JPH03154222A - 磁気記録体 - Google Patents
磁気記録体Info
- Publication number
- JPH03154222A JPH03154222A JP29289189A JP29289189A JPH03154222A JP H03154222 A JPH03154222 A JP H03154222A JP 29289189 A JP29289189 A JP 29289189A JP 29289189 A JP29289189 A JP 29289189A JP H03154222 A JPH03154222 A JP H03154222A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coercive force
- recording medium
- alloy
- magnetic recording
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１面内記録型のハードディスク媒体に利用され
る磁気記録体に関するものである。
る磁気記録体に関するものである。
近年、情報料の急激な増加に伴い、これらの情報を高密
度に記録し、かつ正確に再生することが要求されている
。特にコンピュータの大容量外部゛メモリーとして使用
されているハードディスクにおいては、高密度記録特性
や、記録の信頼性が強く要求され急速に発展しつつある
。
度に記録し、かつ正確に再生することが要求されている
。特にコンピュータの大容量外部゛メモリーとして使用
されているハードディスクにおいては、高密度記録特性
や、記録の信頼性が強く要求され急速に発展しつつある
。
これらの発展は、用いられる記録体、ヘッド、ドライブ
などのトータルシステムの改良により達成されてきたが
、近年、特に記録体の特性向上が求められるようになっ
てきた。この記録体には、第１図に断面図を示すように
、Ｎ１−Ｐメツキ２を施したＡ１等の非磁性基板上にス
パッタリング法によりＣｒ膜３、磁性合金膜４を形成し
た後、ヘッドとの潤滑を目的としてカーボン等の保護膜
５を形成する。
などのトータルシステムの改良により達成されてきたが
、近年、特に記録体の特性向上が求められるようになっ
てきた。この記録体には、第１図に断面図を示すように
、Ｎ１−Ｐメツキ２を施したＡ１等の非磁性基板上にス
パッタリング法によりＣｒ膜３、磁性合金膜４を形成し
た後、ヘッドとの潤滑を目的としてカーボン等の保護膜
５を形成する。
前記磁性合金膜としては、Ｃｏ−ＮＬ、 Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ、 Ｇｏ−Ｃｒ−Ｔａ、 Ｇｏ−Ｐ を等種々提案
されており、特開昭６１−１２０３３０号、特開平１−
１３３２１７号等で開示されている。特にｃｏ−Ｃ：、
ｒ−Ｔ ａ合金は近時注目を集めている。
Ｃｒ、 Ｇｏ−Ｃｒ−Ｔａ、 Ｇｏ−Ｐ を等種々提案
されており、特開昭６１−１２０３３０号、特開平１−
１３３２１７号等で開示されている。特にｃｏ−Ｃ：、
ｒ−Ｔ ａ合金は近時注目を集めている。
しかしながら、さらなる記録の高密度化、高信頼化の要
求から磁気記録体の高保磁力化、耐候性の向上が求めら
れており、従来提案されてきた組成系では、上記特性向
上を同時に実現することは困難であるという問題点があ
る。
求から磁気記録体の高保磁力化、耐候性の向上が求めら
れており、従来提案されてきた組成系では、上記特性向
上を同時に実現することは困難であるという問題点があ
る。
本発明の目的は、上記間選点を解決した磁気記録体を提
供することである。
供することである。
本発明は、上記目的を達成するため、磁気記録体の組成
を、 一般式（Ｃａｒ−＜ｘ令ｖ）Ｃｒ、Ｔａ、）、ａ−２と
してＧｏ＋Ｃｒ十Ｔａの量を１としてＧｏ、 Ｃｒの原
子％の割合をＸ＋Ｖとした時に、 ０．０８≦ｘ≦Ｏ，１ｇ （原子比）０．０１５≦ｙ
≦０．０８ （原子比）および、 ０＜ｚ≦１６
（原子％））により表わされる組成を有することを特徴
とする磁気記録体で表わされるものとした。
を、 一般式（Ｃａｒ−＜ｘ令ｖ）Ｃｒ、Ｔａ、）、ａ−２と
してＧｏ＋Ｃｒ十Ｔａの量を１としてＧｏ、 Ｃｒの原
子％の割合をＸ＋Ｖとした時に、 ０．０８≦ｘ≦Ｏ，１ｇ （原子比）０．０１５≦ｙ
≦０．０８ （原子比）および、 ０＜ｚ≦１６
（原子％））により表わされる組成を有することを特徴
とする磁気記録体で表わされるものとした。
本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の合金にｐｔを添加した
点に特徴を有するものである。このＰｔの添加は、Ｇｏ
−Ｃｒ−Ｔａ合金の磁気記録体面方向の結晶磁気異方性
を大きくすることで保磁力の向上に寄与すると共に、合
金自体を電気化学的に責にする作用を有し耐候性の向上
に寄与する。
点に特徴を有するものである。このＰｔの添加は、Ｇｏ
−Ｃｒ−Ｔａ合金の磁気記録体面方向の結晶磁気異方性
を大きくすることで保磁力の向上に寄与すると共に、合
金自体を電気化学的に責にする作用を有し耐候性の向上
に寄与する。
Ｐｔをはじめ、Ｇｏ、Ｃｒ、Ｔａの添加比の限定理由は
、後述の実施例において明らかにされる。
、後述の実施例において明らかにされる。
本発明を実験結果に基づいて説明する。
第２図および第３図は、Ｎ１−Ｐメツキを施したＡＩ基
板上に１００ＯＡの膜厚を有する純Ｃｒ膜を成膜し、そ
の後Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ１ｉを５００人成膜したサンプル
の保磁力ＨｅをＶＳＭ（振動試料型磁力計）で測定した
結果である。
板上に１００ＯＡの膜厚を有する純Ｃｒ膜を成膜し、そ
の後Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ１ｉを５００人成膜したサンプル
の保磁力ＨｅをＶＳＭ（振動試料型磁力計）で測定した
結果である。
第２図は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜のＴａの含有量を２ａｔ
％に固定し、Ｃｒの添加量を０〜２０ａｔ％まで変化さ
せた場合のＣｒ添加量と保磁力の関係を示している。
％に固定し、Ｃｒの添加量を０〜２０ａｔ％まで変化さ
せた場合のＣｒ添加量と保磁力の関係を示している。
第２図によればＣｒ添加が増えるにしたがって、保磁力
は増大し、Ｃｒ量＝１２ａｔ％で保磁力１２０００ｅと
極大を示す。一般に高保磁力型媒体とされている１００
００ｅ以上の保磁力を満足するためには、Ｃｒ添加量が
８〜１８ａｔ％の範囲であることがわかる。
は増大し、Ｃｒ量＝１２ａｔ％で保磁力１２０００ｅと
極大を示す。一般に高保磁力型媒体とされている１００
００ｅ以上の保磁力を満足するためには、Ｃｒ添加量が
８〜１８ａｔ％の範囲であることがわかる。
第３図はＧｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜の組成をＣｒ量１２ａｔ％
に固定し、Ｔａの添加量を０〜１ｏａｔ％まで変えた場
合の保磁力とＴａ量の関係を示している。ＴａｊＬが増
加するにしたがって保磁力は増大し、 Ｔａ＝５ａｔ％
で保磁力１４０００ｅと最大となる。１００００ｅ以上
の保磁力を得るには、Ｔａ量１．５〜８ａｔ％の範囲で
あることがわかる。以上の結果よりＧ ｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ糸では、８ａｔ％≦Ｃｒ≦１８ａｔ％、１．５ａｔ％
≦Ｔａ≦８ａｔ％で１０００−１４０００ｅの保磁力を
得ることが可能となる。
に固定し、Ｔａの添加量を０〜１ｏａｔ％まで変えた場
合の保磁力とＴａ量の関係を示している。ＴａｊＬが増
加するにしたがって保磁力は増大し、 Ｔａ＝５ａｔ％
で保磁力１４０００ｅと最大となる。１００００ｅ以上
の保磁力を得るには、Ｔａ量１．５〜８ａｔ％の範囲で
あることがわかる。以上の結果よりＧ ｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ糸では、８ａｔ％≦Ｃｒ≦１８ａｔ％、１．５ａｔ％
≦Ｔａ≦８ａｔ％で１０００−１４０００ｅの保磁力を
得ることが可能となる。
本発明者は、さらに高保磁力型の記録体を得るべく検討
を行なった結果、Ｇ ｏ−Ｃｒ−Ｔ ａへのＰｔ、の添
加が最も保磁力の増加に効果があることを見出した。第
４図にその検討結果の１例を示す。
を行なった結果、Ｇ ｏ−Ｃｒ−Ｔ ａへのＰｔ、の添
加が最も保磁力の増加に効果があることを見出した。第
４図にその検討結果の１例を示す。
第４図の実験結果は、Ｎ１−Ｐメツキを施したＡ１基板
上にＤＣスパッタを用いて１００ＯＡのＣｒ膜を成膜し
、さらにＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜を５０ＯＡ成膜した
サンプルの保磁力をＶＳＭで測定した結果である。Ｇｏ
−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜の成膜は原子％でＣ００Ｃｒ、、
Ｔａ、の組成を有するターゲット上にＰｔチップを置い
てＤＣスパッタで行なった。Ｐｔ添加量はＰｔチップの
個数を変えてターゲット面積に占めるＰｔチップ割合を
変化させて調整を行なった。
上にＤＣスパッタを用いて１００ＯＡのＣｒ膜を成膜し
、さらにＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜を５０ＯＡ成膜した
サンプルの保磁力をＶＳＭで測定した結果である。Ｇｏ
−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜の成膜は原子％でＣ００Ｃｒ、、
Ｔａ、の組成を有するターゲット上にＰｔチップを置い
てＤＣスパッタで行なった。Ｐｔ添加量はＰｔチップの
個数を変えてターゲット面積に占めるＰｔチップ割合を
変化させて調整を行なった。
結果よりＰｔが増加するに従って保磁力は増大し、Ｐｔ
添加量１０ａｔ％付近で保磁力２００００ｅと最大とな
る。また、Ｐｔ添加による保磁力最大の効果は、０（Ｐ
ｔ≦１６ａｔ％の範囲で得られることがわかる。
添加量１０ａｔ％付近で保磁力２００００ｅと最大とな
る。また、Ｐｔ添加による保磁力最大の効果は、０（Ｐ
ｔ≦１６ａｔ％の範囲で得られることがわかる。
第５図に本発明のＧｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ磁性膜および
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性膜について耐候性評価を行なった
結果を示す。耐候性試験は、温度６０℃、湿度９０％の
恒温恒温の条件において、飽和磁荷の減少で評価した。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性膜について耐候性評価を行なった
結果を示す。耐候性試験は、温度６０℃、湿度９０％の
恒温恒温の条件において、飽和磁荷の減少で評価した。
第５図から明らかなように、本発明の磁性膜の耐候性は
著しく向上していることがわかる。
著しく向上していることがわかる。
本発明によれば、Ａ１等の非磁性基板上にＣｒ膜を形成
したものの上面にＣＯ系系合金系磁性記録体保磁力を著
しく向上できると同時に記録体の耐候性の向上を図るこ
とで磁気ディスクの信頼性向上を達成できる。
したものの上面にＣＯ系系合金系磁性記録体保磁力を著
しく向上できると同時に記録体の耐候性の向上を図るこ
とで磁気ディスクの信頼性向上を達成できる。
第１図は磁気デオスクの断面図、第２図はＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ磁性膜におけるＯｒ添加量と保磁力（Ｏｅ）との関
係を示すグラフ、第３図はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性膜にお
けるＴａ添加量と保磁力（Ｏｅ）との関係を示すグラフ
、第４図はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ磁性膜におけるＰｔ
添加量と保磁力（Ｏｅ）との関係を示すグラフ、第５図
はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ磁性膜およびｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ磁性膜の耐候性評価結果を示すグラフである。 １：Ａ１基板、２：Ｎ１−Ｐメツキ層、３：純Ｃｒ膜、
４：磁気記録体、５：カーボン保護膜第 図 Ｃｒ俸加量Ｘ （ａｔ％） 第３囚 Ｔａ豹仄１ｖ （ａＦ、） 、５ カー刀マンｐ嗅 Ｐｔ７惰加量２ （ａｔ”／＊） 第５図 常置日数（日）
Ｔａ磁性膜におけるＯｒ添加量と保磁力（Ｏｅ）との関
係を示すグラフ、第３図はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性膜にお
けるＴａ添加量と保磁力（Ｏｅ）との関係を示すグラフ
、第４図はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ磁性膜におけるＰｔ
添加量と保磁力（Ｏｅ）との関係を示すグラフ、第５図
はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ磁性膜およびｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ磁性膜の耐候性評価結果を示すグラフである。 １：Ａ１基板、２：Ｎ１−Ｐメツキ層、３：純Ｃｒ膜、
４：磁気記録体、５：カーボン保護膜第 図 Ｃｒ俸加量Ｘ （ａｔ％） 第３囚 Ｔａ豹仄１ｖ （ａＦ、） 、５ カー刀マンｐ嗅 Ｐｔ７惰加量２ （ａｔ”／＊） 第５図 常置日数（日）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式｛Ｃｏ＿１＿−＿（＿Ｘ＿＋＿Ｙ＿）Ｃｒ＿
ＸＴａ＿Ｙ｝＿１＿０＿０＿−＿ＺＰｔ＿Ｚ（ただし、
Ｃｏ＋Ｃｒ＋Ｔａの量を１としてＣｏ、Ｃｒの原子％の
割合をｘ、ｙとした時に、 ０．０８≦ｘ≦０．１８（原子比） ０．０１５≦ｙ≦０．０８（原子比） および、０＜ｚ≦１６（原子％）） により表わされる組成を有することを特徴とする磁気記
録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29289189A JPH03154222A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 磁気記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29289189A JPH03154222A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 磁気記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03154222A true JPH03154222A (ja) | 1991-07-02 |
Family
ID=17787720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29289189A Pending JPH03154222A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03154222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245016A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| EP1588358A1 (en) * | 2003-01-27 | 2005-10-26 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29289189A patent/JPH03154222A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245016A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| EP1588358A1 (en) * | 2003-01-27 | 2005-10-26 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
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