JPH03155687A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH03155687A JPH03155687A JP1295874A JP29587489A JPH03155687A JP H03155687 A JPH03155687 A JP H03155687A JP 1295874 A JP1295874 A JP 1295874A JP 29587489 A JP29587489 A JP 29587489A JP H03155687 A JPH03155687 A JP H03155687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- solid
- semiconductor
- state laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスクの記録再生やレーザ応用計測等に用
いられる超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に関
するものである。
いられる超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に関
するものである。
従来の技術
固体レーザ装置の励起には、従来、アークランプやフラ
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起効率が良くな
いためにレーザ全体の効率は悪（、ランプやレーザ媒質
の放熱の点から、装置は大型とならざるを得なかった。
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起効率が良くな
いためにレーザ全体の効率は悪（、ランプやレーザ媒質
の放熱の点から、装置は大型とならざるを得なかった。
ところが近年、半導体レーザの高出力化に伴いこれを固
体レーザの励起源として用いる試みがなされるようにな
ってきた。半導体１）−ザを用いると、固体レーザの吸
収帯に波長を合わせることができ、励起効率は非常に良
（なる。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がな
いために放熱も楽になり、小型で高効率の固体レーザが
実現できる。
体レーザの励起源として用いる試みがなされるようにな
ってきた。半導体１）−ザを用いると、固体レーザの吸
収帯に波長を合わせることができ、励起効率は非常に良
（なる。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がな
いために放熱も楽になり、小型で高効率の固体レーザが
実現できる。
一方ＫＴ ｉ ０ＰＯ４（ＫＴＰ）結晶などの非線形光
学結晶を用いて固体レーザ光を高調波に変換して、緑色
や青色の可視光を得る方法も従来がら知られており、先
述の半導体レーザ励起による固体レーザ光の高調波を利
用する試みもなされるようになってきた。
学結晶を用いて固体レーザ光を高調波に変換して、緑色
や青色の可視光を得る方法も従来がら知られており、先
述の半導体レーザ励起による固体レーザ光の高調波を利
用する試みもなされるようになってきた。
第４図に従来の半導体レーザ励起Ｎｄ ： ＹＡＧレー
ザの構成図を示す。同一パッケージ内にＮｄ：ＹＡＧロ
ッド、ＫＴＰ結晶２．セルフォックレンズ４．半導体レ
ーザチップ５が収められている。
ザの構成図を示す。同一パッケージ内にＮｄ：ＹＡＧロ
ッド、ＫＴＰ結晶２．セルフォックレンズ４．半導体レ
ーザチップ５が収められている。
ＹＡＧレーザの共振器はＹＧＡロッド１の励起側面図１
−ＡとＫＴＰ結晶２の出射側端面２−Ｂのあいだで形成
されており、この共振器内にＫＴＰ結晶２が挿入された
形になっている。半導体レーザ光はセルフォックレンズ
４でＹＡＧロッドの端面上に集光され、ＹＡＧロッド１
を軸方向から励起している。
−ＡとＫＴＰ結晶２の出射側端面２−Ｂのあいだで形成
されており、この共振器内にＫＴＰ結晶２が挿入された
形になっている。半導体レーザ光はセルフォックレンズ
４でＹＡＧロッドの端面上に集光され、ＹＡＧロッド１
を軸方向から励起している。
発明が解決しようとする課題
第２図に示すような、基本波の共振器内に非線形光学結
晶を挿入して第２高調波に変換する方式では、共振器内
にい（つかの基本波の軸モードが存在し、その和周波が
非線形光学結晶内で生じるため、第２高調波が強く変調
されてノイズの原因となっていた。特に光ディスクにこ
の第２高調波を利用する際に大きな問題となっている。
晶を挿入して第２高調波に変換する方式では、共振器内
にい（つかの基本波の軸モードが存在し、その和周波が
非線形光学結晶内で生じるため、第２高調波が強く変調
されてノイズの原因となっていた。特に光ディスクにこ
の第２高調波を利用する際に大きな問題となっている。
課題を解決するための手段
和周波による第２高調波のノイズを低減するために、本
発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、ＫＴＰ結晶
、λ／４板（λ−１．０６４μｍ）、Ｎｄ ： ＹＡＧ
ロッド、セルフォックレンズ、半導体レーザチップの順
に同一パッケージ内に収められて構成されている。
発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、ＫＴＰ結晶
、λ／４板（λ−１．０６４μｍ）、Ｎｄ ： ＹＡＧ
ロッド、セルフォックレンズ、半導体レーザチップの順
に同一パッケージ内に収められて構成されている。
作用
以上の構成により、一体化された超小型の低ノイズ緑色
レーザが実現できる。
レーザが実現できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を引き用しなが
ら説明する。第１図に本発明の半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の構造図を示す。同一パッケージ内にＫＴＰ結
晶２．λ／４板３くλ１．０６４μｍ）、Ｎｄ ： Ｙ
ＡＧロッド１．セルフォックレンズ４．半導体レーザチ
ップ５の順に収められている。ＹＡＧロッド１はＮｄ濃
度１３１％２直径３鴫、長さ５鴫である。λ／４板３は
幅３×３鴫、長さ５嘘、ＫＴＰ結晶２は幅３×３閣。
ら説明する。第１図に本発明の半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の構造図を示す。同一パッケージ内にＫＴＰ結
晶２．λ／４板３くλ１．０６４μｍ）、Ｎｄ ： Ｙ
ＡＧロッド１．セルフォックレンズ４．半導体レーザチ
ップ５の順に収められている。ＹＡＧロッド１はＮｄ濃
度１３１％２直径３鴫、長さ５鴫である。λ／４板３は
幅３×３鴫、長さ５嘘、ＫＴＰ結晶２は幅３×３閣。
長さ５ｍである。共振器はＹＡＧロッド１の励起側端面
１−ＡとＫＴＰ結晶２の出射側端面２−Ｂのあいだで形
成されており、前者は曲率半径６０曜の凸面ミラー、後
者は平面ミラーになっている。ＫＴＰ結晶２がＮｄ ：
ＹＡＧレーザの共振器内に挿入された構造になってお
り、しかもビームウェストがＫＴＰ結晶２内にあるので
、効率よく高調波への変換がおこなわれる。ＹＡＧロッ
ド１、λ／４板３．ＫＴＰ結晶２の各面での各波長に対
する反射膜コーティングは表１に示す通りである。
１−ＡとＫＴＰ結晶２の出射側端面２−Ｂのあいだで形
成されており、前者は曲率半径６０曜の凸面ミラー、後
者は平面ミラーになっている。ＫＴＰ結晶２がＮｄ ：
ＹＡＧレーザの共振器内に挿入された構造になってお
り、しかもビームウェストがＫＴＰ結晶２内にあるので
、効率よく高調波への変換がおこなわれる。ＹＡＧロッ
ド１、λ／４板３．ＫＴＰ結晶２の各面での各波長に対
する反射膜コーティングは表１に示す通りである。
表 １
また励起用に波長０．８０９μｍの半導体レーザチップ
４を用い、セルフォックレンズ４で集光してＹＡＧロッ
ド１を軸励起している。
４を用い、セルフォックレンズ４で集光してＹＡＧロッ
ド１を軸励起している。
ＫＴＰ結晶２はＴＹＰＥＨの位相整合を用いており、λ
／４板３の軸方向はＫＴＰ結晶２の常波及び異常波の方
向と４５度の角をなしている。第２図にλ／４板３を挿
入したときく第２図（ａ）〉としないとき（第２図（ｂ
））の高調波０．５３μｍのパワー変化をトレースした
図を示す。この図かられかるように、λ／４板を挿入す
ることによりノイズが減少して高調波０．５３μｍの出
力が安定することがわかる。第３図にλ／４板を挿入し
たときの入出力特性を示す。半導体レーザの駆動電流が
４００ｍＡのとき１６ｍＷの高調波０．５３μｍの出力
を得た。
／４板３の軸方向はＫＴＰ結晶２の常波及び異常波の方
向と４５度の角をなしている。第２図にλ／４板３を挿
入したときく第２図（ａ）〉としないとき（第２図（ｂ
））の高調波０．５３μｍのパワー変化をトレースした
図を示す。この図かられかるように、λ／４板を挿入す
ることによりノイズが減少して高調波０．５３μｍの出
力が安定することがわかる。第３図にλ／４板を挿入し
たときの入出力特性を示す。半導体レーザの駆動電流が
４００ｍＡのとき１６ｍＷの高調波０．５３μｍの出力
を得た。
発明の効果
本発明の半導体レーザ励起固体１ノ−ザ装置は、低ノイ
ズ出力の超小型固体レーザ高調波レーザであり、光ディ
スクの記録再生、１ノ−ザプリンタ。
ズ出力の超小型固体レーザ高調波レーザであり、光ディ
スクの記録再生、１ノ−ザプリンタ。
レーザ応用計測等に大きな効果を有する。
第１図に本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構
造図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明のレーザ装置
の出力の時間痩化および従来構造のレーザ装置の出力の
時間変化をそれぞれ示す図、第３図は本発明の駆動電流
に対する高調波０．５３μｍの出力を示す図、第４図は
従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構造図である
。 １・・・・・・Ｎｄ ： ＹＡＧロッド、２・・・・・
・ＫＴＰ結晶、３・・・・・・λ／４板、４・・・・・
・セルフオンレンズ、５・・・・・・半導体装直胴レー
ザチップ、６・・・・・・ＰＩＮフォトダイオード、７
・・・・・・ベース。
造図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明のレーザ装置
の出力の時間痩化および従来構造のレーザ装置の出力の
時間変化をそれぞれ示す図、第３図は本発明の駆動電流
に対する高調波０．５３μｍの出力を示す図、第４図は
従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構造図である
。 １・・・・・・Ｎｄ ： ＹＡＧロッド、２・・・・・
・ＫＴＰ結晶、３・・・・・・λ／４板、４・・・・・
・セルフオンレンズ、５・・・・・・半導体装直胴レー
ザチップ、６・・・・・・ＰＩＮフォトダイオード、７
・・・・・・ベース。
Claims (1)
- 同一パッケージ内に非線形光学結晶、λ／４板、固体レ
ーザ媒質、レンズ、半導体レーザチップが順に収められ
ており、前記固体レーザ媒質の前記半導体レーザチップ
に近い方の端面と、前記非線形光学結晶の前記半導体レ
ーザチップに遠い方の端面とで光共振器を形成しており
、前記λ／４板と前記非線形光学結晶が前記共振器内に
挿入された形になっており、前記レンズで半導体レーザ
光を集光して前記固体レーザ媒質を軸方向に端面励起す
ることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295874A JPH03155687A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295874A JPH03155687A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155687A true JPH03155687A (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17826296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1295874A Pending JPH03155687A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03155687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5882338A (en) * | 1993-05-04 | 1999-03-16 | Zeneca Limited | Syringes and syringe pumps |
| US6019745A (en) * | 1993-05-04 | 2000-02-01 | Zeneca Limited | Syringes and syringe pumps |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253878A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | Ｎｄ−ＹＡＧレ−ザ |
| JPH01220879A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sony Corp | レーザ光源 |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP1295874A patent/JPH03155687A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253878A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | Ｎｄ−ＹＡＧレ−ザ |
| JPH01220879A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sony Corp | レーザ光源 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5882338A (en) * | 1993-05-04 | 1999-03-16 | Zeneca Limited | Syringes and syringe pumps |
| US6019745A (en) * | 1993-05-04 | 2000-02-01 | Zeneca Limited | Syringes and syringe pumps |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1084155A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JP2000124533A (ja) | 固体レーザー装置 | |
| JPH03155687A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2596462B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2666548B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH05183220A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH04291976A (ja) | Ｓｈｇ素子 | |
| JP3024003B2 (ja) | 半導体レーザ光源 | |
| JPH033377A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH11177167A (ja) | 小型半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2754101B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JPH08102564A (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
| JPH04158588A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2006165292A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH03287140A (ja) | レーザー光波長変換装置 | |
| JPH0391979A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2606101B2 (ja) | Ｓｈｇ固体レーザ光源 | |
| JP2000183433A (ja) | 固体ｓｈｇレーザ装置 | |
| JP3151081B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0482282A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2981671B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP3034087B2 (ja) | 半導体レーザ励起コヒーレント光源 | |
| JPH03292783A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH04268777A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH05226752A (ja) | ダイオード励起固体レーザ装置および光磁気ディスク装置のピックアップ |