CH＝CH−CH2−、シクロヘキセン
基、
成層に含有させた電子写真感光体に関する。 先行技術とその問題点 複写機やレーザープリンター等には電子写真感
光体が用いられている。このなかには、機能分離
型積層感光体が含まれるが、これは電極上にキヤ
リア生成層とキヤリア移動層とが積層されている
ものである。キヤリア生成層は光を吸収すること
によりキヤリアを生成する層であり、またキヤリ
ア移動層は生成したキヤリアを移動する層であ
る。 ところで、フタロシアニン化合物は熱、光、湿
度等に対し堅牢性に優れ、光導電材料としても注
目されており、このフタロシアニン化合物をキヤ
リア生成層に適用する試みがなされている。 しかし、この化合物は、レーザープリンタ等に
必要とされる近赤外ないし赤外域に吸収を持たな
いため用いることができず、この点の改善が望ま
れている。 発明の目的 本発明の目的は、キヤリア生成層にフタロシア
ニン化合物を含有させることにより近赤外ないし
赤外域に吸収をもつ電子写真感光体を提供するこ
とにある。 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち、本発明は、電極上にキヤリア生成層
およびキヤリア移動層を有する電子写真感光体に
おいて、 キヤリア生成層が下記式（）または式（）
で示されるフタロシアニン化合物を含有すること
を特徴とする電子写真感光体。 式 （） 式 （） ｛式（）および（）中、Pcは、水素原子、
金属もしくは半金属原子またはM1Xに配位した
フタロシアニン核を表わす。 M1はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
子を表わす。 R1およびR3は、それぞれ、置換または非置換
の脂肪族基または芳香族基を表わす。 R2は置換または非置換の２価の脂肪族基また
は芳香族基を表わす。 Ｙは水素原子またはハロゲン原子を表わす。 ｎは５〜16、１は１〜８、ｍは０〜14の正の整
数を表わす｝ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明の電子写真感光体はキヤリア生成層を有
し、この層には上記式（）または（）で示さ
れるフタロシアニン化合物が含有される。 上記およびにおいて、Pcは水素原子、金
属もしくは半金属原子またはM1Xに配位したフ
タロシアニン核を表わす。 M1はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
子を表わす。 金属または半金属原子としては、例えば、Zn、
Pb、Cu、Ni、Fe、Co、Sr、Ca、Yb、Li、Ag、
Ru、Sm、Tb、Dy、Ｕ、Ｔ、Cs、Pd、Nd、
Ga、In、Sn、Si、Pt、Mn、Ge、Be、Ａ、
Ｖ、Sn、Mg、Ti等； であり、このなかでCu、Ni、Co、Fe、Zn、Ａ
、Pt、Ｖ、水素が好ましい。 M1はＢ金属原子（Ａ、Ga、In、Ｔ、）
であり、このなかで特にＡ、Ga、Inが好まし
い。 Ｘはハロゲン原子、例えばＦ、Ｃ、Br、Ｉ
等； であり、なかでもＣ、Br、Ｉが好ましい。 中心原子が、例えば、１価の水素原子または金
属原子であるときには、２個存在し、２価の金属
原子であるときには１個存在し、ＭがM1Xであ
るときには中心に１つ存在する。 フタロシアニン核は、中心原子がH2であると
き、下記式で表わされる。 式 （） 上記式（）で、−OR1、 −OR2O−、−OR3もしくはＹが置換する位置は
１〜16のいずれかである。 R1およびR3は１価、R2は２価であつて、炭素
数１〜20の置換もしくは非置換の脂肪族基、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレ
ン基、ベンジル基、フエネチル基、シクロヘキシ
ル基、アリル基、ドデシル基、 −CH2CH2CH＝CH−CH2−、シクロヘキセン
基、
【式】イソプロペニル基、−
C2H4−Ｃ、−CH2−NH2等；
炭素数６〜24の置換もしくは非置換の芳香族
基、例えば、フエニル基、トリル基、フエニレン
基、ナフチレン基、メトキシフエニル基、ナフチ
ル基、塩化、フエニル基、キシリル基、
基、例えば、フエニル基、トリル基、フエニレン
基、ナフチレン基、メトキシフエニル基、ナフチ
ル基、塩化、フエニル基、キシリル基、
【式】
【式】スチリル基、シンナミル
基、フエネチル基、メチルフエニレン基、
【式】ピリジル基、ピロリル
基、キノリル基、フリル基、フルフリル基、フエ
ニル基、ピペリジル基、ピリミジル基等； である。 Ｙは、水素原子； ハロゲン原子、例えば、Ｃ、Br、Ｉ、Ｆ
等； であり、なかでも、Ｈ、Ｃ、Br、Ｉが好まし
い。 ｎは、５〜16の正の整数を表わし、なかでも８
〜16であることが好ましい。 １は１〜８、ｍは０〜14の正の整数を表わす。 以下に本発明のフタロシアニン化合物の具体例
を挙げる。 (1) オクター（４−メチルフエノキシ）−CuPc (2) オクタ−（メトキシ）−CuPc (3) オクタ−（−OC2H5）−CuPc (4) オクタ−（−OC3H7）−CuPc (5) オクタ−（−OC4H9）−H2Pc (6) オクタ−（
ニル基、ピペリジル基、ピリミジル基等； である。 Ｙは、水素原子； ハロゲン原子、例えば、Ｃ、Br、Ｉ、Ｆ
等； であり、なかでも、Ｈ、Ｃ、Br、Ｉが好まし
い。 ｎは、５〜16の正の整数を表わし、なかでも８
〜16であることが好ましい。 １は１〜８、ｍは０〜14の正の整数を表わす。 以下に本発明のフタロシアニン化合物の具体例
を挙げる。 (1) オクター（４−メチルフエノキシ）−CuPc (2) オクタ−（メトキシ）−CuPc (3) オクタ−（−OC2H5）−CuPc (4) オクタ−（−OC3H7）−CuPc (5) オクタ−（−OC4H9）−H2Pc (6) オクタ−（
【式】）−CuPc
(7) オクタ−（
【式】）−CuPc
(8) オクタ−（
【式】）−NiPc
(9) デカー（
【式】）−CoPc
(10) デカー（−OC5H11）−H2Pc
(11) ウンデカー（
【式】）−CoPc
(12) ペンタデカー（−OC2H5）−H2Pc
(13) ペンタデカー
（
（
【式】）−PbPc
(14) ペンタデカー（−OC3H7）−ZnPc
(15) オクタ−（
【式】）−H2Pc
(16) ペンタデカー（
【式】）−CuPc
(17) ペンタデカー（
【式】）−
CuPc
(18) ペンタデカー（−Ｏ−C2H5）−CuPc
(19) ペンタデカー（−Ｏ−CH3）−CuPc
(20) ペンタデカー（−Ｏ−CH3）−H2Pc
(21) ペンタデカー（
【式】）−
CuPc
(22) ペンタデカー（
【式】）−
H2Pc
(23) ヘキサデカー（
【式】）ーCuPc
(24) ヘキサデカー（
【式】）−
H2Pc
(25) ヘキサデカー（−Ｏ−CH3）−CuPc
(26) ヘキサデカー（−Ｏ−C2H5）−CuPc
(27) オクタ−３，６−（
【式】）
−CuPc
(28) オクタ−３，６−（
【式】）
−CoPc
(29) ヘキサデカー（−OC3H7）−FePc
(30) ヘキサデカ−（
【式】）−
CuPc
(31) オクタ−（−Ｏ−C2H5）テトラ−４，５−
（
（
【式】））−CuPc
(32) デカー（
【式】）ジ−４，
５−（−Ｏ−C6H12−Ｏ−）−CuPc
(33) ヘキサデカー（
【式】）モ
ノー（
【式】）−H2Pc
(34) オクタ−（−OCH3）−ＡＣPc
(35) オクタ−（−OC2H5）−InCPc
(36) オクタ−（
【式】）−GaCPc
(37) オクタ−（−OC3H7）−InBrPc
(38) オクタ−（−OC2H5）−ＴＣPc
(39) オクタ−（
【式】）−ＡＣ
Pc
(40) デカー（
【式】）−Ａ
BrPc
(41) デカー（−Ｏ−C2H5）ＡIPc
(42) ウンデカー（
【式】）
GaBrPc
(43) ペンタデカー（
【式】）InC
Pc
(44) ペンタデカー（
【式】）
ＡＣPc
(45) ペンタデカー（
【式】）
CaCPc
(46) ペンタデカー（−Ｏ−C2H5）InIPc
(47) ペンタデカー（−Ｏ−C2H5）GaIPc
(48) ヘキサデカー（
【式】）InC
Pc
(49) ヘキサデカー（
【式】）GaC
Pc
(50) ヘキサデカー（−Ｏ−C2H5）InBrPc
(51) ヘキサデカー（−OC3H7）ＡＣPc
(52) ヘキサデカー（
【式】）
GaBrPc
(53) ヘキサデカー（
【式】）Ａ
BrPc
(54) ウンデカー（−Ｏ−C2H5）InCPc
(55) オクタ−３，６−（−Ｏ−C2H5）テトラー
４，５− （
４，５− （
【式】）−ＡＣPc
(56) デカー（
【式】）ジ−
（
【式】）
(57) ヘキサデカー（
【式】）モ
ノー
（
【式】）ＡBrPc
本発明のフタロシアニン化合物は、一般に次の
スキームに従う方法で合成することができる。 スキーム １ R1OH＋KOHキノリン中 ―――――――→ 140℃、1hr.R1O-K+nR1O-K+＋MkPc（Ｙ）16 ―――――――――――→ ―――――――――――→ 160〜180℃、1hr.Mk−Pc（−OR1）o（Ｙ）16-o＋副生成
物 この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次
のように行なう。 反応生成物を100℃に冷却し、エタノールで希
釈した後、、室温に戻して濾過する。この濾別し
たものをエタノールで洗浄し、さらにエタノール
−水溶液で洗浄し、乾燥する。こうして得られた
組生成物をシリカカラムでトルエンによつて展開
し、分離して精製する。 スキーム ２ この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と
同様に行なう。 スキーム ３ この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と
同様に行う。 次に、本発明のフタロシアニン化合物の合成例
を挙げる。 合成例１ 例示化合物（３）の合成 エタノール12gとKOH 6gとをキノリン中で
145℃にて２時間反応させた。これにCuPc（Ｃ）
16 7gを加え、160〜180℃にて２時間反応させた 得られた反応生成物を100℃に冷却した後、エ
タノール（EtOH）で希釈して室温に戻し、濾過
した。濾別したものをEtOHで洗浄し、さらに
EtOH−H2O（１：１）溶液で洗浄し、乾燥した。 このようにして得られた粗生成物をシリカカラ
ムでトルエンによつて展開し、分離、精製した。
これを２回繰り返して目的物を得た。 収 率 35％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Cu 計算値／％ 49.52 11.01 9.63 5.46 実測値／％ 47.21 11.31 9.69 5.52 吸収極大 λmax 710nm（スピンナー塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定） 合成例２ 例示化合物（６）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 42％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Cu 計算値／％ 62.05 8.27 7.24 4.10 実測値／％ 60.03 8.41 7.21 4.24 合成例３ 例示化合物（15）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 18％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Ｈ 計算値／％ 59.81 14.50 6.34 3.29 実測値／％ 60.21 14.01 6.52 3.01 合成例４ 例示化合物（11）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 19.7％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 73.77 3.33 4.85 2.75 実測値／％ 71.68 3.71 4.83 2.98 合成例５ 例示化合物（18）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 18.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 58.58 5.91 8.82 5.00 実測値／％ 58.62 5.81 8.80 5.03 合成例６ 例示化合物（26）の合成 １モルとエタノール（EtOH）４モルとを130
℃で３時間反応させ、 を得た。この化合物４モルにLi+（CO5H11）-2モル
を加えて、130℃で２時間反応させ、 Li2Pc（−OEt）16を得た。さらに、この化合物１
モルにCuC21モルを加えてアミルアルコール中
で120℃で２時間反応させ、目的物を得た。 精製は実施例１と同様に行なつた。 収 率 23.9％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 60.02 6.25 8.75 4.96 実測値／％ 60.14 6.20 8.69 4.91 吸収極大 λmax 810nm（スピンナ−塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定） 合成例７ 例示化合物（28）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 33.5％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Co 計算値／％ 67.79 2.82 5.65 2.97 実測値／％ 66.99 2.85 5.70 2.91 合成例８ 例示化合物（23）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 19.8％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 75.02 3.91 5.47 3.10 実測値／％ 73.82 3.93 5.52 3.06 合成例９ 例示化合物（29）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 28.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Fe 計算値／％ 64.18 7.49 7.49 3.73 実測値／％ 62.94 7.45 7.38 3.84 合成例10 例示化合物（30）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 36.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 80.91 3.93 39.30 2.23 実測値／％ 82.90 3.92 39.10 2.21 合成例11 例示化合物（50）の合成
スキームに従う方法で合成することができる。 スキーム １ R1OH＋KOHキノリン中 ―――――――→ 140℃、1hr.R1O-K+nR1O-K+＋MkPc（Ｙ）16 ―――――――――――→ ―――――――――――→ 160〜180℃、1hr.Mk−Pc（−OR1）o（Ｙ）16-o＋副生成
物 この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次
のように行なう。 反応生成物を100℃に冷却し、エタノールで希
釈した後、、室温に戻して濾過する。この濾別し
たものをエタノールで洗浄し、さらにエタノール
−水溶液で洗浄し、乾燥する。こうして得られた
組生成物をシリカカラムでトルエンによつて展開
し、分離して精製する。 スキーム ２ この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と
同様に行なう。 スキーム ３ この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と
同様に行う。 次に、本発明のフタロシアニン化合物の合成例
を挙げる。 合成例１ 例示化合物（３）の合成 エタノール12gとKOH 6gとをキノリン中で
145℃にて２時間反応させた。これにCuPc（Ｃ）
16 7gを加え、160〜180℃にて２時間反応させた 得られた反応生成物を100℃に冷却した後、エ
タノール（EtOH）で希釈して室温に戻し、濾過
した。濾別したものをEtOHで洗浄し、さらに
EtOH−H2O（１：１）溶液で洗浄し、乾燥した。 このようにして得られた粗生成物をシリカカラ
ムでトルエンによつて展開し、分離、精製した。
これを２回繰り返して目的物を得た。 収 率 35％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Cu 計算値／％ 49.52 11.01 9.63 5.46 実測値／％ 47.21 11.31 9.69 5.52 吸収極大 λmax 710nm（スピンナー塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定） 合成例２ 例示化合物（６）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 42％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Cu 計算値／％ 62.05 8.27 7.24 4.10 実測値／％ 60.03 8.41 7.21 4.24 合成例３ 例示化合物（15）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 18％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Ｈ 計算値／％ 59.81 14.50 6.34 3.29 実測値／％ 60.21 14.01 6.52 3.01 合成例４ 例示化合物（11）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 19.7％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 73.77 3.33 4.85 2.75 実測値／％ 71.68 3.71 4.83 2.98 合成例５ 例示化合物（18）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 18.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 58.58 5.91 8.82 5.00 実測値／％ 58.62 5.81 8.80 5.03 合成例６ 例示化合物（26）の合成 １モルとエタノール（EtOH）４モルとを130
℃で３時間反応させ、 を得た。この化合物４モルにLi+（CO5H11）-2モル
を加えて、130℃で２時間反応させ、 Li2Pc（−OEt）16を得た。さらに、この化合物１
モルにCuC21モルを加えてアミルアルコール中
で120℃で２時間反応させ、目的物を得た。 精製は実施例１と同様に行なつた。 収 率 23.9％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 60.02 6.25 8.75 4.96 実測値／％ 60.14 6.20 8.69 4.91 吸収極大 λmax 810nm（スピンナ−塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定） 合成例７ 例示化合物（28）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 33.5％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Co 計算値／％ 67.79 2.82 5.65 2.97 実測値／％ 66.99 2.85 5.70 2.91 合成例８ 例示化合物（23）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 19.8％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 75.02 3.91 5.47 3.10 実測値／％ 73.82 3.93 5.52 3.06 合成例９ 例示化合物（29）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 28.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Fe 計算値／％ 64.18 7.49 7.49 3.73 実測値／％ 62.94 7.45 7.38 3.84 合成例10 例示化合物（30）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 36.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 80.91 3.93 39.30 2.23 実測値／％ 82.90 3.92 39.10 2.21 合成例11 例示化合物（50）の合成
【式】１モルと、
エタノール（EtOH）４モルとを140℃、２時間
で反応させ、
で反応させ、
【式】を得た。
この化合物４モルにLi+（OC5H11）-2モルを加え
て150℃で２時間反応させ、Li2Pc（−OEt）16を得
た。さらに、この化合物１モにInC31モルを加
えて、アミルアルコール中で130℃で１時間反応
させ、目的物を得た。この反応生成物を100℃に
冷却した後、エタノール（EtOH）で希釈して室
温に戻し、濾過した。濾別したものをEtOHで洗
浄し、さらにEtOH−H2O（１：１）溶液で洗浄
し、乾燥した。このようにして得られた粗生成物
をシリカカラムでトルエンによつて展開し、分
離、精製して目的物を得た。 収 率 18.6％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 54.44 5.67 7.94 8.14 実測値／％ 54.52 5.66 7.91 8.16 吸収極大 λmax 830nm（スピンナー塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定） 合成例12 例示化合物（35）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 23.2％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 44.66 3.10 8.68 8.90 実測値／％ 43.92 3.11 8.66 8.94 合成例13 例示化合物（36）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 28.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ga 計算値／％ 58.94 2.46 6.88 4.28 実測値／％ 57.94 2.47 6.91 4.30 合成例14 例示化合物（39）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 31.08％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ga 計算値／％ 66.25 2.76 5.52 3.44 実測値／％ 65.84 2.72 5.58 3.49 合成例15 例示化合物（48）の合成 βナフトール16モルとKOH16モルとをキノリ
ン中で140℃にて１時間反応させた。 これにInCPc（Ｃ）16Iモルを加え、160〜180
℃にて１時間反応させた。 得られた反応生成物の精製は合成例11と同様に
行つた。 収 率 23.6％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 78.52 3.82 3.82 3.91 実測値／％ 77.94 3.85 3.88 3.89 吸収極大 λmax 840nm（スピンナー塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定）合成例16 例示化合
物（44）の合成 合成例15と同様にして目的物を得た。 収 率 28.5％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ａ 計算値／％ 69.11 1.89 4.71 1.13 実測値／％ 69.25 1.87 4.70 1.13 合成例17 例示化合物（37）の合成 合成例15と同様にして目的物をを得た。 収 率 22.8％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 37.29 3.10 6.22 6.37 実測値／％ 37.11 3.12 6.21 6.39 合成例18 例示化合物（54）の合成 合成例15と同様にして目的物を得た。 収 率 29.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 49.15 4.17 8.49 8.71 実測値／％ 48.93 4.19 8.51 8.70 キヤリア生成層は上述したフタロシアニン化合
物のみで構成してもよく、さらにはアゾ系、イン
ジゴ系、シアニン系、ペリレン系染顔料あるい
は、各種樹脂、オリゴマー、各種添加剤等を混合
して用いてもよい。混合する場合はフタロシアニ
ン化合物が50〜100wt％含まれることが望まし
い。 キヤリア生成層の厚さは0.03〜10μmとするの
がよい。 本発明の電子写真感光体はキヤリア移動層を有
する。キヤリア移動層は静電荷受容性や帯電保持
正に優れ、キヤリア移動層が大きく、可視および
近赤外光に分光感度を持さないか非常に小さいか
のいずれかであり、イオン化ポテンシヤルが小さ
いことが必要である。 この層を構成する料材としては上記フタロシア
ニン化合物を用いてもよいが通常は、TNF系化
合物、ヒドラゾン系化合物、ポリビニルカルバゾ
ール（PVK）系化合物、オキサゾール系化合物、
ジヒドロキシ化合物、ジカルボン酸含有ポリエス
テル等が挙げられる。 以下に具体例を示す。 (a) ２，５−ビス−（４−ジエチルアミノフエニ
ル）−オキサジアゾール−１，３，４ (b) ポリ−ビニル−カルバゾール（PVK） (c) １−フエニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル〕−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ピラゾリン (d) Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラゾノ−３−
メチリデン−９−エチルカルバゾール (e) ４，4′ジエチルアミノ−トリフエニルメタン (j) 〔３−（Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラゾ
ン）メチル−９−エチルカルバゾール〕 (k) １−フエニレン３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエ （ｎ） ポリエステル中に分散した２・５−ビス
−（４−ジエチルアミノフエニル）−１・３・４
−オキサジアゾール このキヤリア移動層の厚さは４〜35μmとする
のがよい。 本発明の電子写真感光体に用いる電極は、金属
材質からなり、通常ドラム状をなす。 本発明の電子写真感光体は電極上にキヤリア生
成層とキヤリア移動層とを設置するが、どちらを
上に設置してもかまわない。 上述の層の他に保護層、バリアー層等を設けて
もよい。 このような感光体を用いて、画像を形成するに
は常法に従えばよい。 発明の具体的作用効果 本発明によれば、キヤリア生成層に前記式
（）または（）で示されるフタロシアニン化
合物を含有させているため、近赤外ないし赤外域
用のきわめて高い光ないし熱に対する堅牢性をも
つ電子写真感光体が得られる。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、、本発明
の効果をさらに詳細に説明する。 実施例 アルミ電極上に、表１に示すフタロシアニン化
合物からなる厚さ0.1μmのキヤリア生成層を設置
した。さらに、その上に２，５−ビス−（４ジエ
チルアミノフエニル）−オキサジアゾール−１，
３，４を用い、ポリカーボネートをバインダとし
た厚さ12μmのキヤリア移動層を設置して感光体
とした。このようにして得られた電子写真感光体
を表１に示すように試料１〜20、111および112と
する。 各ピーク感度波長での感度を表１に示す。
て150℃で２時間反応させ、Li2Pc（−OEt）16を得
た。さらに、この化合物１モにInC31モルを加
えて、アミルアルコール中で130℃で１時間反応
させ、目的物を得た。この反応生成物を100℃に
冷却した後、エタノール（EtOH）で希釈して室
温に戻し、濾過した。濾別したものをEtOHで洗
浄し、さらにEtOH−H2O（１：１）溶液で洗浄
し、乾燥した。このようにして得られた粗生成物
をシリカカラムでトルエンによつて展開し、分
離、精製して目的物を得た。 収 率 18.6％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 54.44 5.67 7.94 8.14 実測値／％ 54.52 5.66 7.91 8.16 吸収極大 λmax 830nm（スピンナー塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定） 合成例12 例示化合物（35）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 23.2％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 44.66 3.10 8.68 8.90 実測値／％ 43.92 3.11 8.66 8.94 合成例13 例示化合物（36）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 28.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ga 計算値／％ 58.94 2.46 6.88 4.28 実測値／％ 57.94 2.47 6.91 4.30 合成例14 例示化合物（39）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 31.08％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ga 計算値／％ 66.25 2.76 5.52 3.44 実測値／％ 65.84 2.72 5.58 3.49 合成例15 例示化合物（48）の合成 βナフトール16モルとKOH16モルとをキノリ
ン中で140℃にて１時間反応させた。 これにInCPc（Ｃ）16Iモルを加え、160〜180
℃にて１時間反応させた。 得られた反応生成物の精製は合成例11と同様に
行つた。 収 率 23.6％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 78.52 3.82 3.82 3.91 実測値／％ 77.94 3.85 3.88 3.89 吸収極大 λmax 840nm（スピンナー塗布により0.1μm厚の
薄膜を形成して測定）合成例16 例示化合
物（44）の合成 合成例15と同様にして目的物を得た。 収 率 28.5％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ａ 計算値／％ 69.11 1.89 4.71 1.13 実測値／％ 69.25 1.87 4.70 1.13 合成例17 例示化合物（37）の合成 合成例15と同様にして目的物をを得た。 収 率 22.8％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 37.29 3.10 6.22 6.37 実測値／％ 37.11 3.12 6.21 6.39 合成例18 例示化合物（54）の合成 合成例15と同様にして目的物を得た。 収 率 29.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 49.15 4.17 8.49 8.71 実測値／％ 48.93 4.19 8.51 8.70 キヤリア生成層は上述したフタロシアニン化合
物のみで構成してもよく、さらにはアゾ系、イン
ジゴ系、シアニン系、ペリレン系染顔料あるい
は、各種樹脂、オリゴマー、各種添加剤等を混合
して用いてもよい。混合する場合はフタロシアニ
ン化合物が50〜100wt％含まれることが望まし
い。 キヤリア生成層の厚さは0.03〜10μmとするの
がよい。 本発明の電子写真感光体はキヤリア移動層を有
する。キヤリア移動層は静電荷受容性や帯電保持
正に優れ、キヤリア移動層が大きく、可視および
近赤外光に分光感度を持さないか非常に小さいか
のいずれかであり、イオン化ポテンシヤルが小さ
いことが必要である。 この層を構成する料材としては上記フタロシア
ニン化合物を用いてもよいが通常は、TNF系化
合物、ヒドラゾン系化合物、ポリビニルカルバゾ
ール（PVK）系化合物、オキサゾール系化合物、
ジヒドロキシ化合物、ジカルボン酸含有ポリエス
テル等が挙げられる。 以下に具体例を示す。 (a) ２，５−ビス−（４−ジエチルアミノフエニ
ル）−オキサジアゾール−１，３，４ (b) ポリ−ビニル−カルバゾール（PVK） (c) １−フエニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル〕−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ピラゾリン (d) Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラゾノ−３−
メチリデン−９−エチルカルバゾール (e) ４，4′ジエチルアミノ−トリフエニルメタン (j) 〔３−（Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラゾ
ン）メチル−９−エチルカルバゾール〕 (k) １−フエニレン３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエ （ｎ） ポリエステル中に分散した２・５−ビス
−（４−ジエチルアミノフエニル）−１・３・４
−オキサジアゾール このキヤリア移動層の厚さは４〜35μmとする
のがよい。 本発明の電子写真感光体に用いる電極は、金属
材質からなり、通常ドラム状をなす。 本発明の電子写真感光体は電極上にキヤリア生
成層とキヤリア移動層とを設置するが、どちらを
上に設置してもかまわない。 上述の層の他に保護層、バリアー層等を設けて
もよい。 このような感光体を用いて、画像を形成するに
は常法に従えばよい。 発明の具体的作用効果 本発明によれば、キヤリア生成層に前記式
（）または（）で示されるフタロシアニン化
合物を含有させているため、近赤外ないし赤外域
用のきわめて高い光ないし熱に対する堅牢性をも
つ電子写真感光体が得られる。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、、本発明
の効果をさらに詳細に説明する。 実施例 アルミ電極上に、表１に示すフタロシアニン化
合物からなる厚さ0.1μmのキヤリア生成層を設置
した。さらに、その上に２，５−ビス−（４ジエ
チルアミノフエニル）−オキサジアゾール−１，
３，４を用い、ポリカーボネートをバインダとし
た厚さ12μmのキヤリア移動層を設置して感光体
とした。このようにして得られた電子写真感光体
を表１に示すように試料１〜20、111および112と
する。 各ピーク感度波長での感度を表１に示す。
【表】
【表】
これらの試料を実際レーザープリンターに実装
して画像形成を行い、画質を評価した。 この結果、本発明の試料を用いると、いずれも
良好な画像が得られたが、比較の試料の場合はレ
ーザー光を吸収しないためキヤリアを生成せず、
画像は得られなかつた。 また、電極上にキヤリア移動層、キヤリア生成
層の順に設置した以外は上記と同様に試料を作成
し、同様に処理したが、上記と同じ結果が得られ
た。 以上より本発明の効果は明らかである。
して画像形成を行い、画質を評価した。 この結果、本発明の試料を用いると、いずれも
良好な画像が得られたが、比較の試料の場合はレ
ーザー光を吸収しないためキヤリアを生成せず、
画像は得られなかつた。 また、電極上にキヤリア移動層、キヤリア生成
層の順に設置した以外は上記と同様に試料を作成
し、同様に処理したが、上記と同じ結果が得られ
た。 以上より本発明の効果は明らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極上にキヤリア生成層およびキヤリア移動
層を有する電子写真感光体において、 キヤリア生成層が下記式（）または式（）で
示されるフタロシアニン化合物を含有することを
特徴とする電子写真感光体。 式 （） 式 （） ｛式（）および（）中、Pcは、水素原子、
金属もしくは半金属原子またはM1Xに配位した
フタロシアニン核を表わす。 M1はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
子を表わす。 R1およびR3は、それぞれ、置換または非置換
の脂肪族基または芳香族基を表わす。 R2は置換または非置換の２価の脂肪族基また
は芳香族基を表わす。 Ｙは水素原子またはハロゲン原子を表わす。 ｎは５〜16、１は１〜８、ｍは０〜14の正の整
数を表わす｝
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3944985A JPS61198241A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3944985A JPS61198241A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198241A JPS61198241A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH0315178B2 true JPH0315178B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=12553338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3944985A Granted JPS61198241A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019006747A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン系化合物およびこれを含む熱線吸収材 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6475489A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Dainippon Ink & Chemicals | Phthalocyanine derivative |
| ES2094795T3 (es) * | 1990-11-02 | 1997-02-01 | Ici Plc | Ftalocianinas polisustituidas. |
| US5312706A (en) * | 1992-05-29 | 1994-05-17 | Xerox Corporation | Infra-red photoconductor based on octa-substituted phthalocyanines |
| GB9602095D0 (en) | 1996-02-02 | 1996-04-03 | Zeneca Ltd | Phthalocyanines |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3944985A patent/JPS61198241A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019006747A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン系化合物およびこれを含む熱線吸収材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61198241A (ja) | 1986-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3854534T2 (de) | Elektrophotographische Platten, die ein metallisiertes Derivat des Naphthalocyanins enthalten. | |
| US20060222979A1 (en) | Electrophotographic photoreceptor, electrophotographic image forming method, and electrophotographic device | |
| JPH0315178B2 (ja) | ||
| EP0262761A1 (en) | Organic photoconductor | |
| JPH06279698A (ja) | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 | |
| JPH02214867A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2001133995A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4842970A (en) | Electrophotographic plate containing a naphthalocyanine compound | |
| KR100983758B1 (ko) | 유기 전자 사진의 광-수용체 | |
| KR100284059B1 (ko) | 전자사진 감광체 및 전하 수송층용 도액 | |
| JPH036498B2 (ja) | ||
| JPH0315179B2 (ja) | ||
| JP3644972B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| US8206502B2 (en) | Titanyl phthalocyanine with improved milling properties | |
| JPH06100834B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP5355984B2 (ja) | 電子写真感光体、およびこれを備えた画像形成装置 | |
| JP3235251B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP3939425B2 (ja) | 積層型電子写真感光体 | |
| JP3725981B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| US5516609A (en) | Methoxy gallium phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using it | |
| JP3773136B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2008134406A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真感光体の製造方法 | |
| JP2001133996A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP3460756B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2000256575A (ja) | テトラアザポルフィリン誘導体混合物及びその製造方法 |