JPH0315852B2 - - Google Patents

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JPH0315852B2
JPH0315852B2 JP57153617A JP15361782A JPH0315852B2 JP H0315852 B2 JPH0315852 B2 JP H0315852B2 JP 57153617 A JP57153617 A JP 57153617A JP 15361782 A JP15361782 A JP 15361782A JP H0315852 B2 JPH0315852 B2 JP H0315852B2
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JP
Japan
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photothyristor
triax
emitting diode
light emitting
gate
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JP57153617A
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English (en)
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JPS5943630A (ja
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Hidekazu Awaji
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS5943630A publication Critical patent/JPS5943630A/ja
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Publication of JPH0315852B2 publication Critical patent/JPH0315852B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/10—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H10F55/15—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
    • H10F55/155—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices formed in, or on, a common substrate

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はソリツドステートリレーに関するもの
で、特に発光素子及び受光素子による光結合を利
用したソリツドステートリレーに関するものであ
る。
従来技術 従来の一般的なソリツドステートリレーは第１
図ａに示すような回路構成からなり、大まかには
電気的に分離された状態で入出力間を結合するホ
トカプラと、該ホトカプラの出力が与えられて整
流するブリツジ回路と、該ブリツジ回路の出力が
与えられたトライアツクとからなつている。即ち
ホトカプラ１の発光ダイオード１1が入力信号に
よつて発光することにより光結合されたホトサイ
リスタ１2がターンオンし、該ホトサイリスタ１2
のオンに伴つてトライアツク３のゲートに電流を
流し込んでトライアツク３をターンオンさせて入
力信号に対応した出力信号を導出する。尚整流ス
タツク２はホトサイリスタ１1が半波しか動作し
ないために付加され、またトライアツク３におい
てもリミツト抵抗R1やトライアツク誤動作防止
用の抵抗・コンデンサを含むスナバ回路Ｃ，R3
が付加されている。
上記回路からなるソリツドステートリレーは、
回路を構成するデイスクリート部品を例えば第１
図ｂに示すようにガラスエポキシ基板４上に搭載
し、各素子の間を第１図ａの回路に従つて電気的
接続し、エポキシ樹脂でコートすることによつて
一体化している。ただし、第１図ｂ中の符号で第
１図ａに対応する回路素子は同一符号で示す。
上記のように従来のソリツドステートリレーは
回路構成部品が多く、従つて樹脂コートした外観
形状も嵩高いものになつて各種電子機器に実装す
る場合に広い占有空間が必要になり、また部品点
数が多いために電気的接続等に手間が掛り、組立
てられた回路の信頼性も低くなることは避けられ
ないという欠点があつた。
目 的 本発明は上記従来装置の欠点を除去し、回路構
成を簡単にすると共に、外観形状を小型化したソ
リツドステートリレーを提供する。次に実施例を
挙げて本発明を詳細に説明する。
実施例 第２図は本発明によるソリツドステートリレー
の回路図で、入力信号が与えられる発光ダイオー
ド１１と、該発光ダイオード１１と光結合された
ホトサイリスタ１２が設けられ、該ホトサイリス
タ１２にトライアツク１３が接続されて出力端子
に出力信号が形成される。
ここで上記ホトサイリスタ１２は２個の夫々ゲ
ート抵抗Ra，Rbが内蔵されたホトサイリスタ１
２1，１２2が逆並列に接続されて両方向に電流が
流せる回路構成を採つている。第３図ａに示す該
ホトサイリスタ１２の半導体基板への具体的な組
込みは、第３図ｂに示すように、Ｎ型基板を用い
てＰ型領域及びｎ型領域が夫々拡散され、各領域
間が上述のようにゲート抵抗を内蔵しながら逆並
列の関係になるように接続されている。上記ホト
サイリスタ部１２は２個のホトサイリスタ１２1，
１２2が逆並列に接続されるため両方向に電流を
流すことができ、従つて従来回路で必要とされて
いた整流ブリツジは不要になる。
本実施例ではゼロクロス機能がない回路を挙げ
たが、ゼロクロス機能を具備したソリツドステー
トリレーとする際には、上記ホトサイリスタを作
製した同一チツプにゼロクロス機能をもつ回路を
一体に組込んで構成することもできる。
上記トライアツク１３のゲートＧ及び一主電極
T2は、それぞれ上記ホトサイリスタ１２の各端
に直結接続され、発光ダイオード１１の発光によ
りホトサイリスタ１２がオン状態になると、トラ
イアツク１３のゲートＧにゲート電流が供給され
トライアツク１３をターンオンさせる。またホト
サイリスタ１２のオン電圧Vscrは、その比抵抗、
拡散パターン、構造等を配慮することによりトラ
イアツク１３のオン電圧Vtrより高く設計されて
いる。このため第４図の電圧波形に示されるよう
に、トライアツク１３がオンすると、ソリツドス
テートリレーのオン電圧（第２図との端子間
電圧）はΔVだけ低下し、ホトサイリスタ１２は
トライアツク１３によつてシヤントされるため瞬
時にオフとなる。
第１図の従来回路において、オン状態の突入電
流等によつてホトサイリスタ６が破壊するのを防
止するため、100Ω程度のリミツト抵抗R1が接続
されている。しかしながら、トライアツク３のゲ
ート保護のためさらに、サイリスタ６の電流路と
トライアツク３のゲート部の両方にまたがつて
100Ω程度のゲート抵抗R2が接続され、トライア
ツク３のゲート電流が分岐されるためトライアツ
ク３の感度が鈍り、突入電流印加時のホトサイリ
スタ６のオン時間が長くなつている。このように
従来の回路構成では、ゲート抵抗R2によつてホ
トサイリスタ６を通る電源ラインとの電流ループ
を形成しているため、仮に電源電圧Vacを
200Vacとすると、ホトサイリスタ６に流れる突
入電流Isurgeは、 Isurge≒Vac／（R1＋R2） から1Aとなる。
このような突入電流が数サイクルに亙つて流れ
ると、トライアツク３のボンデイングワイヤが数
100μの太いアルミ線を用いているのに対し、ホ
トサイリスタ１は25μの金線と細いものしか使用
し得ないので、ホトサイリスタの金線が溶断して
不良となることがあつた。これを避けるため、リ
ミツト抵抗R1を大きくすることも考えられるが、
この場合リミツト抵抗R1での電圧降下が非常に
大きくなり使用に耐えなくなる。
本発明は、このような従来の構成に対し、前述
の如く、ホトサイリスタ１２のオン電圧Vscrを、
ホトサイリスタ１２のオン時同時に、ホトサイリ
スタ１２による突入電流の電流経路をトライアツ
ク１３に10μs程度の高速でスイツチングするよう
に、トライアツク１３のオン電圧Vtrより高く設
定し、トライアツク１３のゲートＧ及び一主電極
T2をホトサイリスタ１２の各端に直結接続して
いるので、リミツト抵抗を廃止できる。また、後
述のようにすべてを半導体チツプで構成し、同一
の放熱ヘツダーに搭載し１パツケージにモールド
できる。
上記第２図に示したソリツドステートリレー回
路は第５図に示すTOパツケージ構造に搭載され
る。即ち放熱作用のある広面積のヘツダー１４上
にトライアツク１３がダイボンデイングされ、他
のヘツダー領域を利用してホトサイリスタ１２が
ダイボンデイングされている。該ホトサイリスタ
１２は受光面が図中手前面になるように設置され
該受光面にガラス等の透光性絶縁層を介して発光
ダイオード１１が光結合させて配置されている。
これらの各素子間がワイヤ等で電気的に接続され
た後トランスフアモールドされてソリツドステー
トリレーが完成される。上記ソリツドステートリ
レーは基本的な部品は全て半導体素子で構成する
ことができる。
尚上記実施例はAC駆動させるソリツドステー
トリレーを説明したが、パワートランジスタを組
込んでDC駆動タイプとすることもできる。
効 果 以上のように本発明によれば、半導体化して回
路を構成することができ、回路構成のための部品
点数を著しく減少させることができると共に、装
置の小型化及び低廉化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来装置の回路図、第１図ｂは同装
置の実装構造を示す図、第２図は本発明による一
実施例の回路図、第３図ａ，ｂは同実施例の要部
を示す回路図及び半導体基板図、第４図は本発明
の一実施例の動作を説明するための電圧波形図、
第５図は本発明による一実施例の実装状態を示す
図である。 １１：発光ダイオード、１２：ホトサイリス
タ、１３：トライアツク、Ra，Rb：内蔵ゲート
抵抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 入力信号が与えられて発光動作する発光ダイ
    オードと、該発光ダイオードと光結合され且ゲー
    ト抵抗が内蔵された逆並列に接続された一対のホ
    トサイリスタと、該ホトサイリスタの出力が与え
    られるトライアツクとを備え、前記ホトサイリス
    タのオン電圧は、前記ホトサイリスタのオン時同
    時に、前記ホトサイリスタによる突入電流の電流
    経路を前記トライアツクにスイツチングするよう
    に、前記トライアツクのオン電圧より高く設定さ
    れ、前記トライアツクのゲート及び一主電極を前
    記ホトサイリスタの各端に直結接続して、同一の
    放熱ヘツダーに前記トライアツク及び前記光結合
    された発光ダイオードとホトサイリスタの光結合
    体を搭載するとともに、これらを同一のパツケー
    ジ内にモールドしてなることを特徴とするソリツ
    ドステートリレー。
JP57153617A 1982-09-02 1982-09-02 ソリツドステ−トリレ− Granted JPS5943630A (ja)

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JP57153617A JPS5943630A (ja) 1982-09-02 1982-09-02 ソリツドステ−トリレ−
US06/814,160 US4658145A (en) 1982-09-02 1985-12-23 Solid state relay

Applications Claiming Priority (1)

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JP57153617A JPS5943630A (ja) 1982-09-02 1982-09-02 ソリツドステ−トリレ−

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JPS5943630A JPS5943630A (ja) 1984-03-10
JPH0315852B2 true JPH0315852B2 (ja) 1991-03-04

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ID=15566401

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JP57153617A Granted JPS5943630A (ja) 1982-09-02 1982-09-02 ソリツドステ−トリレ−

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62110317A (ja) * 1985-11-08 1987-05-21 Toshiba Corp 固体継電器
JPS62179601U (ja) * 1986-04-30 1987-11-14
JPS6327677A (ja) * 1986-07-22 1988-02-05 川重工事株式会社 立体駐輪場構造
JPS63107223A (ja) * 1986-10-23 1988-05-12 Mitsubishi Electric Corp トライアツクトリガ用光結合半導体素子
JPS6437136U (ja) * 1987-08-28 1989-03-06
US4906858A (en) * 1987-11-13 1990-03-06 Honeywell Inc. Controlled switching circuit
US5136213A (en) * 1989-06-26 1992-08-04 C&K Components, Inc. Motion detecting light controller system
US5338991A (en) * 1992-12-28 1994-08-16 Lu Chao Cheng High power solid state relay with input presence and polarity indication
US20050179271A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Gerry Kerr Golf ball retriever
CN103346759B (zh) * 2013-07-23 2016-01-13 郁百超 微功耗工频脉宽调制开关电源
JP6253439B2 (ja) * 2014-02-17 2017-12-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5216473B2 (ja) * 1972-07-24 1977-05-10
US4309605A (en) * 1979-10-02 1982-01-05 New Japan Radio Co., Ltd. Photo-reflective sensor
JPS5723266A (en) * 1980-07-18 1982-02-06 Nec Corp Photocontrol semiconductor switch
JPS57193964A (en) * 1981-05-20 1982-11-29 Toshiba Corp Switching device

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US4658145A (en) 1987-04-14
JPS5943630A (ja) 1984-03-10

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