JPH03157902A - ノイズフイルタ - Google Patents
ノイズフイルタInfo
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- JPH03157902A JPH03157902A JP1297890A JP29789089A JPH03157902A JP H03157902 A JPH03157902 A JP H03157902A JP 1297890 A JP1297890 A JP 1297890A JP 29789089 A JP29789089 A JP 29789089A JP H03157902 A JPH03157902 A JP H03157902A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線性を示す半導体セラミックスを用
いたノイズフィルタに関する。
いたノイズフィルタに関する。
〔従来の技術]
バリスタは、トランジェントノイズを吸収する素子とし
て知られているが、一般には、その電圧電流特性のみに
注目して用いられており、静電容量特性は有効に利用さ
れていない。半導体セラミックスを用いたバリスタの場
合、そのほとんどは、半導体粒子間の粒界に形成された
ショットキー障壁によりバリスタ特性が得られているが
、その粒界においては、ブレイクダウン電圧以下の′v
k圧ではコンデンサとしての機能が得Cしれる。このコ
ンデンサ特性を積極的に利用して、ノイズを吸収するこ
とも可能である。
て知られているが、一般には、その電圧電流特性のみに
注目して用いられており、静電容量特性は有効に利用さ
れていない。半導体セラミックスを用いたバリスタの場
合、そのほとんどは、半導体粒子間の粒界に形成された
ショットキー障壁によりバリスタ特性が得られているが
、その粒界においては、ブレイクダウン電圧以下の′v
k圧ではコンデンサとしての機能が得Cしれる。このコ
ンデンサ特性を積極的に利用して、ノイズを吸収するこ
とも可能である。
しかしながら、現実には、セラミンク・バリスタの静電
容量は、信号ライン用としては大き過ぎ、電源用ノイズ
吸収素子として、または低周波信号ライン用ノイズ吸収
素子としてしか用いられていない。信号ライン用として
は、ツ、ナーダイオート等の他のノイズ吸収素子が用い
られているのが現状である。
容量は、信号ライン用としては大き過ぎ、電源用ノイズ
吸収素子として、または低周波信号ライン用ノイズ吸収
素子としてしか用いられていない。信号ライン用として
は、ツ、ナーダイオート等の他のノイズ吸収素子が用い
られているのが現状である。
ツェナーダイオードのようなダイオードは電圧抑制能力
こそ高いものの、サージ等には弱く、また抑制能力が高
いことが裏目となり、エネルギーが消耗されずに、グラ
ンド配線等を介してノイズが発生することがある。また
、もっともよく用いられているコンデンサーインダクタ
複合素子では、トランジェントな高電圧ノイズを吸収す
ることはできない。
こそ高いものの、サージ等には弱く、また抑制能力が高
いことが裏目となり、エネルギーが消耗されずに、グラ
ンド配線等を介してノイズが発生することがある。また
、もっともよく用いられているコンデンサーインダクタ
複合素子では、トランジェントな高電圧ノイズを吸収す
ることはできない。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕そごで、本願発
明者らは、特願平1−176370号において、バリス
タの静電容量を有効に利用したコンデンサーバリスタの
複合機能素子からなり、信号ライン用として好適なノイ
ズフィルタを提案した。この未だ公知ではないノイズフ
ィルタでは、半導体セラミックス内に、少なくとも1の
共通電極と、該共通電極と半導体セラミック層を介して
交差するように形成された少なくとも1の貫通電極とが
設けられている。
明者らは、特願平1−176370号において、バリス
タの静電容量を有効に利用したコンデンサーバリスタの
複合機能素子からなり、信号ライン用として好適なノイ
ズフィルタを提案した。この未だ公知ではないノイズフ
ィルタでは、半導体セラミックス内に、少なくとも1の
共通電極と、該共通電極と半導体セラミック層を介して
交差するように形成された少なくとも1の貫通電極とが
設けられている。
共通電極と貫通電極とを半導体セラミックス内で交差す
るように配置することにより、バリスタ特性部分におけ
る電極型なり面積を低減し、それによって信号ライン用
として好適な比較的小さな静電容量が得られるように構
成されている。
るように配置することにより、バリスタ特性部分におけ
る電極型なり面積を低減し、それによって信号ライン用
として好適な比較的小さな静電容量が得られるように構
成されている。
また、バリスタ特性を有する半導体セラミックスの誘電
体としての性質をも利用することにより、コンデンサと
してのノイズ吸収能力と、バリスタとしてのノイズ吸収
能力の双方を発揮するように構成されており、それによ
ってトランジェントノイズを含む種々のノイズを効果的
に吸収することが可能とされている。
体としての性質をも利用することにより、コンデンサと
してのノイズ吸収能力と、バリスタとしてのノイズ吸収
能力の双方を発揮するように構成されており、それによ
ってトランジェントノイズを含む種々のノイズを効果的
に吸収することが可能とされている。
ところで、上記のようなノイズフィルタでは、現実に信
号ライン用として用いるには、共通電極貫通電極間で取
り出される静電容量を少なくとも数100pF以内に抑
える必要がある。従って、電極有効面積が、従来の積層
バリスタ等に比べてかなり小さくなるため、漏れ電流が
比較的大きく、高電流領域における電圧非直線性が十分
でないという問題があった。
号ライン用として用いるには、共通電極貫通電極間で取
り出される静電容量を少なくとも数100pF以内に抑
える必要がある。従って、電極有効面積が、従来の積層
バリスタ等に比べてかなり小さくなるため、漏れ電流が
比較的大きく、高電流領域における電圧非直線性が十分
でないという問題があった。
本発明の目的は、上記のような種々の利点を有するコン
デンサーバリスタ複合機能素子を用いた新規なノイズフ
ィルタにおいて、さらに漏れ電流を低減し、かつ高電流
域における電圧非直線特性を改善し得るものを提供する
ことにある。
デンサーバリスタ複合機能素子を用いた新規なノイズフ
ィルタにおいて、さらに漏れ電流を低減し、かつ高電流
域における電圧非直線特性を改善し得るものを提供する
ことにある。
上述したようなコンデンサーバリスタ複合機能素子を用
いたノイズフィルタでは、信号ライン用として用いるに
は静電容量を少なくとも数100pr以内に抑える必要
がある。従って、内部電極すなわち共通電極及び貫通電
極の有効型なり面積が積層バリスタ等の場合に比べてか
なり小さくなる。
いたノイズフィルタでは、信号ライン用として用いるに
は静電容量を少なくとも数100pr以内に抑える必要
がある。従って、内部電極すなわち共通電極及び貫通電
極の有効型なり面積が積層バリスタ等の場合に比べてか
なり小さくなる。
ところで、バリスタの電圧非直線特性は、半導体セラミ
ック層内の半導体粒子−半導体粒子間の界面に形成され
るショットキー障壁の他、電極(金属)−半導体セラミ
ック層間の界面に形成されるショットキー障壁に由来す
るものがあると考えられている。上記のような構造のノ
イズフィルタでは、内部電極の有効面積が小さいため、
バリスタとしての特性は後者の電極−半導体接触に由来
するショットキー障壁により大きく決定される傾向があ
る。
ック層内の半導体粒子−半導体粒子間の界面に形成され
るショットキー障壁の他、電極(金属)−半導体セラミ
ック層間の界面に形成されるショットキー障壁に由来す
るものがあると考えられている。上記のような構造のノ
イズフィルタでは、内部電極の有効面積が小さいため、
バリスタとしての特性は後者の電極−半導体接触に由来
するショットキー障壁により大きく決定される傾向があ
る。
そこで、本願発明者らは、上記バリスターコンデンサ複
合機能素子を用いたノイズフィルタにおいて、電極−半
導体セラミック層間の界面に形成されるショットキー障
壁を十分に発現させる方法につき、種々の検討を行った
結果、電極と半導体との界面に酸素を供給し得る物質を
電極内に含有させればよいことに着目し、上記のような
物質として希土類酸化物が最も適していることを見出し
、本発明をなすに至った。
合機能素子を用いたノイズフィルタにおいて、電極−半
導体セラミック層間の界面に形成されるショットキー障
壁を十分に発現させる方法につき、種々の検討を行った
結果、電極と半導体との界面に酸素を供給し得る物質を
電極内に含有させればよいことに着目し、上記のような
物質として希土類酸化物が最も適していることを見出し
、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、半導体セラミックスと、この半導
体セラミックス内に設けられた少なくとも1個の共通電
極と、該共通電極と半導体セラミック層を隔てられて交
差するように設けられた少なくとも1個の貫通電極と、
共通電極及び貫通電極を外部と接続するための少なくと
も3個の入出力電極とを備えるノイズフィルタであって
、半導体セラミックスが酸化亜鉛を主成分とした材料に
より構成されており、かつ共通電極及び貫通電極が希土
類酸化物を0.01〜10重量%含有゛づる金属材料よ
りなることを特徴とするものである。
体セラミックス内に設けられた少なくとも1個の共通電
極と、該共通電極と半導体セラミック層を隔てられて交
差するように設けられた少なくとも1個の貫通電極と、
共通電極及び貫通電極を外部と接続するための少なくと
も3個の入出力電極とを備えるノイズフィルタであって
、半導体セラミックスが酸化亜鉛を主成分とした材料に
より構成されており、かつ共通電極及び貫通電極が希土
類酸化物を0.01〜10重量%含有゛づる金属材料よ
りなることを特徴とするものである。
本発明において、希土類酸化物含有量を0.01〜10
重量%に限定したのは以下の理由による。
重量%に限定したのは以下の理由による。
すなわち、0.01重量%よりも少ない場合には、共通
電極及び貫通電極と半導体セラミック層との界面に十分
な量の酸素が拡散されないため、電圧非直線係数か小さ
くなるからであり、他方、l (]重量%を超えると、
半導体セラミックスの焼結が抑制されるためバリスタ電
圧が著しく高くなるからである。
電極及び貫通電極と半導体セラミック層との界面に十分
な量の酸素が拡散されないため、電圧非直線係数か小さ
くなるからであり、他方、l (]重量%を超えると、
半導体セラミックスの焼結が抑制されるためバリスタ電
圧が著しく高くなるからである。
本発明では、内部電極、ずなわら共通電極及び貫通電極
を構成する金属材料に、希土類酸化物が上記の割合で含
有されているため、電橋〜半導体セラミンク層間の界面
に十分な量の酸素が供給される。従って、電極−半導体
セラミック層間のショットキー障壁を十分に発現させる
ことができ、それによって、電極有効面積が小さくされ
ている構造であるにも関わらず、漏れ電流が低減され、
かつ高電流域におりる電圧非直線性が高められる。
を構成する金属材料に、希土類酸化物が上記の割合で含
有されているため、電橋〜半導体セラミンク層間の界面
に十分な量の酸素が供給される。従って、電極−半導体
セラミック層間のショットキー障壁を十分に発現させる
ことができ、それによって、電極有効面積が小さくされ
ている構造であるにも関わらず、漏れ電流が低減され、
かつ高電流域におりる電圧非直線性が高められる。
以下、本発明の非限定的な実施例を説明することにより
、本発明を明らかにする。
、本発明を明らかにする。
実施例1
原料として、酸化亜鉛(ZnO)、酸化コハル) (C
o304 )、酸化カルシウム(Ca O)酸化クロム
(Cr20:+)及び炭酸カリウム(K、CO,)を、
それぞれ、98.90モル%5080モル% 0.10
モル%、010モル%0.10モル%及びホウケイ酸亜
鉛ガラスを1゜0重量%秤量し、イオン交換水を用いて
24時間混合した。次に、濾過乾燥した後、700〜9
00°Cで2時間仮焼し、再度粉砕した。
o304 )、酸化カルシウム(Ca O)酸化クロム
(Cr20:+)及び炭酸カリウム(K、CO,)を、
それぞれ、98.90モル%5080モル% 0.10
モル%、010モル%0.10モル%及びホウケイ酸亜
鉛ガラスを1゜0重量%秤量し、イオン交換水を用いて
24時間混合した。次に、濾過乾燥した後、700〜9
00°Cで2時間仮焼し、再度粉砕した。
粉砕された原料に、有機バインダを混合してドクター・
プレート法により、約20μ丁ηの程度の厚みの均一な
グリーンシートを形成した後、該グリーンシートを矩形
状に切断した。
プレート法により、約20μ丁ηの程度の厚みの均一な
グリーンシートを形成した後、該グリーンシートを矩形
状に切断した。
他方、銀とパラジウムとからなる合金にビヒクルを混合
してなるペーストに対して、酸化プラナオジウム(P
r、O,、)を0〜30重量%添加し、複数種の電極ペ
ーストを調製した。
してなるペーストに対して、酸化プラナオジウム(P
r、O,、)を0〜30重量%添加し、複数種の電極ペ
ーストを調製した。
次に、第2図(a)〜(c)に示すように、上記のよ・
うにして得られたグリーンシート2〜4に電極ペースI
・をスクリーン印刷し、共通電極7及び貫通電極6を形
成した。このようにして得られたグリーンシートを、電
極の形成されていないグリーンシー11.5と共に、第
1図に示すように重ねて圧着した後、所定の大きさに切
断し、空気中にて950〜1100°Cで加熱焼成して
焼結体8(第3図)を得た。
うにして得られたグリーンシート2〜4に電極ペースI
・をスクリーン印刷し、共通電極7及び貫通電極6を形
成した。このようにして得られたグリーンシートを、電
極の形成されていないグリーンシー11.5と共に、第
1図に示すように重ねて圧着した後、所定の大きさに切
断し、空気中にて950〜1100°Cで加熱焼成して
焼結体8(第3図)を得た。
得られた焼結体に銀ペーストをスクリーン印刷し空気中
600°Cで焼き付けて、素子端部に入出力電極として
の外部電橋9,10を形成した(第4図)。
600°Cで焼き付けて、素子端部に入出力電極として
の外部電橋9,10を形成した(第4図)。
このようにして得られた素子の電気的特性を第1表に示
す。なお、表中の*印がついている試料は共通電極7及
び貫通電極6中のPrbO++含有量が限定範囲外の試
料であるもの、**印がついている試料番号10(比較
例)は素体の組成がZnOが98.80モル%、Pr6
0zがO,1,0モル% Cozenが0.80モル%
、CaOが0.10モル%、Cr2O,が0.10モル
%に、CO3が0.10モル%及びホウケイ酸亜鉛ガラ
スが1.0重量%であるものである。
す。なお、表中の*印がついている試料は共通電極7及
び貫通電極6中のPrbO++含有量が限定範囲外の試
料であるもの、**印がついている試料番号10(比較
例)は素体の組成がZnOが98.80モル%、Pr6
0zがO,1,0モル% Cozenが0.80モル%
、CaOが0.10モル%、Cr2O,が0.10モル
%に、CO3が0.10モル%及びホウケイ酸亜鉛ガラ
スが1.0重量%であるものである。
第5図に第1表中の試料番号2,4.8.10の試料(
試料番号4が実施例、試料番号2.8が本発明の限定範
囲外の試料、試料番号10が比較例)の電圧−電流特性
を示す。第5図から明らかなように、各比較例のノイズ
フィルタでは漏れ電流が大きいのに対し、本実施例によ
り製造されたノイズフィルタでは各比較例に比べて漏れ
電流が低減されており、高電流域における電圧非直線性
についても優れていることがわかる。
試料番号4が実施例、試料番号2.8が本発明の限定範
囲外の試料、試料番号10が比較例)の電圧−電流特性
を示す。第5図から明らかなように、各比較例のノイズ
フィルタでは漏れ電流が大きいのに対し、本実施例によ
り製造されたノイズフィルタでは各比較例に比べて漏れ
電流が低減されており、高電流域における電圧非直線性
についても優れていることがわかる。
第1表から明らかなように、希土類酸化物の添加量が0
.01重量%よりも少な(なるとαが小さくなり電圧抑
制能力が低下する。他方、希土類酸化物が10重量%を
超えるとバリスタ電圧が著しく高くなるので、内部電極
中の希土類酸化物の添加量は0.01〜10重量%の範
囲が望ましい。
.01重量%よりも少な(なるとαが小さくなり電圧抑
制能力が低下する。他方、希土類酸化物が10重量%を
超えるとバリスタ電圧が著しく高くなるので、内部電極
中の希土類酸化物の添加量は0.01〜10重量%の範
囲が望ましい。
第1表
原料として、酸化亜鉛(ZnO)、酸化コバル) (C
O304)、M化カルシウム(Cab)。
O304)、M化カルシウム(Cab)。
酸化クロム(Crg Os )、炭酸カリウム(K2C
O,)をそれぞれ98.90モル%、0.80モル%、
0. 10モ)Lt%、 O,I 0−r−ル%、0
゜10モル%、及びホウケイ酸亜鉛ガラスを1.0重量
%秤量し、イオン交換水を用いて24時間混合した。次
に、濾過乾燥した後、700〜900℃の温度で2時間
仮焼し、再度粉砕した。
O,)をそれぞれ98.90モル%、0.80モル%、
0. 10モ)Lt%、 O,I 0−r−ル%、0
゜10モル%、及びホウケイ酸亜鉛ガラスを1.0重量
%秤量し、イオン交換水を用いて24時間混合した。次
に、濾過乾燥した後、700〜900℃の温度で2時間
仮焼し、再度粉砕した。
粉砕された原料に、有機バインダを混合してドクター・
ブレード法により、約20IIm程度の厚みの均一なグ
リーンシートを形成した後、該グリーンシートを矩形状
に切断した。
ブレード法により、約20IIm程度の厚みの均一なグ
リーンシートを形成した後、該グリーンシートを矩形状
に切断した。
−・方、銀とパラジウムとからなる合金にビヒクルを混
合してなるペーストに対して、第2表に示したように希
土類酸化物を0.1重量%添加して電極ペーストを形成
した。
合してなるペーストに対して、第2表に示したように希
土類酸化物を0.1重量%添加して電極ペーストを形成
した。
次に、実施例1の場合と同様にして、共通電極及び貫通
電極が形成されたグリーンシートを、電極の形成されて
いないグリーンシートと共に第1図に示すように重ねて
圧着した後、所定の大きさに切断し、空気中にて950
〜1100’Cの温度で加熱焼成し、焼結体を得た。こ
の焼結体に銀ペーストをスクリーン印刷し、空気中60
0″Cで焼き付けて、素子端部に外部電極を形成し、第
4図に示す素子を得た。
電極が形成されたグリーンシートを、電極の形成されて
いないグリーンシートと共に第1図に示すように重ねて
圧着した後、所定の大きさに切断し、空気中にて950
〜1100’Cの温度で加熱焼成し、焼結体を得た。こ
の焼結体に銀ペーストをスクリーン印刷し、空気中60
0″Cで焼き付けて、素子端部に外部電極を形成し、第
4図に示す素子を得た。
11
このようにして得られた素子の電気的特性を第2表に示
す。第2表から明らがなように、共通電極及び貫通電極
に含有した希土類元素の種類を問わず、何れの場合も、
はぼ同程度の特性を示すことがわかる。
す。第2表から明らがなように、共通電極及び貫通電極
に含有した希土類元素の種類を問わず、何れの場合も、
はぼ同程度の特性を示すことがわかる。
なお、本実施例では共通電極及び貫通電極に含有する希
土類酸化物として、1a2−03’、CexO* 、S
mz 03 ’、Euz’ 03’+ ’rb2’o3
、’I)Vz C1+ 、 E r z 03及び
Lu2’o3を例にとって説明したが、本発明の主旨か
ら他の希土類酸化物を用いてもよいことは言うまでもな
い。
土類酸化物として、1a2−03’、CexO* 、S
mz 03 ’、Euz’ 03’+ ’rb2’o3
、’I)Vz C1+ 、 E r z 03及び
Lu2’o3を例にとって説明したが、本発明の主旨か
ら他の希土類酸化物を用いてもよいことは言うまでもな
い。
(以下、余白)
2
第2表
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、半導体セラミックス内
に共通電極と貫通電極とを交差させるように配置するこ
とにより、コンデンサとしてのノイズ吸収能力及びバリ
スタとしてのノイズ吸収能力の双方を併せ持つノイズフ
ィルタが提供され、さらに電極が、希土類酸化物を0.
01〜10重量%含有されている金属材料で構成されて
いるため、電極−半導体セラミック層間のショノトキ−
障壁を十分に発現させることが可能とされており、それ
によって漏れ電流の低減及び高電流域における電圧非直
線特性の改善が図られている。
に共通電極と貫通電極とを交差させるように配置するこ
とにより、コンデンサとしてのノイズ吸収能力及びバリ
スタとしてのノイズ吸収能力の双方を併せ持つノイズフ
ィルタが提供され、さらに電極が、希土類酸化物を0.
01〜10重量%含有されている金属材料で構成されて
いるため、電極−半導体セラミック層間のショノトキ−
障壁を十分に発現させることが可能とされており、それ
によって漏れ電流の低減及び高電流域における電圧非直
線特性の改善が図られている。
従って、コンデンサーバリスタ複合機能素子により、信
転性に優れた信号ライン用ノイズフィルタを実現するこ
とが可能となる。
転性に優れた信号ライン用ノイズフィルタを実現するこ
とが可能となる。
第1図は本発明の実施例によるノイズフィルタを作製す
るのに用いるグリーンシート及びその上に形成される電
極の平面形状を説明するための分解斜視図、第2図(a
)〜(c)は、グリーンシート状に形成される電極形状
を示す各平面図、第3図は本発明の一実施例を得るにあ
たり用意される焼結体を示す斜視図、第4図は本発明の
一実施例によるノイズフィルタの斜視図、第5図は実施
例1における試料番号2.4.8及び10の電圧電流特
性を示す図である。 図において、6は貫通電極、7は共通電極、8は半導体
セラミックスとしての焼結体、9.10は入出力電橋と
しての外部電極を示す。 5 一
るのに用いるグリーンシート及びその上に形成される電
極の平面形状を説明するための分解斜視図、第2図(a
)〜(c)は、グリーンシート状に形成される電極形状
を示す各平面図、第3図は本発明の一実施例を得るにあ
たり用意される焼結体を示す斜視図、第4図は本発明の
一実施例によるノイズフィルタの斜視図、第5図は実施
例1における試料番号2.4.8及び10の電圧電流特
性を示す図である。 図において、6は貫通電極、7は共通電極、8は半導体
セラミックスとしての焼結体、9.10は入出力電橋と
しての外部電極を示す。 5 一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体セラミックスと、 前記半導体セラミックス内に設けられた少なくとも1個
の共通電極と、 前記共通電極と半導体セラミック層を隔てて交差するよ
うに設けられた少なくとも1個の貫通電極と、 前記共通電極及び貫通電極を外部に接続するための少な
くとも3個の入出力電極とを備えるノイズフィルタにお
いて、 前記半導体セラミックスが酸化亜鉛を主成分とした材料
からなり、かつ 前記共通電極及び貫通電極が希土類酸化物を0.01〜
10重量%含有する金属材料からなることを特徴とする
ノイズフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297890A JPH03157902A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | ノイズフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297890A JPH03157902A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | ノイズフイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157902A true JPH03157902A (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17852436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1297890A Pending JPH03157902A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | ノイズフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03157902A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532284A (ja) * | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的構造素子、その製造法および該構造素子の使用 |
| JP2007141953A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
| JP2007234995A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1297890A patent/JPH03157902A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532284A (ja) * | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的構造素子、その製造法および該構造素子の使用 |
| JP2012064960A (ja) * | 2000-04-25 | 2012-03-29 | Epcos Ag | 電気的構造素子、その製造法および該構造素子の使用 |
| JP2007141953A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
| JP2007234995A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタの製造方法 |
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