JPH03155608A - コンデンサー素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機高分子フィルムを誘電体とするコンデン
サー素子の製造方法に関するものである。

〔従来技術〕

■特開昭６０−１９５９１８号公報には、支持体として
ポリオレフィンフィルムを用い、被蒸着フィルムとして
ポリエステルフィルムを支持体の少なくとも片側に積層
したフィルムの被蒸着フィルム面に真空蒸着すること、
および該蒸着フィルムを使用直前に支持体フィルムから
剥離しつつ１条ずつ別々に巻回もしくは積層してコンデ
ンサー素子を製造する方法が開示されている。■特開昭
６３−２３９８１０号公報には、支持体としてポリオレ
フィンフィルムもしくはポリエステルフィルムを用い、
被蒸着フィルムとしてポリフェニレンスルフィドフィル
ムを用いる同様の技術が開示されている。

■また、ＵＳＰ４，４６２，０６２、ＵＳＰ４゜４８８
．３４０、ＵＳＰ４，５３１，２６８公報などには、フ
ィルム幅方向両端部以外に多条の平行した非金属化帯を
形成した金属化有機フィルムを、スリットしつつ大径の
ドラムに同時巻回することによって積層する方法が開示
されている。

［発明が解決しようとする課題〕 上記■、■の方法は、極めて薄い誘電体を有し、容量体
積比の大きなフィルムコンデンサーを提供できる点で優
れているが、かかる巻回法では例え金属化誘電体層を支
持体から剥離したあと連続して巻回したとしてもフィル
ム厚みが０．７μｍ以下程度では張力制御が困難で、巻
芯の抜は不良、層ずれなどを生じる。また、積層法にお
いても、従来の単条の金属化フィルムを大径のホイール
に巻回することによって積層する方法では、ホイールを
抜き取る前には十分な加熱プレスが行なえないので、ホ
イール抜き取り時や切断時の素子の層間剥離、メタルス
プレーが層間に深く侵入することによる絶縁不良の発生
、耐湿ライフが短いといった欠点がある他、１回に１条
しか巻回できず能率が悪いという欠点もあった。

また■、■の方法に■の同時多条巻回の方法を適用すれ
ば、能率は向上するが、ホイール抜き取り時や切断時の
素子の層間剥離、メタルスプレーが層間に深く侵入する
ことによる絶縁不良の発生、耐湿ライフが短いといった
欠点は解消できない。

本発明の目的は、上記のような欠点を解消し、極めて薄
い誘電体を有し、容量／体積比が太き（、耐湿ライフの
長いフィルムコンデンサーを、製造中、眉間剥離、メタ
ルスプレーによる絶縁不良といったトラブルを引き起こ
すことな（、能率良（製造する方法を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の目的を達成するために、（１）有機高
分子フィルムからなる支持体層の片面もしくは両面に、
厚さ０．１〜１．０μｍの有機高分子フィルムからなる
誘電体層が、該支持体層と剥離可能となるように密着さ
れてなる積層フィルムの、該誘電体層面に電極となる金
属蒸着を施して、フィルム幅方向両端部以外に２条以上
の長手方向に平行した非金属化帯を形成した金属化積層
フィルムを得る手段と、該金属化積層フィルムを長手方
向にスリットした後、金属化誘電体層のみを剥離して、
該金属化誘電体層を同時一体巻回法によって巻回積層し
て容量母体を形成する一連の工程を、フィルムを巻き取
らずに連続して行なう手段と、該巻回積層時もしくは該
巻回積層複核容量母体を上記スリットした切れ目に添っ
て分離する前に該金属化誘電体層を加熱下にて表面に略
垂直な方向に押圧する手段と、該押圧された容量母体を
切れ目に添って分離する手段と、該分離した容量母体の
分離面にメタルスプレーを施して外部電極を形成して母
木子を形成する手段と、該母木子を母木子の長手方向に
垂直な方向に２次切断する手段を具備してなるコンデン
サー素子の製造方法、 （２）有機高分子フィルムからなる支持体層の片面もし
くは両面に、厚さ０．１〜１．０μｍの有機高分子フィ
ルムからなる誘電体層が、該支持体層と剥離可能となる
ように密着されてなる積層フィルムの、該誘電体層面に
電極となる金属蒸着を施して、フィルム幅方向両端部以
外に２条以上の長手方向に平行した非金属化帯を形成し
た金属化積層フィルムを得る手段と、該金属化積層フィ
ルムから金属化誘電体層のみを剥離して、該金属化誘電
体層を同時一体巻回法によって巻回積層して容量母体を
形成する一連の工程を、フィルムを巻き取らずに連続し
て行なう手段と、該巻回積層時もしくは該巻回積層複核
容量母体を非金属化帯に平行に切断する前に該金属化誘
電体層を加熱下にて表面に略垂直な方向に押圧する手段
と、該押圧された容量母体を非金属化帯に平行に切断、
分離する手段と、該分離した容量母体の分離面にメタル
スジ１ノーを施して外部電極を形成して母木子を形成す
る手段と、該母木子を母木子の長手方向に垂直な方向に
２次切断する手段を具備してなるコンデンサー素子の製
造方法、 としたものである。

本発明における支持体層とは、極薄の誘電体層を剥離さ
れるまでの間、機械的に保護する有機高分子フィルムか
らなる層で、該有機高分子はフィルム形成能を持つもの
で上記の条件を満たすものなら特に限定されないが、機
械的特性に優れたものが好ましい。また誘電体層が２軸
延伸フイルムである場合は、誘電体層と共に２軸延伸で
きることが好ましい。その厚さは上記の条件を満たす限
り特に限定されないが１〜５μｍで誘電体層の２〜５０
倍が機械的特性と剥離性のバランスの点で好ましい。

本発明において、誘電体層とは、最終的にコンデンサー
の誘電体として機能する有機高分子フィルム屓で、該有
機高分子はフィルム形成能を持つもので上記の条件を満
たすものなら特に限定されないが、誘電特性、機械的特
性、耐熱性に優れたものが好ましい。好ましい誘電体層
の例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレートなどのポリエステル、ポリフェニレン
スルフィド、ポリフェニレンスルフィドケトン、あるい
はこれらの共重合体または／および混合物、ポリエーテ
ルエーテルケトンなどを挙げることができる。該誘電体
層の厚さは、０．１〜１．０μｍの範囲であるが、コン
デンサの形状寸法をより小さくする観点から０．１〜０
．　７μｍの範囲がより好ましい。該フィルムの厚さが
１．０μｍを超えると得られるコンデンサーの容量／体
積比が小さくなり、小型大容量コンデンサーとしての魅
力に乏しくなる。また０、　　１μｍ未満では、コンデ
ンサーの耐電圧、絶縁抵抗などの絶対値もしくは不良率
の点で実用的でない。該誘電体層の平均表面粗さ（支持
体と積層された状態で）Ｒａは、巻回積層時の作業性お
よび出来上ったコンデンサーの層間密着力の点から、０
．０２〜０．０８μｍの範囲が好ましい。また積層状態
での該フィルム面どうしの静摩擦係数μｓは、巻回積層
時の作業性および出来上ったコンデンサーの層間密着力
の点から、０．７〜１．８の範囲が好ましい。

本発明において積層フィルムとは、上記の支持体層の片
面もしくは両面に上記誘電体層が剥離可能な密着力で密
着されたフィルムである。該支持体層の厚みＴｓ（μｍ
）を、表層の誘電体層の厚みＴｐ　（μｍ）に対して、
１．１Ｔｐ＋０．９≦Ｔｓ≦３．３Ｔｐ＋２．７の関係
を満たすようにするのが好ましい。支持体層と誘電体層
の剥離力（剥離角１８０度、剥離速度２００　ｍｍ／ｍ
ｉｎで測定した剥離力）は０．２〜３ｇ／ｃｍ（より好
ましくは０．２〜２ｇ／ｃｍ）の範囲が高速剥離性の点
で好ましい。

本発明において保護層とは、コンデンサー素子の容量層
の外側両表層に形成された非容量層で、２７０℃で不融
の有機高分子フィルムを積層して形成されている。該有
機高分子フィルムとしては、ポリフェニレンスルフィド
、ポリフェニレンスルフィドケトン、あるいはこれらの
共重合体または／および混合物、ポリエーテルエーテル
ケトン、ポリエチレン−２，６−ナフタレートなどが好
ましい。また、誘電体層と保護層がともに、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリフェニレンスルフィドケトン、あ
るいはこれらの共重合体または／および混合物、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリエチレン−２，６−ナフタ
レートからなるのが好ましい。

本発明に用いる積層フィルムの製造方法は、周知の任意
の方法が用い得る。誘電体としてポリエステルフィルム
を用いる場合を例にとると、支持体層の原料ポリマ（例
えばポリオレフィン樹脂）と誘電体層の原料となるポリ
エステルをそれぞれ別々の押出機に供給して、それぞれ
のポリマの融点以上で溶融し、二種の溶融体をポリマ管
内あるいは口金内部で合流させて積層状態とし、これを
口金から押出し、冷却固化せしめて、未配向のポリオレ
フィンフィルムの片面もしくは両面に、未配向で非晶状
態のポリエステルフィルム層が積層された積層フィルム
を得る。ついで、該積層フィルムを該ポリエステルのガ
ラス転移点以上、１２０℃以下の温度で二軸延伸し、さ
らに２００℃以上（好ましくは、２２０℃以上）、ポリ
エステルの融点以下の温度で熱処理することによる。

こうして得られた積層フィルムの誘電体層の表面に金属
蒸着を施す。蒸着法は、抵抗加熱方式、電子ビーム加熱
方式、スパッタリング、イオンブレーティングなどの公
知の手法を用いることができる。蒸着金属としてはアル
ミニウム、亜鉛、錫、銅、クロム、ニッケル、鉄、チタ
ンおよびこれらの合金、混合物などが挙げられるが、こ
れに限定されるものではない。蒸着膜厚は、表面抵抗値
で１〜７０Ω／口の範囲が好ましい。この蒸着時に、コ
ンデンサーとして必要な長手方向に平行した非金属化帯
（以下、マージンと言うことがある）を形成しておくこ
ともできる。その方法としては、マージンとしたい部分
に金属が蒸着されないようにすればよく、例えば、フィ
ルムの表面に添ってマスク用のテープを走行させる方法
、あるいはマージンとしたい部分にパラフィンなどを塗
布して金属膜の形成を妨げる方法などがある。また、蒸
着時にはマージンを形成せず一面に蒸着し、蒸着後にマ
ージンとしたい部分の蒸着金属を、コロナ放電、レーザ
ー光照射などによって除去する方法もある。本発明にお
いては、該マージンは、フィシム幅方向両端部以外に少
なくとも２条以上形成する。１条以下では、積層時に多
条同時巻回するという効果が達成されない。

このようにして得られた金属化積層フィルムを、必要に
応じて、適当な幅、および長さに切断する。

この後においても、マージンがフィルム幅方向両端部以
外に少なくとも２条以上存在しなければならないことは
言うまでもない。

金属化積層フィルムをコーターにかけ、金属蒸着面の上
にポリフェニレンオキサイド、ポリカーボネートなどか
らなるラッカー層を塗布する工法が知られているが、ラ
ッカー層の塗布厚みは１μｍ以下にすることは困難であ
り、本発明に適用しても、金属化層は誘電体層の片面に
しか形成されていないので、結果的に該ラッカー層と誘
電体層は容量としては直列に形成されることになり、容
量／体積比を著しく損なう。

いずれにせよ、次の巻回積層の工程に移るまでの間、金
属化誘電体層を支持体層から剥離せず、一体として取り
扱うことが必須である３、途中で剥離して、−旦巻取っ
たりすると、巻回積層の工程でしわ、カール、フィルム
切れなどが起こり易く、巻回積層そのものが困難である
し、出来たとしても得られるコンデンサーの絶縁不良率
が極めて高率になり実用的でない。

本発明は、金属化積層フィルム（もしくは容量母体）の
長手方向切断（以下１次切断ということがある）のタイ
ミングの異なる２種類の方法を提供する。以下に、各々
の代表的な例を示すがこれに限定されるものではない。

第１の方法においては、まず該金属化積層フィルムを非
金属化帯近傍の金属化部分に金属化帯１条につき１ケ所
の切れ目が来るように長平方向にスリットする。近傍と
は非金属化帯からおよそ０゜１〜０．５ｍｍ金属化帯に
入った位置である。マージンを形成することなく一面に
蒸着して巻取った金属化積層フィルムを巻出しながらマ
ージンを形成し、そのまま巻取ることなく連続して係る
１−次切断を行なうこともできる。続いて、切れ目の入
った該金属化積層フィルムから表層の金属化誘電体層の
みを剥離して、該金属化誘電体層どうしを巻回積層して
、容量母体を得る。このとき、スリット、剥離、巻回積
層の３工程をフィルムを巻き取らずに連続して行なう必
要がある。−旦巻取って、再び巻出して次工程に入ると
巻回積層時に位置ずれを起こし易く不良率増加の原因と
なり、誘電体層が損傷しやすく絶縁不良率増加の原因と
なる。また、該巻回積層の際、巻回積層条件としては、
切れ目がほぼ重なるように、かつ切れ口近傍の非金属化
帯が給電なる金属化誘電体層表面の左右交互に位置する
ようにする（第１図にその状態を模式的に示す）。ここ
で、非金属化帯との距離が遠い方の金属化誘電体層の切
れ目が該距離が近い方の金属化誘電体層の切れ目より０
〜１．０ｍｍ飛び出す様に配置するのが好ましい。また
、誘電体層の巻回積層前後に、２７０℃で不融の有機高
分子フィルムを巻回積層することによって、保護層を形
成することができるが、この方法に限定されない。

該巻回積層は、同時一体巻回法による。すなわち、平板
、もしくは直径２００−１０００ｍｍのホイールを芯と
して、その周りに金属化フィルムを巻回してい（方法が
一般的だが、平板を芯とするのが好ましい。

該巻回積層時もしくは該巻回積層複鎖容量母体を切れ目
に添って分離する前に該金属化誘電体層を加熱下にて表
面に略垂直な方向に押圧する。該押圧は、誘電体層を形
成するポリマのガラス転移点の３０℃以上高い温度で、
１平方センチメートル当たり１ｋｇ重以上の圧力で行な
うのが好ましい。

平板を芯とする場合には、芯を抜き取らずに該容量母体
を芯板面に垂直方向に加熱押圧するのが好ましい。加熱
押圧条件は、次工程の容量母体の切れ目に添った分離の
際に誘電体層が分離しないような条件でおこなうのが好
ましい。この場合、誘電体層を形成するポリマのガラス
転移点の３００Ｃ以上高い温度で、１平方センチメート
ル当たり５ｋｇ重以上の圧力で行なうのが好ましい。

該押圧された容量母体を切れ目に添って分離するが、そ
の前に芯から容量母体をはずしてしまうのが一般的であ
る。

次に、該分離した容量母体の分離面にメタルスプレーを
施して外部電極を形成して母素子を形成する。この際、
該分離した容量母体にメタルスプレーを施して外部電極
を形成する工程および該分離した容量母体を加熱下に積
層面に垂直に加圧する工程とを任意の順に任意の回数繰
り返すのが好ましい。また、メタルスプレーを施す際、
加圧しながら行なうのが好ましい。また、該母素子を次
に述べる２次切断前に、酸素の存在下に１５０℃以上の
温度で１時間以上加熱することが、容量の安定化と耐湿
ライフの向上の点で好ましい。

かくして得られた母素子を、これを構成するフィルムの
長手方向に垂直な方向に２次切断することにより、コン
デンサー素子を得る。

本発明の第２の方法においては、まず該金属化積層フィ
ルムから金属化誘電体層のみを剥離して、該金属化誘電
体層どうしを、同方向に、給電なる金属化誘電体層にお
いては非金属化帯の位置が重ならないように、かつ−枚
おきの金属化誘電体層においては非金属化帯の位置が重
なるように巻回積層して容量母体を得る（第２図にその
状態を模式的に示す）。このとき、剥離、巻回積層の２
程をフィルムを巻き取らずに連続して行なう必要がある
。−旦巻取って、再び巻出して次工程に入ると巻回積層
時に位置ずれを起こし易く不良率増加の原因となり、誘
電体層が損傷しやすく絶縁不良率増加の原因となる。ま
た、誘電体層の巻回積層前後に、２７０℃で不融の有機
高分子フィルムを巻回積層することによって、保護層を
形成することができるが、この方法に限定されない。

該巻回積層もまた、同時一体巻回法による。すなわち、
平板、もしくは直径２００〜１０００ｍｍのホイールを
芯として、その周りに金属化フィルムを巻回していく方
法が一般的だが、平板を芯とするのが好ましい。

該巻回積層時もしくは該巻回積層複核容量母体を切断す
る前に該金属化誘電体層を加熱下にて表面に略垂直な方
向に押圧する。該押圧は、誘電体層を形成するポリマの
ガラス転移点の３０℃以上高い温度で、１平方センチメ
ートル当たり１ｋｇ重以上の圧力で行な、うのが好まし
い。

平板を芯とする場合には、芯を抜き取らずに該容量母体
を芯板面に垂直方向に加熱押圧するのが好ましい。この
場合、誘電体層を形成するポリマのガラス転移点の３０
℃以上高い温度で、１平方センチメートル当たり５ｋｇ
重以上の圧力で行なうのが好ましい。

ついで容量母体を非金属化帯に平行に金属化帯１条につ
き１ケ所の切れ目が来るように１次切断、分離する。平
板を芯とする場合には、該切断前に芯から容量母体をは
ずしてしまうのが一般的である。

こうして分離された容量母体から母素子を形成する方法
は、本発明の第１の方法と共通である。

かくして得られた母素子を、母素子の長手方向に垂直な
方向に２次切断して目的のコンデンサー素子を得る。

本発明の方法によって製造されたコンデンサー素子は、
そのままチップコンデンサーとして表面実装方式で用い
ることもできるが、必要に応じて、樹脂含浸、電極引出
し部材形成、リード線取り付け、外装被覆形成等を施し
てコンデンサーとすることもできる。

〔発明の効果〕

本発明の方法によれば、極めて薄い誘電体を有し、その
結果として容量／体積比が大きいフィルムコンデンサー
素子を、製造中、層間剥離、メタルスプレーによる絶縁
不良といったトラブルを弓き起こすことな（、能率良く
製造することができる。また本発明の方法によって得た
コンデンサー素子は、耐湿ライフが長く、高温高湿下で
長時間特性が安定している。また、本発明の方法によっ
て製造されたコンデンサー素子は、極薄のフィルムを使
用して極めて小型、大容量化しているにもかかわらず、
容量、耐電圧、絶縁抵抗などのばらつきが少ない。

また本発明の好ましい方法によれば、耐熱性に富むため
、表面実装用コンデンサ（いわゆるチップコンデンサ）
として適している。

本発明の方法によれば、従来２〜３μｍの厚さのフィル
ムを用いて作られていたコンデンサー素子と同一の体積
で、数倍から十倍以上の容量を有する素子を、不良率の
大幅な増加無く製造することが出来る。

〔特性値の測定方法および評価方法〕

本発明の記述に用いた特性値の測定、評価法について説
明する。

（１）ポリマの結晶融解ピーク温度 ＤＳＣに試料１０ｍｇをセットし、２０℃／分の昇温速
度で昇温し、融解にともなう吸熱ピークの頂上部に相当
する温度を融点とした。なお、該ピークが二つ以上ある
ときは、高さが高い方のピークに相当する温度とする。

（２）ポリマのガラス転移点、加熱結晶化の主ピーク、
および種結晶融解ピーク温度 いずれも（１）同様にしてＤＳＣによって測定した。

（３）コンデンサー素子の耐圧不良率 コンデンサー素子１０００個について、誘電体フィルム
の厚さ１μｍ当たりＤＣｌｏｏＶの電圧を瞬時印加法で
印加し、絶縁破壊を起こした素子の割合を耐圧不良率と
した。係る値が小さいほど優れていることは言うまでも
ない。

（４）コンデンサー素子の絶縁抵抗不良率コンデンサー
素子１０００個について電極間の絶縁抵抗を測定し、１
ＭΩ以下の素子の割合を絶縁抵抗不良率とした。係る値
が小さいほど優れていることは言うまでもない。

（５）コンデンサー素子の容量 自動キャパシタンスブリッジを用いて、２５℃、１　ｋ
　ｌｆ　ｔで容！ｌ（キャパシタンス）を測定した。

（６）コンデンサーのハンダ耐熱性 初期容量に対して、２５０℃のハンダ浴中に１０秒間浸
漬した後の容量の変化率によって評価した。係る値が小
さいほど優れていることは言うまでもない。

（実施例および比較例〕 以下、実施例および比較例によって、本発明の実施態様
を説明する。

実施例１ （１）金属化積層フィルムの製造 ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略称する
）に平均粒径０．４μｍの酸化ケイ素微粉末０．４重量
％を均一に分散せしめた組成物と、プロピレン・エチレ
ン共重合体（エチレン６％共重合、融点１３５℃。以下
、ＰＥＣと略称する）とを、別々の押出し機に供給して
、２９０℃で溶融し、口金内で三つの流れが合流する構
造の三層複合用口金の、外側の二層にＰＥＴ系樹脂を、
中心層にＰＥＣをそれぞれ供給し、ＰＥＴ／ＰＥＣ／Ｐ
ＥＴの三層積層状態でシート状に押出し、冷却ドラムに
巻付けて急冷固化せしめて、未延伸三層積層シートとし
た。

このシートをロール間で９０℃で長手方向に３゜３倍延
伸し、次いで、テンタ内で幅方向に９０℃で３．３倍横
延伸し、さらに同一テンタ内で２２０℃で５秒間定長熱
処理して、さらに徐冷して、両表層のＰＥＴ層の厚さが
それぞれ０．５μｍ１中心のＰＥＣ層の厚さが５μｍの
三層積層フィルムを作った。この表層のＰＥＴは二軸配
向している。

このフィルムロールを、７５ｍｍ幅で真空蒸着機にかけ
、片面のＰＥＴ層表面にアルミニウムを表面抵抗２Ω／
口の厚さに片面蒸着した。このとき蒸着部分４．０ｍｍ
に対し、０．３ｍｍの割で長手方向に１２条のマージン
部を形成しておいた。

この金属化積層フィルムをＳ−１とする。

これとは別に、ｐ−フェニレンスルフィド結合１００％
からなるポリ−ｐ−フェニレンスルフィド（以下、ＰＰ
Ｓと略称する）に平均粒径０．４μｍの炭酸カルシウム
微粉末０．５重量％を均一に分散せしめたＰＰＳ系組成
物と、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略
称する）とを、別々の押出し機に供給して、ＰＰＳを３
００℃、ＰＥＴを２９０℃で溶融し、口金内で三つの流
れが合流する構造の三層複合用口金の、外側の二層にＰ
ＰＳ系樹脂を、中心層にＰＥＴをそれぞれ供給し、Ｐ　
Ｐ　Ｓ／Ｐ　ＥＴ／Ｐ　Ｐ　Ｓの三層積層状態でシート
状に押出し、冷却ドラムに巻付けて急冷固化せしめて、
未延伸三層積層シートとした。

このシートをロール間で９８℃で長手方向に４゜１倍延
伸し、次いで、テンタ内で幅方向に１００℃で３．５倍
横延伸し、さらに同一テンタ内で２５０℃で５秒間定長
熱処理して、さらに徐冷して、両表層のＰＰＳ層の厚さ
がそれぞれ０．５μｍ１中心のＰＥＴ層の厚さが３μｍ
の三層積層フィルムを作った。

この表層のＰＰＳは二軸配向している。このフィルムに
上記Ｓ−１と同様の蒸着を施し金属化積層フィルム（Ｓ
−２とする）を得た。

（２）コンデンサー素子の製造 これらの金属化積層フィルムテープ各一対をそれぞれ巻
取機にかけ、２本のテープからそれぞれ１枚づつの金属
化誘電体層を剥離しながら、そのまま２枚合わせて平板
に巻回積層して、容量母体（Ｓ−１を用いたものをＹｌ
−１、Ｓ−２を用いたものをＹｌ−２とする）を得た。

このとき、巻取機の巻回直前の部分（金属化誘電体層が
支持体から剥離される前）にカッター機構を設け、金属
化誘電体層のマージン部分から０．５ｍｍの位置に切れ
目を入れた後、金属化誘電体層を剥離しながら切れ目の
位置が重なるように巻回した。このとき２枚の金属化誘
電体層の位置関係を調節して、巻回後第１図に図示した
ような積層構造になるようにした。また、該巻回積層の
前後に厚さ２５０μのポリフェニレンスルフィドフィル
ムをそれぞれ１回巻回して保護層とした。

次に該容量母体を、Ｙｌ−１は１５０℃で、Ｙｌ−２は
１７０℃で、それぞれ１ｋｇ／Ｃｍ２で押圧をした後、
芯板の両面の容量母体をそれぞれ芯板から剥し、さらに
切れ目に添って容量母体を分離した。これを２４本積み
重ねて、上下から加圧しながらアルミニウムを主成分と
するメタルスプレーを施し、さらにそのまま、Ｙｌ−１
は１６０℃で、Ｙｌ−２は１８０℃で、１ｋｇ／ｃｍ２
の圧力で押圧をし、さらにもう１回アルミニウムを主成
分とするメタルスプレーを施し、さらに空気雰囲気下で
、Ｙｌ−１は１８０℃で、Ｙｌ−２は２２０℃でそれぞ
れ５時間熱処理して母素子（Ｓ−１を用いたものをＢ１
−１、Ｓ−２を用いたものをＢ１−２とする）を得た。

これを２次切断してそれぞれ容量０．４７μＦのコンデ
ンサー素子（Ｓ−１を用いたものを０１−１、Ｓ−２を
用いたものを０１−２とする）を得た。

（３）評価 得られたコンデンサー素子の評価結果を第１表に示す。

実施例２ 金属化積層フィルムとして、Ｓ−１、およびＳ−２を用
いた。これらの金属化積層フィルムテープ各一対をそれ
ぞれ巻取機にかけ、２本のテープからそれぞれ１枚づつ
の金属化誘電体層を剥離しながら、そのまま２枚重ね合
わせて平板に巻回積層して、容量母体（Ｓ−１を用いた
ものをＹ２−１、Ｓ−２を用いたものをＹ２−２とする
）を得た。このとき重ね合わせる２枚の金属化誘電体層
のマージン部どうしが１ｍｍの距離を保つ（この間隔の
中央を後に１次切断位置とする）ように位置関係を調節
して、巻回後第２図に図示したような積層構造になるよ
うにした。また、該巻回積層の前後に厚さ２５０μのポ
リフェニレンスルフィドフィルムをそれぞれ１回巻回し
て保護層とした。

次に該容量母体を、Ｙ２−１は１５０℃で、Ｙ２−２は
１７０℃で、それぞれ１ｋｇ／ｃｍ２で押圧をした後、
芯板の両面の容量母体をそれぞれ芯板から剥し、さらに
前述の１次切断位置で容量母体を切断、分離した。

続いて、実施例１と同様にして、メタルスプレ、押圧、
熱処理をほどこして、母素子（Ｓ−１を用いたものをＢ
２−１、Ｓ−２を用いたものをＢ２−２とする）を得た
。

これを２次切断してそれぞれ容量０．４７μＦのコンデ
ンサー素子（Ｓ−１を用いたものを０２−１、Ｓ−２を
用いたものを０２−２とする）を得た。

得られたコンデンサー素子の評価結果を第１表に示す。

比較例１ 積層フィルムの代わりに、厚さ１．５μｍの単層ポリエ
チレンテレフタレートフィルムを用い、剥離工程を含ま
ない他は実施例２と同様にして、容量０．４７μＦのコ
ンデンサー素子（Ｃ３−３）を得た。

得られたコンデンサー素子の評価結果を第１表に示す。

比較例２ 積層フィルムの代わりに、厚さ０．７μｍの単層ポリエ
チレンテレフタレートフィルムを用い、剥離工程を含ま
ない他は実施例１と同様にして、コンデンサー素子の作
成を試みたが、蒸着時にフィルムに皺が入ったり、フィ
ルム切れを起こしたりして、その後の工程を実施するこ
とができなかった。

比較例３ 金属化積層フィルムとして、Ｓ−１を用いた。

該金属化積層フィルムを、直径６００ｍｍの円筒状の芯
を有する巻取機で実施例１と同様にして巻回積層した。

これを、芯筒ごと１５０℃で１時間熱処理した後、円筒
の対向する２ケ所で容量１体を切り離し、切れ目に添っ
て分離しようとしたが、多くは層間剥離を起こした。ま
た、層間剥離しなかったものにメタルスプレーを施すた
めにプレスしようとすると、円弧状から直線状への形状
変化で層ずれを生じ易かった。

１４０℃の温度で１ｋｇ／ｃｍ２の圧力で押圧をした後
、実施例１と同様にして、メタルスプレ、押圧、熱処理
をほどこして、毒素子（Ｂ４−１とする）を得た。

これを２次切断して容ｆｆ１０．４７μＦのコンデンサ
ー素子（Ｃ４−１とする）を得た。

得られたコンデンサー素子の評価結果を第１表に示す。

第１表から、本発明の方法によると、従来の方法に比べ
極薄のフィルムを用いた容量／体積比の大きいコンデン
サー素子が、能率良く得られ、また得られたコンデンサ
ー素子は、耐圧や絶縁抵抗の不良率が小さいことが判る
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の方法によって金属化積層フィル
ムを巻回積層して得られる容量母体のフィルム幅方向の
断面図の一例、第２図は本発明の第２の方法によって金
属化積層フィルムを巻回積層して得られる容量母体のフ
ィルム幅方向の断面図の一例を示す。 １：誘電体層 ２：蒸着金属 ３：非金属化帯 ４：第１の方法によってスリット（第１次切断）した部
分 ５：第２の方法によって第１次切断する位置（未切断）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）有機高分子フィルムからなる支持体層の片面もし
   くは両面に、厚さ０．１〜１．０μｍの有機高分子フィ
   ルムからなる誘電体層が、該支持体層と剥離可能となる
   ように密着されてなる積層フィルムの、該誘電体層面に
   電極となる金属蒸着を施して、フィルム幅方向両端部以
   外に２条以上の長手方向に平行した非金属化帯を形成し
   た金属化積層フィルムを得る手段と、該金属化積層フィ
   ルムを長手方向にスリットした後、金属化誘電体層のみ
   を剥離して、該金属化誘電体層を同時一体巻回法によっ
   て巻回積層して容量母体を形成する一連の工程を、フィ
   ルムを巻き取らずに連続して行なう手段と、該巻回積層
   時もしくは該巻回積層後該容量母体を上記スリットした
   切れ目に添って分離する前に該金属化誘電体層を加熱下
   にて表面に略垂直な方向に押圧する手段と、該押圧され
   た容量母体を切れ目に添って分離する手段と、該分離し
   た容量母体の分離面にメタルスプレーを施して外部電極
   を形成して母素子を形成する手段と、該母素子を母素子
   の長手方向に垂直な方向に２次切断する手段を具備して
   なるコンデンサー素子の製造方法。
2. （２）有機高分子フィルムからなる支持体層の片面もし
   くは両面に、厚さ０．１〜１．０μｍの有機高分子フィ
   ルムからなる誘電体層が、該支持体層と剥離可能となる
   ように密着されてなる積層フィルムの、該誘電体層面に
   電極となる金属蒸着を施して、フィルム幅方向両端部以
   外に２条以上の長手方向に平行した非金属化帯を形成し
   た金属化積層フィルムを得る手段と、該金属化積層フィ
   ルムから金属化誘電体層のみを剥離して、該金属化誘電
   体層を同時一体巻回法によって巻回積層して容量母体を
   形成する一連の工程を、フィルムを巻き取らずに連続し
   て行なう手段と、該巻回積層時もしくは該巻回積層後該
   容量母体を非金属化帯に平行に切断する前に該金属化誘
   電体層を加熱下にて表面に略垂直な方向に押圧する手段
   と、該押圧された容量母体を非金属化帯に平行に切断、
   分離する手段と、該分離した容量母体の分離面にメタル
   スプレーを施して外部電極を形成して母素子を形成する
   手段と、該母素子を母素子の長手方向に垂直な方向に２
   次切断する手段を具備してなるコンデンサー素子の製造
   方法。
3. （３）請求項１または２に記載の方法において、誘電体
   層が、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンスル
   フィドケトン、あるいはこれらの共重合体または／およ
   び混合物、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエステル
   から選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とする
   コンデンサー素子の製造方法。
4. （４）請求項１〜３のいずれかに記載の方法において、
   電極となる蒸着金属がアルミニウムを主成分とする金属
   であり、かつ母素子形成後、２次切断前に、該母素子を
   酸素の存在下に１７０℃以上の温度で１時間以上加熱す
   ることを特徴とするコンデンサー素子の製造方法。
5. （５）請求項１〜４のいずれかに記載の方法において、
   コンデンサー素子の両表層に、２７０℃で不融の有機高
   分子フィルムを積層した保護層を形成することを特徴と
   するコンデンサー素子の製造方法。
6. （６）請求項５に記載の保護層が、ポリフェニレンスル
   フィド、ポリフェニレンスルフィドケトン、あるいはこ
   れらの共重合体または／および混合物、ポリエーテルエ
   ーテルケトン、ポリエチレン−２，６−ナフタレートか
   ら選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とするコ
   ンデンサー素子の製造方法。
7. （７）請求項５に記載の方法において、誘電体層と保護
   層がともに、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレ
   ンスルフィドケトン、あるいはこれらの共重合体または
   ／および混合物、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエ
   チレン−２，６−ナフタレートから選ばれた少なくとも
   一種からなることを特徴とするコンデンサー素子の製造
   方法。
8. （８）請求項５に記載の方法において、誘電体層と保護
   層がともに、ポリエーテルエーテルケトンからなること
   を特徴とするコンデンサー素子の製造方法。