JPH03156887A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH03156887A JPH03156887A JP29665189A JP29665189A JPH03156887A JP H03156887 A JPH03156887 A JP H03156887A JP 29665189 A JP29665189 A JP 29665189A JP 29665189 A JP29665189 A JP 29665189A JP H03156887 A JPH03156887 A JP H03156887A
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- Japan
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- circuit
- semiconductor switching
- switching element
- voltage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波加熱装置、特にマグネトロンの駆動に
関するものである。
関するものである。
第６図は例えば特開昭８１−２７９０９４号公報に示さ
れた従来の高周波加熱装置に示された制御回路図であり
・１図において（２Ｂ）は直流電源、（ロ）は平滑コン
デンサ、（３）はマグネトロン駆動用変圧１． （２７
）は変圧器（３）に並列に接続された共振コンデンサ、
（５）は変圧器（３）に直列接続された半導体スイッチ
ング素子、 （１！ｌ）は半導体スイッチング素子（５
）に並列接続された転流ダイオードであり、変圧器（３
）、共振コンデンサ（２７）、半導体スイッチング素子
（５）と共にインバータ回路を構成する。変圧器（３）
の２次側の第１の巻線には高圧コンデンサ■が接続され
、高圧ダイオード（２１）と共に半波倍電圧整流回路に
よるマグネトロン駆動回路（８）を構成する。また、変
圧器（３）の２次側の第２の巻線にはダイオード（２８
） 。
れた従来の高周波加熱装置に示された制御回路図であり
・１図において（２Ｂ）は直流電源、（ロ）は平滑コン
デンサ、（３）はマグネトロン駆動用変圧１． （２７
）は変圧器（３）に並列に接続された共振コンデンサ、
（５）は変圧器（３）に直列接続された半導体スイッチ
ング素子、 （１！ｌ）は半導体スイッチング素子（５
）に並列接続された転流ダイオードであり、変圧器（３
）、共振コンデンサ（２７）、半導体スイッチング素子
（５）と共にインバータ回路を構成する。変圧器（３）
の２次側の第１の巻線には高圧コンデンサ■が接続され
、高圧ダイオード（２１）と共に半波倍電圧整流回路に
よるマグネトロン駆動回路（８）を構成する。また、変
圧器（３）の２次側の第２の巻線にはダイオード（２８
） 。
コンデンサ（２９）が接続され、マグネトロン（９）ヘ
フィラメント電圧を供給している。
フィラメント電圧を供給している。
従来の高周波加熱装置は上記のように構成され。
その動作を第７図に示す制御タイミング波形図を泪いて
説明する。
説明する。
半導体スイッチング素子（５）のペースエミッタ間に第
７図（＆）に示す正の電圧（３０）を加えると 半導体
スイッチング素子（５）がＯＮＩ、、変圧器（３）には
第７図（ｂ）に示すＶｄｃなる直流電圧（３１）が加わ
り、第７図（ｅ）に示す電流（３２）が変圧器（３）に
流れる。 このとき半導体スイッチング素子（５１のコ
レクタ電流ＩＣ，コレクターエミッタ間電圧Ｖｃｅはそ
れぞれ第７図（ｅ） 、 （ｄ）に示す（３３） 、
（３４）のようになる。半導体スイッチング素子（５）
のペースエミッタ間に正の電圧（３０）が加わる期間、
即ち半導体スイッチング素子（５）がＯＮＩ、ている期
間に変圧器（３）の１次側に発生する直流電圧Ｖｄｃを
変圧器（３）にて昇圧して２次側の第１の巻線に数千Ｋ
Ｖの高圧を発生させる。
７図（＆）に示す正の電圧（３０）を加えると 半導体
スイッチング素子（５）がＯＮＩ、、変圧器（３）には
第７図（ｂ）に示すＶｄｃなる直流電圧（３１）が加わ
り、第７図（ｅ）に示す電流（３２）が変圧器（３）に
流れる。 このとき半導体スイッチング素子（５１のコ
レクタ電流ＩＣ，コレクターエミッタ間電圧Ｖｃｅはそ
れぞれ第７図（ｅ） 、 （ｄ）に示す（３３） 、
（３４）のようになる。半導体スイッチング素子（５）
のペースエミッタ間に正の電圧（３０）が加わる期間、
即ち半導体スイッチング素子（５）がＯＮＩ、ている期
間に変圧器（３）の１次側に発生する直流電圧Ｖｄｃを
変圧器（３）にて昇圧して２次側の第１の巻線に数千Ｋ
Ｖの高圧を発生させる。
乙の高電圧を高圧コンデンサ■、高圧ダイオード（２１
）からなる半波倍電圧整流であるマグネトロン駆動回路
（８）によりマグネトロン（９）を駆動させるのに必要
な半波倍電圧に変換しマグネトロン（９）に電流を流し
駆動させろ。
）からなる半波倍電圧整流であるマグネトロン駆動回路
（８）によりマグネトロン（９）を駆動させるのに必要
な半波倍電圧に変換しマグネトロン（９）に電流を流し
駆動させろ。
次に、半導体スイッチング素子（５）のペースエミッタ
間に第７図（＆）に示す負の電圧（３５）を加えると、
半導体スイッチング素子（５）が逆バイアスされＯＦＦ
する。半導体スイッチング素子（５）がＯＦＦするとそ
のコレクタ電圧１ｃはゼロとなり、コレクターエミッタ
間電圧Ｖｃｅは（３６）に示すように変圧器（３）の１
次側インダクタンスと、共振コンデンサ（２７）の共振
電圧としてはね上がる。この半導体スイッチング素子（
５）がＯＦＦの期間は変圧器（３）の１次側の電圧は（
３１）の通りとなり変圧器の２次側の半波倍電圧整流回
路は高圧コンデンサ■を充電する方向に高圧ダイオード
（２１）が導通してマグネトロン（９）には電流が流れ
ない。次に半導体スイッチング素子（５）のＶｃｅがゼ
ロとなるポイント０点を検出して再びＶｂｅに正の電圧
を加えて半導体スイッチング素子（５）をＯＮ状態にさ
せる。
間に第７図（＆）に示す負の電圧（３５）を加えると、
半導体スイッチング素子（５）が逆バイアスされＯＦＦ
する。半導体スイッチング素子（５）がＯＦＦするとそ
のコレクタ電圧１ｃはゼロとなり、コレクターエミッタ
間電圧Ｖｃｅは（３６）に示すように変圧器（３）の１
次側インダクタンスと、共振コンデンサ（２７）の共振
電圧としてはね上がる。この半導体スイッチング素子（
５）がＯＦＦの期間は変圧器（３）の１次側の電圧は（
３１）の通りとなり変圧器の２次側の半波倍電圧整流回
路は高圧コンデンサ■を充電する方向に高圧ダイオード
（２１）が導通してマグネトロン（９）には電流が流れ
ない。次に半導体スイッチング素子（５）のＶｃｅがゼ
ロとなるポイント０点を検出して再びＶｂｅに正の電圧
を加えて半導体スイッチング素子（５）をＯＮ状態にさ
せる。
以上のことを繰り返すことによりマグネトロンを駆動さ
せる従来の制御方法は、Ｖｃｅがゼロとなった時点で半
導体スイッチング素子（５）をＯＮさせるためＯＮ時の
スイッチング損失が少なく電圧共振法とじて広く知られ
ている。
せる従来の制御方法は、Ｖｃｅがゼロとなった時点で半
導体スイッチング素子（５）をＯＮさせるためＯＮ時の
スイッチング損失が少なく電圧共振法とじて広く知られ
ている。
従来の高周波加熱装置は上記のように構成されているが
、半導体スイッチング素子の駆動回路がノイズ等の影響
を受けると、半導体スイッチング素子が導通しっ放しに
なり破損するという課題があった。
、半導体スイッチング素子の駆動回路がノイズ等の影響
を受けると、半導体スイッチング素子が導通しっ放しに
なり破損するという課題があった。
この発明は以上のような課題を解消するためになされた
もので、半導体スイッチング素子の破壊を防止するよう
にした高周波加熱装置を得ることを目的とする。
もので、半導体スイッチング素子の破壊を防止するよう
にした高周波加熱装置を得ることを目的とする。
この発明にかかる高周波加熱装置は、商用電源を整流・
平滑して直流電源を作る整流・平滑回路。
平滑して直流電源を作る整流・平滑回路。
この整流・平滑回路に接続された変圧器、この変圧器に
直列に接続された半導体スイッチング素子。
直列に接続された半導体スイッチング素子。
この半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路。
前記変圧器の２次側に接続されたマグネトロン駆動回路
、このマグネトロン駆動回路によって駆動されるマグネ
トロンを備え、前記駆動回路にその基準クロックを作る
発振回路、この発振回路の発振が停止した時に前記駆動
回路を停止させる発振停止保護回路を設けるようにした
ものである。
、このマグネトロン駆動回路によって駆動されるマグネ
トロンを備え、前記駆動回路にその基準クロックを作る
発振回路、この発振回路の発振が停止した時に前記駆動
回路を停止させる発振停止保護回路を設けるようにした
ものである。
また、この他の発明にかかる高周波加熱装置は。
発振停止保護回路によって停止された半導体スイッチン
グ素子が駆動状態に入る時、ｉ￥ｉＪ記半導体スイッチ
ング素子の導通期間を徐々に広げるソフトスタート回路
を設けるようにしたものである。
グ素子が駆動状態に入る時、ｉ￥ｉＪ記半導体スイッチ
ング素子の導通期間を徐々に広げるソフトスタート回路
を設けるようにしたものである。
この発明における高周波加熱装置は、駆動回路の基準ク
ロックを作る発振回路の発振が停止した時に２発振停止
保護回路でこれを検出し駆動回路を停止して半導体スイ
ッチング素子の駆動を停止する。
ロックを作る発振回路の発振が停止した時に２発振停止
保護回路でこれを検出し駆動回路を停止して半導体スイ
ッチング素子の駆動を停止する。
また、この発明における高周波加熱装置は、ソフトスタ
ート回路を設け、停止した半導体スイッチング素子が駆
動に入る時、導通期間を徐々に広げることにより、異常
な過電圧等が半導体スイノチング素子に加わることを防
止できる。
ート回路を設け、停止した半導体スイッチング素子が駆
動に入る時、導通期間を徐々に広げることにより、異常
な過電圧等が半導体スイノチング素子に加わることを防
止できる。
以下、この発明の一実施例について図を用いて説明する
。
。
第１図はこの発明による高周波加熱装置の一実施例を示
す制御回路図である。
す制御回路図である。
図において、（１）は商用電源、（２）は整流・平滑回
路で、ヒユーズ叫、スイッチ０１）を通して接続され。
路で、ヒユーズ叫、スイッチ０１）を通して接続され。
整流素子■、平滑チョークコイル■、平滑コンデンサ（
ロ）で構成されている。Ｃ９は整流・平滑回路（２）に
接続された制限抵抗、（３）はマグネトロン駆動用変圧
ｔｌ、（４１は変圧器（３）に接続されたスナバ回路で
。
ロ）で構成されている。Ｃ９は整流・平滑回路（２）に
接続された制限抵抗、（３）はマグネトロン駆動用変圧
ｔｌ、（４１は変圧器（３）に接続されたスナバ回路で
。
コンデンサ（ｒ７）、抵抗（ＩＪ、ダイオード（■で構
成される。（５）は変圧Ｗｊ（３１に直列接続された半
導体スイッチング素子、 （１３）は半導体スイッチン
グ素子（５）に並列接続された転流ダイオードであり、
変圧器（３）。
成される。（５）は変圧Ｗｊ（３１に直列接続された半
導体スイッチング素子、 （１３）は半導体スイッチン
グ素子（５）に並列接続された転流ダイオードであり、
変圧器（３）。
スナバ回路（４）、半導体スイッチング素子（５）と共
にインバータ回路（６）を構成する。半導体スイッチン
グ素子（５）のベースには駆動回路（７）が接続される
。
にインバータ回路（６）を構成する。半導体スイッチン
グ素子（５）のベースには駆動回路（７）が接続される
。
変圧！ （３１の２次側の第１の巻線には高圧コンデン
サ（至）が接続され、高圧ダイオード（２１）と共に半
波倍電圧駆動回路によるマグネトロン駆動回路（８）を
構成し、カットオフダイオード（２２）を通してマグネ
トロン（９）に高電圧を供給する。また、変圧器（３）
の２次側の第２の巻線には同じくマグネトロン（９）の
フィラメントが接続され、マグネトロン（９）にフィラ
メント電圧を供給する。（２３） 、 （２４）ばマグ
ネトロン、陽極電流検出抵抗であり、 （２３）は出力
制御用検出兼過電流検出抵抗、 （２４）はマグネトロ
ンピーク電流制限抵抗としての役目を果す。
サ（至）が接続され、高圧ダイオード（２１）と共に半
波倍電圧駆動回路によるマグネトロン駆動回路（８）を
構成し、カットオフダイオード（２２）を通してマグネ
トロン（９）に高電圧を供給する。また、変圧器（３）
の２次側の第２の巻線には同じくマグネトロン（９）の
フィラメントが接続され、マグネトロン（９）にフィラ
メント電圧を供給する。（２３） 、 （２４）ばマグ
ネトロン、陽極電流検出抵抗であり、 （２３）は出力
制御用検出兼過電流検出抵抗、 （２４）はマグネトロ
ンピーク電流制限抵抗としての役目を果す。
また変圧器（３）の２次側の第３の巻線（４６）は過電
流検出巻線であり、整流ダイオード（４９）を通して過
電圧検出回路（２５）に入力され、過電圧検出回路（２
５）の出力は駆動回路（７）に入力され、駆動回路（７
）の出力によって半導体スイッチング素子（５）を駆動
させる。駆動回路（７）の内部には発振回路（７１）、
出力制御回路（７２）、ソフトスタート回路（５７）
、 ドライブ回路（７３１，発振停止保護回路（５０
）があり、出力制御口＃ （７２）には駆動停止端子（
３８）が２発振停止保護回路（５０）には発振停止検出
回＃ （７４）と比較回路（７５）がある。
流検出巻線であり、整流ダイオード（４９）を通して過
電圧検出回路（２５）に入力され、過電圧検出回路（２
５）の出力は駆動回路（７）に入力され、駆動回路（７
）の出力によって半導体スイッチング素子（５）を駆動
させる。駆動回路（７）の内部には発振回路（７１）、
出力制御回路（７２）、ソフトスタート回路（５７）
、 ドライブ回路（７３１，発振停止保護回路（５０
）があり、出力制御口＃ （７２）には駆動停止端子（
３８）が２発振停止保護回路（５０）には発振停止検出
回＃ （７４）と比較回路（７５）がある。
さらにソフトスタート回路（５７）が出力制御回路（７
２）に接続されている。
２）に接続されている。
次に、上記一実施例の動作を第２図に示す制御タイミン
グ波形図を用いて説明する。
グ波形図を用いて説明する。
半導体スイッチング素子（５）のベース−エミッタ間に
第２図（＆）に示す正の電圧（３９）を加えると半導体
スイッチング素子（５）がＯＮｊ、、変圧器（３）には
第２図（ｂ）に示すＶｄｅなる直流電圧（４０）が加わ
り。
第２図（＆）に示す正の電圧（３９）を加えると半導体
スイッチング素子（５）がＯＮｊ、、変圧器（３）には
第２図（ｂ）に示すＶｄｅなる直流電圧（４０）が加わ
り。
第２図（ｅ）に示す電流（４１）が変圧器（３）に流れ
る。
る。
このとき、半導体スイッチング素子（５）のコレクタ電
流Ｉｃ、コレクターエミッタ間電圧Ｖｃｅはそれぞれ第
２図（″”ｅ）、 （ｄ）に示す（４２） 、 （４３
）のようになる。
流Ｉｃ、コレクターエミッタ間電圧Ｖｃｅはそれぞれ第
２図（″”ｅ）、 （ｄ）に示す（４２） 、 （４３
）のようになる。
この半導体スイッチング素子のベースエミッタ間に正の
電圧（３９）が加わる期間、即ち半導体スイッチング素
子（５）がＯＮｔ、ている期間に変圧器（３）の１次側
に発生する直流電圧Ｖｄｃを変圧器（３）にて昇圧して
２次側の第１の巻線に数千ＫＶの高圧を発生させる。こ
の高電圧を高圧コンデンサ（至）、高圧ダイオード（２
１）からなる半波倍電圧整流回路であるマグネトロン駆
動回路（８）によりマグネトロン（９）を駆動゛させる
のに必要な半波倍電圧に変換しマグネトロン（９）に電
流を流しマグネトロン（９）を駆動させる。
電圧（３９）が加わる期間、即ち半導体スイッチング素
子（５）がＯＮｔ、ている期間に変圧器（３）の１次側
に発生する直流電圧Ｖｄｃを変圧器（３）にて昇圧して
２次側の第１の巻線に数千ＫＶの高圧を発生させる。こ
の高電圧を高圧コンデンサ（至）、高圧ダイオード（２
１）からなる半波倍電圧整流回路であるマグネトロン駆
動回路（８）によりマグネトロン（９）を駆動゛させる
のに必要な半波倍電圧に変換しマグネトロン（９）に電
流を流しマグネトロン（９）を駆動させる。
次に第２図ｂ）で示すように半導体スイッチング素子（
５）のペースエミッタ間に負の電圧（５］）を加えると
半導体スイッチング素子（５）が逆バイアスされＯＦＦ
する。半導体スイッチング素子（５）がＯＦＦするとそ
のコレクタ電流１ｃはゼロとなり、コレクターエミッタ
間電圧Ｖｃｅは変圧器（３）の励磁回路に蓄えられてい
た電磁エネルギーが変圧器−次巻線と並列に接続された
ダイオード（■、コンデンサ（１？）。
５）のペースエミッタ間に負の電圧（５］）を加えると
半導体スイッチング素子（５）が逆バイアスされＯＦＦ
する。半導体スイッチング素子（５）がＯＦＦするとそ
のコレクタ電流１ｃはゼロとなり、コレクターエミッタ
間電圧Ｖｃｅは変圧器（３）の励磁回路に蓄えられてい
た電磁エネルギーが変圧器−次巻線と並列に接続された
ダイオード（■、コンデンサ（１？）。
抵抗（ｌとからなるスナバ回路（４）に放電され変圧器
（３）の磁束がリセットされる。この時、変圧器（３）
のリセット電圧が変圧器（３）の２次側の巻線に現われ
るが、半波倍電圧整流回路であるマグネトロン駆動回路
（８）の高圧コンデンサ■を充電する方向に高圧ダイオ
ード（２１）が導通してマグネトロン（９）には電流が
流れない。次に半導体スイッチング素子（５）のＶｃｅ
の任意の点０点で再びＶｂｅに正の電圧（３９）を加え
て半導体スイッチング素子（５）をＯＮ状態にさせる。
（３）の磁束がリセットされる。この時、変圧器（３）
のリセット電圧が変圧器（３）の２次側の巻線に現われ
るが、半波倍電圧整流回路であるマグネトロン駆動回路
（８）の高圧コンデンサ■を充電する方向に高圧ダイオ
ード（２１）が導通してマグネトロン（９）には電流が
流れない。次に半導体スイッチング素子（５）のＶｃｅ
の任意の点０点で再びＶｂｅに正の電圧（３９）を加え
て半導体スイッチング素子（５）をＯＮ状態にさせる。
以上の動作を繰り返す乙とによりマグネトロンを駆動さ
せて高月、波加熱装置から高周波を発生させて食品を加
熱することが出来る。
せて高月、波加熱装置から高周波を発生させて食品を加
熱することが出来る。
第３図はその高周波出力相関図であり、 （４４１に示
すが如く半導体スイッチング素子（５）の０８時間（ｔ
ｏｎ）を長くしていくと高周波出力は高くなる。
すが如く半導体スイッチング素子（５）の０８時間（ｔ
ｏｎ）を長くしていくと高周波出力は高くなる。
半導体スイッチング素子（５）のＯＦＦ時間は、駆動回
＃ｒ （７１より出力するＶｂｅの逆バイアス電圧がか
かる時間を任意に設定出来るため、高周波出力とスイッ
チング周波数の関係は第４図（４５）に示すように比例
ａ２反比例す、一定Ｃと自由に設定可能である。
＃ｒ （７１より出力するＶｂｅの逆バイアス電圧がか
かる時間を任意に設定出来るため、高周波出力とスイッ
チング周波数の関係は第４図（４５）に示すように比例
ａ２反比例す、一定Ｃと自由に設定可能である。
第５図は発振停止保護回路（５０）とソフトスタート回
路（５７）の動作説明図である。通常は発振回路（７］
）から第５図（ｂ）に示すような三角波（５７）が出力
されている。
路（５７）の動作説明図である。通常は発振回路（７］
）から第５図（ｂ）に示すような三角波（５７）が出力
されている。
ここで、 出力ｓｓ回＃ （７２）のスレッシュホール
ドレベルを第５図（ｂ）及び（ｅ）に（５８）で示す位
置に設定しておくと、駆動回路（７）の出力は第５図（
ａ）に示すようにスレッシュホールドレベル（５８）ま
ではＯＮ、以降はＯＦＦで、三角波の周期Ｔで繰り返し
出力されることになる。次にノイズ等なんらかの異常で
発振回路（７１）が停止すると三角波出力は（５１）の
点で発振しない状態となる。この発振停止が継続すると
駆動回路（７）の出力は第５図（ａ）に示すように常に
ＯＮ状態（５２）となり、半導体スイッチング素子（５
）の導通期間が延びてついには破損に至る。
ドレベルを第５図（ｂ）及び（ｅ）に（５８）で示す位
置に設定しておくと、駆動回路（７）の出力は第５図（
ａ）に示すようにスレッシュホールドレベル（５８）ま
ではＯＮ、以降はＯＦＦで、三角波の周期Ｔで繰り返し
出力されることになる。次にノイズ等なんらかの異常で
発振回路（７１）が停止すると三角波出力は（５１）の
点で発振しない状態となる。この発振停止が継続すると
駆動回路（７）の出力は第５図（ａ）に示すように常に
ＯＮ状態（５２）となり、半導体スイッチング素子（５
）の導通期間が延びてついには破損に至る。
これを防止するために発振停止保護回路（５０）を設け
２発振回路（７１）が停止すると発振停止検出口＃ （
７４）により 第５図（ｅ）に示すＨＩＧＨ信号（５９
）を検出する。この発振停止検出回路（７４）の出力が
比較回路（７５）に入り、第５図（ｄ）に示す駆動回路
リセットパルス（６０）を出力する。この駆動回路出力
パルス（６０）はＬＯＷ出力にて駆動停止端子（３８）
に入力されるので駆動回路（７）の出力は半導体スイッ
チング素子（５）を非導通とならしめるように第５図（
ａ）に示すＯＦＦ状態（５３）となる。 このとき出力
ＩＩＪ１ｉ１１１１１路（７２）のスレッシュホールド
レベル（５８）はゼロレベルまで落ちる。次に三角波発
振回路（７１）が正常に戻り復帰すると、スレッシュホ
ールドレベル（５８）はソフトスター、ト回路（５７）
により第５図（ｅ）に示す（５４）のように徐々に上昇
し、 （５５）である値に固定されろ。即ち三角波（５
７）のスレッシュホールドレベル（５８）が徐々に上昇
していくため、駆動回路出力の０８時間は第５図（＆）
に示す（５６）の点より徐々に広がっていくものである
。即ち半導体スイッチング素子（５）の導通期間が徐々
に広がっていくソフトスタート回路（５７）を用いて復
帰時の半導体スイッチング素子（５）のコレクタ・エミ
ッタ間電圧がマグネトロン（９）の起動時の立ち上がり
電圧により急に高くなって破損するという現象から半導
体スイッチング素子（５）を保護することができる。
２発振回路（７１）が停止すると発振停止検出口＃ （
７４）により 第５図（ｅ）に示すＨＩＧＨ信号（５９
）を検出する。この発振停止検出回路（７４）の出力が
比較回路（７５）に入り、第５図（ｄ）に示す駆動回路
リセットパルス（６０）を出力する。この駆動回路出力
パルス（６０）はＬＯＷ出力にて駆動停止端子（３８）
に入力されるので駆動回路（７）の出力は半導体スイッ
チング素子（５）を非導通とならしめるように第５図（
ａ）に示すＯＦＦ状態（５３）となる。 このとき出力
ＩＩＪ１ｉ１１１１１路（７２）のスレッシュホールド
レベル（５８）はゼロレベルまで落ちる。次に三角波発
振回路（７１）が正常に戻り復帰すると、スレッシュホ
ールドレベル（５８）はソフトスター、ト回路（５７）
により第５図（ｅ）に示す（５４）のように徐々に上昇
し、 （５５）である値に固定されろ。即ち三角波（５
７）のスレッシュホールドレベル（５８）が徐々に上昇
していくため、駆動回路出力の０８時間は第５図（＆）
に示す（５６）の点より徐々に広がっていくものである
。即ち半導体スイッチング素子（５）の導通期間が徐々
に広がっていくソフトスタート回路（５７）を用いて復
帰時の半導体スイッチング素子（５）のコレクタ・エミ
ッタ間電圧がマグネトロン（９）の起動時の立ち上がり
電圧により急に高くなって破損するという現象から半導
体スイッチング素子（５）を保護することができる。
以上のようにこの発明によれば、駆動回路の基準クロッ
クを作る発振回路の発振が停止した時に発振停止保護回
路でこれを検出し駆動回路を停止することにより半導体
スイッチング素子を保護することが出来、極めて信頼性
の高い装置を得ることができる。
クを作る発振回路の発振が停止した時に発振停止保護回
路でこれを検出し駆動回路を停止することにより半導体
スイッチング素子を保護することが出来、極めて信頼性
の高い装置を得ることができる。
また、この他の発明によれば、スタート回路を設け、停
止した半導体スイッチング素子が駆動に入る時、導通期
間を徐々に広げることにより、異常な過電圧等が半導体
スイッチング素子に加わることを防止できる。
止した半導体スイッチング素子が駆動に入る時、導通期
間を徐々に広げることにより、異常な過電圧等が半導体
スイッチング素子に加わることを防止できる。
第１図はこの発明による高周波加熱装置の一実施例の制
御回路図、第２図は第１図に示す一実施例の制御タイミ
ング波形図、第３図及び第４図は第１図に示す一実施例
の高周波出力相関図、第５図は第１図に示す一実施例の
主要部の制御タイミング波形図２第６図は従来の高周波
加熱装置の制御回路図、第７図はその制御タイミング波
形図である。 図において、（１）は商用電源、（２）は整流・平滑回
路、（３）は変圧１１４］はスナバ回路、（５）は半導
体スイッチング素子、（７）は駆動回路、（８）はマグ
ネトロン駆動回路、（９）はマグネトロン、 （５０）
は発振停止保護回路、 （５７）はソフトスタート回
路、 （７１）は発振回路である。 なお。 図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
御回路図、第２図は第１図に示す一実施例の制御タイミ
ング波形図、第３図及び第４図は第１図に示す一実施例
の高周波出力相関図、第５図は第１図に示す一実施例の
主要部の制御タイミング波形図２第６図は従来の高周波
加熱装置の制御回路図、第７図はその制御タイミング波
形図である。 図において、（１）は商用電源、（２）は整流・平滑回
路、（３）は変圧１１４］はスナバ回路、（５）は半導
体スイッチング素子、（７）は駆動回路、（８）はマグ
ネトロン駆動回路、（９）はマグネトロン、 （５０）
は発振停止保護回路、 （５７）はソフトスタート回
路、 （７１）は発振回路である。 なお。 図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）商用電源を整流・平滑して直流電源を作る整流・
平滑回路、この整流・平滑回路に接続された変圧器、こ
の変圧器に直列に接続された半導体スイッチング素子、
この半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路、前記
変圧器の２次側に接続されたマグネトロン駆動回路、こ
のマグネトロン駆動回路によって駆動されるマグネトロ
ンを備え、前記駆動回路にその基準クロックを作る発振
回路、この発振回路の発振が停止した時に前記駆動回路
を停止させる発振停止保護回路を設けるようにしたこと
を特徴とする高周波加熱装置。 - （２）発振停止保護回路によって停止した半導体スイッ
チング素子が駆動状態に入る時、前記半導体スイッチン
グ素子の導通期間を徐々に広げるソフトスタート回路を
設けるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の高周波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29665189A JPH03156887A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29665189A JPH03156887A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03156887A true JPH03156887A (ja) | 1991-07-04 |
Family
ID=17836305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29665189A Pending JPH03156887A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03156887A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025088A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
| JPS62163570A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-20 | Sanken Electric Co Ltd | 直流変換器 |
| JPS62219491A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | 三洋電機株式会社 | 電気機器 |
| JPS63318091A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-26 | Sharp Corp | 高周波加熱装置 |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP29665189A patent/JPH03156887A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025088A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
| JPS62163570A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-20 | Sanken Electric Co Ltd | 直流変換器 |
| JPS62219491A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | 三洋電機株式会社 | 電気機器 |
| JPS63318091A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-26 | Sharp Corp | 高周波加熱装置 |
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