JPH03152164A - 電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品材料 - Google Patents
電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品材料Info
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- JPH03152164A JPH03152164A JP29197089A JP29197089A JPH03152164A JP H03152164 A JPH03152164 A JP H03152164A JP 29197089 A JP29197089 A JP 29197089A JP 29197089 A JP29197089 A JP 29197089A JP H03152164 A JPH03152164 A JP H03152164A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は硬化性組成物に関し、更に詳しくは、(A)分
子末端に少なくとも2個のヒドロシリル基を含有する炭
化水素系硬化剤、(B)分子末端に少なくとも1個のア
ルケニル基を含有する飽和度化水素系重合体、(C)ヒ
ドロシリル化触媒を必須成分とする、電気・電子部品材
料用組成物及び該組成物を硬化させてなる電気・電子部
品材料に関する。
子末端に少なくとも2個のヒドロシリル基を含有する炭
化水素系硬化剤、(B)分子末端に少なくとも1個のア
ルケニル基を含有する飽和度化水素系重合体、(C)ヒ
ドロシリル化触媒を必須成分とする、電気・電子部品材
料用組成物及び該組成物を硬化させてなる電気・電子部
品材料に関する。
半導体封止用樹脂、回転子用含浸樹脂、絶縁用フェス、
プリント配線基板用絶縁材料、プリント配線基板用含浸
樹脂、電子部品用コーティング剤、電子部品用ポツティ
ング剤、電気・電子部品用接着剤、電子部品放熱用コン
パウンドなどの電気・電子部品用材料には、従来からエ
ポキシ樹脂、イミド樹脂、アミドイミド樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、フェノール樹脂などの硬化性樹脂が用
いられている。
プリント配線基板用絶縁材料、プリント配線基板用含浸
樹脂、電子部品用コーティング剤、電子部品用ポツティ
ング剤、電気・電子部品用接着剤、電子部品放熱用コン
パウンドなどの電気・電子部品用材料には、従来からエ
ポキシ樹脂、イミド樹脂、アミドイミド樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、フェノール樹脂などの硬化性樹脂が用
いられている。
しか゛し乍ら、前記のごとき従来から使用されている樹
脂を適用して、ゴム状の硬化物をうろことが必要な場合
、上記の硬化性樹脂は非常に少なく、限られたものにな
る。
脂を適用して、ゴム状の硬化物をうろことが必要な場合
、上記の硬化性樹脂は非常に少なく、限られたものにな
る。
また、ケイ素原子に結合した水酸基または加水分解性基
を有し、シロキサン結合を形成することにより架橋しう
るケイ素含有基を有する有機重合体を含有してなる電気
・電子部品材料用組成物を硬化させて電気・電子部品材
料を得る場合、硬化時に湿分を必要とし、硬化に長時間
を要し、製造ラインに乗せることができない、更に、得
られた硬化物は寸法安定性に欠けるため、プリント基板
、コネクタ、IC等に応力がかかり、絶縁不良・断線の
原因となる。
を有し、シロキサン結合を形成することにより架橋しう
るケイ素含有基を有する有機重合体を含有してなる電気
・電子部品材料用組成物を硬化させて電気・電子部品材
料を得る場合、硬化時に湿分を必要とし、硬化に長時間
を要し、製造ラインに乗せることができない、更に、得
られた硬化物は寸法安定性に欠けるため、プリント基板
、コネクタ、IC等に応力がかかり、絶縁不良・断線の
原因となる。
更に、深部硬化性に優れた硬化系として、末端もしくは
分子鎖中に、1分子中に平均2個又はそれ以上のビニル
基をもつポリオルガノシロキサンを、珪素原子に結合す
る水素原子を1分子中に2個以上有するポリオルガノハ
イドロジエンシロキサンで架橋するものが開発され、そ
の優れた耐候性、耐水性、耐熱性を利用して、電気・電
子部品材料として使用されている。しかし、この系はコ
ストが高い、接着性が悪い、湿分透過性が高く、電極、
基板等の劣化を招く、カビが発生しやすい等の点からそ
の用途に制限を受けている。更に、上記のポリオルガノ
シロキサンは、−IIに有機系重合体に対する相溶性が
悪く、ポリオルガノハイドロジエンシロキサンとアルケ
ニル基を含有する有機重合体とを硬化させようとしても
、相分離によりポリオルガノハイドロジエンシロキサン
の加水分解及び脱水素縮合反応が助長され、ボイドの為
に充分な機械特性が得られないという問題があった。
分子鎖中に、1分子中に平均2個又はそれ以上のビニル
基をもつポリオルガノシロキサンを、珪素原子に結合す
る水素原子を1分子中に2個以上有するポリオルガノハ
イドロジエンシロキサンで架橋するものが開発され、そ
の優れた耐候性、耐水性、耐熱性を利用して、電気・電
子部品材料として使用されている。しかし、この系はコ
ストが高い、接着性が悪い、湿分透過性が高く、電極、
基板等の劣化を招く、カビが発生しやすい等の点からそ
の用途に制限を受けている。更に、上記のポリオルガノ
シロキサンは、−IIに有機系重合体に対する相溶性が
悪く、ポリオルガノハイドロジエンシロキサンとアルケ
ニル基を含有する有機重合体とを硬化させようとしても
、相分離によりポリオルガノハイドロジエンシロキサン
の加水分解及び脱水素縮合反応が助長され、ボイドの為
に充分な機械特性が得られないという問題があった。
本発明はかかる実情に鑑み鋭意研究の結果、これらの問
題を解決して、速硬化性であり、湿分透過性が低く、ガ
スバリア性に優れ、且つ深部硬化性に優れるとともに十
分な機械的特性を有する電気・電子材料用組成物及び電
気・電子材料を提供するものである。即ち、従来、ヒド
ロシリル化による硬化反応に用いられていたポリオルガ
ノハイドロジエンシロキサンの代わりに、分子中に少な
くとも2個のヒドロシリル基を含有する炭化水素系硬化
剤を用いれば、一般にポリオルガノハイドロジエンシロ
キサンよりも、アルケニル基を含有する飽和炭化水素系
重合体に対する相溶性が良好であること、更にはヒドロ
シリル化触媒を用いて上記両成分を硬化させれば均一で
、且つ速硬化であり、低湿分透過性ガスバリア性、深部
硬化性に優れ、硬化物が十分な引張特性等の機械特性を
有する電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品
材料が得られることを見出し本発明に到達した。
題を解決して、速硬化性であり、湿分透過性が低く、ガ
スバリア性に優れ、且つ深部硬化性に優れるとともに十
分な機械的特性を有する電気・電子材料用組成物及び電
気・電子材料を提供するものである。即ち、従来、ヒド
ロシリル化による硬化反応に用いられていたポリオルガ
ノハイドロジエンシロキサンの代わりに、分子中に少な
くとも2個のヒドロシリル基を含有する炭化水素系硬化
剤を用いれば、一般にポリオルガノハイドロジエンシロ
キサンよりも、アルケニル基を含有する飽和炭化水素系
重合体に対する相溶性が良好であること、更にはヒドロ
シリル化触媒を用いて上記両成分を硬化させれば均一で
、且つ速硬化であり、低湿分透過性ガスバリア性、深部
硬化性に優れ、硬化物が十分な引張特性等の機械特性を
有する電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品
材料が得られることを見出し本発明に到達した。
即ち、本発明は、下記の成分(A)、(B)及び(C)
を必須成分としてなる硬化性組成物;(A)分子中に少
なくとも2個のヒドロシリル基を含有する、分子量が3
0000以下である炭化水素系硬化剤、 (B)分子中に少なくとも1個のアルケニル基を含有す
る飽和炭化水素系重合体、 (C)ヒドロシリル化触媒、 及び該組成物を硬化してなる電気・電子部品材料を内容
とするものである。
を必須成分としてなる硬化性組成物;(A)分子中に少
なくとも2個のヒドロシリル基を含有する、分子量が3
0000以下である炭化水素系硬化剤、 (B)分子中に少なくとも1個のアルケニル基を含有す
る飽和炭化水素系重合体、 (C)ヒドロシリル化触媒、 及び該組成物を硬化してなる電気・電子部品材料を内容
とするものである。
本発明の(A)成分であるヒドロシリル基を含有する炭
化水素系硬化剤の構造については特に制限はないが、式
(I) RXa(I) (Xは少なくとも1個のヒドロシリル基を含む基、Rは
炭素数2〜150の1〜4価の炭化水素基。
化水素系硬化剤の構造については特に制限はないが、式
(I) RXa(I) (Xは少なくとも1個のヒドロシリル基を含む基、Rは
炭素数2〜150の1〜4価の炭化水素基。
aは1〜4から選ばれる整数、)
で示される分子量が30000以下であるヒドロシリル
基を含有する炭化水素系硬化剤を好適に用いることがで
きる。
基を含有する炭化水素系硬化剤を好適に用いることがで
きる。
式(り中、Xは少なくとも1個のヒドロシリル基を含む
基を表すが、具体的に例示するならば、St(H)m
(CHs)s−+a+ 5i(H)a (C!1l
s)i−a +5i(H)a (CJi)s−a (n
” 1〜3 ) 、 SiHg(CJ+、)などの
ケ、イ素原子1個だけ含有するヒドロシリル基、 Si
(CHi) zsi (CH3) !H,Si (C
H3) zcHzcH*Si (CHz) tH+
Si (CHs) xsiclI3Ht 。
基を表すが、具体的に例示するならば、St(H)m
(CHs)s−+a+ 5i(H)a (C!1l
s)i−a +5i(H)a (CJi)s−a (n
” 1〜3 ) 、 SiHg(CJ+、)などの
ケ、イ素原子1個だけ含有するヒドロシリル基、 Si
(CHi) zsi (CH3) !H,Si (C
H3) zcHzcH*Si (CHz) tH+
Si (CHs) xsiclI3Ht 。
S:(CHx)tNH5:(CHshH,5i(CHx
)tNIsi(CHJtHI*。
)tNIsi(CHJtHI*。
C)Iff
Si(CH3)zOc=Nsi(CTo)*)l。
CHi。
5i(CHz)tN =C05i(CHs)tHなど
のケイ素原子を2個以上含むヒドロシリル基、RC1’
13 R しtIs −tis CH3 1tis OSi(CH3)J C)13 CH。
のケイ素原子を2個以上含むヒドロシリル基、RC1’
13 R しtIs −tis CH3 1tis OSi(CH3)J C)13 CH。
CH3
05i(CHs)tH
\/
階
(Fl、CHs。
CzBs。
Chis)
などで示される鎖状、枝分かれ状、環状の各種の多価ハ
イドロジエンシロキサンより誘導されたヒドロシリル基
などが挙げられる。
イドロジエンシロキサンより誘導されたヒドロシリル基
などが挙げられる。
上記の各種のヒドロシリル基のうち、本発明の(A)成
分であるヒドロシリル基含有の炭化水素系硬化剤の各種
有機重合体に対する相溶性を損なう可能性が少ないとい
う点から、ヒドロシリル基を構成する部分の分子量は5
00以下が望ましく、さらにヒドロシリル基の反応性も
考慮すれば、下記のものが好ましい。
分であるヒドロシリル基含有の炭化水素系硬化剤の各種
有機重合体に対する相溶性を損なう可能性が少ないとい
う点から、ヒドロシリル基を構成する部分の分子量は5
00以下が望ましく、さらにヒドロシリル基の反応性も
考慮すれば、下記のものが好ましい。
CH3
0Si (CIり !
OSi (CHs) s
l13
OSi (CI+3) 5
OSi (CH3) I
CH。
CH3
しI′Iコ
し13
CL CHs
式(I)中、Rは炭素数2〜150の1〜4価の炭化水
素基を表す。
素基を表す。
式(I)中に含まれるヒドロシリル基の個数については
少なくとも1分子中に2個あればよいが、2〜15個が
好ましく、3〜12個が特に好ましい0本発明の組成物
をヒドロシリル化反応により硬化させる場合には、該ヒ
ドロシリル基の個数が2より少ないと、硬化が遅く硬化
不良を起こす場合が多い、また該ヒドロシリル基の個数
が15より多くなると、(A)成分である硬化剤の安定
性が悪くなり、その上硬化後も多量のヒドロシリル基が
硬化物中に残存し、ボイドやラフツクの原因となる。
少なくとも1分子中に2個あればよいが、2〜15個が
好ましく、3〜12個が特に好ましい0本発明の組成物
をヒドロシリル化反応により硬化させる場合には、該ヒ
ドロシリル基の個数が2より少ないと、硬化が遅く硬化
不良を起こす場合が多い、また該ヒドロシリル基の個数
が15より多くなると、(A)成分である硬化剤の安定
性が悪くなり、その上硬化後も多量のヒドロシリル基が
硬化物中に残存し、ボイドやラフツクの原因となる。
本発明の(A)成分であるヒドロシリル基含有炭化水素
系硬化剤の製造方法については特に制限はなく、任意の
方法を用いればよい0例えば、(i)分子内に5t−C
H基をもつ炭化水素系硬化剤をLiAIfla、 Na
BH4などの還元剤で処理して該硬化剤中の5i−CH
基を5i−H基に還元する方法、(ii)分子内にある
官能基Xをもつ炭化水素系化合物と分子内に上記官能基
Xと反応する官能基Y及びヒドロシリル基を同時にもつ
化合物とを反応させる方法、(iii)アルケニル基を
含有する炭化水素系化合物に対して少なくとも2個のヒ
ドロシリル基をもつポリヒドロシラン化合物を選択ヒド
ロシリル化することにより反応後もヒドロシリル基を該
炭化水素系化合物の分子中に残存させる方法などが例示
される。
系硬化剤の製造方法については特に制限はなく、任意の
方法を用いればよい0例えば、(i)分子内に5t−C
H基をもつ炭化水素系硬化剤をLiAIfla、 Na
BH4などの還元剤で処理して該硬化剤中の5i−CH
基を5i−H基に還元する方法、(ii)分子内にある
官能基Xをもつ炭化水素系化合物と分子内に上記官能基
Xと反応する官能基Y及びヒドロシリル基を同時にもつ
化合物とを反応させる方法、(iii)アルケニル基を
含有する炭化水素系化合物に対して少なくとも2個のヒ
ドロシリル基をもつポリヒドロシラン化合物を選択ヒド
ロシリル化することにより反応後もヒドロシリル基を該
炭化水素系化合物の分子中に残存させる方法などが例示
される。
上記の方法のうち、(iii)の方法が製造工程が一般
に簡便なため好適に用いることができる。この場合、一
部のポリヒドロシラン化合物のヒドロシリル基の2個以
上が炭化水素系化合物のアルケニル基と反応し分子量が
増大する場合があるが、このような炭化水素系化合物を
(A)成分として用いても何ら差し支えない。
に簡便なため好適に用いることができる。この場合、一
部のポリヒドロシラン化合物のヒドロシリル基の2個以
上が炭化水素系化合物のアルケニル基と反応し分子量が
増大する場合があるが、このような炭化水素系化合物を
(A)成分として用いても何ら差し支えない。
本発明に用いる(B)成分である飽和炭化水素系重合体
の骨格をなす重合体は、 (I)エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブチレ
ンなどのような炭素数1〜6のオレフィン系化合物を生
モノマーとして重合させる、(2)ブタジェン、イソプ
レンなどのようなジエン系化合物を単独重合させたり、
上記オレフィン系化合物とジエン系化合物とを共重合さ
せたりしたのち水素添加する、 などの方法により得ることができるが、末端に官能基を
導入しやすい、分子量を制御しやすい、末端官能基の数
を多くすることができるなどの点から、イソブチレン系
重合体や水添ポリブタジェン系重合体あるいは水添ポリ
イソプレン系重合体であるのが好ましい。
の骨格をなす重合体は、 (I)エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブチレ
ンなどのような炭素数1〜6のオレフィン系化合物を生
モノマーとして重合させる、(2)ブタジェン、イソプ
レンなどのようなジエン系化合物を単独重合させたり、
上記オレフィン系化合物とジエン系化合物とを共重合さ
せたりしたのち水素添加する、 などの方法により得ることができるが、末端に官能基を
導入しやすい、分子量を制御しやすい、末端官能基の数
を多くすることができるなどの点から、イソブチレン系
重合体や水添ポリブタジェン系重合体あるいは水添ポリ
イソプレン系重合体であるのが好ましい。
尚、本明細書にいう飽和炭化水素系重合体とは、芳香環
以外の炭素−炭素不飽和結合を実質的に含有しない重合
体を意味する概念である。
以外の炭素−炭素不飽和結合を実質的に含有しない重合
体を意味する概念である。
前記イソブチレン系重合体は1、単量体単位のすべてが
イソブチレン単位から形成されていてもよく、イソブチ
レンと共重合性を有する単量体単位をイソブチレン系重
合体中の好ましくは50%(重量%、以下同様)以下、
更に好ましくは30%以下、特に好ましくは10%以下
の範囲で含有してもよい。
イソブチレン単位から形成されていてもよく、イソブチ
レンと共重合性を有する単量体単位をイソブチレン系重
合体中の好ましくは50%(重量%、以下同様)以下、
更に好ましくは30%以下、特に好ましくは10%以下
の範囲で含有してもよい。
このような単M体成分としては、例えば炭素数4〜12
のオレフィン、ビニルエーテル、芳香族ビニル化合物、
ビニルシラン類、アリルシラン類等が挙げられる。この
ような共重合体成分の具体例としては、例えば1−ブテ
ン、2−ブテン、2メチル−1−ブテン、3−メチル−
1−ブテン、ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、ヘ
キセン、ビニルシクロへキサン、メチルビニルエーテル
、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、
スチレン、α−メチルスチレン、ジメチルスチレン、モ
ノクロロスチレン、ジクロロスチレン、β−ピネン、イ
ンデン、ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロ
ロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、ビニルジメチ
ルメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、ジビニル
ジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニル
ジメチルシラン、1,3−ジビニル−1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン、トリビニルメチルシラン、
テトラビニルシラン、アリルトリクロロシラン、アリル
メチルジクロロシラン、アリルジメチルクロロシラン、
アリルジメチルメトキシシラン、アリルトリメチルシラ
ン、ジアリルジクロロシラン、ジアリルジメトキシシラ
ン、ジアリルジメチルシラン、T−メタクリロイルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルオ
キシプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
のオレフィン、ビニルエーテル、芳香族ビニル化合物、
ビニルシラン類、アリルシラン類等が挙げられる。この
ような共重合体成分の具体例としては、例えば1−ブテ
ン、2−ブテン、2メチル−1−ブテン、3−メチル−
1−ブテン、ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、ヘ
キセン、ビニルシクロへキサン、メチルビニルエーテル
、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、
スチレン、α−メチルスチレン、ジメチルスチレン、モ
ノクロロスチレン、ジクロロスチレン、β−ピネン、イ
ンデン、ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロ
ロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、ビニルジメチ
ルメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、ジビニル
ジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニル
ジメチルシラン、1,3−ジビニル−1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン、トリビニルメチルシラン、
テトラビニルシラン、アリルトリクロロシラン、アリル
メチルジクロロシラン、アリルジメチルクロロシラン、
アリルジメチルメトキシシラン、アリルトリメチルシラ
ン、ジアリルジクロロシラン、ジアリルジメトキシシラ
ン、ジアリルジメチルシラン、T−メタクリロイルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルオ
キシプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
前記水添ポリブタジェン系重合体や他の飽和炭化水素系
重合体においても、上記イソブチレン系重合体の場合と
同様に、主成分となる単量体単位の他に、他の単量体単
位を含有させてもよい。
重合体においても、上記イソブチレン系重合体の場合と
同様に、主成分となる単量体単位の他に、他の単量体単
位を含有させてもよい。
また本発明中(B)成分として用いる飽和炭化水素系重
合体には、本発明の目的が達成される範囲でブタジェン
、イソプレンのようなポリエン化合物のごとき重合後2
重結合の残るような単量体単位を少量、好ましくは10
%以下、更に好ましくは5%以下、特に好ましくは1%
以下の範囲で含有させてもよい。
合体には、本発明の目的が達成される範囲でブタジェン
、イソプレンのようなポリエン化合物のごとき重合後2
重結合の残るような単量体単位を少量、好ましくは10
%以下、更に好ましくは5%以下、特に好ましくは1%
以下の範囲で含有させてもよい。
前記飽和炭化水素系重合体、好ましくはイソブチレン系
重合体、水添ポリイソプレン又は水添ポリブタジェン系
重合体の数平均分子量は500〜50000程度である
のが好ましく、特に1000〜15000程度の液状物
〜流動性を有するものであるのが取扱いやすいなどの点
から好ましい。
重合体、水添ポリイソプレン又は水添ポリブタジェン系
重合体の数平均分子量は500〜50000程度である
のが好ましく、特に1000〜15000程度の液状物
〜流動性を有するものであるのが取扱いやすいなどの点
から好ましい。
アルケニル基を(B)成分の飽和炭化水素系重合体に導
入する方法については、種々提案されているものを用い
ることができるが、重合後にアルケニル基を導入する方
法と重合中にアルケニル基を導入する方法に大別するこ
とができる。
入する方法については、種々提案されているものを用い
ることができるが、重合後にアルケニル基を導入する方
法と重合中にアルケニル基を導入する方法に大別するこ
とができる。
重合後にアルケニル基を導入する方法としては、例えば
、末端、主鎖あるいは側鎖の水酸基を一0Naや−OK
などの基にしたのち一般式(2)%式%(2) 〔式中、Yは塩素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子
、R3は−R4− −R’−QC−又は−R’−C− (R4は炭素数1〜20の2価の炭化水素基で、好まし
い具体例としてはアルキレン基、シクロアルキレン基、
アリーレン基、アラルキレン基が挙げられる) で示される2価の有機基で、−CHt−(R”は炭素数
1〜10の炭化水素基)より選ばれた2価の基が特に好
ましい〕 で示される有機ハロゲン化合物を反応させることにより
、末端アルケニル基を有する飽和炭化水素系重合体が製
造される。
、末端、主鎖あるいは側鎖の水酸基を一0Naや−OK
などの基にしたのち一般式(2)%式%(2) 〔式中、Yは塩素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子
、R3は−R4− −R’−QC−又は−R’−C− (R4は炭素数1〜20の2価の炭化水素基で、好まし
い具体例としてはアルキレン基、シクロアルキレン基、
アリーレン基、アラルキレン基が挙げられる) で示される2価の有機基で、−CHt−(R”は炭素数
1〜10の炭化水素基)より選ばれた2価の基が特に好
ましい〕 で示される有機ハロゲン化合物を反応させることにより
、末端アルケニル基を有する飽和炭化水素系重合体が製
造される。
末端ヒドロキシ飽和炭化水素系重合体の末端水酸基をオ
キシメタル基にする方法としては、Na、にのごときア
ルカリ金属+NaHのごとき金属水素化物; Na0C
H,のごとき金属アルコキシド;苛性ソーダ、苛性カリ
のごとき苛性アルカリなどと反応させる方法が挙げられ
る。
キシメタル基にする方法としては、Na、にのごときア
ルカリ金属+NaHのごとき金属水素化物; Na0C
H,のごとき金属アルコキシド;苛性ソーダ、苛性カリ
のごとき苛性アルカリなどと反応させる方法が挙げられ
る。
前記方法では、出発原料として使用した末端ヒドロキシ
飽和炭化水素系重合体とほぼ同じ分子量をもつ末端アル
ケニル基含有飽和炭化水素系重合体が得られるが、より
高分子量の重合体を得たい場合には、−a式(2)の有
機ハロゲン化合物を反応させる前に、塩化メチレン、ビ
ス(クロロメチル)ヘンゼン、ビス(クロロメチル)エ
ーテルなどのごとき、1分子中にハロゲン原子を2個以
上含む多価有機ハロゲン化合物と反応させれば分子量を
増大させることができ、そののち−形式(2〕で示され
る有機ハロゲン化合物と反応させれば、より高分子量で
かつ末端にアルケニル基を有する水添ポリブタジェン系
重合体を得ることができる。
飽和炭化水素系重合体とほぼ同じ分子量をもつ末端アル
ケニル基含有飽和炭化水素系重合体が得られるが、より
高分子量の重合体を得たい場合には、−a式(2)の有
機ハロゲン化合物を反応させる前に、塩化メチレン、ビ
ス(クロロメチル)ヘンゼン、ビス(クロロメチル)エ
ーテルなどのごとき、1分子中にハロゲン原子を2個以
上含む多価有機ハロゲン化合物と反応させれば分子量を
増大させることができ、そののち−形式(2〕で示され
る有機ハロゲン化合物と反応させれば、より高分子量で
かつ末端にアルケニル基を有する水添ポリブタジェン系
重合体を得ることができる。
前記−形式(2)で示される有機ハロゲン化合物の具体
例としては、例えばアリルクロライド、71フルブロマ
イド、ビニル(クロロメチル)ベンゼン、アリル(クロ
ロメチル)ベンゼン、アリル(ブロモメチル)ベンゼン
、アリル(クロロメチル)エーテル、アリル(クロロメ
トキシ)ベンゼン、1−ブテニル(クロロメチル)エー
テル、lへキセニル(クロロメトキシ)ベンゼン、アリ
ルオキシ(クロロメチル)ベンゼンなどが挙げられるが
、それらに限定されるものではない。これらのうちでは
安価で、かつ容易に反応することからアリルクロライド
が好ましい0重合中にアルケニル基を導入する方法とし
ては、例えば、開始剤連鎖移動剤としてハロゲン原子を
有し、該ハロゲン原子が結合している炭素原子が芳香環
炭素に結合している化合物及び/又はハロゲン原子をを
し、該ハロゲン原子が結合している度素原子が第3級炭
素原子である化合物を使用し且つ触媒としてルイス酸を
使用してイソブチレンを含有するカチオン重合性モノマ
ーをカチオン重合させるに当たり、アリルトリメチルシ
ランを重合系に添加することによるアリル末端を有する
イソブチレン系ポリマーの製造法が挙げられる。
例としては、例えばアリルクロライド、71フルブロマ
イド、ビニル(クロロメチル)ベンゼン、アリル(クロ
ロメチル)ベンゼン、アリル(ブロモメチル)ベンゼン
、アリル(クロロメチル)エーテル、アリル(クロロメ
トキシ)ベンゼン、1−ブテニル(クロロメチル)エー
テル、lへキセニル(クロロメトキシ)ベンゼン、アリ
ルオキシ(クロロメチル)ベンゼンなどが挙げられるが
、それらに限定されるものではない。これらのうちでは
安価で、かつ容易に反応することからアリルクロライド
が好ましい0重合中にアルケニル基を導入する方法とし
ては、例えば、開始剤連鎖移動剤としてハロゲン原子を
有し、該ハロゲン原子が結合している炭素原子が芳香環
炭素に結合している化合物及び/又はハロゲン原子をを
し、該ハロゲン原子が結合している度素原子が第3級炭
素原子である化合物を使用し且つ触媒としてルイス酸を
使用してイソブチレンを含有するカチオン重合性モノマ
ーをカチオン重合させるに当たり、アリルトリメチルシ
ランを重合系に添加することによるアリル末端を有する
イソブチレン系ポリマーの製造法が挙げられる。
尚、カチオン重合触媒として用いられる成分であるルイ
ス酸は、Nχ’ n (Mは金属原子、X′はハロゲン
原子)で表わされるもの、例えばBCIi、 AlCl
315IIC141TiCl4.VCll、 FeC1
!+ BF2などが挙げられるが、これらに限定される
ものではない。
ス酸は、Nχ’ n (Mは金属原子、X′はハロゲン
原子)で表わされるもの、例えばBCIi、 AlCl
315IIC141TiCl4.VCll、 FeC1
!+ BF2などが挙げられるが、これらに限定される
ものではない。
これらのルイス酸のうち、BCl3. AlCl3.
BFSなどが好ましく、更に好ましいものとしてBCl
、が挙げられる。前記ルイス酸の使用量は開始剤連鎖移
動剤のモル数に対し0.1〜10倍が好ましく、更に好
ましくは2〜5倍である。
BFSなどが好ましく、更に好ましいものとしてBCl
、が挙げられる。前記ルイス酸の使用量は開始剤連鎖移
動剤のモル数に対し0.1〜10倍が好ましく、更に好
ましくは2〜5倍である。
上記の如くして製造された(A)成分及び(B)成分の
ヒドロシリル基とアルケニル基との比率はモル比で0.
2〜5.0が好ましく、更に0.4〜2.5が特に好ま
しい0モル比が0.2より小さくなると、本発明の組成
物を硬化した場合に硬化が不充分でベトッキのある強度
の小さい硬化物しか得られず、またモル比が5.0より
大きくなると硬化後も硬化物中に活性なヒドロシリル基
が多量に残存するので、クランク、ボイドが発生し、均
一で強度のある硬化物が得られない傾向がある。
ヒドロシリル基とアルケニル基との比率はモル比で0.
2〜5.0が好ましく、更に0.4〜2.5が特に好ま
しい0モル比が0.2より小さくなると、本発明の組成
物を硬化した場合に硬化が不充分でベトッキのある強度
の小さい硬化物しか得られず、またモル比が5.0より
大きくなると硬化後も硬化物中に活性なヒドロシリル基
が多量に残存するので、クランク、ボイドが発生し、均
一で強度のある硬化物が得られない傾向がある。
本発明の(C)成分であるヒドロシリル化触媒について
は、特に制限はなく、任意のものが使用できる。
は、特に制限はなく、任意のものが使用できる。
具体的に例示すれば、白金の単体、アルミナ、シリカ、
カーボンブラック等の担体に固体白金を担持させたもの
、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、
ケトン等との錯体、白金−オレフィン錯体(例えば、P
t(CHx=CHz)x(PPh+)xPt(CHff
i・CHi)zcIz) i白金−ビニルシロキサン
錯体(例えば、Pta (ViMegSjO5iMe
tVi)* 、 Pt ((MeVtsio)、〕a
) :白金−ホスフィン錯体(例えば、Pt(PPh
s)i 、 Pt(PBus)4) i白金−ホスフ
ァイト錯体(例えば、Pt (P(OPbs) 4 、
Pt (P(OBu)i )4) (式中、Meはメ
チル基、Buはブチル基、Viはビニル基、phはフェ
ニル基を表し、n、mは整数を表す)、ジカルボニルジ
クロロ白金、また、アシエビ−(Ashby)の米国特
許第3159601及び3159662号明細書中に記
載された白金−炭化水素複合体、並びにラモロー(La
■oreaux)の米国特許第3220972号明細書
中に記載された白金アルコラード触媒も挙げられる。更
にモディソク(Modic)の米国特許第351694
6号明細書中に記載された塩化白金−オレフイン複合体
も本発明において有用である。
カーボンブラック等の担体に固体白金を担持させたもの
、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、
ケトン等との錯体、白金−オレフィン錯体(例えば、P
t(CHx=CHz)x(PPh+)xPt(CHff
i・CHi)zcIz) i白金−ビニルシロキサン
錯体(例えば、Pta (ViMegSjO5iMe
tVi)* 、 Pt ((MeVtsio)、〕a
) :白金−ホスフィン錯体(例えば、Pt(PPh
s)i 、 Pt(PBus)4) i白金−ホスフ
ァイト錯体(例えば、Pt (P(OPbs) 4 、
Pt (P(OBu)i )4) (式中、Meはメ
チル基、Buはブチル基、Viはビニル基、phはフェ
ニル基を表し、n、mは整数を表す)、ジカルボニルジ
クロロ白金、また、アシエビ−(Ashby)の米国特
許第3159601及び3159662号明細書中に記
載された白金−炭化水素複合体、並びにラモロー(La
■oreaux)の米国特許第3220972号明細書
中に記載された白金アルコラード触媒も挙げられる。更
にモディソク(Modic)の米国特許第351694
6号明細書中に記載された塩化白金−オレフイン複合体
も本発明において有用である。
また、白金化合物以外の触媒の例としては、RhCI(
PPhs)i、 RhC1z、 Rh/AItOi、
RuCIz、 IrC1,FeCl3.AlCl3.
PdC1t・2H!0. NiCl□、 TiCIn等
が挙げられる。これらの触媒は単独で使用してもよく、
2種以上併用してもかまわない、触媒活性の点から塩化
白金酸、白金−オレフイン錯体、白金−ビニルシロキサ
ン錯体等が好ましい、触媒量としては特に制限はないが
、(B)成分中のアルケニル基1molに対して10−
1〜10−”solの範囲で用いるのがよい。好ましく
は10−3〜10−”molの範囲で用いるのがよい。
PPhs)i、 RhC1z、 Rh/AItOi、
RuCIz、 IrC1,FeCl3.AlCl3.
PdC1t・2H!0. NiCl□、 TiCIn等
が挙げられる。これらの触媒は単独で使用してもよく、
2種以上併用してもかまわない、触媒活性の点から塩化
白金酸、白金−オレフイン錯体、白金−ビニルシロキサ
ン錯体等が好ましい、触媒量としては特に制限はないが
、(B)成分中のアルケニル基1molに対して10−
1〜10−”solの範囲で用いるのがよい。好ましく
は10−3〜10−”molの範囲で用いるのがよい。
本発明の(A)、(B)及び(C)成分を混合し、硬化
させれば発泡等の現象を伴うことなく深部硬化性に優れ
た均一な硬化物が得られる。硬化条件については特に制
限はないが、一般に0〜200℃、好ましくは30〜1
50°Cで10秒〜4時間硬化するのがよい、特に80
〜150°Cでの高温では10秒〜1時間程度の短時間
で硬化するものも得られる。硬化物の性状は用いる(A
)及び(B)成分の主鎖骨格や分子量等に依存するが、
ゴム状のものから樹脂状のものまで作製することができ
る。また、配合物を添加して、硬化物を作製する際にお
ける(A)(B)及び(C)の必須3成分の合計の組成
物に対する割合は10%以上、さらには30%以上、特
には50%以上が好ましく、必要に応じて各種成分が添
加される。
させれば発泡等の現象を伴うことなく深部硬化性に優れ
た均一な硬化物が得られる。硬化条件については特に制
限はないが、一般に0〜200℃、好ましくは30〜1
50°Cで10秒〜4時間硬化するのがよい、特に80
〜150°Cでの高温では10秒〜1時間程度の短時間
で硬化するものも得られる。硬化物の性状は用いる(A
)及び(B)成分の主鎖骨格や分子量等に依存するが、
ゴム状のものから樹脂状のものまで作製することができ
る。また、配合物を添加して、硬化物を作製する際にお
ける(A)(B)及び(C)の必須3成分の合計の組成
物に対する割合は10%以上、さらには30%以上、特
には50%以上が好ましく、必要に応じて各種成分が添
加される。
前記添加される成分の例としては、たとえば生成する硬
化物の引張特性を調整する物性調整剤、本発明の電気・
電子部品材料用組成物が保存中に硬化することを防ぐ保
存安定性改良剤、可塑剤、充填剤、接着性改良剤、紫外
線吸収剤、滑剤、顔料などが挙げられる。
化物の引張特性を調整する物性調整剤、本発明の電気・
電子部品材料用組成物が保存中に硬化することを防ぐ保
存安定性改良剤、可塑剤、充填剤、接着性改良剤、紫外
線吸収剤、滑剤、顔料などが挙げられる。
前記保存安定性改良剤としては、2−ベンゾチアゾリル
サルファイド、ベンゾチアゾール、ジメチルアセチレン
ダイカルボキシレート、ジエチルアセチレンダイカルボ
キシレート、BHT、ブチルヒドロキシアニソール、ビ
タミンE、2−(4−モルフオシニルジチオ)ベンゾチ
アゾール、3メチル−1−ブテン−3−オール、アセチ
レン性不飽和基含有オルガノシロキサン、アセチレンア
ルコール、3−メチル−1−ブチル−3−オール、ジア
リルフマレート、ジアリルマレエート、ジエチルフマレ
ート、ジエチルマレエート等の(C)成分の触媒活性を
室温保存時にのみ制御するものが望ましい。また、保存
安定性改良剤を用いる場合の使用量は触媒1molに対
し0.1〜1000sol、好ましくは1〜100mo
lである。保存安定性改良剤の使用量が上記の量の上限
を超えた場合には、硬化遅延が起こるばかりではなく、
硬化不良を起こし、硬化物に要求される物性を満足させ
ることができない、逆に保存安定性改良剤の使用量が上
記の量の下限を下回った場合には組成物の保存安定性を
改良するという目的を達することができない。
サルファイド、ベンゾチアゾール、ジメチルアセチレン
ダイカルボキシレート、ジエチルアセチレンダイカルボ
キシレート、BHT、ブチルヒドロキシアニソール、ビ
タミンE、2−(4−モルフオシニルジチオ)ベンゾチ
アゾール、3メチル−1−ブテン−3−オール、アセチ
レン性不飽和基含有オルガノシロキサン、アセチレンア
ルコール、3−メチル−1−ブチル−3−オール、ジア
リルフマレート、ジアリルマレエート、ジエチルフマレ
ート、ジエチルマレエート等の(C)成分の触媒活性を
室温保存時にのみ制御するものが望ましい。また、保存
安定性改良剤を用いる場合の使用量は触媒1molに対
し0.1〜1000sol、好ましくは1〜100mo
lである。保存安定性改良剤の使用量が上記の量の上限
を超えた場合には、硬化遅延が起こるばかりではなく、
硬化不良を起こし、硬化物に要求される物性を満足させ
ることができない、逆に保存安定性改良剤の使用量が上
記の量の下限を下回った場合には組成物の保存安定性を
改良するという目的を達することができない。
前記可塑剤としては一般に用いられている可塑剤が使用
できるが、本発明に用いる飽和炭化水素系重合体と相溶
性のよいものが好ましい、可塑剤の具体例としては、例
えばポリブテン、水添ポリブテン、α−メチルスチレン
オリゴマー、ビフェニル、トリフェニル、トリアリール
ジメタン、アルキレントリフェニル、液状ポリブタジェ
ン、水添液状ポリブタジェン、アルキルジフェニル、部
分水素添加ターフェニル、パラフィン油、ナフテン油、
アタクチックポリプロピレンなど、それらの中でも好ま
しくは不飽和結合を含まない水添ポリブテン、水添液状
ポリブタジェン、パラフィン油、ナフテン油、アククチ
ツクポリプロピレンなどの炭化水素系化合物!!:塩化
パラフィン類;ジブチルフタレート、ジアリルフマレー
ト、ジ(2−エチルヘキシル)フタレート、ブチルベン
ジルフタレート、ブチルフタリルブチルグリコレートな
どの7タル酸工ステル接着剤やシランカップリング剤、
その他の化合物を用いることができる。このような化合
物の具体例としては、フェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(β−ア
ミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシランな
どのアミノシラン化合物、エポキシシラン化合物、クマ
ロン−インデン樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペン−
フェノール樹脂、α−メチルスチレン−ビニルトルエン
共重合体、ポリエチルメチルスチレン、アルキルチタネ
ート類、芳香族ポリイソシアネートなどを挙げることが
できる。
できるが、本発明に用いる飽和炭化水素系重合体と相溶
性のよいものが好ましい、可塑剤の具体例としては、例
えばポリブテン、水添ポリブテン、α−メチルスチレン
オリゴマー、ビフェニル、トリフェニル、トリアリール
ジメタン、アルキレントリフェニル、液状ポリブタジェ
ン、水添液状ポリブタジェン、アルキルジフェニル、部
分水素添加ターフェニル、パラフィン油、ナフテン油、
アタクチックポリプロピレンなど、それらの中でも好ま
しくは不飽和結合を含まない水添ポリブテン、水添液状
ポリブタジェン、パラフィン油、ナフテン油、アククチ
ツクポリプロピレンなどの炭化水素系化合物!!:塩化
パラフィン類;ジブチルフタレート、ジアリルフマレー
ト、ジ(2−エチルヘキシル)フタレート、ブチルベン
ジルフタレート、ブチルフタリルブチルグリコレートな
どの7タル酸工ステル接着剤やシランカップリング剤、
その他の化合物を用いることができる。このような化合
物の具体例としては、フェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(β−ア
ミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシランな
どのアミノシラン化合物、エポキシシラン化合物、クマ
ロン−インデン樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペン−
フェノール樹脂、α−メチルスチレン−ビニルトルエン
共重合体、ポリエチルメチルスチレン、アルキルチタネ
ート類、芳香族ポリイソシアネートなどを挙げることが
できる。
本発明の組成物は反応性ケイ素基を有する飽和炭化水素
系重合体を含有するため、加熱によりすみやかに硬化し
、硬化物がゴム状弾性体になるため、従来の封止用樹脂
を用いた場合のようにチップやリードフレームとの線膨
張率の差による熱応力により、チップにクランクが生じ
たリボンディング線が切断するなどのような問題が生じ
にくく、信頼性の高い半導体部品が製造される。また製
造時に熱硬化などが不要のため、半導体をいためること
もない、さらにその封止性能は、例えば透湿係数がI
X 10−” g −cra/cd−sec −ClH
g程度という優れた湿気遮断性を有し、アルミ基板に対
する接着性がT字剥離で11kg/25w程度と優れて
いること、130°Cで300日というようなきびしい
条件でも表面に融解が見られないという優れた耐熱性及
び2.44程度という優れた誘電率で代表される優れた
電気特性などからも明らかなように、非常に優れた材料
が提供される。
系重合体を含有するため、加熱によりすみやかに硬化し
、硬化物がゴム状弾性体になるため、従来の封止用樹脂
を用いた場合のようにチップやリードフレームとの線膨
張率の差による熱応力により、チップにクランクが生じ
たリボンディング線が切断するなどのような問題が生じ
にくく、信頼性の高い半導体部品が製造される。また製
造時に熱硬化などが不要のため、半導体をいためること
もない、さらにその封止性能は、例えば透湿係数がI
X 10−” g −cra/cd−sec −ClH
g程度という優れた湿気遮断性を有し、アルミ基板に対
する接着性がT字剥離で11kg/25w程度と優れて
いること、130°Cで300日というようなきびしい
条件でも表面に融解が見られないという優れた耐熱性及
び2.44程度という優れた誘電率で代表される優れた
電気特性などからも明らかなように、非常に優れた材料
が提供される。
尚、本発明の組成物を封止用樹脂として通用する場合、
従来から一般に使用されるエポキシ樹脂の封止用樹脂と
同様の方法でボッティングすればよい。
従来から一般に使用されるエポキシ樹脂の封止用樹脂と
同様の方法でボッティングすればよい。
本発明の組成物を絶縁フェスに用いると、硬化物は導体
への接着性及び電気絶縁性が良好なゴム状弾性体となり
、且つ加熱硬化させるだけで3次元網状組織となって耐
熱性の良好な硬化物となるため、巻線性、電気絶縁性、
可撓性、耐熱性などの良好な絶縁フェス処理導体が得ら
れる。
への接着性及び電気絶縁性が良好なゴム状弾性体となり
、且つ加熱硬化させるだけで3次元網状組織となって耐
熱性の良好な硬化物となるため、巻線性、電気絶縁性、
可撓性、耐熱性などの良好な絶縁フェス処理導体が得ら
れる。
本発明の組成物をプリン)l板に用いると、硬化物の誘
電率は小さい値を示し、耐熱性、耐候性が良好な優れた
材料が得られる。
電率は小さい値を示し、耐熱性、耐候性が良好な優れた
材料が得られる。
本発明の組成物をハンダレジストに用いると、誘電率の
低いレジストが得られる。例えば通常のコンピュータ部
品なら誘電率が高くてもよいが、スーパーコンピュータ
などの部品には誘電率が低いことが要求され、本発明の
組成物が有効となる。
低いレジストが得られる。例えば通常のコンピュータ部
品なら誘電率が高くてもよいが、スーパーコンピュータ
などの部品には誘電率が低いことが要求され、本発明の
組成物が有効となる。
また、本発明の組成物は、導電性ペースト、コーティン
グ剤などとして優れた材料となる。
グ剤などとして優れた材料となる。
以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれらにより何ら制限を受けるものではない。
本発明はこれらにより何ら制限を受けるものではない。
製造例1
11の耐圧ガラス製オートクレーブに攪拌用羽根、三方
コック及び真空ラインを取り付けて、真空ラインで真空
に引きながら重合容器を100℃で1時間加熱すること
により乾燥させ、室温まで冷却後三方コックを用いて窒
素で常圧に戻した。
コック及び真空ラインを取り付けて、真空ラインで真空
に引きながら重合容器を100℃で1時間加熱すること
により乾燥させ、室温まで冷却後三方コックを用いて窒
素で常圧に戻した。
その後、三方コックの一方から窒素を流しながら、注射
器を用いてオートクレーブに水素化カルシウム処理によ
り乾燥させた主溶媒である1、 1ジクロロエタン4
0dを導入した0次いで蒸留、精製したアリルトリメチ
ルシラン5Bolを添加し、更にTCC(下記化合物A
)2ミリモルを溶解させた101dの1.1−ジクロロ
エタン溶液を添加した。
器を用いてオートクレーブに水素化カルシウム処理によ
り乾燥させた主溶媒である1、 1ジクロロエタン4
0dを導入した0次いで蒸留、精製したアリルトリメチ
ルシラン5Bolを添加し、更にTCC(下記化合物A
)2ミリモルを溶解させた101dの1.1−ジクロロ
エタン溶液を添加した。
次に、酸化バリウムを充填したカラムを通過させること
により脱水したイソブチレンが7g入っているニードル
パルプ付耐圧ガラス製液化ガス採取管を三方コックに接
続した後、容器本体を一70℃のドライアイス−アセト
ンバスに浸漬し、重合容器内部を攪拌しながら1時間冷
却した。冷却後、真空ラインにより内部を減圧にした後
、ニードルバルブを開け、イソブチレンを耐圧ガラス製
液化ガス採取管から重合容器に導入した。その後三方コ
ックの一方から窒素を流すことにより常圧に戻し、更に
攪拌下に1時間冷却を続け、重合容器内を一1O°Cま
で昇温した。
により脱水したイソブチレンが7g入っているニードル
パルプ付耐圧ガラス製液化ガス採取管を三方コックに接
続した後、容器本体を一70℃のドライアイス−アセト
ンバスに浸漬し、重合容器内部を攪拌しながら1時間冷
却した。冷却後、真空ラインにより内部を減圧にした後
、ニードルバルブを開け、イソブチレンを耐圧ガラス製
液化ガス採取管から重合容器に導入した。その後三方コ
ックの一方から窒素を流すことにより常圧に戻し、更に
攪拌下に1時間冷却を続け、重合容器内を一1O°Cま
で昇温した。
次に、TiC143,2g (I0ミリモル)を注射器
を用いて三方コックから添加して重合を開始させ、60
分経過した時点で予め0℃以下に冷却しておいたメタノ
ールを添加することにより、反応を完結させた。
を用いて三方コックから添加して重合を開始させ、60
分経過した時点で予め0℃以下に冷却しておいたメタノ
ールを添加することにより、反応を完結させた。
その後、反応混合物をナス型フラスコに取り出し、未反
応のイソブチレン、1.I−ジクロロエタン、アリルト
リメチルシラン及びメタノールを留去し、残ったポリマ
ーをIOMのn−ヘキサンに溶解後、中性になるまでこ
の溶液の水洗を繰り返した。その後、このn−ヘキサン
溶液を20−まで濃縮し、300Iiのアセトンにこの
濃btu容液を注ぎ込むことによりポリマーを沈澱分離
させた。
応のイソブチレン、1.I−ジクロロエタン、アリルト
リメチルシラン及びメタノールを留去し、残ったポリマ
ーをIOMのn−ヘキサンに溶解後、中性になるまでこ
の溶液の水洗を繰り返した。その後、このn−ヘキサン
溶液を20−まで濃縮し、300Iiのアセトンにこの
濃btu容液を注ぎ込むことによりポリマーを沈澱分離
させた。
このようにして得られたポリマーを再び100dのn−
ヘキサンに溶解させ、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ
、ill過し、n−ヘキサンを減圧留去することにより
、イソブチレン系ポリマーを得た。
ヘキサンに溶解させ、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ
、ill過し、n−ヘキサンを減圧留去することにより
、イソブチレン系ポリマーを得た。
尚、化合物への構造は下記に示す通りである。
製造例2.3
添加溶媒、重合温度を第1表に示すように変更した以外
は、製造例1と同様にしてアリル基末端イソブチレン系
重合体を製造した。尚、第1表には、上記製造例1も併
せて描記した。
は、製造例1と同様にしてアリル基末端イソブチレン系
重合体を製造した。尚、第1表には、上記製造例1も併
せて描記した。
第 1 表
製造例1〜3で得られたポリマーの収量より収率を算出
すると共に、Mn及びM w / M nをGPC法に
より、また末端構造を’H−NMR(300MHz)法
により各構造に帰属するプロトンの共鳴信号の強度を測
定、比較することにより求めた。結果を第2表に示す。
すると共に、Mn及びM w / M nをGPC法に
より、また末端構造を’H−NMR(300MHz)法
により各構造に帰属するプロトンの共鳴信号の強度を測
定、比較することにより求めた。結果を第2表に示す。
第 2 表
製造例4
両末端に水Muを有する水素添加ポリイソプレン〔出光
石油化学■製、商品名工ボール〕300gにトルエン5
0−を加え共沸脱気により脱水した。 L −BuO
K48 gをTtlF200aej!に溶解したものを
注入した。50°C″′c1時間反応させた後、アリル
クロライド47mを約30分間かけて滴下した0滴下終
了後50℃で1時間反応させた0反応終了後、生成した
塩を吸着させるために反応溶液にケイ酸アルミニウム3
08を加え、30分間室温で攪拌した。濾過精製により
約2508のアリル末端水添ポリイソプレンを粘稠な液
体として得た。300MHz ’If NMR分析によ
り末端の92%にアリル基が導入されていることが確認
された。ヨウ素価より求めたオレフィンのモル数は0.
1046mol /100 gであった。またE型粘度
計による粘度は302ポイズ(23℃)であった。
石油化学■製、商品名工ボール〕300gにトルエン5
0−を加え共沸脱気により脱水した。 L −BuO
K48 gをTtlF200aej!に溶解したものを
注入した。50°C″′c1時間反応させた後、アリル
クロライド47mを約30分間かけて滴下した0滴下終
了後50℃で1時間反応させた0反応終了後、生成した
塩を吸着させるために反応溶液にケイ酸アルミニウム3
08を加え、30分間室温で攪拌した。濾過精製により
約2508のアリル末端水添ポリイソプレンを粘稠な液
体として得た。300MHz ’If NMR分析によ
り末端の92%にアリル基が導入されていることが確認
された。ヨウ素価より求めたオレフィンのモル数は0.
1046mol /100 gであった。またE型粘度
計による粘度は302ポイズ(23℃)であった。
*エボールの代表的な物性値(技術資料より)水酸基含
有量(seq/g) 0.90粘度(poise
/30℃) 700平均分子量(VPO測定)
2500製造例5 撹拌棒、滴下ロート、温度計、3方コツク、冷却管を備
え付けた300mの4つロフラスコを準備した0次に窒
素雰囲気下で環状ポリシロキサン■ (信越化学■製、LS8600 ) 31.5g (0
,131曽o1 )をフラスコ内に仕込んだ、製造例4
で合成した、分子末端の92%がアリル基である水添ポ
リイソプレン50g(オレフィンのモル数0.0536
1101)、トルエン50Id、及び塩化白金酸触媒溶
媒(I(tptc+、・61b01 gをエタノールI
aN。
有量(seq/g) 0.90粘度(poise
/30℃) 700平均分子量(VPO測定)
2500製造例5 撹拌棒、滴下ロート、温度計、3方コツク、冷却管を備
え付けた300mの4つロフラスコを準備した0次に窒
素雰囲気下で環状ポリシロキサン■ (信越化学■製、LS8600 ) 31.5g (0
,131曽o1 )をフラスコ内に仕込んだ、製造例4
で合成した、分子末端の92%がアリル基である水添ポ
リイソプレン50g(オレフィンのモル数0.0536
1101)、トルエン50Id、及び塩化白金酸触媒溶
媒(I(tptc+、・61b01 gをエタノールI
aN。
1.2−ジメトキシエタン9miに溶解させた溶液)6
0μlからなるトルエン溶液を滴下ロートへ仕込んだ、
フラスコを70°Cに加熱し、該トルエン溶液を約2時
間かけて滴下した0滴下終了後、80°Cで約5時間撹
拌した時点で、反応溶液中の残存アリル基をIRスペク
トル分析法に・より定置したところ、1645cr’の
炭素−炭素二重結合が消失していることが確認された0
次に反応系中に残存している触媒を除去するために、シ
リカゲル(和光純薬■製、ワコーゲルCC−200)5
を室温で加え、2時間攪拌してフラソシェ・カラムを用
いて濾過した。トルエン及び過剰の環状ポリシロキサン
を除去するために、濾液をエバボレートし、更に減圧脱
揮を80℃で3時間行い、無色透明の粘稠な液体を得た
。E型粘度計による粘度は514ボイズ(23°C)で
あった、該水添ポリイソプレン中のヒドロシリル基はI
Rスペクトルで2150c+t−’の強い吸収として確
認された。
0μlからなるトルエン溶液を滴下ロートへ仕込んだ、
フラスコを70°Cに加熱し、該トルエン溶液を約2時
間かけて滴下した0滴下終了後、80°Cで約5時間撹
拌した時点で、反応溶液中の残存アリル基をIRスペク
トル分析法に・より定置したところ、1645cr’の
炭素−炭素二重結合が消失していることが確認された0
次に反応系中に残存している触媒を除去するために、シ
リカゲル(和光純薬■製、ワコーゲルCC−200)5
を室温で加え、2時間攪拌してフラソシェ・カラムを用
いて濾過した。トルエン及び過剰の環状ポリシロキサン
を除去するために、濾液をエバボレートし、更に減圧脱
揮を80℃で3時間行い、無色透明の粘稠な液体を得た
。E型粘度計による粘度は514ボイズ(23°C)で
あった、該水添ポリイソプレン中のヒドロシリル基はI
Rスペクトルで2150c+t−’の強い吸収として確
認された。
また300MHzのNMRスプクトルでSi−且のピー
クと5i−C且、及びSi CH2−とを合わせたピ
ークの強度を比較することにより、該環状ポリシロキサ
ン1分子当たり平均1.2個のヒドロシリル基が反応し
たことがわかった。即ち、該重合体は環状ハイドロジエ
ンポリシロキサンにより一部分子量が増大した、次式の
分子末端を存する水添ポリイソプレンである。
クと5i−C且、及びSi CH2−とを合わせたピ
ークの強度を比較することにより、該環状ポリシロキサ
ン1分子当たり平均1.2個のヒドロシリル基が反応し
たことがわかった。即ち、該重合体は環状ハイドロジエ
ンポリシロキサンにより一部分子量が増大した、次式の
分子末端を存する水添ポリイソプレンである。
製造例6〜8
製造例4で得られた重合体の代わりに、製造例1〜3で
得られた重合体を用い、重合体の量、LS−8600の
量を第3表に示すように変更した以外は、製造例5と同
様にして製造した。
得られた重合体を用い、重合体の量、LS−8600の
量を第3表に示すように変更した以外は、製造例5と同
様にして製造した。
第 3 表
第 4 表
*ただし、LPnCIi ・6HgO触媒溶液は製造例
5で用いたものと同一である。
5で用いたものと同一である。
実施例1
製造例4で合成したアリルエーテル末端水添ポリイソプ
レン1.00 g、製造例5で得られたヒドロシリル基
含有水添ポリイソプレンを第4表に示した所定屋と製造
例5で用いた塩化白金酸触媒溶液0,5μlをよく混合
した。該混合物の一部をゲル化試験器(日新科学■製)
の上に採り、所定温度でスナップ・アップ・タイム(ゴ
ム弾性体になるまでの時間)を測定した。結果を第4表
に示す。
レン1.00 g、製造例5で得られたヒドロシリル基
含有水添ポリイソプレンを第4表に示した所定屋と製造
例5で用いた塩化白金酸触媒溶液0,5μlをよく混合
した。該混合物の一部をゲル化試験器(日新科学■製)
の上に採り、所定温度でスナップ・アップ・タイム(ゴ
ム弾性体になるまでの時間)を測定した。結果を第4表
に示す。
*ヒドロシリル基とアリル基のモル比はNMRスペクト
ルにおいて、主鎖のプロトンを基準としたそれぞれの相
対強度を比較することにより求めた。
ルにおいて、主鎖のプロトンを基準としたそれぞれの相
対強度を比較することにより求めた。
該組成物は高温速硬化性であることがわかった。
実施例2.3
第5表に示す組成になるように各成分を配合して3本ロ
ールで混練し、加熱硬化により均質な組成物を調製した
。得られた組成物からの硬化物の電気特性を評価した。
ールで混練し、加熱硬化により均質な組成物を調製した
。得られた組成物からの硬化物の電気特性を評価した。
結果を第5表に示す、また電気特性はJT、Sに691
1記載の方法により測定した。
1記載の方法により測定した。
第 5 表
第5表に示したように、本発明の組成物を用いることに
より、非常に電気特性の優れた材料が得られる。
より、非常に電気特性の優れた材料が得られる。
実施例3.4及び比較例1.2
製造例6及び5で得られた分子末端に5i−H基を存す
るイソブチレン系重合体及び水添ポリイソプレン系重合
体25部、製造例1及び4で得られた分子末端にアリル
基を有するイソブチレン系重合体及び水添ポリイソプレ
ン系重合体75部に、製造例5で用いた塩化白金酸触媒
を0.01部添加し、充分均一になるまで攪拌し、テフ
ロン板上に厚さ0.5 Mのシートとして流延し、80
°Cで1時間かけて完全に硬化させ′たのち、各種テス
ト用サンプルシートを得た。
るイソブチレン系重合体及び水添ポリイソプレン系重合
体25部、製造例1及び4で得られた分子末端にアリル
基を有するイソブチレン系重合体及び水添ポリイソプレ
ン系重合体75部に、製造例5で用いた塩化白金酸触媒
を0.01部添加し、充分均一になるまで攪拌し、テフ
ロン板上に厚さ0.5 Mのシートとして流延し、80
°Cで1時間かけて完全に硬化させ′たのち、各種テス
ト用サンプルシートを得た。
得られたサンプルシートを用いて下記方法による透湿度
及び酸素ガス透過性を測定した。結果を第6表に示す。
及び酸素ガス透過性を測定した。結果を第6表に示す。
尚、比較のために反応性ケイ素基末端ポリエーテル〔鐘
淵化学工業■製のカネカMSポリマー20A)の硬化物
及びシリコーンゴム〔東しシリコーン■製の東しシリコ
ーン5E1700)の硬化物についても同様の評価を行
った(それぞれ比較例1及び2)、結果を第6表に示す
。
淵化学工業■製のカネカMSポリマー20A)の硬化物
及びシリコーンゴム〔東しシリコーン■製の東しシリコ
ーン5E1700)の硬化物についても同様の評価を行
った(それぞれ比較例1及び2)、結果を第6表に示す
。
第 6 表
(透湿度)
JIS Z 0208による(40°c190%)。
(酸素ガスi3過性)
JIS Z 1707による。
第6表の結果から、本発明の電気・電子部品用材料の優
れた湿気遮断性及びガス遮断性を有することがわかる。
れた湿気遮断性及びガス遮断性を有することがわかる。
従って、ボッティング剤として使用した場合、基板及び
半導体、Ic、コネクタ等に湿気を通過、侵入させない
効果が非常に高いことがわかる。
半導体、Ic、コネクタ等に湿気を通過、侵入させない
効果が非常に高いことがわかる。
本発明の組成物には反応性ケイ素基を有する重合体が含
有されているため、加熱硬化により速やかに硬化させる
ことができ作業性がよい、基体への接着性がよい、硬化
時の加熱により基体をいためることがないなどの特徴を
有する。そして、得られる硬化物はゴム状弾性体である
ため熱応力などがほとんど生じないものであり、電気特
性、耐熱性、耐水性、耐候性、湿気や空気などに対する
遮断性などに優れ、電気・電子部品等の材料として広く
利用されるものである。
有されているため、加熱硬化により速やかに硬化させる
ことができ作業性がよい、基体への接着性がよい、硬化
時の加熱により基体をいためることがないなどの特徴を
有する。そして、得られる硬化物はゴム状弾性体である
ため熱応力などがほとんど生じないものであり、電気特
性、耐熱性、耐水性、耐候性、湿気や空気などに対する
遮断性などに優れ、電気・電子部品等の材料として広く
利用されるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記の成分(A)、(B)及び(C)を必須成分と
してなる電気・電子部品材料用組成物;(A)分子中に
少なくとも2個のヒドロシリル基を含有する、分子量が
30000以下である炭化水素系硬化剤、 (B)分子末端に少なくとも1個のアルケニル基を含有
し、主鎖を構成する繰り返し単位が飽和炭化水素である
重合体、 (C)ヒドロシリル化触媒。 2、(A)成分中のヒドロシリル基と(B)成分中のア
ルケニル基との比率がモル比で0.2〜5.0である請
求項1記載の電気・電子部品材料用組成物。 3、(A)成分が式( I ) RX_a( I ) (Xは少なくとも1個のヒドロシリル基を含む基、Rは
炭素数2〜150の1〜4価の炭化水素基、aは1〜4
から選ばれる整数。) で示されるヒドロシリル基を含有する炭化水素系硬化剤
である請求項1記載の電気・電子部品材料用組成物。 4、(A)成分のヒドロシリル基が次の群より選ばれる
少なくとも1種である請求項1又は3記載の電気・電子
部品材料用組成物; ▲数式、化学式、表等があります▼(m+n≧1、m+
n+p+q=1〜50)(Rは、H、OSi(CH_3
)_3及び炭素数が1〜10の炭化水素基より選ばれる
基であり、それぞれのRは同じでも異なっていてもよい
。) あるいは ▲数式、化学式、表等があります▼(m≧1、m+n=
2〜50) 5、(A)成分のヒドロシリル基が次の群より選ばれる
少なくとも1種である請求項1又は3記載の電気・電子
部品材料用組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (p、qは2≦p+q≦4を満たす0又は正の整数) 6、(A)成分が、分子中に少なくとも1個のアルケニ
ル基を含有する炭化水素系化合物と、ポリヒドロシラン
化合物とをヒドロシリル化触媒存在下に反応後もヒドロ
シリル基が残存するようにして製造した、分子量が30
000以下であるヒドロシリル基含有炭化水素系硬化剤
である請求項1又は2記載の電気・電子部品材料用組成
物。 7、(A)成分が、一部のポリヒドロシラン化合物の2
個以上のヒドロシリル基が炭化水素系化合物のアルケニ
ル基と反応し分子量が増大したヒドロシリル基含有炭化
水素系硬化剤である請求項1、2又は6記載の電気・電
子部品材料用組成物。 8、(B)成分のアルケニル基含有の飽和炭化水素系重
合体の分子量が500〜50000である請求項1及び
2記載の電気・電子部品材料用組成物。 9、(B)成分の飽和炭化水素系重合体がイソブチレン
系重合体、水添ポリイソプレン系重合体または水添ポリ
ブタジエン系重合体である請求項1記載の電気・電子部
品材料用組成物。 10、(B)成分の飽和炭化水素系重合体のアルケニル
基がアリル基である請求項1、2、8又は9記載の電気
・電子部品材料用組成物。 11、下記の成分(A)、(B)及び(C)を必須成分
とする組成物を硬化させてなる電気・電子部品材料; (A)分子中に少なくとも2個のヒドロシリル基を含有
する、分子量が30000以下である炭化水素系硬化剤
、 (B)分子末端に少なくとも1個のアルケニル基を含有
し、主鎖を構成する繰り返し単位が飽和炭化水素である
重合体、 (C)ヒドロシリル化触媒。 12、飽和炭化水素系重合体がイソブチレン系重合体、
水添ポリイソプレン系重合体または水添ポリブタジエン
系重合体である請求項11記載の電気・電子部品材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29197089A JP2832465B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29197089A JP2832465B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152164A true JPH03152164A (ja) | 1991-06-28 |
| JP2832465B2 JP2832465B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=17775826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29197089A Expired - Fee Related JP2832465B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832465B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0577985A1 (en) | 1992-06-08 | 1994-01-12 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous semiconductor solar module having improved passivation |
| WO2004058879A1 (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Kaneka Corporation | 熱可塑性エラストマー組成物 |
| US7195720B2 (en) | 2002-02-20 | 2007-03-27 | Kaneka Corporation | Curable composition for heat conductive material |
| WO2007119687A1 (ja) | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Kaneka Corporation | ゴム栓用組成物および医療用ゴム栓 |
| EP1927635A2 (en) | 2000-05-17 | 2008-06-04 | Kaneka Corporation | Primer composition and bonding method |
| WO2009013945A1 (ja) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Daikyo Seiko, Ltd. | ゴム配合物および成形品 |
| WO2012057051A1 (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社カネカ | イソブチレン系ブロック共重合体組成物 |
| WO2012161181A1 (ja) | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 株式会社カネカ | 導電性フィルム、これを用いた集電体、電池および双極型電池 |
| JP2013199629A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-10-03 | Kaneka Corp | 硬化性組成物および薄膜、それを用いた薄膜トランジスタ |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP29197089A patent/JP2832465B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0577985A1 (en) | 1992-06-08 | 1994-01-12 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous semiconductor solar module having improved passivation |
| EP1927635A2 (en) | 2000-05-17 | 2008-06-04 | Kaneka Corporation | Primer composition and bonding method |
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| WO2004058879A1 (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Kaneka Corporation | 熱可塑性エラストマー組成物 |
| EP1577344A4 (en) * | 2002-12-24 | 2008-10-22 | Kaneka Corp | Thermoplastic Elastomer Composition |
| WO2007119687A1 (ja) | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Kaneka Corporation | ゴム栓用組成物および医療用ゴム栓 |
| WO2009013945A1 (ja) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Daikyo Seiko, Ltd. | ゴム配合物および成形品 |
| US8101674B2 (en) | 2007-07-25 | 2012-01-24 | Daikyo Seiko, Ltd. | Rubber compound and molded article |
| WO2012057051A1 (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社カネカ | イソブチレン系ブロック共重合体組成物 |
| WO2012161181A1 (ja) | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 株式会社カネカ | 導電性フィルム、これを用いた集電体、電池および双極型電池 |
| JP2013199629A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-10-03 | Kaneka Corp | 硬化性組成物および薄膜、それを用いた薄膜トランジスタ |
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