JPH10142769A - フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法 - Google Patents
フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法Info
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- JPH10142769A JPH10142769A JP29835196A JP29835196A JPH10142769A JP H10142769 A JPH10142769 A JP H10142769A JP 29835196 A JP29835196 A JP 29835196A JP 29835196 A JP29835196 A JP 29835196A JP H10142769 A JPH10142769 A JP H10142769A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デフォーカスした時でも寸法の変化量を少な
くし、フォーカスマージンを拡大する事が出来るフォト
マスクを提供する。 【解決手段】 透光部３及び遮光部１とが交互に配列さ
れて構成されているフォトマスク４に於いて、当該遮光
部１に、該遮光部１を横断するスリット部２が設けられ
ているフォトマスク４。
くし、フォーカスマージンを拡大する事が出来るフォト
マスクを提供する。 【解決手段】 透光部３及び遮光部１とが交互に配列さ
れて構成されているフォトマスク４に於いて、当該遮光
部１に、該遮光部１を横断するスリット部２が設けられ
ているフォトマスク４。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程で使用されるフォトマスクに関するものであり、又
半導体装置のパターン形成方法に関するものであり、特
に詳しくは、解像度の向上及び焦点深度を拡大する事の
出来るフォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法
に関するものである。
工程で使用されるフォトマスクに関するものであり、又
半導体装置のパターン形成方法に関するものであり、特
に詳しくは、解像度の向上及び焦点深度を拡大する事の
出来るフォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトマスクとしては種々のパタ
ーン形状を有するものが使用されており、微細な透光部
と遮光部とが繰り返しパターンを形成して連続的に平面
上に配置されている。処で、係るフォトマスクに於い
て、当該遮光部の形状が、縦方向（Ｙ軸方向）の長さと
横方向（Ｘ軸方向）の長さが略同一である場合には、結
像時の解像度或いは光強度に関して、方向性の相違は殆
ど見られず、実用上の問題は発生していなかったが、図
３に示す様に、縦方向（Ｙ軸方向）の長さと横方向（Ｘ
軸方向）の長さとが異なる遮光部を有するフォトマスク
を使用した場合には、焦点ぼけが発生しデフォーカス時
に隣接する電極間のパターンが繋がりやすくなると言う
問題が生じて来ている。
ーン形状を有するものが使用されており、微細な透光部
と遮光部とが繰り返しパターンを形成して連続的に平面
上に配置されている。処で、係るフォトマスクに於い
て、当該遮光部の形状が、縦方向（Ｙ軸方向）の長さと
横方向（Ｘ軸方向）の長さが略同一である場合には、結
像時の解像度或いは光強度に関して、方向性の相違は殆
ど見られず、実用上の問題は発生していなかったが、図
３に示す様に、縦方向（Ｙ軸方向）の長さと横方向（Ｘ
軸方向）の長さとが異なる遮光部を有するフォトマスク
を使用した場合には、焦点ぼけが発生しデフォーカス時
に隣接する電極間のパターンが繋がりやすくなると言う
問題が生じて来ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】即ち、従来のフォトマ
スクに於ける一つの例が図３に示されている。このパタ
ーンは、半導体装置のダイナミックメモリーの電極の形
成に用いられるものであって、縦方向（Ｙ軸方向）の長
さが横方向（Ｘ軸方向）の長さよりも長く成るように構
成された長方形のアレイ状のパターンであり、遮光領域
１は電極部分で、透光部つまり光透過領域３は電極間部
分である。
スクに於ける一つの例が図３に示されている。このパタ
ーンは、半導体装置のダイナミックメモリーの電極の形
成に用いられるものであって、縦方向（Ｙ軸方向）の長
さが横方向（Ｘ軸方向）の長さよりも長く成るように構
成された長方形のアレイ状のパターンであり、遮光領域
１は電極部分で、透光部つまり光透過領域３は電極間部
分である。
【０００４】係るフォトマスクに於ける各パターンの寸
法の例としては、縦方向（Ｙ軸方向）の電極の寸法は、
１．６２μｍであり、電極間の寸法は０．２５２μｍで
あり、又その横方向（Ｘ軸方向）の電極の寸法は、０．
７５６μｍであり、電極間の寸法は０．２５２μｍであ
る。係るフォトマスクを介して、例えば１／５縮小投影
式露光装置を用いて半導体基板上のホトレジストの露光
を行う。
法の例としては、縦方向（Ｙ軸方向）の電極の寸法は、
１．６２μｍであり、電極間の寸法は０．２５２μｍで
あり、又その横方向（Ｘ軸方向）の電極の寸法は、０．
７５６μｍであり、電極間の寸法は０．２５２μｍであ
る。係るフォトマスクを介して、例えば１／５縮小投影
式露光装置を用いて半導体基板上のホトレジストの露光
を行う。
【０００５】この時の露光量は横方向の電極間寸法がフ
ォトマスクの横方向の電極間寸法に成るように設定す
る。その後は、レジストパターンをマスクとしてエッチ
ング工程にてエッチング処理を行い、所定のパターンが
形成される。然しながら、係る形状を有する遮光部から
構成されたフォトマスクに於いては、露光時に於いて、
当該フォトマスクを使用してレジストを照射した場合
に、横方向（Ｘ軸方向）、即ち図３で示されたＡ−Ａ’
断面での光強度分布と縦方向（Ｙ軸方向）、即ち図３で
示されたＢ−Ｂ’断面での光強度分布とが異なって来
て、所望の正確なパターンを形成出来なくなる場合が発
生する事が判明した。
ォトマスクの横方向の電極間寸法に成るように設定す
る。その後は、レジストパターンをマスクとしてエッチ
ング工程にてエッチング処理を行い、所定のパターンが
形成される。然しながら、係る形状を有する遮光部から
構成されたフォトマスクに於いては、露光時に於いて、
当該フォトマスクを使用してレジストを照射した場合
に、横方向（Ｘ軸方向）、即ち図３で示されたＡ−Ａ’
断面での光強度分布と縦方向（Ｙ軸方向）、即ち図３で
示されたＢ−Ｂ’断面での光強度分布とが異なって来
て、所望の正確なパターンを形成出来なくなる場合が発
生する事が判明した。
【０００６】係る現象は、当該フォトマスクの遮光部間
を通過する光ビームが回折する際、横方向（Ｘ軸方向）
と縦方向（Ｙ軸方向）とで回折条件が互いに異なってし
まう事が原因と考えられる。係るフォトマスクに於ける
電極の横方向の断面Ａ−Ａ’と縦方向の断面Ｂ−Ｂ’に
於ける電極間部分のデフォーカス０から０．７５μｍま
でのウェハー上での光強度分布を図９に示す。
を通過する光ビームが回折する際、横方向（Ｘ軸方向）
と縦方向（Ｙ軸方向）とで回折条件が互いに異なってし
まう事が原因と考えられる。係るフォトマスクに於ける
電極の横方向の断面Ａ−Ａ’と縦方向の断面Ｂ−Ｂ’に
於ける電極間部分のデフォーカス０から０．７５μｍま
でのウェハー上での光強度分布を図９に示す。
【０００７】この光強度分布のＸとＹの座標は、電極間
の中央を０とした時の座標であり、ＸとＹの値を２倍に
した時の値が電極間の寸法となる。一般的に、図９の光
強度分布において、デフォーカスした時に、光強度が変
化しない場所が存在する。係る場所を一般的にピボタル
ポイントと称している。Ａ−Ａ’方向（横方向）の断面
部分に於いては、そのピボタルポイントの寸法は Ｘ＝
０．１９μｍとなっている。
の中央を０とした時の座標であり、ＸとＹの値を２倍に
した時の値が電極間の寸法となる。一般的に、図９の光
強度分布において、デフォーカスした時に、光強度が変
化しない場所が存在する。係る場所を一般的にピボタル
ポイントと称している。Ａ−Ａ’方向（横方向）の断面
部分に於いては、そのピボタルポイントの寸法は Ｘ＝
０．１９μｍとなっている。
【０００８】係るピボタルポイントの寸法は、Ａ−Ａ’
方向の電極間部分のパターニング寸法であるＸ＝０．１
２６μｍとでは大きく相違している。これに対しＢ−
Ｂ’方向（縦方向）の電極間部分では、当該ピボタルポ
イントの寸法はＹ＝０．１３μｍであり、Ｂ−Ｂ’方向
（縦方向）の電極間部分のパターニング寸法であるＸ＝
０．１２６μｍと殆ど等しくなっている。
方向の電極間部分のパターニング寸法であるＸ＝０．１
２６μｍとでは大きく相違している。これに対しＢ−
Ｂ’方向（縦方向）の電極間部分では、当該ピボタルポ
イントの寸法はＹ＝０．１３μｍであり、Ｂ−Ｂ’方向
（縦方向）の電極間部分のパターニング寸法であるＸ＝
０．１２６μｍと殆ど等しくなっている。
【０００９】これは、電極の縦方向のピッチが１．８７
２μｍＬ／Ｓであり、横方向のピッチが１．００８μｍ
Ｌ／Ｓであり、縦方向と横方向のピッチが大きく異なっ
ている事が原因で、デフォーカスした時の光強度分布の
挙動が互いに異なってしまうからである。横方向の電極
間寸法がフォトマスク寸法通りになるＸ＝０．１２６μ
ｍの時の光強度ＩはＩ＝０．２８におけるデフォーカス
０〜１．２μｍまでの平面上に於ける分布を図６に示
す。
２μｍＬ／Ｓであり、横方向のピッチが１．００８μｍ
Ｌ／Ｓであり、縦方向と横方向のピッチが大きく異なっ
ている事が原因で、デフォーカスした時の光強度分布の
挙動が互いに異なってしまうからである。横方向の電極
間寸法がフォトマスク寸法通りになるＸ＝０．１２６μ
ｍの時の光強度ＩはＩ＝０．２８におけるデフォーカス
０〜１．２μｍまでの平面上に於ける分布を図６に示
す。
【００１０】図６から理解される様に、Ｂ−Ｂ’方向の
電極間部分ではピボタルポイントの寸法とパターニング
寸法とは殆ど等しい為、デフォーカスした時の寸法変化
量が小さいが、Ａ−Ａ’方向の電極間部分のパターニン
グ寸法と該ピボタルポイントとは大きく異なっているの
で、デフォーカス時に寸法変化量が大きくなり、特にデ
フォーカスが０．９μｍとなるとＡ−Ａ’方向の電極間
が繋がり易くなると言う問題があった。
電極間部分ではピボタルポイントの寸法とパターニング
寸法とは殆ど等しい為、デフォーカスした時の寸法変化
量が小さいが、Ａ−Ａ’方向の電極間部分のパターニン
グ寸法と該ピボタルポイントとは大きく異なっているの
で、デフォーカス時に寸法変化量が大きくなり、特にデ
フォーカスが０．９μｍとなるとＡ−Ａ’方向の電極間
が繋がり易くなると言う問題があった。
【００１１】本発明の目的は、係る従来の問題点を解消
し、パターニング寸法とピボタルポイントの寸法を近接
させる事によって、デフォーカスした時でも寸法の変化
量を少なくし、フォーカスマージンを拡大する事が出来
るフォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法を提
供するものである。
し、パターニング寸法とピボタルポイントの寸法を近接
させる事によって、デフォーカスした時でも寸法の変化
量を少なくし、フォーカスマージンを拡大する事が出来
るフォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法を提
供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、透光部及び遮光部とが交互に配列されて構成されて
いるフォトマスクに於いて、当該遮光部に、該遮光部を
横断するスリット部が設けられているフォトマスクであ
り、又、本発明に係る第２の態様としては、半導体基板
にレジストを塗布する工程、フォトマスクを介して当該
レジストを露光する工程、当該露光処理後、現像を行う
工程とからなる半導体装置のパターン形成方法におい
て、該フォトマスク上の繰り返しパターンを形成する遮
光部に、露光時に解像しない程度の微細なスリットを設
けて露光処理する半導体装置のパターン形成方法であ
る。
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、透光部及び遮光部とが交互に配列されて構成されて
いるフォトマスクに於いて、当該遮光部に、該遮光部を
横断するスリット部が設けられているフォトマスクであ
り、又、本発明に係る第２の態様としては、半導体基板
にレジストを塗布する工程、フォトマスクを介して当該
レジストを露光する工程、当該露光処理後、現像を行う
工程とからなる半導体装置のパターン形成方法におい
て、該フォトマスク上の繰り返しパターンを形成する遮
光部に、露光時に解像しない程度の微細なスリットを設
けて露光処理する半導体装置のパターン形成方法であ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のフォトマスク及び半導体
装置のパターン形成方法は、上記した様な技術構成を採
用しているので、特に縦方向と横方向とに於ける長さの
異なるフォトマスクパターンに対して、ウェハー上に解
像することがない程度の幅を有するスリット部をレチク
ルを構成するパターンの遮光部に挿入する事によって、
ピボタルポイントの寸法をパターニング寸法近傍に移動
させる事によって、デフォーカスした時点に於ける寸法
変化量を小さくして、フォーカスマージンを増加させる
様にするものである。
装置のパターン形成方法は、上記した様な技術構成を採
用しているので、特に縦方向と横方向とに於ける長さの
異なるフォトマスクパターンに対して、ウェハー上に解
像することがない程度の幅を有するスリット部をレチク
ルを構成するパターンの遮光部に挿入する事によって、
ピボタルポイントの寸法をパターニング寸法近傍に移動
させる事によって、デフォーカスした時点に於ける寸法
変化量を小さくして、フォーカスマージンを増加させる
様にするものである。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明に係るフォトマスク及び半導
体装置のパターン形成方法の具体例の構成を図面を参照
しながら詳細に説明する。図１は、本発明に係るフォト
マスク一具体例の構成の例を示す図であり、図地中、透
光部３及び遮光部１とが交互に配列されて構成されてい
るフォトマスク４に於いて、当該遮光部１に、該遮光部
１を横断するスリット部２が設けられているフォトマス
ク４が示されている。
体装置のパターン形成方法の具体例の構成を図面を参照
しながら詳細に説明する。図１は、本発明に係るフォト
マスク一具体例の構成の例を示す図であり、図地中、透
光部３及び遮光部１とが交互に配列されて構成されてい
るフォトマスク４に於いて、当該遮光部１に、該遮光部
１を横断するスリット部２が設けられているフォトマス
ク４が示されている。
【００１５】つまり、図１に示されている本発明に係る
第１の態様に於けるフォトマスク４は、レチクル上に形
成された微細な透光部３と遮光部１とが縦横両方向に多
数配列形成されたパターン形状を有するもので構成され
たものであり、特に、図３に示される様な当該遮光部１
が、直交する２軸方向の長さが互いに異なっている様な
形状を有するものに特に有効である。
第１の態様に於けるフォトマスク４は、レチクル上に形
成された微細な透光部３と遮光部１とが縦横両方向に多
数配列形成されたパターン形状を有するもので構成され
たものであり、特に、図３に示される様な当該遮光部１
が、直交する２軸方向の長さが互いに異なっている様な
形状を有するものに特に有効である。
【００１６】即ち、本発明に係るフォトマスク４のパタ
ーンとしては、当該遮光部１が、長方形である事が望ま
しい。又、本発明に係る遮光部１に設けられる該スリッ
ト部２は、図示の様に、当該遮光部１を横断して形成さ
れるものである事が望ましい。更に、本発明に於ける該
遮光部２の幅としては、例えば、露光時に当該スリット
部がレジスト上で解像されない様な程度の微細なスリッ
ト幅を有している必要がある。
ーンとしては、当該遮光部１が、長方形である事が望ま
しい。又、本発明に係る遮光部１に設けられる該スリッ
ト部２は、図示の様に、当該遮光部１を横断して形成さ
れるものである事が望ましい。更に、本発明に於ける該
遮光部２の幅としては、例えば、露光時に当該スリット
部がレジスト上で解像されない様な程度の微細なスリッ
ト幅を有している必要がある。
【００１７】本発明に於いて使用される当該スリット部
２は、当該１つの遮光部１内に於いて図２に示す様に横
方向に１本だけ配置したものであっても良く、又図１に
示す様に、一つの遮光部１内に横方向に互いに平行に複
数本のスリット部２、２’を配置する様にしたもので有
ってもよい。又、本発明に於いては、図１又は図２に示
す様に当該スリット部２は横方向のみでなく、縦方向に
１本或いは複数本配置形成させたもので有っても良い。
２は、当該１つの遮光部１内に於いて図２に示す様に横
方向に１本だけ配置したものであっても良く、又図１に
示す様に、一つの遮光部１内に横方向に互いに平行に複
数本のスリット部２、２’を配置する様にしたもので有
ってもよい。又、本発明に於いては、図１又は図２に示
す様に当該スリット部２は横方向のみでなく、縦方向に
１本或いは複数本配置形成させたもので有っても良い。
【００１８】更に本発明に於いては、一つの遮光部１に
対して、縦方向と横方向のスリットを混在させる事も可
能である。本発明に係る第２の形態としては、半導体基
板にレジストを塗布する工程、フォトマスクを介して当
該レジストを露光する工程、当該露光処理後、現像を行
う工程とからなる半導体装置のパターン形成方法におい
て、該フォトマスク上の繰り返しパターンを形成する遮
光部に、露光時に解像しない程度の微細なスリットを設
けて露光処理する半導体装置のパターン形成方法であっ
て、特に上記した特殊のフォトマスクを使用して露光処
理する事に特徴がある。
対して、縦方向と横方向のスリットを混在させる事も可
能である。本発明に係る第２の形態としては、半導体基
板にレジストを塗布する工程、フォトマスクを介して当
該レジストを露光する工程、当該露光処理後、現像を行
う工程とからなる半導体装置のパターン形成方法におい
て、該フォトマスク上の繰り返しパターンを形成する遮
光部に、露光時に解像しない程度の微細なスリットを設
けて露光処理する半導体装置のパターン形成方法であっ
て、特に上記した特殊のフォトマスクを使用して露光処
理する事に特徴がある。
【００１９】次に、本発明に係る第１の具体例を図１、
図４及び図７を参照しながら詳細に説明する。即ち、図
１に示す本発明に係るフォトマスク４は、従来のフォト
マスクパターンである図３に示された様な長方形をした
遮光部１にＹ方向を３等分する様に、レチクルのクロム
パターン部にウェハー上で０．１μｍのスリット部２を
横方向に２本挿入したものである。
図４及び図７を参照しながら詳細に説明する。即ち、図
１に示す本発明に係るフォトマスク４は、従来のフォト
マスクパターンである図３に示された様な長方形をした
遮光部１にＹ方向を３等分する様に、レチクルのクロム
パターン部にウェハー上で０．１μｍのスリット部２を
横方向に２本挿入したものである。
【００２０】係る具体例に於ける縦方向の電極の寸法は
１．６２μｍで、電極間の寸法は０．２５２μｍであ
り、又横方向の電極の寸法は０．７５６μｍで、電極間
の寸法は０．２５２μｍであった。係るフォトマスクを
使用して１／５縮小投影式露光装置により半導体基板上
のフォトレジスト上に露光処理を行い、現像処理してレ
ジストパターンの形成を行った。
１．６２μｍで、電極間の寸法は０．２５２μｍであ
り、又横方向の電極の寸法は０．７５６μｍで、電極間
の寸法は０．２５２μｍであった。係るフォトマスクを
使用して１／５縮小投影式露光装置により半導体基板上
のフォトレジスト上に露光処理を行い、現像処理してレ
ジストパターンの形成を行った。
【００２１】この時の光学条件は、λ＝３６５ｎｍ 、
ＮＡ＝０．５７、σ＝０．７とし、露光量は横方向の電
極間寸法がフォトマスク寸法通りとなる露光量とした。
又、現像処理は従来通り、ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液
で６０ｓｅｃパドル現像を行った。係る本発明の第１の
具体例により得られたフォトマスクに於ける横方向の断
面Ａ−Ａ’と縦方向の断面Ｂ−Ｂ’の電極間のデフォー
カス０〜０．７５μｍ迄の光強度分布を図７に示す。
ＮＡ＝０．５７、σ＝０．７とし、露光量は横方向の電
極間寸法がフォトマスク寸法通りとなる露光量とした。
又、現像処理は従来通り、ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液
で６０ｓｅｃパドル現像を行った。係る本発明の第１の
具体例により得られたフォトマスクに於ける横方向の断
面Ａ−Ａ’と縦方向の断面Ｂ−Ｂ’の電極間のデフォー
カス０〜０．７５μｍ迄の光強度分布を図７に示す。
【００２２】前記した様に、係る光強度分布のＸとＹの
座標は、電極間の中央を０とした時の座標であり、Ｘと
Ｙの値を２倍にした時の値が電極間の寸法となる。従来
技術であるスリットを挿入しない図３のフォトマスクと
比較してＡ−Ａ’方向のピボタルポイントとなる寸法は
Ｘ＝０．１６μｍとなり、本発明のウェハー上に解像さ
れないスリットパターンを挿入することによって、パタ
ーニング寸法Ｘ＝０．１２６μｍに近くなる。
座標は、電極間の中央を０とした時の座標であり、Ｘと
Ｙの値を２倍にした時の値が電極間の寸法となる。従来
技術であるスリットを挿入しない図３のフォトマスクと
比較してＡ−Ａ’方向のピボタルポイントとなる寸法は
Ｘ＝０．１６μｍとなり、本発明のウェハー上に解像さ
れないスリットパターンを挿入することによって、パタ
ーニング寸法Ｘ＝０．１２６μｍに近くなる。
【００２３】横方向の電極間寸法がフォトマスク寸法通
りになるＸ＝０．１２６μｍ時の光強度Ｉ＝０．２９に
於けるデフォーカス０〜１．２μｍ迄の平面上に於ける
分布を図４に示す。図４を図６に示された従来技術に於
ける平面で見た分布と比較すると、従来の技術に於いて
は、デフォーカス０．９μｍではＡ−Ａ’方向でパター
ンが繋がっているのに対し本発明に係る本具体例のレチ
クルに於いては、同じデフォーカス量ではパターンが繋
がると言う欠点は発生しておらず、デフォーカス量が
１．２μｍになってＡ−Ａ’方向でのパターンの繋がり
が発生している事が判る。
りになるＸ＝０．１２６μｍ時の光強度Ｉ＝０．２９に
於けるデフォーカス０〜１．２μｍ迄の平面上に於ける
分布を図４に示す。図４を図６に示された従来技術に於
ける平面で見た分布と比較すると、従来の技術に於いて
は、デフォーカス０．９μｍではＡ−Ａ’方向でパター
ンが繋がっているのに対し本発明に係る本具体例のレチ
クルに於いては、同じデフォーカス量ではパターンが繋
がると言う欠点は発生しておらず、デフォーカス量が
１．２μｍになってＡ−Ａ’方向でのパターンの繋がり
が発生している事が判る。
【００２４】係る結果から、本発明に於けるフォトマス
クを使用する事によって、デフォーカスした時でも、従
来の方法に比べて相対的に強い光強度を得る事が可能で
あると同時に、寸法の変化量も小さくなり、しかもフォ
ーカスマージンが拡大されている事が判る。又、本発明
に係る第２の具体例を図２、図５及び図８を参照しなが
ら詳細に説明する。
クを使用する事によって、デフォーカスした時でも、従
来の方法に比べて相対的に強い光強度を得る事が可能で
あると同時に、寸法の変化量も小さくなり、しかもフォ
ーカスマージンが拡大されている事が判る。又、本発明
に係る第２の具体例を図２、図５及び図８を参照しなが
ら詳細に説明する。
【００２５】即ち、図２に示す本発明に係るフォトマス
ク４は、従来のフォトマスクパターンである図３に示さ
れた様な長方形をした遮光部１にレチクルのクロムパタ
ーン部にウェハー上で０．１μｍのスリット部２を横方
向に１本挿入したものである。又、本具体例に於けるフ
ォトマスク４の縦方向と横方向の電極と電極間の寸法
は、従来例と同一である。
ク４は、従来のフォトマスクパターンである図３に示さ
れた様な長方形をした遮光部１にレチクルのクロムパタ
ーン部にウェハー上で０．１μｍのスリット部２を横方
向に１本挿入したものである。又、本具体例に於けるフ
ォトマスク４の縦方向と横方向の電極と電極間の寸法
は、従来例と同一である。
【００２６】その後の工程は、上記した第１の具体例と
同様とした。係る本発明の第２の具体例により得られた
フォトマスクに於ける横方向の断面方向Ａ−Ａ’と断面
方向Ｂ−Ｂ’の電極間のデフォーカス０〜０．７５μｍ
迄の光強度分布を図８に示す。前記した様に、係る光強
度分布のＸとＹの座標は、電極間の中央を０とした時の
座標であり、ＸとＹの値を２倍にした時の値が電極間の
寸法となる。
同様とした。係る本発明の第２の具体例により得られた
フォトマスクに於ける横方向の断面方向Ａ−Ａ’と断面
方向Ｂ−Ｂ’の電極間のデフォーカス０〜０．７５μｍ
迄の光強度分布を図８に示す。前記した様に、係る光強
度分布のＸとＹの座標は、電極間の中央を０とした時の
座標であり、ＸとＹの値を２倍にした時の値が電極間の
寸法となる。
【００２７】第１の具体例と同様に、従来技術であるス
リットを挿入しない図３のフォトマスクと比較すると、
Ａ−Ａ’方向のピボタルポイントとなる寸法はＸ＝０．
１６μｍとなり、本発明のウェハー上に解像されないス
リットパターンを挿入することによって、パターニング
寸法Ｘ＝０．１２６μｍに近くなる。横方向の電極間寸
法がフォトマスク寸法通りになるＸ＝０．１２６μｍ迄
の平面上に於ける分布を図５に示す。
リットを挿入しない図３のフォトマスクと比較すると、
Ａ−Ａ’方向のピボタルポイントとなる寸法はＸ＝０．
１６μｍとなり、本発明のウェハー上に解像されないス
リットパターンを挿入することによって、パターニング
寸法Ｘ＝０．１２６μｍに近くなる。横方向の電極間寸
法がフォトマスク寸法通りになるＸ＝０．１２６μｍ迄
の平面上に於ける分布を図５に示す。
【００２８】図５を図６に示された従来技術に於ける平
面で見た分布と比較すると、従来の技術に於いては、デ
フォーカス０．９μｍではＡ−Ａ’方向でパターンが繋
がっているのに対し本発明に係る本具体例のレチクルに
於いては、同じデフォーカス量ではパターンが繋がると
言う欠点は発生しておらず、デフォーカス量が１．２μ
ｍになってＡ−Ａ’方向でのパターンの繋がりが発生し
ている事が判る。
面で見た分布と比較すると、従来の技術に於いては、デ
フォーカス０．９μｍではＡ−Ａ’方向でパターンが繋
がっているのに対し本発明に係る本具体例のレチクルに
於いては、同じデフォーカス量ではパターンが繋がると
言う欠点は発生しておらず、デフォーカス量が１．２μ
ｍになってＡ−Ａ’方向でのパターンの繋がりが発生し
ている事が判る。
【００２９】係る結果から、本発明に於けるフォトマス
クを使用する事によって、デフォーカスした時でも、従
来の方法に比べて相対的に強い光強度を得る事が可能で
あると同時に、寸法の変化量も小さくなり、しかもフォ
ーカスマージンが拡大されている事が判る。
クを使用する事によって、デフォーカスした時でも、従
来の方法に比べて相対的に強い光強度を得る事が可能で
あると同時に、寸法の変化量も小さくなり、しかもフォ
ーカスマージンが拡大されている事が判る。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係るフォトマスク及び半導体装
置のパターン形成方法に於いては、縦方向と横方向とに
於いて長さの異なる遮光部を有するレチクル上のフォト
マスクパターンを使用するに際して当該パターンがウェ
ハー上に解像しない程度の微細なスリット部を挿入する
事により、ピボタルポイントの寸法をパターニング寸法
付近に移動させる事によって、デフォーカスした時の当
該解像部分の寸法変化量を小さくする事が可能となり、
更にはフォーカスマージンが増加すると言う効果が得ら
れる。
置のパターン形成方法に於いては、縦方向と横方向とに
於いて長さの異なる遮光部を有するレチクル上のフォト
マスクパターンを使用するに際して当該パターンがウェ
ハー上に解像しない程度の微細なスリット部を挿入する
事により、ピボタルポイントの寸法をパターニング寸法
付近に移動させる事によって、デフォーカスした時の当
該解像部分の寸法変化量を小さくする事が可能となり、
更にはフォーカスマージンが増加すると言う効果が得ら
れる。
【図１】図１は、本発明に係るフォトマスクの一具体例
の構成を示すレチクルパターン図である。
の構成を示すレチクルパターン図である。
【図２】図２は、本発明に係るフォトマスクの他の具体
例の構成を示すレチクルパターン図である。
例の構成を示すレチクルパターン図である。
【図３】図３は、従来のフォトマスクの一例の構成を示
すレチクルパターン図である。
すレチクルパターン図である。
【図４】図４は、本発明に於ける第１の具体例に於ける
微細なパターン形成方法で得られるデフォーカス０〜
１．２μｍ迄の平面の光強度分布図である。
微細なパターン形成方法で得られるデフォーカス０〜
１．２μｍ迄の平面の光強度分布図である。
【図５】図５は、本発明に於ける第２の具体例に於ける
微細なパターン形成方法で得られるデフォーカス０〜
１．２μｍ迄の平面の光強度分布図である。
微細なパターン形成方法で得られるデフォーカス０〜
１．２μｍ迄の平面の光強度分布図である。
【図６】図６は、従来に於ける微細パターン形成方法に
よって得られるデフォーカス０〜０．７５μｍまでの平
面の光強度分布図である。
よって得られるデフォーカス０〜０．７５μｍまでの平
面の光強度分布図である。
【図７】図７は、本発明の第１の具体例により得られる
デフォーカス０〜０．７５μｍまでのレジスト上の光強
度分布図である。
デフォーカス０〜０．７５μｍまでのレジスト上の光強
度分布図である。
【図８】図８は、本発明の第２の具体例により得られる
デフォーカス０〜０．７５μｍまでのレジスト上の光強
度分布図である。
デフォーカス０〜０．７５μｍまでのレジスト上の光強
度分布図である。
【図９】図９は、従来の半導体装置のパターン形成方法
で得られるデフォーカス０〜０．７５μｍまでのレジス
ト上の光強度分布図である。
で得られるデフォーカス０〜０．７５μｍまでのレジス
ト上の光強度分布図である。
１…遮光部 ２…スリット部 ３…透光部 ４…フォトマスク
Claims (7)
- 【請求項１】 透光部及び遮光部とが交互に配列されて
構成されているフォトマスクに於いて、当該遮光部に、
該遮光部を横断するスリット部が設けられている事を特
徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 当該スリット部は、露光時に当該スリッ
ト部がレジスト上で解像されない様な程度のスリット幅
を有している事を特徴とする請求項１記載のフォトマス
ク。 - 【請求項３】 当該遮光部は、直交する２軸方向の長さ
が互いに異なっている様な形状を有するものである事を
特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスク。 - 【請求項４】 当該スリット部は、当該遮光部内に於い
て１本或いは、互いに平行に複数本配置されている事を
特徴とする請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項５】 当該スリット部は、当該遮光部内に於い
て直交する２軸方向のそれぞれに対して、１本或いは、
互いに平行に複数本配置されている事を特徴とする請求
項１記載のフォトマスク。 - 【請求項６】 半導体基板にレジストを塗布する工程、
フォトマスクを介して当該レジストを露光する工程、当
該露光処理後、現像を行う工程とからなる半導体装置の
パターン形成方法において、該フォトマスク上の繰り返
しパターンを形成する遮光部に、露光時に解像しない程
度の微細なスリットを設けて露光処理する事を特徴とす
る半導体装置のパターン形成方法。 - 【請求項７】 当該遮光部は、直交する２軸方向の長さ
が互いに異なっている様な形状を有するものである事を
特徴とする請求項６記載の半導体装置のパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29835196A JP2998661B2 (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29835196A JP2998661B2 (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10142769A true JPH10142769A (ja) | 1998-05-29 |
| JP2998661B2 JP2998661B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=17858566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29835196A Expired - Fee Related JP2998661B2 (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2998661B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| US7418685B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-08-26 | Elpida Memory, Inc. | Layout method for miniaturized memory array area |
| US7438998B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-10-21 | Elpida Memory, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US7776495B2 (en) * | 2003-11-28 | 2010-08-17 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-11-11 JP JP29835196A patent/JP2998661B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| US7418685B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-08-26 | Elpida Memory, Inc. | Layout method for miniaturized memory array area |
| US7438998B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-10-21 | Elpida Memory, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US7776495B2 (en) * | 2003-11-28 | 2010-08-17 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2998661B2 (ja) | 2000-01-11 |
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