JPH031522A - レジストパターン形成法 - Google Patents
レジストパターン形成法Info
- Publication number
- JPH031522A JPH031522A JP1134869A JP13486989A JPH031522A JP H031522 A JPH031522 A JP H031522A JP 1134869 A JP1134869 A JP 1134869A JP 13486989 A JP13486989 A JP 13486989A JP H031522 A JPH031522 A JP H031522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- exposure
- resist pattern
- photomask
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レジストパターン形成法に関する。
本発明は、レジストパターンを用いる技術分野に汎用す
ることができ、例えば、電子部品（半導体装置等）の製
造の際のレジストパターン形成法として有効に利用する
ことができる。
ることができ、例えば、電子部品（半導体装置等）の製
造の際のレジストパターン形成法として有効に利用する
ことができる。
本発明は、フォトマスクを用いてレジストを露光するこ
とによりレジストパターンを形成するレジストパターン
形成法において、同一のフォトマスクを用い、それぞれ
フォトマスクの位置を任意の量ずらして複数回の露光を
行うことにより、微細なレジストパターンの形成を可能
ならしめたものである。
とによりレジストパターンを形成するレジストパターン
形成法において、同一のフォトマスクを用い、それぞれ
フォトマスクの位置を任意の量ずらして複数回の露光を
行うことにより、微細なレジストパターンの形成を可能
ならしめたものである。
従来よりレジストパターン形成法は、例えば半導体装置
の製造工程におけるリソグラフィ技術に用いられている
が、近年半導体装置はその微細化・集積化が更に要求さ
れており、かかる要請に応えて半導体装置の集積度を上
げるためには、レジストパターンをより一層微細にする
ことが必要である。特に半導体装置においては、ライン
やスペースの幅を更に小さくして微細化することが要請
されている。
の製造工程におけるリソグラフィ技術に用いられている
が、近年半導体装置はその微細化・集積化が更に要求さ
れており、かかる要請に応えて半導体装置の集積度を上
げるためには、レジストパターンをより一層微細にする
ことが必要である。特に半導体装置においては、ライン
やスペースの幅を更に小さくして微細化することが要請
されている。
ところが、現状の技術においては、例えばＮＡ＝４．５
の露光機（ステッパー）を用いた場合、ラインまたはス
ペースの幅は、０．５μｍが解像限界であった。これは
光の回折の影響で、パターンが小さくなる程コントラス
トが低下するためである。
の露光機（ステッパー）を用いた場合、ラインまたはス
ペースの幅は、０．５μｍが解像限界であった。これは
光の回折の影響で、パターンが小さくなる程コントラス
トが低下するためである。
第２図に符号！で示すのは、１．０μｍスペースのマス
クを用いて露光した場合の光強度分布曲線である。この
ような分布曲線の光で露光され現像されて得られるレジ
ストパターンは、理想的にはこの強度分布曲線に対応し
た形状で形成される。
クを用いて露光した場合の光強度分布曲線である。この
ような分布曲線の光で露光され現像されて得られるレジ
ストパターンは、理想的にはこの強度分布曲線に対応し
た形状で形成される。
よって、理想的にレジストパターンが形成されれば、曲
線■の如く、はぼ１．０μｍ幅のスペースが得られると
考えられる。
線■の如く、はぼ１．０μｍ幅のスペースが得られると
考えられる。
一方、第３図に符号■で示すのは、０．３μｍスペース
のマスクを用いて露光した場合の光強度分布曲線である
。曲線■よりも光強度分布の幅が狭くなっており、１．
０μｍスペースのマスクよりも微細に加工できるとは考
えられる。しかし幅は必ずしも０．３μｍ程度にはなっ
ておらず、たかだか０．５μｍ程度である。かつ、曲線
がシャープである程コントラストが良好で、良いレジス
トパターン形状が得られるのであるが、各曲線１．■の
両側の立ち上がり、即ち各図の符号Ｉ’、ｎ’で示す部
分と横軸とのなす角度で考えると、曲線■よりむしろ曲
線Ｉの方がその角度が９０″に近く、シャープである。
のマスクを用いて露光した場合の光強度分布曲線である
。曲線■よりも光強度分布の幅が狭くなっており、１．
０μｍスペースのマスクよりも微細に加工できるとは考
えられる。しかし幅は必ずしも０．３μｍ程度にはなっ
ておらず、たかだか０．５μｍ程度である。かつ、曲線
がシャープである程コントラストが良好で、良いレジス
トパターン形状が得られるのであるが、各曲線１．■の
両側の立ち上がり、即ち各図の符号Ｉ’、ｎ’で示す部
分と横軸とのなす角度で考えると、曲線■よりむしろ曲
線Ｉの方がその角度が９０″に近く、シャープである。
このように、パターンが小さくなる程、光の回折によっ
てコントラストが低下し、この結果解像限界は０．５μ
ｍ程度に抑えられてしまい、これより微細化することは
不可能だったのである。
てコントラストが低下し、この結果解像限界は０．５μ
ｍ程度に抑えられてしまい、これより微細化することは
不可能だったのである。
上述の如く、従来技術にあっては、微細なレジストパタ
ーンの形成、例えば０．５μｍ以下のスペース幅（また
はライン幅）のレジストパターンを形成することは困難
だったのである。
ーンの形成、例えば０．５μｍ以下のスペース幅（また
はライン幅）のレジストパターンを形成することは困難
だったのである。
また、このような微細なパターンを、必ずしも微細なマ
スクで形成せず、コントラストが保てる大きめのマスク
で形成できれば、マスクの作成や露光技術の点でも有効
なのであるが、かかることは不可能とされ、このような
方向での技術開発は全くなされていなかった。
スクで形成せず、コントラストが保てる大きめのマスク
で形成できれば、マスクの作成や露光技術の点でも有効
なのであるが、かかることは不可能とされ、このような
方向での技術開発は全くなされていなかった。
本発明は、上記問題点を解決して、微細なレジストパタ
ーンを得ることができ、しかも場合によっては大きめの
マスクにより該マスクより微細な寸法のレジストパター
ンを形成することも可能とするレジストパターン形成法
を提供せんとするものである。
ーンを得ることができ、しかも場合によっては大きめの
マスクにより該マスクより微細な寸法のレジストパター
ンを形成することも可能とするレジストパターン形成法
を提供せんとするものである。
上述した問題点を解決し、上記目的を達成するため、本
発明においては、フォトマスクを用いてレジストを露光
することによりレジストパターンを形成するレジストパ
ターン形成法において、同一フォトマスクを用い、それ
ぞれフォトマスクの位置を任意の量ずらして複数回の露
光を行う構成とする。
発明においては、フォトマスクを用いてレジストを露光
することによりレジストパターンを形成するレジストパ
ターン形成法において、同一フォトマスクを用い、それ
ぞれフォトマスクの位置を任意の量ずらして複数回の露
光を行う構成とする。
本発明においては、同一フォトマスクを用いて、それぞ
れフォトマスクの位置をずらした複数回の露光を行うの
で、１回露光の場合に比して解像度を上げることができ
、従来より微細なレジストパターンを形成できる。
れフォトマスクの位置をずらした複数回の露光を行うの
で、１回露光の場合に比して解像度を上げることができ
、従来より微細なレジストパターンを形成できる。
本発明の作用は必ずしも明らかではないが、例えば第２
図を用いて定性的に略述すると、１回目の露光を分布曲
線Ｉの光で行い、２回目の露光を露光位置をずらした分
布曲線■′の光で行うと、両者Ｉ、Ｉ’の重なり合う第
２図の符号工“で示す部分がパターン形成に寄与するこ
とになり、これにより解像度の向上した露光及びパター
ン形成がなされるのではないかと考えられる。
図を用いて定性的に略述すると、１回目の露光を分布曲
線Ｉの光で行い、２回目の露光を露光位置をずらした分
布曲線■′の光で行うと、両者Ｉ、Ｉ’の重なり合う第
２図の符号工“で示す部分がパターン形成に寄与するこ
とになり、これにより解像度の向上した露光及びパター
ン形成がなされるのではないかと考えられる。
例えば、１．０μｍのスペース幅のマスクパターンを用
い、０．７μｍずらして２度露光した時の光強度分布曲
線■を第４図に示すが、これは即ち図示の如く０．３μ
ｍスペースとなる。この曲線■と第３図の曲線■とを比
較すると、曲線■の方が幅が狭いばかりでなく、グラフ
の立ち上がりが鋭（なっていることがわかる。
い、０．７μｍずらして２度露光した時の光強度分布曲
線■を第４図に示すが、これは即ち図示の如く０．３μ
ｍスペースとなる。この曲線■と第３図の曲線■とを比
較すると、曲線■の方が幅が狭いばかりでなく、グラフ
の立ち上がりが鋭（なっていることがわかる。
曲線■と■の幅の差、及びシャープさ（コントラストの
大きさの指標となる）の差が、微細なしシストパターン
の形成上きわめて有効な差異をもたらすことは、容易に
理解されよう。
大きさの指標となる）の差が、微細なしシストパターン
の形成上きわめて有効な差異をもたらすことは、容易に
理解されよう。
また本発明を用いると、形成したいレジストパターンの
寸法より大きいマスクにより、所望の寸法のレジストパ
ターンが得られる。例えば、１．０μｍのスペース幅の
マスクを用いて本発明に従い２回位置をずらした露光を
行うと、０．４μｍの幅のスペースのレジストパターン
が得られた。本発明はこのように、従来は夢想だにされ
なかった、大きめのマスクにより微細なレジストパター
ンを得ることができるという、驚くべき作用効果を果た
すことができる。
寸法より大きいマスクにより、所望の寸法のレジストパ
ターンが得られる。例えば、１．０μｍのスペース幅の
マスクを用いて本発明に従い２回位置をずらした露光を
行うと、０．４μｍの幅のスペースのレジストパターン
が得られた。本発明はこのように、従来は夢想だにされ
なかった、大きめのマスクにより微細なレジストパター
ンを得ることができるという、驚くべき作用効果を果た
すことができる。
以下本発明の具体的実施例について説明する。
但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施例によ
り限定されるものではない。
り限定されるものではない。
第１Ａ図に、本発明の一実施例を示す。これは本実施例
に係るレジストパターン形成法を、その工程順に模式的
に示したものである。この実施例は、本発明を、半導体
装置の製造工程におけるレジストパターン形成に適用し
たものである。
に係るレジストパターン形成法を、その工程順に模式的
に示したものである。この実施例は、本発明を、半導体
装置の製造工程におけるレジストパターン形成に適用し
たものである。
本実施例においては、マスクパターンのスペース幅を設
計値より広く作成し、１度露光した後、任意の量だけず
らして、２度以上露光するようにした。
計値より広く作成し、１度露光した後、任意の量だけず
らして、２度以上露光するようにした。
一般に、細いラインを得る場合はポジレジスト、細いス
ペースを得るにはネガレジストを用いるのがよい。この
実施例は、ネガレジストを用いて、細いスペースを得る
のに本発明を適用した例である。
ペースを得るにはネガレジストを用いるのがよい。この
実施例は、ネガレジストを用いて、細いスペースを得る
のに本発明を適用した例である。
本実施例においては、１．０μｍのスペースのマスクパ
ターンを使って、露光１回目と２回目のずれ量を０．６
μｍとして実施した。このようにした場合、上記レジス
トパターンで０．４μｍのスペースが得られた。本例で
は、レジストとして、ネガレジストである Ｉｍａｇｅ
Ｒｅｖｅｒｓｅレジスト ＡＺ５２１４ （ヘキスト
社製）を用いた。露光装置はステッパーを用い、ＮＡ＝
０．４５、露光波長４３６１１ｍのものを用いた。用い
るレジスｌ−は解像度の高いものが望ましいが、任意の
レジストで実施することができる。露光装置や露光波長
も、使用するレジストの性質等に応じ、適宜のものを用
いることができる。
ターンを使って、露光１回目と２回目のずれ量を０．６
μｍとして実施した。このようにした場合、上記レジス
トパターンで０．４μｍのスペースが得られた。本例で
は、レジストとして、ネガレジストである Ｉｍａｇｅ
Ｒｅｖｅｒｓｅレジスト ＡＺ５２１４ （ヘキスト
社製）を用いた。露光装置はステッパーを用い、ＮＡ＝
０．４５、露光波長４３６１１ｍのものを用いた。用い
るレジスｌ−は解像度の高いものが望ましいが、任意の
レジストで実施することができる。露光装置や露光波長
も、使用するレジストの性質等に応じ、適宜のものを用
いることができる。
本実施例について、第１Ａ図を参照して更に説明すると
、次のとおりである。
、次のとおりである。
第１Ａ図（ａ）に示すように、フォトマスク１を用いて
、基板】０上のレジスト２を１回目露光する。ここで、
フォトマスク１のマスクパターン１１の幅は前記のとお
り、１．０μｍのものを用いた。
、基板】０上のレジスト２を１回目露光する。ここで、
フォトマスク１のマスクパターン１１の幅は前記のとお
り、１．０μｍのものを用いた。
第１図中、矢印で露光光を略示する。これにより、レジ
スト２中の、特にハツチングを施した部分２１が露光さ
れる。
スト２中の、特にハツチングを施した部分２１が露光さ
れる。
次にフォトマスク１を０．６μｍずらして、第２図（ｂ
）に示すように２回目露光を行う。これにより、レジス
ト２中、更にハツチングを施した部分２２が露光される
。両ハンチングとなっているところは、１回目、２回目
の両方の露光を受けた部分に該当する。
）に示すように２回目露光を行う。これにより、レジス
ト２中、更にハツチングを施した部分２２が露光される
。両ハンチングとなっているところは、１回目、２回目
の両方の露光を受けた部分に該当する。
このような２回の露光により、０．４μｍの幅の分、露
光が施されない部分２３が生じる。
光が施されない部分２３が生じる。
次に、現像を行う。これにより、第１Ａ図（ｃ）に示す
ように、未露光部（第１Ａ図（ｂ）の符号２３の部分）
が０．４μｍの幅のスペース２５となった、レジストパ
ターン２４が得られる。
ように、未露光部（第１Ａ図（ｂ）の符号２３の部分）
が０．４μｍの幅のスペース２５となった、レジストパ
ターン２４が得られる。
本発明は、ポジレジストを用いて、レジストの微細なラ
インを得るように実施することもできる。
インを得るように実施することもできる。
そのような例を、第１Ｂ図に示す。
レジスト２としてポジレジストを用いた以外は第１Ａ図
の実施例と同様にして、第１Ｂ図（ａ）に示す１回目露
光、及び第１Ｂ図（ｂ）に示す２回目露光を行う。第１
Ｂ図中、第１Ａ図と同じ符号は、同一の構成部分を示す
。
の実施例と同様にして、第１Ｂ図（ａ）に示す１回目露
光、及び第１Ｂ図（ｂ）に示す２回目露光を行う。第１
Ｂ図中、第１Ａ図と同じ符号は、同一の構成部分を示す
。
次いで現像を行うと、この例では未露光の部分のレジス
トが残って、幅広のスペース２５′に対し、微細な幅狭
のレジストパターン２４′（ライン）が得られる。
トが残って、幅広のスペース２５′に対し、微細な幅狭
のレジストパターン２４′（ライン）が得られる。
上述の如く本発明のレジストパターン形成法によれば、
従来は形成困難であった微細な形状のレジストパターン
を形成することができる。また、マスクパターンの寸法
よりも微細な寸法のレジストパターンを得るように構成
することができる。
従来は形成困難であった微細な形状のレジストパターン
を形成することができる。また、マスクパターンの寸法
よりも微細な寸法のレジストパターンを得るように構成
することができる。
第１Ａ図は本発明の一実施例を工程順に示すものである
。第１Ｂ図は、本発明の他の実施例を工程順に示すもの
である。第２図乃至第４図は露光の光強度分布曲線を示
すものである。 １・・・フォトマスク、１１・・・マスクパターン、２
・・・レジスト。
。第１Ｂ図は、本発明の他の実施例を工程順に示すもの
である。第２図乃至第４図は露光の光強度分布曲線を示
すものである。 １・・・フォトマスク、１１・・・マスクパターン、２
・・・レジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトマスクを用いてレジストを露光することによ
りレジストパターンを形成するレジストパターン形成法
において、 同一フォトマスクを用い、それぞれフォトマスクの位置
を任意の量ずらして複数回の露光を行うレジストパター
ン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134869A JPH031522A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | レジストパターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134869A JPH031522A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | レジストパターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031522A true JPH031522A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15138378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1134869A Pending JPH031522A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | レジストパターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031522A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2021032978A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 描画方法、および、描画装置 |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1134869A patent/JPH031522A/ja active Pending
Cited By (15)
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| JP2021032978A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 描画方法、および、描画装置 |
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