JPH03160348A - 自動高速光学検査装置 - Google Patents
自動高速光学検査装置Info
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- JPH03160348A JPH03160348A JP2297022A JP29702290A JPH03160348A JP H03160348 A JPH03160348 A JP H03160348A JP 2297022 A JP2297022 A JP 2297022A JP 29702290 A JP29702290 A JP 29702290A JP H03160348 A JPH03160348 A JP H03160348A
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 73
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 15
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 abstract description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 10
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005392 opalescent glass Substances 0.000 description 5
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N chembl1095986 Chemical compound C1[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]([C@H]1C(N[C@H](C2=CC(O)=CC(O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)=C2C=2C(O)=CC=C(C=2)[C@@H](NC(=O)[C@@H]2NC(=O)[C@@H]3C=4C=C(C(=C(O)C=4)C)OC=4C(O)=CC=C(C=4)[C@@H](N)C(=O)N[C@@H](C(=O)N3)[C@H](O)C=3C=CC(O4)=CC=3)C(=O)N1)C(O)=O)=O)C(C=C1)=CC=C1OC1=C(O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO[C@@H]5[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O5)O)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)C4=CC2=C1 BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000522641 Senna Species 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 231100000716 Acceptable daily intake Toxicity 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 241000287127 Passeridae Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 206010064127 Solar lentigo Diseases 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000012632 fluorescent imaging Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
相互参照
この出願は、t988年2月l9日に出願され、通し番
号158,289を与えられ、本願と同じ譲受人に譲渡
された、「自動高速光学検査装置」という名称の別の特
許出願と関連したものである。
号158,289を与えられ、本願と同じ譲受人に譲渡
された、「自動高速光学検査装置」という名称の別の特
許出願と関連したものである。
発明の背景
本発明はプリント配線板等のような表面の自動検査に関
し、一層詳しくは、検出器としてTDIセンサを用いて
いる表面の自動高速検査に関する。
し、一層詳しくは、検出器としてTDIセンサを用いて
いる表面の自動高速検査に関する。
プリント配線板(pwb)は、非導電性基板(FR−4
エボキシ・ガラス繊維複合材のような材料で作ってある
)上に存在する或るパターンの導電体く厚さ )、4
ミルの銅等の材料で作ってある〉゛を有している。プリ
ント配線板の製作時、導電性材料の頂面を意図的に粗面
加工して、導電体へのフォトレジストの接合を助けるこ
とが多い。粗面加工方法には、機械的研磨法、科学的エ
ッチング法、電気メッキにより粗い表面層を付加する方
法(たとえば、いわゆる「二重処理銅」で行なわれる)
がある.それぞれの粗面加工法はそれぞれ独特の表面組
織を生じさせる. したがって、プリント配線板の光学検査用の機械の設計
では、種々の表面組織を効果的に処理できるようにする
ことが必要である.また、できるだけ用途上の融通性を
与えるために、導電体が滑らかな表面を有するプリント
配線板も正しく検査できるようにすることが望ましい. 検査のために不透明な光学面を照明する最も普及した簡
単な方法では、被侠査向をiI!察するのに用いるのと
同じレンズを通して照明を行ない、また、そのレンズで
表面から反射あるいは散乱してきた光を集光している。
エボキシ・ガラス繊維複合材のような材料で作ってある
)上に存在する或るパターンの導電体く厚さ )、4
ミルの銅等の材料で作ってある〉゛を有している。プリ
ント配線板の製作時、導電性材料の頂面を意図的に粗面
加工して、導電体へのフォトレジストの接合を助けるこ
とが多い。粗面加工方法には、機械的研磨法、科学的エ
ッチング法、電気メッキにより粗い表面層を付加する方
法(たとえば、いわゆる「二重処理銅」で行なわれる)
がある.それぞれの粗面加工法はそれぞれ独特の表面組
織を生じさせる. したがって、プリント配線板の光学検査用の機械の設計
では、種々の表面組織を効果的に処理できるようにする
ことが必要である.また、できるだけ用途上の融通性を
与えるために、導電体が滑らかな表面を有するプリント
配線板も正しく検査できるようにすることが望ましい. 検査のために不透明な光学面を照明する最も普及した簡
単な方法では、被侠査向をiI!察するのに用いるのと
同じレンズを通して照明を行ない、また、そのレンズで
表面から反射あるいは散乱してきた光を集光している。
この方法は明視野垂直証明として広く知られており、簡
単には、明視野照明と呼ばれている. 第2図は、プリント配線板を検査するのに明視野照明を
用いるときに特有の問題を示している.銅製導電体8〔
断面で示す)は絶縁基板9上にある。導電体8の頂面ば
粗い状態で示してある(ここでは、説明のために粗さ程
度はかなり誇弓長してある).照明はレンズ1lを通し
て行なわれ、このレンズは表面から反射あるいは散乱し
てきた光を賎察するのにも用いられる。
単には、明視野照明と呼ばれている. 第2図は、プリント配線板を検査するのに明視野照明を
用いるときに特有の問題を示している.銅製導電体8〔
断面で示す)は絶縁基板9上にある。導電体8の頂面ば
粗い状態で示してある(ここでは、説明のために粗さ程
度はかなり誇弓長してある).照明はレンズ1lを通し
て行なわれ、このレンズは表面から反射あるいは散乱し
てきた光を賎察するのにも用いられる。
今ここで、導電体表面上の或る特定の点13を検査する
ときのこのシステムの動作を考える。点l3は、説明の
便宜上、水平面からかなり傾斜した小さな領域内にある
ものとして選んだ。照明光!Jil、2はレンズ11の
周縁から点13に到達する。点13に達する他のすべて
の光線は光線1、2間の角度で到達する。点13のとこ
ろの表面の傾斜は、光線lが反射して光線3となり、光
線2が反射して光線4となり、これらの光線3、4が共
にレンズ11の開口部の外側に位置するように決めてあ
る.他のすべての照明光線は光線3、4の間のどこかに
反射することになる。すなわち、照明光がレンズ1lに
向って反射することがないということである。レンズ1
1の上方に設置してあって戻ってくる光線をU察するよ
うになっている任意の光学的センサは点i3を黒点とし
て見る..これは点13を出た光がいずれもレンズを通
らないからである. ここで説明している一般的な観点は、゛粗面を明視野垂
直照明で践察したときにその表面の急傾斜部分が暗く見
えがちであり、表面の全体的な様相が変化の大きいまだ
らとなるということにある。
ときのこのシステムの動作を考える。点l3は、説明の
便宜上、水平面からかなり傾斜した小さな領域内にある
ものとして選んだ。照明光!Jil、2はレンズ11の
周縁から点13に到達する。点13に達する他のすべて
の光線は光線1、2間の角度で到達する。点13のとこ
ろの表面の傾斜は、光線lが反射して光線3となり、光
線2が反射して光線4となり、これらの光線3、4が共
にレンズ11の開口部の外側に位置するように決めてあ
る.他のすべての照明光線は光線3、4の間のどこかに
反射することになる。すなわち、照明光がレンズ1lに
向って反射することがないということである。レンズ1
1の上方に設置してあって戻ってくる光線をU察するよ
うになっている任意の光学的センサは点i3を黒点とし
て見る..これは点13を出た光がいずれもレンズを通
らないからである. ここで説明している一般的な観点は、゛粗面を明視野垂
直照明で践察したときにその表面の急傾斜部分が暗く見
えがちであり、表面の全体的な様相が変化の大きいまだ
らとなるということにある。
光学検査機械にとっては、鋼領域と絶縁材領域を区別で
きることが必要である.これは、しばしば、導電性領域
が少なくとも選定した波長では絶縁領域よりも反射性が
高いという事実の利点を採用することによって行なわれ
る.電子ロジックを用いることにより、暗領域を絶縁性
と識別し、暗領域を導電性と識別することができる。も
し、照明光学系が原因となって導電性領域にまだらが出
現すると、導電性領域の或る部分が絶縁性であると誤っ
て識別されることになる。
きることが必要である.これは、しばしば、導電性領域
が少なくとも選定した波長では絶縁領域よりも反射性が
高いという事実の利点を採用することによって行なわれ
る.電子ロジックを用いることにより、暗領域を絶縁性
と識別し、暗領域を導電性と識別することができる。も
し、照明光学系が原因となって導電性領域にまだらが出
現すると、導電性領域の或る部分が絶縁性であると誤っ
て識別されることになる。
この問題についての公知の解決策は、比較的大きい領域
にわたって観察した反射率値を平均し、粗い組成の銅の
場合でも、平均反射率が基仮材料の平均反射率よりも高
いことが多いという事実の利点を採用することである。
にわたって観察した反射率値を平均し、粗い組成の銅の
場合でも、平均反射率が基仮材料の平均反射率よりも高
いことが多いという事実の利点を採用することである。
しかしながら、この方法は平均化する領域よりも小さい
サイズの実際に銅の欠けている欠陥を検出することはで
きないという欠点を有する。
サイズの実際に銅の欠けている欠陥を検出することはで
きないという欠点を有する。
従来方法での照明器の開口数(NA)、すなわち、NA
=sin(θ)を定義した場合(ここで、θは表面に直
角な光線と一番端の照明光線との角度である) 照明の
NAは少なくとも約0,7NAでなければならなず、O
− 8NAより大きいと好ましい.さらに、照明はあら
ゆる入射角にわたって一定の強さ(ワット/ステラジア
ン/crn”)でなければならない(すなわち、準ラン
ベルト)。
=sin(θ)を定義した場合(ここで、θは表面に直
角な光線と一番端の照明光線との角度である) 照明の
NAは少なくとも約0,7NAでなければならなず、O
− 8NAより大きいと好ましい.さらに、照明はあら
ゆる入射角にわたって一定の強さ(ワット/ステラジア
ン/crn”)でなければならない(すなわち、準ラン
ベルト)。
本発明の功績は、粗い組成の表面の見掛上゛のまだら模
様を光学的に減らすことによって、大面積の平均化を避
けることを可能にし、その結果、導電性を欠いた材料の
より小さな領域を検出するのを可能としたことにある. 0.9を超えることすらある開口数まで広範囲の角度か
ら合焦照明を行なうことは新しいことではない。たとえ
ば、高N’A対物レンズを用いる高@準顕微鏡で用いら
れる明視野垂直照明でこのような照明が行なわれる。こ
のような顕微鏡の最良のちのでは、0.95のオーダー
の照明NAを得ている.しかしながら、このような顕微
鏡での照明の強度は入射角と無関係ではない。大きな角
度では強い湾曲のレンズ要素の透過率が低下するので、
このような対物レンズで行なう照明は直角から外れた角
度になるにつれてかなり弱くなる。
様を光学的に減らすことによって、大面積の平均化を避
けることを可能にし、その結果、導電性を欠いた材料の
より小さな領域を検出するのを可能としたことにある. 0.9を超えることすらある開口数まで広範囲の角度か
ら合焦照明を行なうことは新しいことではない。たとえ
ば、高N’A対物レンズを用いる高@準顕微鏡で用いら
れる明視野垂直照明でこのような照明が行なわれる。こ
のような顕微鏡の最良のちのでは、0.95のオーダー
の照明NAを得ている.しかしながら、このような顕微
鏡での照明の強度は入射角と無関係ではない。大きな角
度では強い湾曲のレンズ要素の透過率が低下するので、
このような対物レンズで行なう照明は直角から外れた角
度になるにつれてかなり弱くなる。
免且立旦1
図示実施例によれば、本発明は基板の表面特性を検査す
る装置および方法を提供する。各構成において、少なく
ともlつのTDIセンサが用いられ、基板の当該部分を
結像し、これらの部分がほぼ均一な照明で照明される. 第1実施例では、彼検査基板の特性と記憶手段にあらか
じめ記憶してあった特性とをチェックする。次に、被検
査基板が結像されたとき、この像は記憶手段に記憶され
ている特性と比較される。
る装置および方法を提供する。各構成において、少なく
ともlつのTDIセンサが用いられ、基板の当該部分を
結像し、これらの部分がほぼ均一な照明で照明される. 第1実施例では、彼検査基板の特性と記憶手段にあらか
じめ記憶してあった特性とをチェックする。次に、被検
査基板が結像されたとき、この像は記憶手段に記憶され
ている特性と比較される。
第2実施例において、少なくとも1つの基板の表面のあ
る領域における第1、第2のパターンについて、一方の
パターンを他方のパターンと比較し、これらのパターン
が互いに一致するかどうかを知ることによって、予想パ
ターンを予め記憶することなく、検査されるようになっ
ている。これを行うには、少なくともこれら2つのパタ
ーンを証明し、第1パターンを結像すると共にその特性
を一時メモリに記憶し、次いで第2パターンを結像し、
それを一時メモリに記憶されていた特性と比較する。こ
の比較によって2つのパターンが一致するかどうかが示
される。次いで、次の結像/比較ンーケンスでは上記第
2パターンを第1パターンとし、新しい第2パターンと
比較することとして、順次比較を続ける。比較が行われ
る毎に、2つのパターン間に一致があったかどうか、そ
して、どの2つのパターンが比較されたかが記憶される
。すべてのパターンを順次比較した後、このテストプロ
セスにおいて他のパターンと大きく異なるパターンを識
別することによって悪いパターンが識別される。この検
査技術はダイ毎の検査を行うのには有用であり、また、
同じダイ内でパターン検査を繰り返すにも有用である。
る領域における第1、第2のパターンについて、一方の
パターンを他方のパターンと比較し、これらのパターン
が互いに一致するかどうかを知ることによって、予想パ
ターンを予め記憶することなく、検査されるようになっ
ている。これを行うには、少なくともこれら2つのパタ
ーンを証明し、第1パターンを結像すると共にその特性
を一時メモリに記憶し、次いで第2パターンを結像し、
それを一時メモリに記憶されていた特性と比較する。こ
の比較によって2つのパターンが一致するかどうかが示
される。次いで、次の結像/比較ンーケンスでは上記第
2パターンを第1パターンとし、新しい第2パターンと
比較することとして、順次比較を続ける。比較が行われ
る毎に、2つのパターン間に一致があったかどうか、そ
して、どの2つのパターンが比較されたかが記憶される
。すべてのパターンを順次比較した後、このテストプロ
セスにおいて他のパターンと大きく異なるパターンを識
別することによって悪いパターンが識別される。この検
査技術はダイ毎の検査を行うのには有用であり、また、
同じダイ内でパターン検査を繰り返すにも有用である。
第3実施例は第2実施例に類似している。この実施例で
は、2つのTDIセンサを用いて第1、第2のパターン
を同時に結像することにより、一時メモリの必要性をな
くしている。この実施例では、2つのパターンは同時に
結像されて比較され、次いで、次の2つのパターンが、
同じ要領で、比較の結果と順次に比較され、記憶されて
いたパターン位置が、すべてのパターンの険査が完了し
たときにどのパターンが不合格であるかを決定する。
は、2つのTDIセンサを用いて第1、第2のパターン
を同時に結像することにより、一時メモリの必要性をな
くしている。この実施例では、2つのパターンは同時に
結像されて比較され、次いで、次の2つのパターンが、
同じ要領で、比較の結果と順次に比較され、記憶されて
いたパターン位置が、すべてのパターンの険査が完了し
たときにどのパターンが不合格であるかを決定する。
実 施 例
第1図には本発明の検査装置10の全体的なブロック図
が示してある。この検査装置10におけるテスト法は、
基本的には、第1の基板の表面とこの第1基板と同じと
考えられる第2基板の表面との比較(ダイ毎)、反復パ
ターンを有する1枚の基仮におけるこの基阪上のこれら
のパターンのうちの1つと同じ基板上の池のパターンの
比較、あるいはメモリ(データベース)に洛納された予
想パターンの基本的特性との比較である。
が示してある。この検査装置10におけるテスト法は、
基本的には、第1の基板の表面とこの第1基板と同じと
考えられる第2基板の表面との比較(ダイ毎)、反復パ
ターンを有する1枚の基仮におけるこの基阪上のこれら
のパターンのうちの1つと同じ基板上の池のパターンの
比較、あるいはメモリ(データベース)に洛納された予
想パターンの基本的特性との比較である。
最初の比較(ダイ毎の比較)は、基阪、例えば、半導体
ウエー八が互いに同じと考えられる複数のダイを包含す
るときに有用である。この状況において、2つのダイは
同時に蜆察され、一方のダイの特性が他方のダイの特性
と比較される。もしずれがある場合には、2つのダイの
間にずれが存在することがわかる。このプロセスは各ダ
イ毎に2回ずつ観察を行いながら、検査経路の最初と最
後のダイを例外として続けられる。この検査法では、悪
いダイは、通常1以上の一致しない対として現れ、これ
により選抜される。この検査モードでは、各ダイの予想
特性は、データベースに記憶されない。この方法は、例
えば2つ以上のプリント配線゜坂に別々に形或されてい
る「ダイ」にも使用され得る。実際に検査を実行してい
る際、一致した対の光学経路と、コンバレー夕に同時に
送られる出力信号を有するセンサとで検査を実行するか
、あるいは、単一の光学経路と、第2ダイか結像される
ときに第1ダイの1象特性を一時的に記憶し、コンバレ
ー夕に送るセンサとで検査を実行するか、いずれかを選
択できる。次に、一時メモリ内の第1ダイの1象特性が
第2ダイの特性に書き換えられ、プロセスは上述と同様
に続けられる。
ウエー八が互いに同じと考えられる複数のダイを包含す
るときに有用である。この状況において、2つのダイは
同時に蜆察され、一方のダイの特性が他方のダイの特性
と比較される。もしずれがある場合には、2つのダイの
間にずれが存在することがわかる。このプロセスは各ダ
イ毎に2回ずつ観察を行いながら、検査経路の最初と最
後のダイを例外として続けられる。この検査法では、悪
いダイは、通常1以上の一致しない対として現れ、これ
により選抜される。この検査モードでは、各ダイの予想
特性は、データベースに記憶されない。この方法は、例
えば2つ以上のプリント配線゜坂に別々に形或されてい
る「ダイ」にも使用され得る。実際に検査を実行してい
る際、一致した対の光学経路と、コンバレー夕に同時に
送られる出力信号を有するセンサとで検査を実行するか
、あるいは、単一の光学経路と、第2ダイか結像される
ときに第1ダイの1象特性を一時的に記憶し、コンバレ
ー夕に送るセンサとで検査を実行するか、いずれかを選
択できる。次に、一時メモリ内の第1ダイの1象特性が
第2ダイの特性に書き換えられ、プロセスは上述と同様
に続けられる。
データベースを用いた比較では、被検査基板の1象特性
は予めメモリに格納されており、このメモリデータは良
基板すなわち「黄金ボード」であるとわかっている基板
を用いて、光学結像以外の手段で生成される。このよう
なデータベースを生成する最も普通の方法は、当初に基
板を設計したCADシステムによる方法である。このよ
うなデータベースは、手動で生成し得るが、これはたい
ていの用途にとって非常に効率が悪い。データベースを
用いた比較では、作動にあたって被検査基阪を光学的に
結像し、結1象された特性をデータベースに格納されて
いた特性と比較する。ここで、特性が一致しない基板は
不合格として自動的に識別される。
は予めメモリに格納されており、このメモリデータは良
基板すなわち「黄金ボード」であるとわかっている基板
を用いて、光学結像以外の手段で生成される。このよう
なデータベースを生成する最も普通の方法は、当初に基
板を設計したCADシステムによる方法である。このよ
うなデータベースは、手動で生成し得るが、これはたい
ていの用途にとって非常に効率が悪い。データベースを
用いた比較では、作動にあたって被検査基阪を光学的に
結像し、結1象された特性をデータベースに格納されて
いた特性と比較する。ここで、特性が一致しない基板は
不合格として自動的に識別される。
本出願人は、ここに開示したシステムを、同じパターン
が多数回繰り返される基板(たとえば、半導体メモリチ
ップ)を含む、ウエーハ、マスク、プリント配線板、ホ
トツール等の検査に応用した。
が多数回繰り返される基板(たとえば、半導体メモリチ
ップ)を含む、ウエーハ、マスク、プリント配線板、ホ
トツール等の検査に応用した。
本発明の実施例における検査装置10はCPU26を有
するコンビュータ制御システムであり、このCPUはデ
ータパス40を経てシステムの池の種々の構成要素と連
絡している。データパス40に接続した検査装置中の他
の構成要素としては、ROM30、R A M 3 2
、モニタ34、XYサーボ制御器36、位置センサ38
および画像処理装置25がある.検査装置に使用者が働
きかけることができるようにキーボード28が設けてあ
り、基[14の険査を手動で制御できるようになってい
る.さらに、基板14の現在観察されている項域を使用
者に視覚を通じてフィードバックさせるためにモニタ3
4が設けてある。RAM32、ROM30はCPU制御
システムにおける通常の機能を行なうために設けてある
。XYサーボ制御器36は少なくとも1個以上のXYス
テージ12に機械的に連結してあってそれ以上の数の基
板14をCPU26の制御の下に所望位置まで移動させ
る。位置センサ38はステージ12のX位置とY位置を
決定するための線形スケールである。基板14のすぐ上
には光学照明機20が装着してあるが、これは基板14
の表面を光線16で照明するものであり、また、この照
明器を通じて基板の表面を光線18、18゛を介してセ
ンサ24で蜆察されるようになっている。
するコンビュータ制御システムであり、このCPUはデ
ータパス40を経てシステムの池の種々の構成要素と連
絡している。データパス40に接続した検査装置中の他
の構成要素としては、ROM30、R A M 3 2
、モニタ34、XYサーボ制御器36、位置センサ38
および画像処理装置25がある.検査装置に使用者が働
きかけることができるようにキーボード28が設けてあ
り、基[14の険査を手動で制御できるようになってい
る.さらに、基板14の現在観察されている項域を使用
者に視覚を通じてフィードバックさせるためにモニタ3
4が設けてある。RAM32、ROM30はCPU制御
システムにおける通常の機能を行なうために設けてある
。XYサーボ制御器36は少なくとも1個以上のXYス
テージ12に機械的に連結してあってそれ以上の数の基
板14をCPU26の制御の下に所望位置まで移動させ
る。位置センサ38はステージ12のX位置とY位置を
決定するための線形スケールである。基板14のすぐ上
には光学照明機20が装着してあるが、これは基板14
の表面を光線16で照明するものであり、また、この照
明器を通じて基板の表面を光線18、18゛を介してセ
ンサ24で蜆察されるようになっている。
センサ24は、基板14の表面の観察像を画像処理装置
25に送る電気は号に変換する。画像処理装置25は、
どの作動モードが使用されているかということに依存し
て、セ゜ンサ24からの信号を処理して検出された像を
増幅すると共に、データを変換してそれを圧縮し、RA
M32で受け取ったデータを格納するに必要な記憶量を
最少限に抑える。
25に送る電気は号に変換する。画像処理装置25は、
どの作動モードが使用されているかということに依存し
て、セ゜ンサ24からの信号を処理して検出された像を
増幅すると共に、データを変換してそれを圧縮し、RA
M32で受け取ったデータを格納するに必要な記憶量を
最少限に抑える。
データベース・モードでの作動にあたって、使用者は、
まず、検査しようとしている基[14の表面上のパター
ンの設計上の特性をRAM32に記憶させる。これらの
特性は位置、機構的な特性、接続の情報を含んでいる。
まず、検査しようとしている基[14の表面上のパター
ンの設計上の特性をRAM32に記憶させる。これらの
特性は位置、機構的な特性、接続の情報を含んでいる。
これはパターンを発生させるのに用いられるデータベー
スと一緒に行われ得る。
スと一緒に行われ得る。
選んだ影像センサ、たとえば、TDIセンナとの組合わ
せで以下に述べる種々の照明技術を使用することによっ
て、プリント配線板のような基板の表面は、毎秒25イ
ンチ(63.5センチメートル)の速度で基板を照明器
の下のLI&i路に沿って移動させながら検査すること
ができる。
せで以下に述べる種々の照明技術を使用することによっ
て、プリント配線板のような基板の表面は、毎秒25イ
ンチ(63.5センチメートル)の速度で基板を照明器
の下のLI&i路に沿って移動させながら検査すること
ができる。
Lヱ旦里1
本発明の基本的な実施例の1つは、検査しようとしてい
る加工片上方にできるかぎり均一な照明野を与え、まだ
ら模様の影響を最大限に抑えることのできる照明装置で
ある. 本発明の光学照明器20は第2図の照明光線5を考察す
ることによって理解して貰えよう.この光線はレンズl
1の開口の外側から、或る角度で照明システム(図示せ
ず)によって与えられる。光線5は点13のところで傾
斜面によって反射されて光線6となり、この光線はレン
ズ11に入射する。この光線は、センサ上に結像したと
き、点13まわりの表面領域を明領域とするように作用
する。第2図についての説明で例示する理論は、粗面の
まだら摸様が、大きな゛角度で照明光線を与えることに
よってかなり減少するかあるいは除去され、表面のどの
特定領域の局部的な傾斜であっても、観察用レンズに反
射させようとしている適切な角度で利用できる照明光線
が常に存在するということを照明することにある。
る加工片上方にできるかぎり均一な照明野を与え、まだ
ら模様の影響を最大限に抑えることのできる照明装置で
ある. 本発明の光学照明器20は第2図の照明光線5を考察す
ることによって理解して貰えよう.この光線はレンズl
1の開口の外側から、或る角度で照明システム(図示せ
ず)によって与えられる。光線5は点13のところで傾
斜面によって反射されて光線6となり、この光線はレン
ズ11に入射する。この光線は、センサ上に結像したと
き、点13まわりの表面領域を明領域とするように作用
する。第2図についての説明で例示する理論は、粗面の
まだら摸様が、大きな゛角度で照明光線を与えることに
よってかなり減少するかあるいは除去され、表面のどの
特定領域の局部的な傾斜であっても、観察用レンズに反
射させようとしている適切な角度で利用できる照明光線
が常に存在するということを照明することにある。
表面の或る部分が傾斜として生じ得る各角度について、
或る特定の照明光線群がその表面から観察用レンズに反
射させられることになる。種々の角度で傾斜した表面が
センナにとって均一な明るさであると判断できるように
するためには、種々の光線群がすべて同じ強度であるこ
とが重要である。処理しようとしている表面上に位置し
、光を見ている仮想観察者を想定すれば、光が均等な強
度であらゆる方向から到達すること、すなわち、観察者
が均一な輝度の天井の下に位置していることは明らかで
ある. ランベルト拡散面、たとえば、乳白色ガラス片が観察者
のすぐ上に位置しており、また、空間的に均一な照明光
がこの表面を貫いて送られてくる場合、上記の照明条件
が関係してくる.ランベルト面は等しい光学的なパワー
密度を等しい立体角で押射するものであり、任意の方向
から表面を見ている観察者は同じ明るさを見ることにな
る。加工片上に位置する仮悲観察者は乳白色ガラス天井
を見上げており、その見ている方向がどの方向であろう
と、この観察者は彼が見ている点のところで乳白色ガラ
スの頂面に当る光の強度に比例する強度の光を見ること
になる.したがって、乳白色ガラスの頂面に入射する光
の空間的な均一性は観察領域で見られる光の角度の均一
性となろう.このような照明器は、乳白色ガラスが対象
物の観察を妨げるという理由のためだけで使用できない
。本発明の照明器は理想的なランベルト照明器を有用な
糧度まで近づける実用的な照明器である。これは準ラン
ベルト照明器と呼ぶことができる。
或る特定の照明光線群がその表面から観察用レンズに反
射させられることになる。種々の角度で傾斜した表面が
センナにとって均一な明るさであると判断できるように
するためには、種々の光線群がすべて同じ強度であるこ
とが重要である。処理しようとしている表面上に位置し
、光を見ている仮想観察者を想定すれば、光が均等な強
度であらゆる方向から到達すること、すなわち、観察者
が均一な輝度の天井の下に位置していることは明らかで
ある. ランベルト拡散面、たとえば、乳白色ガラス片が観察者
のすぐ上に位置しており、また、空間的に均一な照明光
がこの表面を貫いて送られてくる場合、上記の照明条件
が関係してくる.ランベルト面は等しい光学的なパワー
密度を等しい立体角で押射するものであり、任意の方向
から表面を見ている観察者は同じ明るさを見ることにな
る。加工片上に位置する仮悲観察者は乳白色ガラス天井
を見上げており、その見ている方向がどの方向であろう
と、この観察者は彼が見ている点のところで乳白色ガラ
スの頂面に当る光の強度に比例する強度の光を見ること
になる.したがって、乳白色ガラスの頂面に入射する光
の空間的な均一性は観察領域で見られる光の角度の均一
性となろう.このような照明器は、乳白色ガラスが対象
物の観察を妨げるという理由のためだけで使用できない
。本発明の照明器は理想的なランベルト照明器を有用な
糧度まで近づける実用的な照明器である。これは準ラン
ベルト照明器と呼ぶことができる。
まだら模様を曇ったく抑制できないいくつかの粗面形態
がある。これは第3図を考察することによって理解でき
る.導電体8の表面上の点205は天井照明に接近し難
いほど水平面からかなり傾斜している。光!1201、
202は点205からレンズl1の境界面まで延びてい
る.光線203、204は反射して光#l201、20
2となるように与えた照明光線である.これらの光線は
導電体8の内部から来るものであるか(これは不可能で
ある)、あるいは、導電体表面上の他の点からの反射し
た後に点205に到達したものであるはずである.表面
材料の反射率が不完全であるから、点205のように間
接照明点は天井によって直接照明される点よりも暗く見
えることになる, まだら模様を完全に抑制することが理論的にできないと
いうことにもからわらず、本発明者等は、加工片上方の
天井照明を均一にすればするほど、より効果的にまだら
模様を抑制できることを経験的に観察した.まだら模様
抑制を最適に行なった場合、暗い鋼領域を絶縁材と誤識
別することによる失敗なしに導電体パターンにあり得る
最小の欠陥も見出せるように検査アルゴリズムを調節す
ることができる. 準ランベルト照明器を用いた実験で収集したデータに基
いて、.第4図のヒストグラムは銅で覆われた対象物(
プリント配線板から切り出した小片サンプル)の領域に
対する画素強度の分布と、絶縁FR4基板が露出した領
域に対する別の分布状態とを示している.本発明者等は
、照明の開口数を変えながら、鋼ビークの幅をその平均
値の関数として観察した.この関数は第5図にプロット
してある。
がある。これは第3図を考察することによって理解でき
る.導電体8の表面上の点205は天井照明に接近し難
いほど水平面からかなり傾斜している。光!1201、
202は点205からレンズl1の境界面まで延びてい
る.光線203、204は反射して光#l201、20
2となるように与えた照明光線である.これらの光線は
導電体8の内部から来るものであるか(これは不可能で
ある)、あるいは、導電体表面上の他の点からの反射し
た後に点205に到達したものであるはずである.表面
材料の反射率が不完全であるから、点205のように間
接照明点は天井によって直接照明される点よりも暗く見
えることになる, まだら模様を完全に抑制することが理論的にできないと
いうことにもからわらず、本発明者等は、加工片上方の
天井照明を均一にすればするほど、より効果的にまだら
模様を抑制できることを経験的に観察した.まだら模様
抑制を最適に行なった場合、暗い鋼領域を絶縁材と誤識
別することによる失敗なしに導電体パターンにあり得る
最小の欠陥も見出せるように検査アルゴリズムを調節す
ることができる. 準ランベルト照明器を用いた実験で収集したデータに基
いて、.第4図のヒストグラムは銅で覆われた対象物(
プリント配線板から切り出した小片サンプル)の領域に
対する画素強度の分布と、絶縁FR4基板が露出した領
域に対する別の分布状態とを示している.本発明者等は
、照明の開口数を変えながら、鋼ビークの幅をその平均
値の関数として観察した.この関数は第5図にプロット
してある。
ここで明らかなように、開口数が実験の限界まで大きく
なるにつれてビー゜クは狭くなる。これらのデータは、
銅粗面の見掛上のまだら槙様を最小限に抑えるという観
点から、可.能性のある最高の照明開口数を持ち、開口
数が少なくとも0.7NAを超え、好ましくは0.8,
NAを超えることが望ましいことを示している。
なるにつれてビー゜クは狭くなる。これらのデータは、
銅粗面の見掛上のまだら槙様を最小限に抑えるという観
点から、可.能性のある最高の照明開口数を持ち、開口
数が少なくとも0.7NAを超え、好ましくは0.8,
NAを超えることが望ましいことを示している。
また、第2図、第3図が或る特定の横断面において照明
が均一であるように示してある横断面を示しているが、
対象物まわりのあらゆる方向で均一性を持つことが望ま
しいことも了解されたい。
が均一であるように示してある横断面を示しているが、
対象物まわりのあらゆる方向で均一性を持つことが望ま
しいことも了解されたい。
これを行なわなかった場合、たとえば、北方向で法線か
ら40度{噴斜した小さい表面領域は東方向に傾斜した
基本表面領域と異なった見i上ノw度を持つことになる
. 実験から得た一般法則は、天井のあらゆる部分ができる
かぎり最大の程度まで均一に光で満たされていて粗面の
見掛上のまだら模様を最小限に抑えなければならないと
いうことである。
ら40度{噴斜した小さい表面領域は東方向に傾斜した
基本表面領域と異なった見i上ノw度を持つことになる
. 実験から得た一般法則は、天井のあらゆる部分ができる
かぎり最大の程度まで均一に光で満たされていて粗面の
見掛上のまだら模様を最小限に抑えなければならないと
いうことである。
準ランベルト照明には、まだら模様の低減という利点に
加えて、光学検査システムで導電線の底縁を見る能力を
改善できるという利点がある。
加えて、光学検査システムで導電線の底縁を見る能力を
改善できるという利点がある。
第2図を参照して,ここでは、導電線の縁7が垂直面に
対して或る角度で傾斜していて、導電線の幅が頂面より
も底面で大きくなっているということに注目されたい。
対して或る角度で傾斜していて、導電線の幅が頂面より
も底面で大きくなっているということに注目されたい。
普通の検査要件は、底のヒころで隣り合った導電体間の
ギャップを決定することにある。なぜならば、底のとこ
ろで最も接近距離が小さくなり、導電体が短絡する可能
性が大きいからである。明視野照明は、普通は、7のよ
うな縁を暗く見せ、縁7が観察用レンズに明視野光線を
反射しないために基板材料と区別できなくなる。したが
って、導電体の頂面しか見えないので頂面のところで導
電体の幅を測定させるという傾向が明視野照明にはある
。プリント配線板上に見える種々の縁輪郭の多くにとっ
て、導電体縁を見えるようにする光線を与え、導電体の
幅および間隔を導電体輪郭の底で測定できるようにする
という点で準ランベルト照明の使用が役立つことは理解
できよう。
ギャップを決定することにある。なぜならば、底のとこ
ろで最も接近距離が小さくなり、導電体が短絡する可能
性が大きいからである。明視野照明は、普通は、7のよ
うな縁を暗く見せ、縁7が観察用レンズに明視野光線を
反射しないために基板材料と区別できなくなる。したが
って、導電体の頂面しか見えないので頂面のところで導
電体の幅を測定させるという傾向が明視野照明にはある
。プリント配線板上に見える種々の縁輪郭の多くにとっ
て、導電体縁を見えるようにする光線を与え、導電体の
幅および間隔を導電体輪郭の底で測定できるようにする
という点で準ランベルト照明の使用が役立つことは理解
できよう。
照明器についての一般的な要件は、光学視野における光
強度がTDIセンサの長さ(Y方向)に沿ってほぼ均一
であるということである。しかしながら、X方向、すな
わち、(TD−Iセンサの長軸に対して直角な)、ステ
ージの移動方向で均一である必要はない。これはこの方
向におけるTDIセンサの積分特性による.この特性に
より、センサ視野を横切る積分した全エネルギが視野の
長さに沿って均一であるかぎり、光はX方向において任
意の強度分布を持つことができる.これにより、TDI
センサについての照明器の構造は、両軸においてほぼ一
定の光を必要とする従来の面積センサよりもかなり簡単
になる.この積分特性は、センサの面にある画素閉塞ち
り粒子についてのシステム公差を与える.これらの効果
はTDIセンサによって簡単に積分される.a.合焦点
式準ランベルト照明 たいていの拡散型照明の欠点、特に、準ランベルト型照
明のたいていの結像実行の際の欠点は光の無駄が多いと
いう点にある. 高速光学検査機械の設計では、システム性能は利用でき
る光の量によって制限されることが多い.もし大量の光
を犠牲にして準ランベルト照明を行なう場合、機械の速
度を落して最適な信号対?イズの比を維持する必要があ
るかも知れない。
強度がTDIセンサの長さ(Y方向)に沿ってほぼ均一
であるということである。しかしながら、X方向、すな
わち、(TD−Iセンサの長軸に対して直角な)、ステ
ージの移動方向で均一である必要はない。これはこの方
向におけるTDIセンサの積分特性による.この特性に
より、センサ視野を横切る積分した全エネルギが視野の
長さに沿って均一であるかぎり、光はX方向において任
意の強度分布を持つことができる.これにより、TDI
センサについての照明器の構造は、両軸においてほぼ一
定の光を必要とする従来の面積センサよりもかなり簡単
になる.この積分特性は、センサの面にある画素閉塞ち
り粒子についてのシステム公差を与える.これらの効果
はTDIセンサによって簡単に積分される.a.合焦点
式準ランベルト照明 たいていの拡散型照明の欠点、特に、準ランベルト型照
明のたいていの結像実行の際の欠点は光の無駄が多いと
いう点にある. 高速光学検査機械の設計では、システム性能は利用でき
る光の量によって制限されることが多い.もし大量の光
を犠牲にして準ランベルト照明を行なう場合、機械の速
度を落して最適な信号対?イズの比を維持する必要があ
るかも知れない。
本発明の本質的な特徴は、少な《とも1つの軸線に焦点
合せ要素を設置し、非観察領域を照明するという光の無
駄を最小限に抑えなからセンサ番7よって観察しようと
している限られた領域内でf■ランベルト照明を行なう
ということにある。
合せ要素を設置し、非観察領域を照明するという光の無
駄を最小限に抑えなからセンサ番7よって観察しようと
している限られた領域内でf■ランベルト照明を行なう
ということにある。
また、準ランベルト照明を制限するように照明制御用ス
リットを設けることによってノイズを抑えるばかりでな
く信号を強めることによって信号・ノイズ比をさらに軽
減することができることも明らかであろう。これは本発
明の第2の利点である。
リットを設けることによってノイズを抑えるばかりでな
く信号を強めることによって信号・ノイズ比をさらに軽
減することができることも明らかであろう。これは本発
明の第2の利点である。
さらに、後に明らかにするように、ほぼ線形の検出器ア
レイと共に作動するように設計した本発明の特別の実施
例では非常に長い視野にわたって効果的な合焦点高NA
@明を達成できる。
レイと共に作動するように設計した本発明の特別の実施
例では非常に長い視野にわたって効果的な合焦点高NA
@明を達成できる。
本発明の基本は合焦点準ランベルト照明の提供にあるが
、本発明の検査システムの有用性を最適化するように設
計に組み込むべき付加的な設計原理もある。本発明の光
学照明器20゛の設計では、観察用レンズは0.06の
NAを持ち、照明NAは約0.9である。
、本発明の検査システムの有用性を最適化するように設
計に組み込むべき付加的な設計原理もある。本発明の光
学照明器20゛の設計では、観察用レンズは0.06の
NAを持ち、照明NAは約0.9である。
周知のように、熱力学第2法則に則って、照明光学系は
発光源よりも大きい見掛上の輝度を得ることはできない
。実際面では,このことは、或る系で用いられる光源が
10平方インチ(64.5平方センチメートル)の表面
積を持つとすれば、最も効率的な照明光学系があるとし
てそれは発せられた光のすべてを10平方インチの面積
に送ることになるが、実際に入手できるたいていの照明
器は10平方インチより大きい面積に光を広げてしまう
ことになる.したがって、或る準ランベルト型照明器の
設計で効率を最大にしても、光源は照明しようとしてい
る面積に等しいかあるいはそれよりも小さい寸法としな
ければならないと結論できる。
発光源よりも大きい見掛上の輝度を得ることはできない
。実際面では,このことは、或る系で用いられる光源が
10平方インチ(64.5平方センチメートル)の表面
積を持つとすれば、最も効率的な照明光学系があるとし
てそれは発せられた光のすべてを10平方インチの面積
に送ることになるが、実際に入手できるたいていの照明
器は10平方インチより大きい面積に光を広げてしまう
ことになる.したがって、或る準ランベルト型照明器の
設計で効率を最大にしても、光源は照明しようとしてい
る面積に等しいかあるいはそれよりも小さい寸法としな
ければならないと結論できる。
効率的な準ランベルト型照明器の設計における第2の要
件は、少なくとも1つの軸綿に焦点合せ手段を設け、光
源から自然に発散する光線が照明しようとしている対象
物に向って再収束するようにしなければならないという
ことである.第3の要件は、照明器に設けられたいかな
る焦点合せ要素と非焦点合せ要素の組合わせも対象物上
方の天井が1横断面からばかりでなくあらゆる角度から
ほぼ均一に見えることを確保できるものでなければなら
ないということである.この原理の或る応用例を合焦点
準ランベルト型照明器の特別の白熱ランプについて以下
に説明する。
件は、少なくとも1つの軸綿に焦点合せ手段を設け、光
源から自然に発散する光線が照明しようとしている対象
物に向って再収束するようにしなければならないという
ことである.第3の要件は、照明器に設けられたいかな
る焦点合せ要素と非焦点合せ要素の組合わせも対象物上
方の天井が1横断面からばかりでなくあらゆる角度から
ほぼ均一に見えることを確保できるものでなければなら
ないということである.この原理の或る応用例を合焦点
準ランベルト型照明器の特別の白熱ランプについて以下
に説明する。
本発明の照明器では、焦点合せ用光学要素は楕円形の円
筒であり、これらは1つの平面においてのみ収束を行な
う(第6図のミラー901、902、903参照) 平
らな端ミラー1102、1103(第7図〉がランプ・
フィラメント907a、908a.909a)に対して
直角にかつミラー901、902..903の楕円形円
筒の軸線に対して直角に設けてあり、これらの端ミラー
は楕円体の多重反射を行ない、ランプは非常に長いラン
プと均等となり、プリント配線板ターゲットから見たと
きに横円形の反射器となる,したがって、端ミラー(1
102、1103)と円筒形の焦点合せ用ミラー(90
1、902、903)の組合わせは対象物であらゆる方
向において均一な天井が見えるという効果を奏する。
筒であり、これらは1つの平面においてのみ収束を行な
う(第6図のミラー901、902、903参照) 平
らな端ミラー1102、1103(第7図〉がランプ・
フィラメント907a、908a.909a)に対して
直角にかつミラー901、902..903の楕円形円
筒の軸線に対して直角に設けてあり、これらの端ミラー
は楕円体の多重反射を行ない、ランプは非常に長いラン
プと均等となり、プリント配線板ターゲットから見たと
きに横円形の反射器となる,したがって、端ミラー(1
102、1103)と円筒形の焦点合せ用ミラー(90
1、902、903)の組合わせは対象物であらゆる方
向において均一な天井が見えるという効果を奏する。
表面検査のための合焦点準ランペルト型照明器の設計に
おいて、設計原理は加工片から照明光を発するフィラメ
ントに戻る光綿を追跡することにある。システム製作公
差を考慮して、このような光線がすべてフィラメントの
占有する領域に均等に入射し、表面反射によって光繍の
蒙る正味損失が20%を超えず、好ましくは、10%を
超えないようにしなければならない。
おいて、設計原理は加工片から照明光を発するフィラメ
ントに戻る光綿を追跡することにある。システム製作公
差を考慮して、このような光線がすべてフィラメントの
占有する領域に均等に入射し、表面反射によって光繍の
蒙る正味損失が20%を超えず、好ましくは、10%を
超えないようにしなければならない。
本発明の照明器においては予想もしなかったことである
が、ほぼ線形の光源に対して効率の良い光学結合を行な
うことによって非常に大きい線形視野にわたって効率の
良い合焦点高NA照明を得ることができる。また、本発
明の照明器が両座標軸においてほぼ均一な高NA照明を
行ない、照明光が影像センサ上に像を形成するのに用い
るのと同じレンズを通す必要なしに少なくとも1つの座
標軸に対して合焦することも予想しなかったことである
。これは最適な設計を可能とし、センナ・レンズのコス
トを低減する。
が、ほぼ線形の光源に対して効率の良い光学結合を行な
うことによって非常に大きい線形視野にわたって効率の
良い合焦点高NA照明を得ることができる。また、本発
明の照明器が両座標軸においてほぼ均一な高NA照明を
行ない、照明光が影像センサ上に像を形成するのに用い
るのと同じレンズを通す必要なしに少なくとも1つの座
標軸に対して合焦することも予想しなかったことである
。これは最適な設計を可能とし、センナ・レンズのコス
トを低減する。
b.信号対ノイズ比を改善する取り外し自在のスリット
開口数が非常に高い照明を行なってプリント配線板を検
査する場合、驚くべき現象が生じる.これは高角度照明
を用いようとしている場合には克服しなければならない
.この現象は第8図、第9図に示してある. スリット組立体607が存在しないものとして第8図を
参照すると、合焦点準ランベルト照明システムは多くの
角度で光線を与える.照明光は光学センサで観察される
領域602に入射し、また、照明器の不完全さのために
、領域602の外側の領域にも入射する.光の無駄を防
ぐために余分な照明面積はできるだけ小さくしなければ
ならないが、すべての光を領域602内に入射させるの
は不可能である. 光線604、605、606はシステム内に存在する多
くの光線の例として選んである。光線604は導電体6
03の一部に入射し、この導電体の影像を形成するよう
に作用する角度で反射するものとして示してある。光線
605はガラス繊維基板に入射し、基板材料を貫いて無
作為に拡散し、被観察領域602内の一点で出射する。
査する場合、驚くべき現象が生じる.これは高角度照明
を用いようとしている場合には克服しなければならない
.この現象は第8図、第9図に示してある. スリット組立体607が存在しないものとして第8図を
参照すると、合焦点準ランベルト照明システムは多くの
角度で光線を与える.照明光は光学センサで観察される
領域602に入射し、また、照明器の不完全さのために
、領域602の外側の領域にも入射する.光の無駄を防
ぐために余分な照明面積はできるだけ小さくしなければ
ならないが、すべての光を領域602内に入射させるの
は不可能である. 光線604、605、606はシステム内に存在する多
くの光線の例として選んである。光線604は導電体6
03の一部に入射し、この導電体の影像を形成するよう
に作用する角度で反射するものとして示してある。光線
605はガラス繊維基板に入射し、基板材料を貫いて無
作為に拡散し、被観察領域602内の一点で出射する。
ここで、この光線は出射点での基板の見掛上の明るさに
貢献する。光線606は被観察領域602の外側の一点
で基板に入射し、被観察領域に拡散してから出射する.
したがって、光線606も被賎察領域602において基
板の見掛上の明るさに貢献する。
貢献する。光線606は被観察領域602の外側の一点
で基板に入射し、被観察領域に拡散してから出射する.
したがって、光線606も被賎察領域602において基
板の見掛上の明るさに貢献する。
ガラス繊維製基板上の銅製導電体のパターンを観察する
通常モードは銅の見掛上の明るさがガラス繊維基板の見
掛上の明るさを超えるという事実に依存する.今、照明
光の開口数を高めることについての、銅/ガラス繊維コ
ントラストに対する影響を考える,NAが低いとき、銅
の、ほぼ水平であると思われる或る領域は明るく見える
ことになる.水平面から傾斜した領域は暗く見えること
になる.したがって、銅の反射率のヒストグラムは、第
9図の条件lでわかるように、広がったものとなる。
通常モードは銅の見掛上の明るさがガラス繊維基板の見
掛上の明るさを超えるという事実に依存する.今、照明
光の開口数を高めることについての、銅/ガラス繊維コ
ントラストに対する影響を考える,NAが低いとき、銅
の、ほぼ水平であると思われる或る領域は明るく見える
ことになる.水平面から傾斜した領域は暗く見えること
になる.したがって、銅の反射率のヒストグラムは、第
9図の条件lでわかるように、広がったものとなる。
この同じ低NA照明条件の下で、ガラスa 4基板に入
射する光線の大部分は光学系から逃げる角度で出射する
ことになる。これらの光線のうちの無作為なサンプルは
,拡散後に、観察され得るような位置および角度で出射
することになる。基端内を移動しているときにすべての
光線が多重反射するために、光の強さは全体的に無作為
となり、基板の全体的な明るさはむしろ均一に見えるこ
とになる.拡散光の少なくとも半分が基板の被観察面よ
りもむしろ背面に向って無作為に通過するために、そし
て、若干の光線が基板材料から出躬することなく吸収さ
れるために、基板は全体的に銅よりも暗く見える。基板
の均質性および暗さは、第9図の条件1では、基板材料
に対応するヒストグラム・ピークの狭さおよび小さい平
均輝度として現われる。
射する光線の大部分は光学系から逃げる角度で出射する
ことになる。これらの光線のうちの無作為なサンプルは
,拡散後に、観察され得るような位置および角度で出射
することになる。基端内を移動しているときにすべての
光線が多重反射するために、光の強さは全体的に無作為
となり、基板の全体的な明るさはむしろ均一に見えるこ
とになる.拡散光の少なくとも半分が基板の被観察面よ
りもむしろ背面に向って無作為に通過するために、そし
て、若干の光線が基板材料から出躬することなく吸収さ
れるために、基板は全体的に銅よりも暗く見える。基板
の均質性および暗さは、第9図の条件1では、基板材料
に対応するヒストグラム・ピークの狭さおよび小さい平
均輝度として現われる。
次に照明システムの開口数が大きくなると代況がどう変
わるかを考察する.最初から明るかった銅領域は、ほぼ
水平な領域に入射した付加的な高角度光線が光学系の外
に反射するために、明るさに大きな変化はない.最初か
ら暗かった鋼a域は先に説明したように明るさを高める
傾向にある。
わるかを考察する.最初から明るかった銅領域は、ほぼ
水平な領域に入射した付加的な高角度光線が光学系の外
に反射するために、明るさに大きな変化はない.最初か
ら暗かった鋼a域は先に説明したように明るさを高める
傾向にある。
これの正味の効果は、まだら模様を減らすことであるが
、銅領域から見たピーク輝度のレベルを大きく高めるこ
とはない。条件2のヒストグラムについての効果は、銅
ビークは狭くなくるが、輝度軸線上で右にさらに移行す
ることはない.拡散性基板材料への影響は異なる。基板
の拡散作用のために、材料に入射した光線は光学系で観
察されるような角度でのほぼ一定の出射変化を有する。
、銅領域から見たピーク輝度のレベルを大きく高めるこ
とはない。条件2のヒストグラムについての効果は、銅
ビークは狭くなくるが、輝度軸線上で右にさらに移行す
ることはない.拡散性基板材料への影響は異なる。基板
の拡散作用のために、材料に入射した光線は光学系で観
察されるような角度でのほぼ一定の出射変化を有する。
与えられた照明角度の範囲が広がるにつれて、基板に入
射する光の全量が増大し、それに比例して観察される明
るさも増大する.この状況は銭察領域の外測で基板に入
射する、光線60Gのような光線によって促進される.
したがって、これらの光線は導電体の見掛け輝度にはな
んら貢献せず、拡散のために基板の見掛け輝度のみを増
大させることになる。
射する光の全量が増大し、それに比例して観察される明
るさも増大する.この状況は銭察領域の外測で基板に入
射する、光線60Gのような光線によって促進される.
したがって、これらの光線は導電体の見掛け輝度にはな
んら貢献せず、拡散のために基板の見掛け輝度のみを増
大させることになる。
照明開口数を大きく高めるという正味の効果は、第9図
の条件2に示すように基板ピークが銅ピークに重なると
いうヒストグラムである。換言すれば、基板上の最も明
るい点は銅上の最も暗い点よりも明るく見えるのである
。こうなると、コンピュータは銅と基板を明確に区別す
ること(よできない。本発明者等は、ヒストグラムにお
ける銅ピークを狭くしてみたが、かえって別の非常に望
ましくない影響を引き出してしまった,この現象を解決
するには、基板上の狭い領域に照明光を制限し、望まし
くない影響のみを与える光線606のような光線を排除
する手段を加えるとよい。第8図に示すスリット組立体
607がこのような手段の1つである.0.9NAを用
いた或る実験では、)、6mmのスリットを0.8mm
のスリットに変えることによって、許容不可の条件2の
ヒストグラムから第9図の条件3におけるような望まし
いヒストグラムへの変化を見た。
の条件2に示すように基板ピークが銅ピークに重なると
いうヒストグラムである。換言すれば、基板上の最も明
るい点は銅上の最も暗い点よりも明るく見えるのである
。こうなると、コンピュータは銅と基板を明確に区別す
ること(よできない。本発明者等は、ヒストグラムにお
ける銅ピークを狭くしてみたが、かえって別の非常に望
ましくない影響を引き出してしまった,この現象を解決
するには、基板上の狭い領域に照明光を制限し、望まし
くない影響のみを与える光線606のような光線を排除
する手段を加えるとよい。第8図に示すスリット組立体
607がこのような手段の1つである.0.9NAを用
いた或る実験では、)、6mmのスリットを0.8mm
のスリットに変えることによって、許容不可の条件2の
ヒストグラムから第9図の条件3におけるような望まし
いヒストグラムへの変化を見た。
C.スペクトル選択フィルタ付きの白色光源プリント配
線板のための光学検査機械を設計するにあたっては、セ
ンサで検知される光の色を変えて特定の検査用途におい
てコントラストを最適化することができると望ましい.
たとえば、エッチングの前に銅上のパターン化したフォ
トレジストを検査すると望ましいことがときにはある。
線板のための光学検査機械を設計するにあたっては、セ
ンサで検知される光の色を変えて特定の検査用途におい
てコントラストを最適化することができると望ましい.
たとえば、エッチングの前に銅上のパターン化したフォ
トレジストを検査すると望ましいことがときにはある。
フォトレジスト・パターンに欠陥が発見されたならば、
フォトレジストを剥ぎ取って交換すれば基板を無駄にす
ることがない.フォトレジストは数種類の色で供給され
るので、検査を上手にやるには、検査光波長を選択して
フォトレジストと銅のコントラストを最適化する必要が
ある。
フォトレジストを剥ぎ取って交換すれば基板を無駄にす
ることがない.フォトレジストは数種類の色で供給され
るので、検査を上手にやるには、検査光波長を選択して
フォトレジストと銅のコントラストを最適化する必要が
ある。
たとえば、第10図はI)upOnt
Riston (TM)21SR (市販の赤色フォト
レジスト材)の透過スペクトルを示している.5 ’O
O〜575nmの範囲に検査波長を制限することによ
って、フォトレジストは暗く見え、銅は明るく見えるよ
うにすることができる.この場合、銅の反射率は500
nmにおける約63%から575nmにおける約80%
まで変化する.光学検査機械がプリント配練板の検査に
おいて最高の適応性を持つためには、次の構成要素が考
えられる。
レジスト材)の透過スペクトルを示している.5 ’O
O〜575nmの範囲に検査波長を制限することによ
って、フォトレジストは暗く見え、銅は明るく見えるよ
うにすることができる.この場合、銅の反射率は500
nmにおける約63%から575nmにおける約80%
まで変化する.光学検査機械がプリント配練板の検査に
おいて最高の適応性を持つためには、次の構成要素が考
えられる。
(a).種々の材料の検査を最適化するために種々のフ
ィルタの選択を行なえるようにした互換性のある色フィ
ルタ(第6図の9l5)。
ィルタの選択を行なえるようにした互換性のある色フィ
ルタ(第6図の9l5)。
(b).広いスペクトル範囲、たとえば,500〜7
0 0 nmにわたってかなりのエネルギを利用できる
光源。
0 0 nmにわたってかなりのエネルギを利用できる
光源。
(C).光源の全有効スペクトル帯域にわたって応答性
を持つ影像センサ。
を持つ影像センサ。
(d).狭い帯域のフィルタ(たとえば、TDIセンサ
)と、物理的な寸法が本発明のフォトセンサで観察され
る領域の寸法と同じである光源と、合焦光照明器との使
用に伴って信号レベルの損失が生じても装置が高速で運
転できるように、信号対ノイズ比を改善した補助補強手
段。
)と、物理的な寸法が本発明のフォトセンサで観察され
る領域の寸法と同じである光源と、合焦光照明器との使
用に伴って信号レベルの損失が生じても装置が高速で運
転できるように、信号対ノイズ比を改善した補助補強手
段。
二れらの特徴を互いに組合わせれば、500〜575n
mの放射線のみをセンサに到達させるようにすえ付けた
フィルタを用いている場合でも、100Mp ixe
l/秒での動作は十分可能である。
mの放射線のみをセンサに到達させるようにすえ付けた
フィルタを用いている場合でも、100Mp ixe
l/秒での動作は十分可能である。
フィルタ付きの光源を設けることは新規ではない。たと
えば、Optrotech Vision 1(15は
互換性のあるフィルタを備えている。しかしながら、こ
れを本発明の装置と比較した場合、Optrotech
は高効率ナトリウム・アーク・ランプを用いて充分な光
を与え、装置を10Mpixel/sで作動させ続ける
必要がある。このランプは約550nmより低い波長範
囲では実質的な放射線を与えることはない,本発明では
、もっと効率の低い,5oOnmまでの有用エネルギ量
しか与えられないランプ(タングステン・ハロゲン)を
用いることができる.これは、本発明では、光の使用効
率を高める上記種々の技術を利用しているからである.
フィルタ付きの広帯域光源と効率増強用構成要素とを組
合わせて上記のような光原を高速の検査に使用できるよ
うにしたことは新規である。
えば、Optrotech Vision 1(15は
互換性のあるフィルタを備えている。しかしながら、こ
れを本発明の装置と比較した場合、Optrotech
は高効率ナトリウム・アーク・ランプを用いて充分な光
を与え、装置を10Mpixel/sで作動させ続ける
必要がある。このランプは約550nmより低い波長範
囲では実質的な放射線を与えることはない,本発明では
、もっと効率の低い,5oOnmまでの有用エネルギ量
しか与えられないランプ(タングステン・ハロゲン)を
用いることができる.これは、本発明では、光の使用効
率を高める上記種々の技術を利用しているからである.
フィルタ付きの広帯域光源と効率増強用構成要素とを組
合わせて上記のような光原を高速の検査に使用できるよ
うにしたことは新規である。
64列TDIセンサを用いて通常のセンサの64倍の効
率を得るということがタングステン・ハロゲン・ランプ
(第6図の907,908、909)の使用を可能とす
るのである。
率を得るということがタングステン・ハロゲン・ランプ
(第6図の907,908、909)の使用を可能とす
るのである。
d.多重線形タングステン・フィラメント・ランプでの
実施 第6、7、ll図は本発明の一実施例を示している。こ
の照明器の光源は3つの線形タングステン式タングステ
ン・ハロゲン・ランブ907、908、909である。
実施 第6、7、ll図は本発明の一実施例を示している。こ
の照明器の光源は3つの線形タングステン式タングステ
ン・ハロゲン・ランブ907、908、909である。
各ランプはそれぞれ一本のフィラメント(それぞれ、9
07a,908a,909aで示してあり、管状ガラス
覆いのほぼ中央に設置してある)を有している。各ラン
プ・フィラメントは検査偵域912において結像される
。
07a,908a,909aで示してあり、管状ガラス
覆いのほぼ中央に設置してある)を有している。各ラン
プ・フィラメントは検査偵域912において結像される
。
フィラメント908aは楕円ミラー901によって結像
され、フィラメント909aは楕円ミラー902によっ
て結像され、フィラメント907aは楕円ミラー903
とビームスブリッタ904の組合わせで結{象される。
され、フィラメント909aは楕円ミラー902によっ
て結像され、フィラメント907aは楕円ミラー903
とビームスブリッタ904の組合わせで結{象される。
ランプ909のフィラメントは楕円ミラー902の第1
焦点にあり、線形照明領域912は同じ楕円ミラーの第
2焦点に位置する。したがって、楕円形の周知の結(象
特性により、フィラメント909から出てミラー902
に入射する光は領域912に沿って線状に合焦点する。
焦点にあり、線形照明領域912は同じ楕円ミラーの第
2焦点に位置する。したがって、楕円形の周知の結(象
特性により、フィラメント909から出てミラー902
に入射する光は領域912に沿って線状に合焦点する。
ミラー901によるフィラメント910の結像ちミラー
902によるフィラメント902の結像とまったく同じ
である.同様に、フィラメント907は上方の楕円ミラ
ー903の第1焦点に位置し、領域912はビームスブ
リッタ904から反射されてミラー903の第2焦点に
位置する。
902によるフィラメント902の結像とまったく同じ
である.同様に、フィラメント907は上方の楕円ミラ
ー903の第1焦点に位置し、領域912はビームスブ
リッタ904から反射されてミラー903の第2焦点に
位置する。
この光学系では任意のほぼ線形の光源を使用できる.そ
の一例として、毛管アーク・ガス放電ランプがある。
の一例として、毛管アーク・ガス放電ランプがある。
検査領域912はビームスブリッタ904を通してレン
ズ906で観察される。このレンズの機能はフォトセン
サ(図示せず)上にセンサ・レンズ系906を介して領
@912の像を形成することにある。効率を最良のもの
とするためには、センサは後述するようなTDI式のも
のとなる.上述したように、スリット組立体910が設
けてあって、銅とガラス繊維材とのコントラストを改善
する.端ミラー1102、1103(第7図の展開図に
示す)がランプ・フィラメントが無限遠にあるかのよう
に見せるべく設置してある。これらの端ミラーのために
、端ミラーから領域912まで1回以上の反射が行なわ
れてスキュー光線(第7図に光線110Lとして示す)
が筬観察領域912に入射する。
ズ906で観察される。このレンズの機能はフォトセン
サ(図示せず)上にセンサ・レンズ系906を介して領
@912の像を形成することにある。効率を最良のもの
とするためには、センサは後述するようなTDI式のも
のとなる.上述したように、スリット組立体910が設
けてあって、銅とガラス繊維材とのコントラストを改善
する.端ミラー1102、1103(第7図の展開図に
示す)がランプ・フィラメントが無限遠にあるかのよう
に見せるべく設置してある。これらの端ミラーのために
、端ミラーから領域912まで1回以上の反射が行なわ
れてスキュー光線(第7図に光線110Lとして示す)
が筬観察領域912に入射する。
端ミラー1102、1103が存在することにより、本
照明器は第6、L1図の横断面のみならず、直角な平面
およびあらゆる中間の平面に3いてもほぼ均一の照明光
を送ることができる。これは効率の良い準ランベルト照
明を行ないたい場合に必要である。被観察領域912上
に立ち、天井を見ている仮悲観察者は表面法線からθ,
の角度まであらゆる方向においてランプ・タングステン
の表面を見ることになる。第1上図はその平面でミラー
901,902の縁によって限界角θ,が定められるこ
とを示している。第7図は端ミラー1102、1103
の下縁1104、1105によって直角平面に限界角θ
,が定められることを示している。
照明器は第6、L1図の横断面のみならず、直角な平面
およびあらゆる中間の平面に3いてもほぼ均一の照明光
を送ることができる。これは効率の良い準ランベルト照
明を行ないたい場合に必要である。被観察領域912上
に立ち、天井を見ている仮悲観察者は表面法線からθ,
の角度まであらゆる方向においてランプ・タングステン
の表面を見ることになる。第1上図はその平面でミラー
901,902の縁によって限界角θ,が定められるこ
とを示している。第7図は端ミラー1102、1103
の下縁1104、1105によって直角平面に限界角θ
,が定められることを示している。
角θ1と02の関係も重要である。θ1はセンサ・レン
ズ906が光を集める表面法線からの角度である。この
角度は、普通は、約5.74度(0.I NA)までの
範囲にあるが、おそらくはそれよりも幾分大きいかも知
れない.角θ2は法線からミラー902、901の内縁
までの角度であり、θ1よりは大きく、したがって、ミ
ラー内縁が被観察領域912から観察レンズ906まで
走行する光線を妨害することはない。表面法線からミラ
ーの外縁までの角度θ,は照明光が天井全体に均一に接
近する程度を定める。普通の設計では、この角度は約7
0”であり、これは0.94の開口数に等しい. ミラーから被観察領域までの途中でランプ囲いを通過す
るように反射させられる光線916(第11図)のよう
な照明光線はこのランプ囲いによって幾分そらされるこ
とがあり、その強さはガラス/空気境界毎に部分的に反
射するために幾分減少することになる。したがって、本
発明のこの好ましい実施例の特徴は、ランプ・フィラメ
ントが限界照明角θ,に近い方位角に位置するというこ
とにある。したがって、ガラス囲いの偏光作用、強度減
少作用が限界角度光線に集中する.経験によれば、これ
らの光線は粗面の見掛上のまだら模様を減らすという点
では法線入射に近い状態で対象物に入射する光線に比べ
て重要度は少ない。
ズ906が光を集める表面法線からの角度である。この
角度は、普通は、約5.74度(0.I NA)までの
範囲にあるが、おそらくはそれよりも幾分大きいかも知
れない.角θ2は法線からミラー902、901の内縁
までの角度であり、θ1よりは大きく、したがって、ミ
ラー内縁が被観察領域912から観察レンズ906まで
走行する光線を妨害することはない。表面法線からミラ
ーの外縁までの角度θ,は照明光が天井全体に均一に接
近する程度を定める。普通の設計では、この角度は約7
0”であり、これは0.94の開口数に等しい. ミラーから被観察領域までの途中でランプ囲いを通過す
るように反射させられる光線916(第11図)のよう
な照明光線はこのランプ囲いによって幾分そらされるこ
とがあり、その強さはガラス/空気境界毎に部分的に反
射するために幾分減少することになる。したがって、本
発明のこの好ましい実施例の特徴は、ランプ・フィラメ
ントが限界照明角θ,に近い方位角に位置するというこ
とにある。したがって、ガラス囲いの偏光作用、強度減
少作用が限界角度光線に集中する.経験によれば、これ
らの光線は粗面の見掛上のまだら模様を減らすという点
では法線入射に近い状態で対象物に入射する光線に比べ
て重要度は少ない。
楕円ミラーの合焦点作用により、この照明器は合焦点作
用を行なわない照明器よりもかなり効率が良い。不完全
なミラーおよびビームスプリツタの反射率によって生じ
る損失や非直線ランプ・フィラメントによる照明の不完
全さを考えなければ、仮想観察者の経験する明るさはそ
の上方の天井全体が3100Kを超えることもある色温
度の白熱タングステンで満たされている場合と同じであ
る。
用を行なわない照明器よりもかなり効率が良い。不完全
なミラーおよびビームスプリツタの反射率によって生じ
る損失や非直線ランプ・フィラメントによる照明の不完
全さを考えなければ、仮想観察者の経験する明るさはそ
の上方の天井全体が3100Kを超えることもある色温
度の白熱タングステンで満たされている場合と同じであ
る。
3つの単軸合焦点ミラーおよび1つのビームスプリツタ
をほぼ線形の光源およびこれらの光源を無限遠にあるか
のように見せる端ミラーと組合わせた配置は革新的であ
ると考えられる。
をほぼ線形の光源およびこれらの光源を無限遠にあるか
のように見せる端ミラーと組合わせた配置は革新的であ
ると考えられる。
また、単軸合焦点照明器および線形光源を天井が次のよ
うな2つの部分、すなわち、ミラーが完全に反射を行な
う外側天井部分と、少なくとも1つの部分透過対象物(
たとえば、ビームスブリッタ904)を照明器を通して
観察用レンズで観察するのに必要とする内側天井部分と
に分割するように配置することも革新的であると考えら
れる. 顕微鏡照明器の命名法を用いて本発明の照明器をほぼ内
側観察コーン内で光線を与える「明視野」部分と、この
コーンの外側の光線を与える「暗視野」部分とからなる
ものとして説明したい誘惑を感じる。しかしながら、こ
れは第7図でわかるように厳密には正しくない。綿状の
被観察領域912の長軸に沿った方向においては、上方
のランプ・ミラー系は観察コーン917の内側の角度の
光線とコーン917外IIIに離れて位置する光線の両
方を与える.したがって、上方照明器907は若干の明
視野特性と若干の暗視野特性とを共有する。
うな2つの部分、すなわち、ミラーが完全に反射を行な
う外側天井部分と、少なくとも1つの部分透過対象物(
たとえば、ビームスブリッタ904)を照明器を通して
観察用レンズで観察するのに必要とする内側天井部分と
に分割するように配置することも革新的であると考えら
れる. 顕微鏡照明器の命名法を用いて本発明の照明器をほぼ内
側観察コーン内で光線を与える「明視野」部分と、この
コーンの外側の光線を与える「暗視野」部分とからなる
ものとして説明したい誘惑を感じる。しかしながら、こ
れは第7図でわかるように厳密には正しくない。綿状の
被観察領域912の長軸に沿った方向においては、上方
のランプ・ミラー系は観察コーン917の内側の角度の
光線とコーン917外IIIに離れて位置する光線の両
方を与える.したがって、上方照明器907は若干の明
視野特性と若干の暗視野特性とを共有する。
或る種の環境で有用である本発明の設計の1つの変更例
として、天井を本当の明視野部分と暗視野部分とに分け
てしまう配置がある。これを(第12図)を行なうには
、ビームスプリッタ904をレンズ906′上方に置き
、このレンズを通して明視野照明を与える。ミラー90
1’902′が中間で角度θ1の開放円形領域918と
交差するように設けてあって、レンズ906′で照明さ
れないすべての領域で広角暗視野照明を行なう. ビームスブリッタ904がセンサ・レンズ906の下方
にある第6図の光学配置の1つの利点は、レンズからセ
ンサに迷光を反射させる機会がまったくないということ
にある。高速検査装置で非常に高い照明レベルが用いら
れるために、このような迷先の抑制は重要である。
として、天井を本当の明視野部分と暗視野部分とに分け
てしまう配置がある。これを(第12図)を行なうには
、ビームスプリッタ904をレンズ906′上方に置き
、このレンズを通して明視野照明を与える。ミラー90
1’902′が中間で角度θ1の開放円形領域918と
交差するように設けてあって、レンズ906′で照明さ
れないすべての領域で広角暗視野照明を行なう. ビームスブリッタ904がセンサ・レンズ906の下方
にある第6図の光学配置の1つの利点は、レンズからセ
ンサに迷光を反射させる機会がまったくないということ
にある。高速検査装置で非常に高い照明レベルが用いら
れるために、このような迷先の抑制は重要である。
照明器の反射面が波長依存性を持つと望ましい。各タン
グステン・ランプのフィラメントは主として可視波長お
よび赤外波長の広範囲の波長を発するが、或る選ばれた
スペクトル部分、普通は、500〜700nm範囲のス
ペクトルのみが有用である。他の波長は反射させられて
被観察領域912上に合焦した場合、プリント配線板を
加熱するという望ましくない結果を招く。
グステン・ランプのフィラメントは主として可視波長お
よび赤外波長の広範囲の波長を発するが、或る選ばれた
スペクトル部分、普通は、500〜700nm範囲のス
ペクトルのみが有用である。他の波長は反射させられて
被観察領域912上に合焦した場合、プリント配線板を
加熱するという望ましくない結果を招く。
波長選定の1つの方法は、ミラーをガラスで作り、ミラ
ー・コーティングを多層絶縁冷ミラーとし、当該波長を
反射し、他の波長を透過させるように設計することであ
る.ミラー基板を電鋳ニッケルのような不透明な材料で
作った場合に適している別の方法は暗色ミラー・コーテ
ィングを用いることである.暗色ミラー・コーティング
は選定した波長を反射し、他の波長を基板材料に効率良
く入射させて吸収させるように設計した多層コーティン
グでもある. いずれにしても、非反射エネルギが冷却空気流に効率良
く運び去られるようにする必要がある(第13図参照)
。暗色ミラーの場合、望ましくないエネルギがミラー基
板を加熱するように作用する。基板のすぐ上を流れる空
気は熱を吸収し、運び去ることになる。
ー・コーティングを多層絶縁冷ミラーとし、当該波長を
反射し、他の波長を透過させるように設計することであ
る.ミラー基板を電鋳ニッケルのような不透明な材料で
作った場合に適している別の方法は暗色ミラー・コーテ
ィングを用いることである.暗色ミラー・コーティング
は選定した波長を反射し、他の波長を基板材料に効率良
く入射させて吸収させるように設計した多層コーティン
グでもある. いずれにしても、非反射エネルギが冷却空気流に効率良
く運び去られるようにする必要がある(第13図参照)
。暗色ミラーの場合、望ましくないエネルギがミラー基
板を加熱するように作用する。基板のすぐ上を流れる空
気は熱を吸収し、運び去ることになる。
冷却空気流に伝えなければならない無駄なエネルギ量を
最小限に抑えるために、ランプの管状囲いに絶縁コーテ
ィングを設け、所望の可視波長を透過させ、望ましくな
い長い波長の放射線の少なくとも一部をタングステンに
反射させるように設計すると望ましい。このようなラン
プは,たとえば、登録商標rWattmiserJでG
eneral Electric.から市販されている
。
最小限に抑えるために、ランプの管状囲いに絶縁コーテ
ィングを設け、所望の可視波長を透過させ、望ましくな
い長い波長の放射線の少なくとも一部をタングステンに
反射させるように設計すると望ましい。このようなラン
プは,たとえば、登録商標rWattmiserJでG
eneral Electric.から市販されている
。
ランプ囲いを囲んで補助チューブを設け、この補助チュ
ーブに赤外線反射コーティングを設けるのも望ましい。
ーブに赤外線反射コーティングを設けるのも望ましい。
この方法では、低コスト被覆無しランプを使用できると
いう利点がある。比較的高価なランプ・コーティングが
補助チューブにあるために周期的な交換が不要となる。
いう利点がある。比較的高価なランプ・コーティングが
補助チューブにあるために周期的な交換が不要となる。
ビームスブリッタ904が部分的に透過性となっている
ために、無駄なエネルギのビームはビームスブリツタを
透過する。第6図の光線920はこのビームの最上方光
綿である。設計上の重要な特徴は、センサ・レンズ90
6が充分な高さに設置してあって、無駄なエネルギ・ビ
ームがレンズ・ハウジングに入射しないということにあ
る。ビーム920が入射すると、ハウジング内部をはね
まわって影像に迷光生成物を生じさせがちとなる。
ために、無駄なエネルギのビームはビームスブリツタを
透過する。第6図の光線920はこのビームの最上方光
綿である。設計上の重要な特徴は、センサ・レンズ90
6が充分な高さに設置してあって、無駄なエネルギ・ビ
ームがレンズ・ハウジングに入射しないということにあ
る。ビーム920が入射すると、ハウジング内部をはね
まわって影像に迷光生成物を生じさせがちとなる。
第6、7、11図に示す照明器設計の重要な特徴は、ビ
ームスブリッタ904が光軸に対して比較的小さい角度
で傾いているということにある。
ームスブリッタ904が光軸に対して比較的小さい角度
で傾いているということにある。
垂直照明器を構成するもっと普通の方法はビームスブリ
ツタを45゜にするということである。本発明の照明器
では、レンズ906が比較的高い開口数(NA0.1ま
で)を持ち、低い光学収差を持つ必要がある。さらに、
低収差性能はかなりの焦点深度にわたって±0.002
インチのオーダーに維持しなければならない.,45゜
に傾斜した1mm厚のビームスプリツタを用いると、観
察用光学系にかなりの収差を与えて完全なレンズでも解
像度と焦点深度の必要な組合わせを達成できなくなるこ
とがわかった。
ツタを45゜にするということである。本発明の照明器
では、レンズ906が比較的高い開口数(NA0.1ま
で)を持ち、低い光学収差を持つ必要がある。さらに、
低収差性能はかなりの焦点深度にわたって±0.002
インチのオーダーに維持しなければならない.,45゜
に傾斜した1mm厚のビームスプリツタを用いると、観
察用光学系にかなりの収差を与えて完全なレンズでも解
像度と焦点深度の必要な組合わせを達成できなくなるこ
とがわかった。
傾斜したガラス板では、傾斜角を減らすにつれて収差は
小さくなる。したがって、他の設計条件と矛盾しないか
ぎりできるだけ角度を小さくするとよいことがわかった
。これは約20”の傾斜の選定に通じる。
小さくなる。したがって、他の設計条件と矛盾しないか
ぎりできるだけ角度を小さくするとよいことがわかった
。これは約20”の傾斜の選定に通じる。
たとえガラス板がまったく傾斜していない場合でも、或
る程度の球面収差は残るが、これはレンズ906を適切
に設計することによって補正できるので重要な問題では
ない。ガラス板を傾斜させることから生じる非点収差は
レンズの設計では容易に補正できない(傾斜したレンズ
要素による部分的な補正は可能であるかも知れないが、
高価となる)。したがって、このような傾斜は最小限に
抑えなければならない。
る程度の球面収差は残るが、これはレンズ906を適切
に設計することによって補正できるので重要な問題では
ない。ガラス板を傾斜させることから生じる非点収差は
レンズの設計では容易に補正できない(傾斜したレンズ
要素による部分的な補正は可能であるかも知れないが、
高価となる)。したがって、このような傾斜は最小限に
抑えなければならない。
後にさらに説明するように、照明器を通して冷却空気を
流し、ランプの発生した熱を運び去り、観察光路におけ
るシュリーレン現象を抑えることは望ましいことである
。窓905は空気流を閉じこめ、レンズ906で検査領
′fi9 1 2を観察させながらビームスプリッタ9
04に塵埃が侵入するのを防ぐのに役立つ。
流し、ランプの発生した熱を運び去り、観察光路におけ
るシュリーレン現象を抑えることは望ましいことである
。窓905は空気流を閉じこめ、レンズ906で検査領
′fi9 1 2を観察させながらビームスプリッタ9
04に塵埃が侵入するのを防ぐのに役立つ。
スリット組立体910の重要な特徴は、それが取り外し
自在であり、照明器のハウジングと無関係に被検査面上
方で一体空気軸受上に浮いているということである。大
きな反りがある多層板のような或る種のプリント配線板
の検査に際して、被検査面は配線板を光学検査ヘッドの
下で操作しているときに光学焦点深度よりち長い距離に
わたって上下に動かすことができる。検査機械は光学ヘ
ッドを上下に動かして配線板の動きに追従させるように
設計した焦点合せ機構を包含している。
自在であり、照明器のハウジングと無関係に被検査面上
方で一体空気軸受上に浮いているということである。大
きな反りがある多層板のような或る種のプリント配線板
の検査に際して、被検査面は配線板を光学検査ヘッドの
下で操作しているときに光学焦点深度よりち長い距離に
わたって上下に動かすことができる。検査機械は光学ヘ
ッドを上下に動かして配線板の動きに追従させるように
設計した焦点合せ機構を包含している。
第15a図および第15b図は本発明のスリット組立体
910を一体空気軸受と共に示している。スリット92
2はスリット組立体の全長にわたって延びており、スリ
ット組立体を照明器20の下にすえ付けたとき、ランプ
907〜910のタングステンに対して平行な光学視野
とほぼ同じ長さとなる。スリット組立体910はスリッ
ト922に対して平行に空気流路924も構成しており
、この空気流路は6 0 psif4.2 kg/cn
s”l空気供給源(図示せず)に接続していてスリット
組立体に正圧の空気流を供給する。スリット組立体91
0の底面を貫いて延びかつ空気流路924の1つに接続
して選定間隔の空気出口オリフィス926がある。した
がって、空気出口オリフィス926の寸法、間隔、数お
よび空気流路924に供給される空気圧力に応じて、ス
リット組立体910は被検査面911の上方に接近して
浮かぶことにな保ったならば、被検査面911とスリッ
ト組立体910の間隔はほぼ一定に留まる。
910を一体空気軸受と共に示している。スリット92
2はスリット組立体の全長にわたって延びており、スリ
ット組立体を照明器20の下にすえ付けたとき、ランプ
907〜910のタングステンに対して平行な光学視野
とほぼ同じ長さとなる。スリット組立体910はスリッ
ト922に対して平行に空気流路924も構成しており
、この空気流路は6 0 psif4.2 kg/cn
s”l空気供給源(図示せず)に接続していてスリット
組立体に正圧の空気流を供給する。スリット組立体91
0の底面を貫いて延びかつ空気流路924の1つに接続
して選定間隔の空気出口オリフィス926がある。した
がって、空気出口オリフィス926の寸法、間隔、数お
よび空気流路924に供給される空気圧力に応じて、ス
リット組立体910は被検査面911の上方に接近して
浮かぶことにな保ったならば、被検査面911とスリッ
ト組立体910の間隔はほぼ一定に留まる。
第13図および第14図は照明器20から熱およびシュ
リーレン現象を除くための適当な空気流冷却システム2
2を示している。典型的な照明器20は3キロワットの
オーダーの熱を発散させることができ、この場合、排出
空気の望ましくな温度上昇をなくすべく熱を除去するの
に約300立方フィート/分(8.4 ra3/分)の
空気流を必要とする。空気流冷却システム22はブロワ
130l、空気フィルタ1302.入口空気ダクト13
03、1407、1 408のような流れ方向付け用バ
ッフルおよび排気グクト1304を包含する。
リーレン現象を除くための適当な空気流冷却システム2
2を示している。典型的な照明器20は3キロワットの
オーダーの熱を発散させることができ、この場合、排出
空気の望ましくな温度上昇をなくすべく熱を除去するの
に約300立方フィート/分(8.4 ra3/分)の
空気流を必要とする。空気流冷却システム22はブロワ
130l、空気フィルタ1302.入口空気ダクト13
03、1407、1 408のような流れ方向付け用バ
ッフルおよび排気グクト1304を包含する。
羽根1407、l 408は光路を通って空気を下方に
導くように作用する。これらの羽根は対象物から観察用
レンズ906までの最外方光縞のすぐ外側にそれに平行
に位置している。ここで、羽根が楕円形ミラー901、
902のやや下に突出していることに注目されたい。照
明された綿上にいる観察者は、羽根1407、1408
の平面が視野の中央で出発する視線に沿って位置するの
で、これらの羽根の縁しか見えないことになる。
導くように作用する。これらの羽根は対象物から観察用
レンズ906までの最外方光縞のすぐ外側にそれに平行
に位置している。ここで、羽根が楕円形ミラー901、
902のやや下に突出していることに注目されたい。照
明された綿上にいる観察者は、羽根1407、1408
の平面が視野の中央で出発する視線に沿って位置するの
で、これらの羽根の縁しか見えないことになる。
このことは羽根の存在によって暗くなる天井の部分を最
小限にする。これらの羽根によって導かれた空気流は光
路から熱い乱流の空気を払拭して観察用光学系の経路に
沿った熱勾配を最小にし、したがって、シュリーレン現
象を抑えるように作用する。(シュリーレン現象という
のは、光が通る空気の屈折率の熱による変動による光線
の屈折のことである。) 冷却システムの設計上の1つの特徴は、空気流路が充分
に気密性を保たれて機械内部に暖かい空気がほとんど放
出されないということにある。暖気は機械の外に導かれ
、結像光学系の性能に影響を与えることはない。
小限にする。これらの羽根によって導かれた空気流は光
路から熱い乱流の空気を払拭して観察用光学系の経路に
沿った熱勾配を最小にし、したがって、シュリーレン現
象を抑えるように作用する。(シュリーレン現象という
のは、光が通る空気の屈折率の熱による変動による光線
の屈折のことである。) 冷却システムの設計上の1つの特徴は、空気流路が充分
に気密性を保たれて機械内部に暖かい空気がほとんど放
出されないということにある。暖気は機械の外に導かれ
、結像光学系の性能に影響を与えることはない。
冷却システムの設計上の別の要件はラ、ンブ囲いを過冷
却してはならないということである。タングステン・ハ
ロゲン・ランプの寿命を長くするためには、タングステ
ンが全力作動温度にあるときにランプの壁温度を約25
0℃より低くしてはいけないということは知られている
。もし壁がこのレベルより低い温度になったならば、ラ
ンプ壁からタングステンに戻るように付着タングステン
を移動させる化学サイクルの抑制が生じる。その結果、
ランプ壁が黒くなり、タングステンが燃え尽きることに
なる。
却してはならないということである。タングステン・ハ
ロゲン・ランプの寿命を長くするためには、タングステ
ンが全力作動温度にあるときにランプの壁温度を約25
0℃より低くしてはいけないということは知られている
。もし壁がこのレベルより低い温度になったならば、ラ
ンプ壁からタングステンに戻るように付着タングステン
を移動させる化学サイクルの抑制が生じる。その結果、
ランプ壁が黒くなり、タングステンが燃え尽きることに
なる。
第13図、第14図に示すダクト・パターンはシュリー
レン現象抑制要件に合わせながらこのランプ温度要件に
合わせて経験で開発したものである。
レン現象抑制要件に合わせながらこのランプ温度要件に
合わせて経験で開発したものである。
ランプ温度要件を満たす別の配置としては、ランブ囲い
を補助ガラスチューブ、たとえば、上述した赤外線反射
用補助チューブで取り囲むことがある。このチューブの
存在で、ランプ囲いを直接の空気流の衝突から保護し、
したがって、ランプ囲いの温度を下げることなく空気流
速度をかなり高くすることができる. 照明器20を効果的に使用するのに必要なシステム設計
特徴は3つのランプの各々によって生じる光の強さのバ
ランスを取る装置にある。祖面上のまだら模様を最適に
抑圧するには、被観察領域上方の天井のすべての部分を
ほぼ均一な明るさにしなければならない.これを達成す
るlつの方法は、被観察領域に均一な拡散サンプルを置
き、一度に1つずつランプを点灯させ、ランプの振幅を
調整してそれぞれの場合に見えるピーク輝度が所定値に
達するようにすることがある。
を補助ガラスチューブ、たとえば、上述した赤外線反射
用補助チューブで取り囲むことがある。このチューブの
存在で、ランプ囲いを直接の空気流の衝突から保護し、
したがって、ランプ囲いの温度を下げることなく空気流
速度をかなり高くすることができる. 照明器20を効果的に使用するのに必要なシステム設計
特徴は3つのランプの各々によって生じる光の強さのバ
ランスを取る装置にある。祖面上のまだら模様を最適に
抑圧するには、被観察領域上方の天井のすべての部分を
ほぼ均一な明るさにしなければならない.これを達成す
るlつの方法は、被観察領域に均一な拡散サンプルを置
き、一度に1つずつランプを点灯させ、ランプの振幅を
調整してそれぞれの場合に見えるピーク輝度が所定値に
達するようにすることがある。
e,非干渉性蛍光照明器
これは本発明の第2実施例である.
上記の説明の中心は合焦点準ランベルト照明を用いて光
学的に検査しようとしている粗面材料上の表面まだら模
様を抑制することにあった。この目的を達成する別の方
法としては、短波長放射線、たとえば、400 〜50
Qnmのvi?!囲にある放射線でプリント配線板を照
明し、短波長放射線で励起された蛍光体から生じたより
長い波長の放射線を観察するということがある。
学的に検査しようとしている粗面材料上の表面まだら模
様を抑制することにあった。この目的を達成する別の方
法としては、短波長放射線、たとえば、400 〜50
Qnmのvi?!囲にある放射線でプリント配線板を照
明し、短波長放射線で励起された蛍光体から生じたより
長い波長の放射線を観察するということがある。
多くのタイプのプリント配線板基板材料は或る程度まで
蛍光を発するが、清浄な金属導電体面はそんなことはな
いので、そうした場合、導電体が黒く見え、基板材料が
明るく見える高コントラスト像を得ることができる.導
電体が黒いために、その表面のまだら模様は見えない。
蛍光を発するが、清浄な金属導電体面はそんなことはな
いので、そうした場合、導電体が黒く見え、基板材料が
明るく見える高コントラスト像を得ることができる.導
電体が黒いために、その表面のまだら模様は見えない。
或る場合には、基板に蛍光染料を加えることによって基
板の蛍光発生効率をかなり増大させ、信号対ノイズ比を
改善するのが実際的である。
板の蛍光発生効率をかなり増大させ、信号対ノイズ比を
改善するのが実際的である。
この原理を利用する光学検査装置は公知である. Li
ncoln Laser Corporationが励
起放射線をヘリウム・カドミウム・レーザーからの走査
442nmビームによって与えられる蛍光ベースのプリ
ント配線板検査機械を販売している。この機賊はFra
nk H. Blitchington & Davi
d BHaughtにl985年l2月5日に発行され
た米国特許第4,556,903号に記載されている。
ncoln Laser Corporationが励
起放射線をヘリウム・カドミウム・レーザーからの走査
442nmビームによって与えられる蛍光ベースのプリ
ント配線板検査機械を販売している。この機賊はFra
nk H. Blitchington & Davi
d BHaughtにl985年l2月5日に発行され
た米国特許第4,556,903号に記載されている。
レーザーを使用して蛍光体を励起することには、励起手
段として非干渉性照明を使用できる場合には克服できる
ようないくつかの欠点がある。
段として非干渉性照明を使用できる場合には克服できる
ようないくつかの欠点がある。
非干渉性照明の利点は次の通りである.(a).非干渉
性光源は、特に送られた光のワットあたりのコストを基
準に比較した場合、レーザー光源よりも安価である. (b).非干渉性照明および固体検出器アレイに基く結
像システムはレーザー・スキャナで普通に使用されてい
る回転多面ミラーのような可動部品とすべての光源との
組合わせが不正確であるためにレーザー・スキャナより
も位置精度を高くするようにより経済的に作ることがで
きる。
性光源は、特に送られた光のワットあたりのコストを基
準に比較した場合、レーザー光源よりも安価である. (b).非干渉性照明および固体検出器アレイに基く結
像システムはレーザー・スキャナで普通に使用されてい
る回転多面ミラーのような可動部品とすべての光源との
組合わせが不正確であるためにレーザー・スキャナより
も位置精度を高くするようにより経済的に作ることがで
きる。
(C).非干渉性照明器ではレーザー照明器よりも波長
融通性を得るのが容易である。これは、種々の材料が種
々の励起波長に適切に応答することができるために望ま
しい。
融通性を得るのが容易である。これは、種々の材料が種
々の励起波長に適切に応答することができるために望ま
しい。
蛍光i生プリント配線板検査に非干渉性照明を応用する
ときの困難さは、高速検査に利用できる光が少なすぎる
ように思えるということであった.レーザーベースのシ
ステムはレーザーの比較的弱い光出力(約10mW)の
すべてを1つの非常に小さいスポット(直径lミルの数
分の工ほどの小ささ)に集中させることができ、このス
ポットから発する蛍光の大部分を大開口検出器光学系に
収束させることができるという利点を持つ。高圧短アー
ク・ランプ(容易に入手可能な最大輝度の非干捗性光H
)からの光は、原−りとして、アークの表面積よりも小
さい面積に集中することができず(実際、実用システム
ではアーク面よりもかなり大きな面積のところに光を集
中させることができるだけである)、また、蛍光を集め
る結像レンズの開口は蛍光放射線の1%またはそれ以下
をセンサ・アレイに送れるほど充分に小さくしなければ
ならないのが普通である。
ときの困難さは、高速検査に利用できる光が少なすぎる
ように思えるということであった.レーザーベースのシ
ステムはレーザーの比較的弱い光出力(約10mW)の
すべてを1つの非常に小さいスポット(直径lミルの数
分の工ほどの小ささ)に集中させることができ、このス
ポットから発する蛍光の大部分を大開口検出器光学系に
収束させることができるという利点を持つ。高圧短アー
ク・ランプ(容易に入手可能な最大輝度の非干捗性光H
)からの光は、原−りとして、アークの表面積よりも小
さい面積に集中することができず(実際、実用システム
ではアーク面よりもかなり大きな面積のところに光を集
中させることができるだけである)、また、蛍光を集め
る結像レンズの開口は蛍光放射線の1%またはそれ以下
をセンサ・アレイに送れるほど充分に小さくしなければ
ならないのが普通である。
本出願人等は、非干渉性蛍光システムの潜在的なfll
点が1グループの効率強化装置のうちの1つまたそれ以
上の装置と非干渉性蛍光源を組合わせることによって実
現できることを見出したのである。
点が1グループの効率強化装置のうちの1つまたそれ以
上の装置と非干渉性蛍光源を組合わせることによって実
現できることを見出したのである。
このような装置の第1のものは時間遅延積分型センサ(
TDIセンサ)であり、これを自動光学検査に応用した
例を以下に説明する。TDIセンサの利点を考える方法
の1つは、解像可能な画素の幅の多数倍(少なくとも6
4個分の画素幅)の面積から効率良く光を集めることを
認めることである。したがって、蛍光体励起源からの光
のすべてを1つの画素の幅の64倍の面積に集中させる
ことができるならば、たとえその光のすべてが普通の線
形アレイ・センサのための1つの画素幅に集中したとし
ても結果は良好である.これは小さい面積に非干渉性光
を合焦点させる困難を克服するに充分である。
TDIセンサ)であり、これを自動光学検査に応用した
例を以下に説明する。TDIセンサの利点を考える方法
の1つは、解像可能な画素の幅の多数倍(少なくとも6
4個分の画素幅)の面積から効率良く光を集めることを
認めることである。したがって、蛍光体励起源からの光
のすべてを1つの画素の幅の64倍の面積に集中させる
ことができるならば、たとえその光のすべてが普通の線
形アレイ・センサのための1つの画素幅に集中したとし
ても結果は良好である.これは小さい面積に非干渉性光
を合焦点させる困難を克服するに充分である。
別の効率強化手段としては、上述したような集中明明シ
ステムがある. 第16a図、第16b図は本発明による蛍光照明器の第
1実施例を示している.この実施例はほぼ線形の観察領
域について使用するようになっている集中照明システム
を包含し、また、これはTDIセンサを包含していても
よい。第16a図は中間慣断面であり、第16b図は照
明器の斜視図である。
ステムがある. 第16a図、第16b図は本発明による蛍光照明器の第
1実施例を示している.この実施例はほぼ線形の観察領
域について使用するようになっている集中照明システム
を包含し、また、これはTDIセンサを包含していても
よい。第16a図は中間慣断面であり、第16b図は照
明器の斜視図である。
領域1501は非検査対象物上で声明されることになっ
ている線である。TDIセンサを用いている場合、この
領域は2000画素のオーダーの長さと64画素分の幅
とを有し、ここでは、1つの画素は所望の解像度に応じ
て0.001インチ(0.03ミリメートル)以下とな
る。短波長光は光ファイバー東l502、1 503に
よって照明器に送られる。これらの光ファイバー束の出
射端は第16a図で見て狭くなっており(たとえば、高
さが約0.005インチ=0.127mm).第16a
図の断面に対して直角の方向において観察線1501と
同じ幅となっている。
ている線である。TDIセンサを用いている場合、この
領域は2000画素のオーダーの長さと64画素分の幅
とを有し、ここでは、1つの画素は所望の解像度に応じ
て0.001インチ(0.03ミリメートル)以下とな
る。短波長光は光ファイバー東l502、1 503に
よって照明器に送られる。これらの光ファイバー束の出
射端は第16a図で見て狭くなっており(たとえば、高
さが約0.005インチ=0.127mm).第16a
図の断面に対して直角の方向において観察線1501と
同じ幅となっている。
ミラー1504は楕円円筒形の断面であり、その焦点は
!Ji 1 5 0 1のところと光ファイバー東15
03の出射端のところにある。ミラー1504は円形円
筒形の断面に近くてもよい.同様に、ミラー1505は
光ファイバー束1502の出射端と線1501に焦点を
持つ楕円円筒形の断面となっており、このミラーも最適
楕円に近い円形円筒形の断面であってもよい.レンズ1
506は観察用レンズであり、これはセンサ(図示せず
)上に線1501の蛍光像を合焦する● このセンサは
普通の固体線形ダイオード・アレイ式センサであっても
よいし、TDIセンサであってもよい. フィルタl512はレンズ1506に直接基板から舷乱
し得る光源1511からの短波長光を阻止するが、基板
の蛍光材からの生じた可視光は通すフィルタである。
!Ji 1 5 0 1のところと光ファイバー東15
03の出射端のところにある。ミラー1504は円形円
筒形の断面に近くてもよい.同様に、ミラー1505は
光ファイバー束1502の出射端と線1501に焦点を
持つ楕円円筒形の断面となっており、このミラーも最適
楕円に近い円形円筒形の断面であってもよい.レンズ1
506は観察用レンズであり、これはセンサ(図示せず
)上に線1501の蛍光像を合焦する● このセンサは
普通の固体線形ダイオード・アレイ式センサであっても
よいし、TDIセンサであってもよい. フィルタl512はレンズ1506に直接基板から舷乱
し得る光源1511からの短波長光を阻止するが、基板
の蛍光材からの生じた可視光は通すフィルタである。
第16b図に示すように、光ファイバー東l502、1
503はその全長にわたって再整形されており、その
入射端1509、1510はほぼ円形となっている.こ
れは短波長光源から集めた光(たとえば、高圧水銀アー
クからの365nm放射線)で効率良くファイバーの入
射端を照明するのに便利である。円形の光スポットを生
じさせるに効率の良い照明器を構成することについての
詳細は周知のことであるから、システムのこの部分は詳
しくは図示しておらず、ブロック1511としてのみ示
してある。
503はその全長にわたって再整形されており、その
入射端1509、1510はほぼ円形となっている.こ
れは短波長光源から集めた光(たとえば、高圧水銀アー
クからの365nm放射線)で効率良くファイバーの入
射端を照明するのに便利である。円形の光スポットを生
じさせるに効率の良い照明器を構成することについての
詳細は周知のことであるから、システムのこの部分は詳
しくは図示しておらず、ブロック1511としてのみ示
してある。
このシステムの設計では、光ファイバー東1502、1
503の出射端を出た光のかなりの部分が検出器上に結
像されることになっている領域に送られることが重要で
ある。この目的を達成しようとする場合、第1の要件は
、ミラー1504、1505の円弧長は光ファイバー東
を出た光線の発散角に良く整合し、東を出た光線のほと
んどすべてがこれらのミラーによって捕えられ、線l5
01に向って収束するようにすることである。光ファイ
バー束を出た光線の発散角が入射光線の収束角にほぼ等
しくなるので、この要件は光源1511の光学的設計を
ミラー1504、1 505の角度範囲に正しく合わせ
るのに適っている. 第16a図および第16b図の蛍光照明器の設計におけ
る第2要件は、被照明線1501の幅が検出器で観察さ
れる領域よりもかなり大きいということである.順次、
これは、光ファイバー東1502、1 503の出射端
の高さを領域1501の幅よりもかなり小さくすること
を必要とする.さらに、これは光ファイバー束の出射端
1509、1510の直径に制限があることを意味する
. ここで、効率良く設計した光源は被照明領域の面積と収
束照明ビームの開口数の二乗の積である或る種の特徴を
持つことは周知である.ファイバー・アーク・ランプ照
明器からの光をすべて集めようとする場合、設計者は小
さいNAで大きなファイバー束を照明するも、大きなN
Aで小さなファイバー束を照明するも自由であるが、面
積とNAの両方を勝手に選ぶことはできない.頌域15
01の幅が被照明面積の仕様を決めるので、ファイバー
束に入射する光のNAは決っている。
503の出射端を出た光のかなりの部分が検出器上に結
像されることになっている領域に送られることが重要で
ある。この目的を達成しようとする場合、第1の要件は
、ミラー1504、1505の円弧長は光ファイバー東
を出た光線の発散角に良く整合し、東を出た光線のほと
んどすべてがこれらのミラーによって捕えられ、線l5
01に向って収束するようにすることである。光ファイ
バー束を出た光線の発散角が入射光線の収束角にほぼ等
しくなるので、この要件は光源1511の光学的設計を
ミラー1504、1 505の角度範囲に正しく合わせ
るのに適っている. 第16a図および第16b図の蛍光照明器の設計におけ
る第2要件は、被照明線1501の幅が検出器で観察さ
れる領域よりもかなり大きいということである.順次、
これは、光ファイバー東1502、1 503の出射端
の高さを領域1501の幅よりもかなり小さくすること
を必要とする.さらに、これは光ファイバー束の出射端
1509、1510の直径に制限があることを意味する
. ここで、効率良く設計した光源は被照明領域の面積と収
束照明ビームの開口数の二乗の積である或る種の特徴を
持つことは周知である.ファイバー・アーク・ランプ照
明器からの光をすべて集めようとする場合、設計者は小
さいNAで大きなファイバー束を照明するも、大きなN
Aで小さなファイバー束を照明するも自由であるが、面
積とNAの両方を勝手に選ぶことはできない.頌域15
01の幅が被照明面積の仕様を決めるので、ファイバー
束に入射する光のNAは決っている。
光はファイバー束を出たときと同じ角度で発散すること
になるので、これがミラー円弧l504、l505の角
度範囲についての要件を意味することになる.これらの
円弧が充分に長ければ、光ファイバー東1502、15
03の出射高さについて制限があっても、光源1511
で送り出される光のほとんどすべてが領域1501に送
られ得る。
になるので、これがミラー円弧l504、l505の角
度範囲についての要件を意味することになる.これらの
円弧が充分に長ければ、光ファイバー東1502、15
03の出射高さについて制限があっても、光源1511
で送り出される光のほとんどすべてが領域1501に送
られ得る。
通常は、各光ファイバー束l502、
1503の端から出射する光はほぼ円錐形に発散するの
が本当である。もし東が被照明線の長さとほぼ同じ幅に
作ってあるならば(照明の効率と均一性にとって望まし
い)、領域1501の端付近のファイバーはミラー15
04、1505によって合焦点される光綿を領域150
1を越えた領域に運ぶ方向にかなりの出力部分を放射す
ることになる。この理由のために、本発明者等は、端ミ
ラー1507、1’50gをこれらの光線を領域150
1に向って再方向付けるように設けた。光学設計の当業
者には明らかなように、端ミラー1507、1508の
効果は東−1 502、1503から発するほとんどす
べての放射線を浦え、それを必要な領域1501に向け
ることにある。
が本当である。もし東が被照明線の長さとほぼ同じ幅に
作ってあるならば(照明の効率と均一性にとって望まし
い)、領域1501の端付近のファイバーはミラー15
04、1505によって合焦点される光綿を領域150
1を越えた領域に運ぶ方向にかなりの出力部分を放射す
ることになる。この理由のために、本発明者等は、端ミ
ラー1507、1’50gをこれらの光線を領域150
1に向って再方向付けるように設けた。光学設計の当業
者には明らかなように、端ミラー1507、1508の
効果は東−1 502、1503から発するほとんどす
べての放射線を浦え、それを必要な領域1501に向け
ることにある。
本発明の蛍光照明器の第2実施例が第17図に概略的に
示してある。この実施例はほぼ線形の領域1601の効
率の良い照明を行なうようにもなっている。これは、主
として、円筒形レンズl604をミラー1504、15
05の代りに用いたという点で第16図のシステムと異
なる。光は東1502、l503のそれと同様に図示し
た横断面の平面で短いが、被照明領域工60lの長さに
ほぼ等しい直角方向において或る幅となっている出射形
状を有する単一のファイバー束1602によって短波長
光源(図示せず)からシステムに送られる。
示してある。この実施例はほぼ線形の領域1601の効
率の良い照明を行なうようにもなっている。これは、主
として、円筒形レンズl604をミラー1504、15
05の代りに用いたという点で第16図のシステムと異
なる。光は東1502、l503のそれと同様に図示し
た横断面の平面で短いが、被照明領域工60lの長さに
ほぼ等しい直角方向において或る幅となっている出射形
状を有する単一のファイバー束1602によって短波長
光源(図示せず)からシステムに送られる。
ビームスブリッタ1 6 1 2Tよ二色性であり、す
なわち、蛍光体を励起するのに用いられる短波長でほぼ
100%反射率となり、観察しようとしている蛍光のよ
り長い波長でほぼ100%の透過性となるように設計し
てある。
なわち、蛍光体を励起するのに用いられる短波長でほぼ
100%反射率となり、観察しようとしている蛍光のよ
り長い波長でほぼ100%の透過性となるように設計し
てある。
レンズl 606は或るセンサ(図示しないが、TDI
センサでもよい)上に領域1601の像を形成する。
センサでもよい)上に領域1601の像を形成する。
望ましい整合を得るための要件はミラーl504、l
505の寸法に影響すると同じ方法でレンズ1604の
寸法に影響する。
505の寸法に影響すると同じ方法でレンズ1604の
寸法に影響する。
第16a図および第16b図におけると同じ理由のため
に端ミラー(図示せず)が第17図のシステムに設けて
ある。
に端ミラー(図示せず)が第17図のシステムに設けて
ある。
f 組合わせ照明器
第6図に示す照明器は蛍光モードあるいは可視モードの
いずれでも作動するように改造することができる。これ
は第17b図に示すように行なわれる。この照明器のす
べての構成要素の位置および作用は第6図に示す可視光
照明器にほとんど同じである。違っているのは次の点だ
けである。
いずれでも作動するように改造することができる。これ
は第17b図に示すように行なわれる。この照明器のす
べての構成要素の位置および作用は第6図に示す可視光
照明器にほとんど同じである。違っているのは次の点だ
けである。
すなわち、空冷式白熱ランプ908、909が水冷式水
銀毛管アーク・ランブ1601、1602に取り替えら
れており、また、取り外し自在のフィルタ913,91
4が加えられている。さらに、ビームスブリッタ904
4。(取り外し自在となっている。
銀毛管アーク・ランブ1601、1602に取り替えら
れており、また、取り外し自在のフィルタ913,91
4が加えられている。さらに、ビームスブリッタ904
4。(取り外し自在となっている。
フィルタ913、914はランブl601、1602か
ら可視光を遮るように挿入してあり、短波長光(5 0
0 nm未満)のみを基板に入射させるようになって
いる。この即明器が蛍光モードで作動しているとき、ラ
ンブ907はオフとなっており、フィルタ913、91
4、915は所定位置にある。
ら可視光を遮るように挿入してあり、短波長光(5 0
0 nm未満)のみを基板に入射させるようになって
いる。この即明器が蛍光モードで作動しているとき、ラ
ンブ907はオフとなっており、フィルタ913、91
4、915は所定位置にある。
フィルタ915は可視光フィルタであり、雀先は通すが
、フィルタ913,914を通ってきた短波長光は遮る
。
、フィルタ913,914を通ってきた短波長光は遮る
。
この照明器が準ランベルト可視光モードで作動している
ときには、フィルタ913,914は除かれるかあるい
は可視光フィルタと交換され、ビームスブリッタ904
が挿入され、ランブ907はオンとされる. この照明器によれば、単一の基板を可視モード、蛍光モ
ードで順次に検査できる.それ故、このシステムでは、
各モードで別個の組の欠陥を見付けだすことができる。
ときには、フィルタ913,914は除かれるかあるい
は可視光フィルタと交換され、ビームスブリッタ904
が挿入され、ランブ907はオンとされる. この照明器によれば、単一の基板を可視モード、蛍光モ
ードで順次に検査できる.それ故、このシステムでは、
各モードで別個の組の欠陥を見付けだすことができる。
各組の欠陥は或る割合の「偽」欠陥(システムでは観察
されるが、現実には存在しない欠陥)を含んでいる. たとえば、可視モードでは、「偽」欠陥は銅内の深いす
り傷や銅上の暗色酸化物バッチから生じる可能性があり
、これらの欠陥は共に或る線における破断個所と考える
ことができる.同様に、蛍光モードでは、或る線を横切
って位置する1つの塵が蛍光を発し、機械が破断涸所と
して示すのかも知れない。
されるが、現実には存在しない欠陥)を含んでいる. たとえば、可視モードでは、「偽」欠陥は銅内の深いす
り傷や銅上の暗色酸化物バッチから生じる可能性があり
、これらの欠陥は共に或る線における破断個所と考える
ことができる.同様に、蛍光モードでは、或る線を横切
って位置する1つの塵が蛍光を発し、機械が破断涸所と
して示すのかも知れない。
可視、蛍光両結像プロセスの性質が非常に異なっている
ために、各検査で生じた「偽」欠陥はほとんど交わるこ
とのない組にある。したがって、これら2種類の検査の
結果が両方の検査で同時に発見されないかぎり欠陥とし
て認めないという論理的な帰結として、「偽」欠陥のよ
り大きな部分が除かれ、真実の欠陥をほぼすべて残すこ
とになる. g.暗色酸化物 第6図に示す照明器は明るい銅線の検査により適したも
のである。しかしながら.W4を酸化層、普通は黒色ま
たは茶色の層で覆われているプリント配線板に高いコン
トラストの像を生じさせることはできない. この場合、銅はほとんど反射を行なわず、酸化層が中断
している偶発的に明るいスポットを除いて暗く見える.
実際に、基板(代表的には、FR4)は酸化物で覆われ
た銅よりは明るく見える。
ために、各検査で生じた「偽」欠陥はほとんど交わるこ
とのない組にある。したがって、これら2種類の検査の
結果が両方の検査で同時に発見されないかぎり欠陥とし
て認めないという論理的な帰結として、「偽」欠陥のよ
り大きな部分が除かれ、真実の欠陥をほぼすべて残すこ
とになる. g.暗色酸化物 第6図に示す照明器は明るい銅線の検査により適したも
のである。しかしながら.W4を酸化層、普通は黒色ま
たは茶色の層で覆われているプリント配線板に高いコン
トラストの像を生じさせることはできない. この場合、銅はほとんど反射を行なわず、酸化層が中断
している偶発的に明るいスポットを除いて暗く見える.
実際に、基板(代表的には、FR4)は酸化物で覆われ
た銅よりは明るく見える。
この変形例では、基板を酸化物よりも明るく見せるとい
うこの傾向は、FR4基板が配線よりも明るく見える高
コントラスト像を生じさせるのに利用される。
うこの傾向は、FR4基板が配線よりも明るく見える高
コントラスト像を生じさせるのに利用される。
再び第9図を参照して、高NA照明をスリット無しで用
いて非常に明るいFR4を得ることができることがわか
る。高NA照明の追加は酸化物を多少とも明るくするこ
とはなく、高コントラスト像が生じ、FR4は黒色酸化
物よりも明るい.銅上の偶発的な明るい点(酸化物不在
)からのスペクトル反射を避けるために、上方ランブ9
07はオフとされ、ビームスブリッタ904は引き出さ
れる。ビームスブリツタの除去は残りの2つのランプか
らの光の集光効率に2の因数を加えることになる。
いて非常に明るいFR4を得ることができることがわか
る。高NA照明の追加は酸化物を多少とも明るくするこ
とはなく、高コントラスト像が生じ、FR4は黒色酸化
物よりも明るい.銅上の偶発的な明るい点(酸化物不在
)からのスペクトル反射を避けるために、上方ランブ9
07はオフとされ、ビームスブリッタ904は引き出さ
れる。ビームスブリツタの除去は残りの2つのランプか
らの光の集光効率に2の因数を加えることになる。
したがって、銅上の酸化物を検査するのに用いられる照
明器構成は、スリット910およびビームスブリッタ9
04が取り除かれていることを除いて第6図に示すもの
と同じである。
明器構成は、スリット910およびビームスブリッタ9
04が取り除かれていることを除いて第6図に示すもの
と同じである。
h.光学系全体
第18図において、ここには本発明の光学系の主要要素
間の空間的関係が示してあり、この構成は検査しようと
している表面上の2つの平行な経路を検査するためのも
のである。ここには2つの光学観察経路が示してあるが
、1個からN個まで任意数の経路を設けることができる
。当業者には明らかなように、この構成は所望に応じて
1回で多くの平行な経路を検査するように拡張すること
もできる.照明器20についての説明の残りの部分を通
じて、簡略化のために、被検査表面上の検査経路が1つ
だけとして説明を行う。
間の空間的関係が示してあり、この構成は検査しようと
している表面上の2つの平行な経路を検査するためのも
のである。ここには2つの光学観察経路が示してあるが
、1個からN個まで任意数の経路を設けることができる
。当業者には明らかなように、この構成は所望に応じて
1回で多くの平行な経路を検査するように拡張すること
もできる.照明器20についての説明の残りの部分を通
じて、簡略化のために、被検査表面上の検査経路が1つ
だけとして説明を行う。
第18図において、ここには、光学要素取{寸板806
が示してあり、これにはこの図に示すすべての構成要素
が装着してあるが、ただし、スリット組立体910と照
明器20は除く。光学要素取付板806は、順次、平行
四辺形撓み支持体807、808によって固定した比較
的振動のない面(図示せず)に取り付けてある。これは
光学要素を合焦点のために垂直(Z)方向にしか動けな
いように拘束する.同様に、スリット組立体910は照
明器20の下方で可撓性支持体810によって同じ固定
した比較的振動のない面(図示せず)に取り付けてある
。このスリット組立体は面から独立して取り付けてあっ
て、被検査面の上方に一体の空気軸受上に浮上し、垂直
方向へのみ移動する。
が示してあり、これにはこの図に示すすべての構成要素
が装着してあるが、ただし、スリット組立体910と照
明器20は除く。光学要素取付板806は、順次、平行
四辺形撓み支持体807、808によって固定した比較
的振動のない面(図示せず)に取り付けてある。これは
光学要素を合焦点のために垂直(Z)方向にしか動けな
いように拘束する.同様に、スリット組立体910は照
明器20の下方で可撓性支持体810によって同じ固定
した比較的振動のない面(図示せず)に取り付けてある
。このスリット組立体は面から独立して取り付けてあっ
て、被検査面の上方に一体の空気軸受上に浮上し、垂直
方向へのみ移動する。
スリット910と光学要素取付板806の間にLVDT
センサが設置してあり、これらの構成要素の相対位置を
検知するようになっている。
センサが設置してあり、これらの構成要素の相対位置を
検知するようになっている。
LVDTからの信号は光学要素取付板806を動かして
光学要素の合焦点を行なわせる合焦点サーボで用いられ
る. 照明器20もスリットおよび光学要素取付板を取り付け
てある同じ固定面に取り付けてある。この取り付けはヒ
ンジ支持体810で行なわれる。
光学要素の合焦点を行なわせる合焦点サーボで用いられ
る. 照明器20もスリットおよび光学要素取付板を取り付け
てある同じ固定面に取り付けてある。この取り付けはヒ
ンジ支持体810で行なわれる。
照明器は垂直方向に移動して種々の配線板の厚さに合わ
せて調節できる.しかしながら、その焦点深度は所与の
バッチ数のプリント配線板を検査する間照明器を固定状
態に留めるに充分なものである。
せて調節できる.しかしながら、その焦点深度は所与の
バッチ数のプリント配線板を検査する間照明器を固定状
態に留めるに充分なものである。
第L8図の底から始まって、ここには上方板に2つの観
察窓905を有する二重長の照明器20が示してある。
察窓905を有する二重長の照明器20が示してある。
観察窓905の上方にそれと整合してセンサ・レンズ9
06、906′がある。各レンズ906,906′から
の結像光路はそれぞれミラー802、803まで上方に
延びており、ここで、結像光路は451に曲って光学要
素取付板806に対して平行に留まる。結像光路の各々
はそれぞれミラー804、805につながる。上方の光
路はさらに45゜曲って構成要素取付板806に対して
直角になり、また、そこから外方に延びる。下方の光路
は下方に曲り、光学要素取付板に対して直角に外方に延
びる.各結像光路は次いでそれぞれの影像センサ800
、801に到達する。各センサ800、801によって
、影像は電気信号に変換され、これらの信号は影像処理
器25によって処理される。
06、906′がある。各レンズ906,906′から
の結像光路はそれぞれミラー802、803まで上方に
延びており、ここで、結像光路は451に曲って光学要
素取付板806に対して平行に留まる。結像光路の各々
はそれぞれミラー804、805につながる。上方の光
路はさらに45゜曲って構成要素取付板806に対して
直角になり、また、そこから外方に延びる。下方の光路
は下方に曲り、光学要素取付板に対して直角に外方に延
びる.各結像光路は次いでそれぞれの影像センサ800
、801に到達する。各センサ800、801によって
、影像は電気信号に変換され、これらの信号は影像処理
器25によって処理される。
(以下余白、)
TDIセンサ
時間遅延積分型(TDI)センサは移動している像を電
荷結合デバイス(CCD)型感光アレイに合焦点するこ
とを意図している。このCODは二次元の感光領域アレ
イ、すなわち、フォトレジスト・アレイからなる。光子
がフォトレジストに入射すると、電子が解放される。こ
れらの電子はアレイの面に設置したクロック線によって
生じる潜在エネルギ・ウエルに移行する。ひとたび電荷
がフォトレジスト内に蓄積されると、クロック線に電圧
を充電することによって電荷が隣接のフォトレジストに
移動することができる.クロック線のこのサイクルが繰
り返されて、所与のフォトレジストの電荷が電圧変換器
に移動して、そこで、電荷が電圧としてセンサから読み
出される.TDIは、上述したようにクロック電圧を周
回させることによってフォトレジスト間で電荷パケット
を伝達するとき、フォトレジストがなお感度を保ち、新
しいフォトレジストに入った光子が電子を生じさせ、こ
れらの電子がその時にフォトレジストに位置していた電
荷パケットに加わる。
荷結合デバイス(CCD)型感光アレイに合焦点するこ
とを意図している。このCODは二次元の感光領域アレ
イ、すなわち、フォトレジスト・アレイからなる。光子
がフォトレジストに入射すると、電子が解放される。こ
れらの電子はアレイの面に設置したクロック線によって
生じる潜在エネルギ・ウエルに移行する。ひとたび電荷
がフォトレジスト内に蓄積されると、クロック線に電圧
を充電することによって電荷が隣接のフォトレジストに
移動することができる.クロック線のこのサイクルが繰
り返されて、所与のフォトレジストの電荷が電圧変換器
に移動して、そこで、電荷が電圧としてセンサから読み
出される.TDIは、上述したようにクロック電圧を周
回させることによってフォトレジスト間で電荷パケット
を伝達するとき、フォトレジストがなお感度を保ち、新
しいフォトレジストに入った光子が電子を生じさせ、こ
れらの電子がその時にフォトレジストに位置していた電
荷パケットに加わる。
TDIにおいて、電荷パケットは影像がアレイを横切っ
て移動する速度と同じ速度でアレイを横切って動かされ
、その結果、或る特定の影像がアレイを横切って移動す
るにつれて、その影像で生じした電荷が同じ電荷パケッ
トに加わる.実際,アレイはTDIディメンションにお
ける画素の数に等しい因数分だけ大きい露出時間を持つ
ライン・センサと同様に作用する. 検査にTDIを応用することは検査プロセスが光の制限
を受ける傾向があるので魅力的である。
て移動する速度と同じ速度でアレイを横切って動かされ
、その結果、或る特定の影像がアレイを横切って移動す
るにつれて、その影像で生じした電荷が同じ電荷パケッ
トに加わる.実際,アレイはTDIディメンションにお
ける画素の数に等しい因数分だけ大きい露出時間を持つ
ライン・センサと同様に作用する. 検査にTDIを応用することは検査プロセスが光の制限
を受ける傾向があるので魅力的である。
ライン・センサの検査速度は必要な信号対ノイズ比と利
用できる光量によって決まる。信号は光のパワーと時間
の積に比例するので、光のパワーが限られる場合には、
必要な信号対ノイズ比を得る唯一の方法は積分時間を廷
ばし、検査速度を低下させることである。そのバイブラ
イン構造により、TDIは検査速度を落とすことなく積
分時間を延ばすことができる.また、普通は光制限を受
ける暗視野照明、傾向照明で検査を行なえる。
用できる光量によって決まる。信号は光のパワーと時間
の積に比例するので、光のパワーが限られる場合には、
必要な信号対ノイズ比を得る唯一の方法は積分時間を廷
ばし、検査速度を低下させることである。そのバイブラ
イン構造により、TDIは検査速度を落とすことなく積
分時間を延ばすことができる.また、普通は光制限を受
ける暗視野照明、傾向照明で検査を行なえる。
センサの出力速度を高い集光率に匹敵する状態に保つべ
く、多段出力タップを用いている。これは各タップ毎に
出力データ率が高価になるのを防ぐ。用途に合わせて出
願人等が選んだ或る特定のTDIセンサは第19図に示
すように16個のセグメントからならなる.一層詳しく
言えば、選定したTDIセンサはTDIディメンション
に64列、第20図に示すように時間遅延積分(TDI
)モードで運転するM U Xディメンションに204
8行の64x2048CCD影像センサである. 作動にあたって、行はアレイの頂、底で引く続くシフト
・レジスタに対して上下にシフトする。
く、多段出力タップを用いている。これは各タップ毎に
出力データ率が高価になるのを防ぐ。用途に合わせて出
願人等が選んだ或る特定のTDIセンサは第19図に示
すように16個のセグメントからならなる.一層詳しく
言えば、選定したTDIセンサはTDIディメンション
に64列、第20図に示すように時間遅延積分(TDI
)モードで運転するM U Xディメンションに204
8行の64x2048CCD影像センサである. 作動にあたって、行はアレイの頂、底で引く続くシフト
・レジスタに対して上下にシフトする。
ここで、「上」、「下」なる意味はTDIディメンショ
ンにおけるlつの列の平行シフトを言っている.連続し
たシフト・レジスタは128個の素子毎に1つずつ16
のタップを有する。各タップは8MHz出力データ率を
有する.第1911のチップ前部を見て、頂部のシフト
・レジスタは左にシフトし、底部のシフト・レジスタは
右にシフトする。このようなセンサは4位相埋設チャン
ネル型前部照明構造を使用する.本出願人等の選んだセ
ンサの仕様は、上述したように、27×27マイクロメ
ートルの個別画素サイズ、lμv / eの出力感度、
60Kライン/秒のライン速度で0.9995より大き
いCTE,500K個の電子の光レベルで8M画素/秒
のデータ速度を持ったものであり、出力部でのダイナミ
ック・レインジは15nsの最小サンプル・ウィンドウ
を用いて8 M H zクロツク率で測定したときに1
250:1(飽和信号対単一画素RMSノイズ)であり
、8Mhz画素率において25℃で暗電流が飽和状態の
1%未満であり、行応答不均一性が各タップで10%、
タップ対タップで15%であった。
ンにおけるlつの列の平行シフトを言っている.連続し
たシフト・レジスタは128個の素子毎に1つずつ16
のタップを有する。各タップは8MHz出力データ率を
有する.第1911のチップ前部を見て、頂部のシフト
・レジスタは左にシフトし、底部のシフト・レジスタは
右にシフトする。このようなセンサは4位相埋設チャン
ネル型前部照明構造を使用する.本出願人等の選んだセ
ンサの仕様は、上述したように、27×27マイクロメ
ートルの個別画素サイズ、lμv / eの出力感度、
60Kライン/秒のライン速度で0.9995より大き
いCTE,500K個の電子の光レベルで8M画素/秒
のデータ速度を持ったものであり、出力部でのダイナミ
ック・レインジは15nsの最小サンプル・ウィンドウ
を用いて8 M H zクロツク率で測定したときに1
250:1(飽和信号対単一画素RMSノイズ)であり
、8Mhz画素率において25℃で暗電流が飽和状態の
1%未満であり、行応答不均一性が各タップで10%、
タップ対タップで15%であった。
説明を続ける前に、いくつかの定義が必要である。「暗
」ライン、「明ノラインというのは2つの照射レベル、
すなわち、「明」レベルLと「暗」レベルDの見地から
定義したものである。
」ライン、「明ノラインというのは2つの照射レベル、
すなわち、「明」レベルLと「暗」レベルDの見地から
定義したものである。
大きな面積をレベルLで均一に照射したとき、各画素の
応答性はRLである。大きな面積をレベルDで均一に照
射したときは,各画素の応答性はRDである.8つのケ
ースの各々について、一本のラインをレベルL.Dの空
間パターンとして定義し、画素の応答性をRL,RDに
よって特定する.第21a〜2lj図は選定したTDI
センサの変調仕様をグラフで示している.これら各図に
おいて、種々の入力照明パターンに対するTDIセンサ
の応答性が示してある.変調仕様を要約するために、単
一の画素幅ラインを中央の列または行に結像したとき、
先に定義したように(第21c図の式)の変調は60%
より大きくなければならない.列間または行間の境界に
結像したときには、変調は40%より大きくなければな
らない.同様に、第22図は選定TDIセンサの最低許
容QE(量子効率)を示すグラフである.第23図は第
1図のセンサ・ブロック24に相当する、TDIセンサ
206を含む撮影電子機器のブロック図である.撮影電
子機器には、二次処理器200が含まれている.これは
、特に、後述するようにTDIセンサのセグメント毎に
グローバル・ゲインおよびオフセットとダイナミック・
ゲインおよびオフセット・ステージに入力信号を与える
4つのデータ・ワード(D.Lo.、D IIL@I、
D.,.、D+>Y。.)を発生するものである.また
、位相錠止ルーブ202、タイミング発生器204、T
DIセンサ206も含まれている.TDIセンサ206
の各セグメント毎に、個別の同形の出力回路が設けてあ
り、その16個のうちの1つだけがこの図に示してある
。撮影電子機器のこれら各部分は2因数乗算器208と
、サンプリング・スイッチ210,212と、コンデン
サ246,248と、バッファ214、216、220
,242と、加算器218、222、228と、乗算器
224,226と、DAC230〜236と、RAM2
38,240と、フラッシュA/D変換器244とを包
含する。
応答性はRLである。大きな面積をレベルDで均一に照
射したときは,各画素の応答性はRDである.8つのケ
ースの各々について、一本のラインをレベルL.Dの空
間パターンとして定義し、画素の応答性をRL,RDに
よって特定する.第21a〜2lj図は選定したTDI
センサの変調仕様をグラフで示している.これら各図に
おいて、種々の入力照明パターンに対するTDIセンサ
の応答性が示してある.変調仕様を要約するために、単
一の画素幅ラインを中央の列または行に結像したとき、
先に定義したように(第21c図の式)の変調は60%
より大きくなければならない.列間または行間の境界に
結像したときには、変調は40%より大きくなければな
らない.同様に、第22図は選定TDIセンサの最低許
容QE(量子効率)を示すグラフである.第23図は第
1図のセンサ・ブロック24に相当する、TDIセンサ
206を含む撮影電子機器のブロック図である.撮影電
子機器には、二次処理器200が含まれている.これは
、特に、後述するようにTDIセンサのセグメント毎に
グローバル・ゲインおよびオフセットとダイナミック・
ゲインおよびオフセット・ステージに入力信号を与える
4つのデータ・ワード(D.Lo.、D IIL@I、
D.,.、D+>Y。.)を発生するものである.また
、位相錠止ルーブ202、タイミング発生器204、T
DIセンサ206も含まれている.TDIセンサ206
の各セグメント毎に、個別の同形の出力回路が設けてあ
り、その16個のうちの1つだけがこの図に示してある
。撮影電子機器のこれら各部分は2因数乗算器208と
、サンプリング・スイッチ210,212と、コンデン
サ246,248と、バッファ214、216、220
,242と、加算器218、222、228と、乗算器
224,226と、DAC230〜236と、RAM2
38,240と、フラッシュA/D変換器244とを包
含する。
センサ206は上述したように16個のセグメントを有
し、これらのセグメントの各々から異なった出力信号が
発生する。この図では、これらの出力信号のうちの1つ
だけを処理するための回路が示してある.センサ出力信
号処理回路が同じだからである.センサ出力信号はまず
2倍乗算器208に送られて増幅され、増幅された信号
は2つのサンプル・ホールド回路に送られる。上方のサ
ンプル・ホールド経路(要素210、214,248)
は画素毎に信号をサンプリングし、画素間で生じるクロ
ック、リセットノイズを除く.下方のサンプル・ホール
ド経路(要素212、216、246)はセンサ・タッ
プから出力した各グループの128個の画素間のライン
移行時間中に生じる暗基準レベルをサンプリングする。
し、これらのセグメントの各々から異なった出力信号が
発生する。この図では、これらの出力信号のうちの1つ
だけを処理するための回路が示してある.センサ出力信
号処理回路が同じだからである.センサ出力信号はまず
2倍乗算器208に送られて増幅され、増幅された信号
は2つのサンプル・ホールド回路に送られる。上方のサ
ンプル・ホールド経路(要素210、214,248)
は画素毎に信号をサンプリングし、画素間で生じるクロ
ック、リセットノイズを除く.下方のサンプル・ホール
ド経路(要素212、216、246)はセンサ・タッ
プから出力した各グループの128個の画素間のライン
移行時間中に生じる暗基準レベルをサンプリングする。
これら2つの信号の差が次に作動増幅器(要素218,
220)によって生じ、センサの暗出力レベルにおける
熱変化あるいは他の変化によるオフセット・エラーがほ
とんどないビデオ信号となる。この差信号は次にバッフ
ァ220によって緩衝され、加算器222,228のカ
スケードに送られる.これら加算器間には乗算器224
、226も接続してある.これらの要素は、DAC23
0〜236およびRAM238、240と一緒に・、較
正回路を構成する.この回路部分の機能は不均一な照明
またはセンサの不均一な感度による像内の異常を除去す
ることにあり、加算器228の出力部に正常化した信号
を与えることにある.正常か信号内の変動は検査装置に
よって観察しようとしている対象物の変動のみでなけれ
ばならない。
220)によって生じ、センサの暗出力レベルにおける
熱変化あるいは他の変化によるオフセット・エラーがほ
とんどないビデオ信号となる。この差信号は次にバッフ
ァ220によって緩衝され、加算器222,228のカ
スケードに送られる.これら加算器間には乗算器224
、226も接続してある.これらの要素は、DAC23
0〜236およびRAM238、240と一緒に・、較
正回路を構成する.この回路部分の機能は不均一な照明
またはセンサの不均一な感度による像内の異常を除去す
ることにあり、加算器228の出力部に正常化した信号
を与えることにある.正常か信号内の変動は検査装置に
よって観察しようとしている対象物の変動のみでなけれ
ばならない。
較正回路は存在する可能性のあるグローバル・ゲイン、
ダイナミック・ゲイン、オフセットを補正する。グロー
バル・ゲイン、オフセット信号は直流信号であり、これ
らの信号は増幅器に非常に大きな変化を与えて検査装置
が検査しようとしている広範囲にわたる対象物に順応す
る.たとえば、種々タイプのプリント配線板は銅と基板
の間またはフォトレジストと基板の間に非常に異なるコ
ントラストを有する。したがって、広範囲にわたって増
幅器のゲインを変えて遭遇する可能性のあるいかなる対
象物も検査できるようにする必要がある.DAC230
、232への入力信号は、ホストCPU26 (第1図
)が被検査対象物を観察しているときにそこから来る信
号に応答して発生して検査を遂行するに充分なコントラ
ストとを得る.グローバル較正回路は16チャンネルす
べてのゲインとオフセットに同時に大きな変化を与える
。これにより、ホストCPUが較正回路をプログラムし
て背景の輝度およびコントラストとが広範囲にわたって
変化する可能性のある種々の対象物に順応することがで
きる.検査の開始に先立って経験的に適当なグローバル
・ゲインおよびオフセットの較正値が決められ、検査プ
ロセスでは一定に留まる。
ダイナミック・ゲイン、オフセットを補正する。グロー
バル・ゲイン、オフセット信号は直流信号であり、これ
らの信号は増幅器に非常に大きな変化を与えて検査装置
が検査しようとしている広範囲にわたる対象物に順応す
る.たとえば、種々タイプのプリント配線板は銅と基板
の間またはフォトレジストと基板の間に非常に異なるコ
ントラストを有する。したがって、広範囲にわたって増
幅器のゲインを変えて遭遇する可能性のあるいかなる対
象物も検査できるようにする必要がある.DAC230
、232への入力信号は、ホストCPU26 (第1図
)が被検査対象物を観察しているときにそこから来る信
号に応答して発生して検査を遂行するに充分なコントラ
ストとを得る.グローバル較正回路は16チャンネルす
べてのゲインとオフセットに同時に大きな変化を与える
。これにより、ホストCPUが較正回路をプログラムし
て背景の輝度およびコントラストとが広範囲にわたって
変化する可能性のある種々の対象物に順応することがで
きる.検査の開始に先立って経験的に適当なグローバル
・ゲインおよびオフセットの較正値が決められ、検査プ
ロセスでは一定に留まる。
ダイナミック・ゲイン・オフセット回路は画素毎の補正
を行なう。この回路の範囲はグローバル補正ブロックに
比べてかなり制限されている.この回路はゲインあるい
はオフセットで±20%変化まで補正できるが、すべて
の画素を変えなければならないので非常な高速で作動す
る。これは照明の不均一性またはセンサ206の応答性
を補正する回路である。較正方法はXYステージ12上
に位置する、「黒」基準面および「白」基準面の影像に
ついて行なわれる。理想的には、基準影像は完全に均一
になっていなければならないが、不均一性のためにそう
はならない.ホスト・コンピュータはこれらの応答性が
あるものを監視しており、先に述べたrDJ信号が発生
し、RAM238、240に送られた場合には適切な補
正値を処理器200にダウンロードし、各画素をそれら
が持つべきである公称値に補正する.バッファ220か
らの信号はそこからグローバル・オフセットを引き,グ
ローバル・ゲイン補正値で割り、ダイナミック・ゲイン
補正値を掛けることによって補正され、さらにそれにダ
イナミック・オフセットが加算される.加算器228か
らの補正済みの信号は次にバツファ242に送られ、次
いでフラッシュA/D変換器244に送られる。本願で
利用している較正回路の変換機能は次の通りである。
を行なう。この回路の範囲はグローバル補正ブロックに
比べてかなり制限されている.この回路はゲインあるい
はオフセットで±20%変化まで補正できるが、すべて
の画素を変えなければならないので非常な高速で作動す
る。これは照明の不均一性またはセンサ206の応答性
を補正する回路である。較正方法はXYステージ12上
に位置する、「黒」基準面および「白」基準面の影像に
ついて行なわれる。理想的には、基準影像は完全に均一
になっていなければならないが、不均一性のためにそう
はならない.ホスト・コンピュータはこれらの応答性が
あるものを監視しており、先に述べたrDJ信号が発生
し、RAM238、240に送られた場合には適切な補
正値を処理器200にダウンロードし、各画素をそれら
が持つべきである公称値に補正する.バッファ220か
らの信号はそこからグローバル・オフセットを引き,グ
ローバル・ゲイン補正値で割り、ダイナミック・ゲイン
補正値を掛けることによって補正され、さらにそれにダ
イナミック・オフセットが加算される.加算器228か
らの補正済みの信号は次にバツファ242に送られ、次
いでフラッシュA/D変換器244に送られる。本願で
利用している較正回路の変換機能は次の通りである。
G.L. = 44.74 − o.1ooooy。,
+ fl9.2Q x 10@(80)、7 x 10
−’+)、578x(1) ここで、 G.L.=A/D変換器からのグレーレベル(小数)○
−63 D.。,=ダイナミック・オフセット補正値(小数)O
−225 DI)Y.N=ダイナミック・ゲイン補正値(小数)0
−225 D OLO!=グローバル・オフセット補正値(小数)
O−225 D (IL。、=グローバル・ゲイン補正値(小数)1
00−1023 V+s”サンプル・ホールド回路のアナログ出力(ボル
ト) TDIセンサ206の各セグメントはタイミング発生器
204を経て位相錠止ループ回路202によって制御さ
れる.TDIセンサの必要とする出力信号は第24図の
タイミング図に示してある.基本的には、3種類のクロ
ック信号がある,TDI方向に電荷をシフトするのは位
相rCJクロックであり、結像後にアレイから信号をシ
フトする出力シフト・レジスタを駆動するのが位相rA
J、「B」クロックである.位相「A」、「B」クロッ
クのうちの一方のみが任意所与の時刻に活動している.
位相「C」クロックは第24図に示すように互いに関係
する自由動作クロックである.電荷がアレイのTDI方
向(アレイの感光部分)ヘシフトされると、それは2つ
のシフト・レジスタ、rAJまたはrBJのレジスタの
うちの一方へ伝えられ、そこから本発明の設計であるl
6個のタップの各々に伝えられる。
+ fl9.2Q x 10@(80)、7 x 10
−’+)、578x(1) ここで、 G.L.=A/D変換器からのグレーレベル(小数)○
−63 D.。,=ダイナミック・オフセット補正値(小数)O
−225 DI)Y.N=ダイナミック・ゲイン補正値(小数)0
−225 D OLO!=グローバル・オフセット補正値(小数)
O−225 D (IL。、=グローバル・ゲイン補正値(小数)1
00−1023 V+s”サンプル・ホールド回路のアナログ出力(ボル
ト) TDIセンサ206の各セグメントはタイミング発生器
204を経て位相錠止ループ回路202によって制御さ
れる.TDIセンサの必要とする出力信号は第24図の
タイミング図に示してある.基本的には、3種類のクロ
ック信号がある,TDI方向に電荷をシフトするのは位
相rCJクロックであり、結像後にアレイから信号をシ
フトする出力シフト・レジスタを駆動するのが位相rA
J、「B」クロックである.位相「A」、「B」クロッ
クのうちの一方のみが任意所与の時刻に活動している.
位相「C」クロックは第24図に示すように互いに関係
する自由動作クロックである.電荷がアレイのTDI方
向(アレイの感光部分)ヘシフトされると、それは2つ
のシフト・レジスタ、rAJまたはrBJのレジスタの
うちの一方へ伝えられ、そこから本発明の設計であるl
6個のタップの各々に伝えられる。
位相「A」、rBJクロックは出力電荷を電圧変換器に
伝えるクロックである.位相rAJクロツクまたは位相
「B」クロックは4位相クロックであり、各信号は先行
クロックから順次90”位相ずれしており、したがって
、TDIセンサは4位相装置と言える。
伝えるクロックである.位相rAJクロツクまたは位相
「B」クロックは4位相クロックであり、各信号は先行
クロックから順次90”位相ずれしており、したがって
、TDIセンサは4位相装置と言える。
アレイから電荷をシフトする位相「A」またはrBJク
ロックに加えて、リセット・ゲート・クロックも設けて
あり、これはそれぞれrA」、rBJレジスタのための
位相rRGAJまたはrRGBJ信号として示される.
これらのクロックは画素間のセンサ・チップ上の出力増
幅器を既知レベルにリセットする本質的に自由に作動す
るクロックである。位相錠止ルーブ・ブロック202に
おけるエンコーダ信号を監視することによって、XYス
テージ12がX方向へ移動する方向が決定され、したが
って、センサ206内のrAJ、「B」レジスタのうち
の適切なものを選ぶことになる.「A」、「B」レジス
タはアレイの長軸の両側に配置してある.影像は信号電
荷が横切って移動しつつある方向と同期してアレイを横
切って移動する。両走査方向に順応するためには、両方
向において電荷をシフトする必要があり、したがって、
出力レジスタはアレイの両側にあり、そのうちの一方の
みが任意の時刻に活動している必要がある。こうして、
基板が走査されつつある方向は位相錠止ルーブ202で
復号されつつあるものと一致しなければならない.本願
で使用しているセンサ206は2048画素分の長さで
あり、アレイ上にl6個のタップがあるので、これらの
タップは各128個の画素に置かれる.位相「A」、r
l3Jクロックが活動していないときには、信号電荷は
アレイのTDIセクシゴンから内方ヘシフトされる.次
いで、位相「A」、rl3Jクロックが,必要に応じて
、始動され、タップあたり128個の画素を外方へその
タップの出力増幅器へシフトする。次いで、ク,ロック
は再び停止させられ、アレイのTDIセクションからの
画素の次の補正値が内方ヘシフトされ、このパターンが
繰り返される。rAJrBJ位相クロックが活動してい
ない時期は伝達時間として定義される。TDIセンサは
連続的にデータを集め、これらのデータをバーストの伝
達時間の間に外方ヘシフトする. 第24図のタイミング図の頂部を横切って2種類の一連
の数字がある。一方の組には括弧がなく、他方の組には
括弧がある。本発明の意図したタイミング発生器204
はカウンタからの出力信号を復号し、第24図に示すタ
イミング信号を発生するPROMを駆動する二進カウン
タによって構成されている。括弧内の数字はタイミング
図における各時間増分に対応するカウンタ出力である。
ロックに加えて、リセット・ゲート・クロックも設けて
あり、これはそれぞれrA」、rBJレジスタのための
位相rRGAJまたはrRGBJ信号として示される.
これらのクロックは画素間のセンサ・チップ上の出力増
幅器を既知レベルにリセットする本質的に自由に作動す
るクロックである。位相錠止ルーブ・ブロック202に
おけるエンコーダ信号を監視することによって、XYス
テージ12がX方向へ移動する方向が決定され、したが
って、センサ206内のrAJ、「B」レジスタのうち
の適切なものを選ぶことになる.「A」、「B」レジス
タはアレイの長軸の両側に配置してある.影像は信号電
荷が横切って移動しつつある方向と同期してアレイを横
切って移動する。両走査方向に順応するためには、両方
向において電荷をシフトする必要があり、したがって、
出力レジスタはアレイの両側にあり、そのうちの一方の
みが任意の時刻に活動している必要がある。こうして、
基板が走査されつつある方向は位相錠止ルーブ202で
復号されつつあるものと一致しなければならない.本願
で使用しているセンサ206は2048画素分の長さで
あり、アレイ上にl6個のタップがあるので、これらの
タップは各128個の画素に置かれる.位相「A」、r
l3Jクロックが活動していないときには、信号電荷は
アレイのTDIセクシゴンから内方ヘシフトされる.次
いで、位相「A」、rl3Jクロックが,必要に応じて
、始動され、タップあたり128個の画素を外方へその
タップの出力増幅器へシフトする。次いで、ク,ロック
は再び停止させられ、アレイのTDIセクションからの
画素の次の補正値が内方ヘシフトされ、このパターンが
繰り返される。rAJrBJ位相クロックが活動してい
ない時期は伝達時間として定義される。TDIセンサは
連続的にデータを集め、これらのデータをバーストの伝
達時間の間に外方ヘシフトする. 第24図のタイミング図の頂部を横切って2種類の一連
の数字がある。一方の組には括弧がなく、他方の組には
括弧がある。本発明の意図したタイミング発生器204
はカウンタからの出力信号を復号し、第24図に示すタ
イミング信号を発生するPROMを駆動する二進カウン
タによって構成されている。括弧内の数字はタイミング
図における各時間増分に対応するカウンタ出力である。
括弧のない数字はそのサイクルにおける各タイミング状
態に対する恣意的な状態割当である.φ2.,φ4,信
号はサンプル・ホールド回路を駆動し、Y Wneは入
カバッファに行って結像コンピュータの外から入ってく
るデータと同期させる。
態に対する恣意的な状態割当である.φ2.,φ4,信
号はサンプル・ホールド回路を駆動し、Y Wneは入
カバッファに行って結像コンピュータの外から入ってく
るデータと同期させる。
位相錠止ルーブ202への入力信号は第23図に示して
ある。これらの信号はXYステージl2の速度の関数で
ある双位相求積エンコーダ信号と線形エンコーダ38(
第1図)からの出力信号である。位相錠止ルーブ202
は種々のステージ速度および画素サイズに対してプログ
ラムすることができる。表工は本出願人が用いている各
画素サイズと走査(ステージ)速度の組合わせに対する
出力クロック(4 x c k)の周波数を示している
。双位相求漬エンコーダ信号は2つの方形波または正弦
波信号からなり、その一方は他方から90”の位相だけ
送られている.走査方向が変わると、先の走査方向に送
られている信号は第2走査方向になる。
ある。これらの信号はXYステージl2の速度の関数で
ある双位相求積エンコーダ信号と線形エンコーダ38(
第1図)からの出力信号である。位相錠止ルーブ202
は種々のステージ速度および画素サイズに対してプログ
ラムすることができる。表工は本出願人が用いている各
画素サイズと走査(ステージ)速度の組合わせに対する
出力クロック(4 x c k)の周波数を示している
。双位相求漬エンコーダ信号は2つの方形波または正弦
波信号からなり、その一方は他方から90”の位相だけ
送られている.走査方向が変わると、先の走査方向に送
られている信号は第2走査方向になる。
艷皇亙且A
第25図iよデータベース検査構成の第1図の影像処理
器25のブロック図である。第23図の撮影電子機器の
l6のセクションの各々のA/D変換器244の各々か
らの出力信号は入カバッファ310に並列に送られ、こ
こで複合像信号が生じる。この複合像信号は次に特徴抽
出バイブライン312に送られ、このパイプラインは影
像処理器コントローラ314の制御の下にこの信号から
特徴を抽出し、それを基準データベース(第1図のR
A M 3 2の一部)に記憶されている「黄金ボード
」からの特徴情報と同じフォーマットにする.次に、デ
ータベース316からの特徴が、欠陥検出器31で特徴
抽出パイプライン312からの特徴と比較される(これ
は第1図のCPU26によって行われ得る)。検出され
たそれぞれの欠陥は使用者インターフェース処理器32
0に報告され、険出した欠陥を使用者に知らせる(これ
も第1図のCPU26によって行われ得る)。入力バッ
ファ310からの出力信号はモニタ34(第1図)に送
られて、使用者によって観察される基彼の領域を表示す
る。
器25のブロック図である。第23図の撮影電子機器の
l6のセクションの各々のA/D変換器244の各々か
らの出力信号は入カバッファ310に並列に送られ、こ
こで複合像信号が生じる。この複合像信号は次に特徴抽
出バイブライン312に送られ、このパイプラインは影
像処理器コントローラ314の制御の下にこの信号から
特徴を抽出し、それを基準データベース(第1図のR
A M 3 2の一部)に記憶されている「黄金ボード
」からの特徴情報と同じフォーマットにする.次に、デ
ータベース316からの特徴が、欠陥検出器31で特徴
抽出パイプライン312からの特徴と比較される(これ
は第1図のCPU26によって行われ得る)。検出され
たそれぞれの欠陥は使用者インターフェース処理器32
0に報告され、険出した欠陥を使用者に知らせる(これ
も第1図のCPU26によって行われ得る)。入力バッ
ファ310からの出力信号はモニタ34(第1図)に送
られて、使用者によって観察される基彼の領域を表示す
る。
第26図は唯1つのTDIセンサを用いてダイ毎の険査
或いは反復パターン検査を実施するブロック図である.
第26図の垂直破線の左側は第25図ヒ同じである.こ
の垂直破綿の右には、一時メモリ315、スイッチ31
7、コンバレータ319および使用者インターフェース
処理器320がある.作動にあたって、第1のダイある
いはパターンはTDIセンサによって観察され、このダ
イあるいはパターンの特徴がスイッチ317を経て一時
メモリ315に記憶される.スイッチ317は像処理器
コントローラ314および使用者インターフェース処理
器320によって制御サfi ル・第1のダイあるいは
パターンの特性が一時メモリ315に記憶されている場
合、これらの特徴は、第2のダイあるいはパターンの特
性がスイッチ317を経てコンパレータ319に送られ
たときに、コンパレータ319に送られる。
或いは反復パターン検査を実施するブロック図である.
第26図の垂直破線の左側は第25図ヒ同じである.こ
の垂直破綿の右には、一時メモリ315、スイッチ31
7、コンバレータ319および使用者インターフェース
処理器320がある.作動にあたって、第1のダイある
いはパターンはTDIセンサによって観察され、このダ
イあるいはパターンの特徴がスイッチ317を経て一時
メモリ315に記憶される.スイッチ317は像処理器
コントローラ314および使用者インターフェース処理
器320によって制御サfi ル・第1のダイあるいは
パターンの特性が一時メモリ315に記憶されている場
合、これらの特徴は、第2のダイあるいはパターンの特
性がスイッチ317を経てコンパレータ319に送られ
たときに、コンパレータ319に送られる。
ひとたび比較が完了すると、比較/非比較信号が使用者
インターフェース処理器320に送られ、ここで、この
信号は比較されたダイあるいはパターンの対に関する像
処理コントローラ314からの指示と共に保持される。
インターフェース処理器320に送られ、ここで、この
信号は比較されたダイあるいはパターンの対に関する像
処理コントローラ314からの指示と共に保持される。
次いで、第2のダイあるいはパターンが一時メモリ31
5に記憶され、検査が続行する。
5に記憶され、検査が続行する。
メモリ315を2つのダイの特性を保持するに充分に大
きいFIFO(ファーストイン、ファーストアウト)と
することによって、スイッチ317を省略し、ダイをメ
モリ315とコンバレータ(以下余白) 319へ同時に送ることができる.この実施例では、メ
モリ315がまず初期化される.次いで、第1のダイが
検査され、その特性がメモリ315内に記憶されると共
に、ヌルセットの特性と比較される.これにより、コン
パレータ319から予想非比較信号が発生する.これが
始動相である.次に、第2のダイの特性がメモリ315
へ読み込まれ、一方、第1のダイの特性が書き出される
と同時に、第2のダイの特性がコンバレータ319へ送
られる.このプロセスは、検査しようとしているダイの
それぞれについて上述のように続行する. 第27図は一対のTDIセンサを用いるタイ毎検査を実
施するブロック図である.垂直破綿の左には、第26図
におけると同じ要素がある.バッファ310および特徴
抽出パイプライン312は第1のTDIセンサからの情
報を処理する経路を構成する.第2のバッファ311お
よび第2の特徴抽出パイプライン313が,像処理器コ
ントローラ314の制御の下に、パイプライン313と
共に第2のTDIセンサからの情報を処理する経路を構
成する.パイプライン312,313からの出力信号は
コンバレータ319へ同時に送られこのコンバレータは
、第26図に関連して上述したように、使用者インター
フェース処理器320の行うように機能する.
きいFIFO(ファーストイン、ファーストアウト)と
することによって、スイッチ317を省略し、ダイをメ
モリ315とコンバレータ(以下余白) 319へ同時に送ることができる.この実施例では、メ
モリ315がまず初期化される.次いで、第1のダイが
検査され、その特性がメモリ315内に記憶されると共
に、ヌルセットの特性と比較される.これにより、コン
パレータ319から予想非比較信号が発生する.これが
始動相である.次に、第2のダイの特性がメモリ315
へ読み込まれ、一方、第1のダイの特性が書き出される
と同時に、第2のダイの特性がコンバレータ319へ送
られる.このプロセスは、検査しようとしているダイの
それぞれについて上述のように続行する. 第27図は一対のTDIセンサを用いるタイ毎検査を実
施するブロック図である.垂直破綿の左には、第26図
におけると同じ要素がある.バッファ310および特徴
抽出パイプライン312は第1のTDIセンサからの情
報を処理する経路を構成する.第2のバッファ311お
よび第2の特徴抽出パイプライン313が,像処理器コ
ントローラ314の制御の下に、パイプライン313と
共に第2のTDIセンサからの情報を処理する経路を構
成する.パイプライン312,313からの出力信号は
コンバレータ319へ同時に送られこのコンバレータは
、第26図に関連して上述したように、使用者インター
フェース処理器320の行うように機能する.
第1図は本発明の自動プリント配線板検査機械のブロッ
ク図である. 第2図は検査しようとしているプリント配線板上の代表
的な銅線の光散乱現象を説明する横断面図である, 第3図は表面照明がいかなる照明手段でも不可能である
##iの表面の一部を示す図である.第4図はfi4l
I対ガラス繊維基板からの反射光の強さの差を説明する
ヒストグラムである.第5図は銅反射率ピークの幅と照
明器の開口数の関係を示すグラフである. 第6図は本発明の準ランベルト反射光照明器の概略横断
面図である. 第71iii1は第6rI!Iの照明器の斜視図である
.第8図は照明制限用スリットがある場合とない場合の
、プリント配線板が低いNA、高いNAで照射されたと
きの入射、反射光線の影響を説明する、プリント配綿板
の横断面図である.第9図はNAについて3つの異なっ
た条件の下で第8図の形態のスリットが存在する場合に
照明されたガラス繊維基板と銅導電体のコントラストと
を説明する一組のヒストグラムである。 第10図はDuPont Riston216Rフオ
トレジストの透過スペクトルのグラフである. 第11図は選定した光線の反射を説明する、第6図と同
様の図である。 第12図は明視野、暗視野照明の真の組合わせのための
、第1図の配置から変更した配置を示す図である。 第13図は第6図の照明器の横断面図であり、ランプお
よびミラーを冷却し、シュリーレン現象を抑える空気流
制御システムを示す図である.第14図は照明器冷却シ
ステムとそれに関連したダクトの斜視図である. 第15a図および第15b図は本発明のスリット組立体
および照明器の一体空気軸受の平面垂直断面図と底面図
である. 第16a図および第16b図は本発明の蛍光照明器の第
1実施例の平面横断面図と斜視図である。 第17a図は本発明の蛍光照明器の第2実施例の概略図
である. 第17b図は反射光、蛍光両照明を行なえる照明器の概
略横断面図である. 第18図はスリット組立体、照明器組立体、センサ・レ
ンズおよび互いに組合わせた電子機器を有するセンサの
機械的な取り付けを説明する斜視図である. 第19図は特定の用途のために本出願人等が選んだ多セ
グメントTDTセンサの概略図である。 第20図はTDIセンサの個々のセンサ・セグメントの
詳細図である. 第21a図〜第21j図は選定した入力照明パターンに
対する所望の応答性を示すことによって選定したTDI
センサの変調仕様を説明する図である。 第22図は選定したTDIセンサの最低量子効率対波長
のグラフである。 第23図は本発明の多セクションT
DIセンサの1つのセクションのTDI電子要素のブロ
ック図である. 第24図は第23図のTDI電子要素の種々のブロック
からの選定信号のタイミング図である.第25図は第2
3図のTDI電子要素セクションの1つに対応する単一
の影像処理器電子要素セクションのブロック図である。 第26図はパターン毎の検査のために第24図の単一T
DIセンサと連絡する処理器電子機器部のブロック図で
ある. 第27図はパターン毎検査のために第24図の一対のT
DIセンサと同時に連絡する処理器電子機器部のブロッ
ク図である。 図面において、5・・・照明光、8・・・導電体、10
・・・検査装置、l4・・・基板、20・・・光学照明
器、25・・・影像処理器、26・・・CPU,30・
・・ROM,32・・・RAM,34・・・モニタ、3
6・・・xYサーボ制御器、38・・・位置センサ、4
0・・・データパス、202・・・位相錠止ループ、2
04・・・タイミング発生器、206・・・TDIセン
サ、208・・・2倍乗算器、210、212・・・サ
ンプリング・スイッチ、246、248・・・コンデン
サ、214、216、220、242・・・パッファ、
218、222、228・・・加算器、224、226
・・・乗算器、230〜236・・・DAC,238、
240・・・RAM、244・・・フラッシュA/D変
換器、602・・・被観察領域、603・・・伝導体、
901、902、903・・・ミラー904・・・ビー
ムスプリツタ、907、908、909・・・線形フィ
ラメント式タングステン・ハロゲン・ランプ、910・
・・スリット組立体、912・・・被検査領域、913
、914、915・・・フ ィ ノレ タ 、
9 2 2 ・・・ ス リ ッ ト
、 1102 、1103・・一端ミラー、
1503・・・光ファイバー束、1504・・・ミラー
1505・・・ミラー151l・・一光源
ク図である. 第2図は検査しようとしているプリント配線板上の代表
的な銅線の光散乱現象を説明する横断面図である, 第3図は表面照明がいかなる照明手段でも不可能である
##iの表面の一部を示す図である.第4図はfi4l
I対ガラス繊維基板からの反射光の強さの差を説明する
ヒストグラムである.第5図は銅反射率ピークの幅と照
明器の開口数の関係を示すグラフである. 第6図は本発明の準ランベルト反射光照明器の概略横断
面図である. 第71iii1は第6rI!Iの照明器の斜視図である
.第8図は照明制限用スリットがある場合とない場合の
、プリント配線板が低いNA、高いNAで照射されたと
きの入射、反射光線の影響を説明する、プリント配綿板
の横断面図である.第9図はNAについて3つの異なっ
た条件の下で第8図の形態のスリットが存在する場合に
照明されたガラス繊維基板と銅導電体のコントラストと
を説明する一組のヒストグラムである。 第10図はDuPont Riston216Rフオ
トレジストの透過スペクトルのグラフである. 第11図は選定した光線の反射を説明する、第6図と同
様の図である。 第12図は明視野、暗視野照明の真の組合わせのための
、第1図の配置から変更した配置を示す図である。 第13図は第6図の照明器の横断面図であり、ランプお
よびミラーを冷却し、シュリーレン現象を抑える空気流
制御システムを示す図である.第14図は照明器冷却シ
ステムとそれに関連したダクトの斜視図である. 第15a図および第15b図は本発明のスリット組立体
および照明器の一体空気軸受の平面垂直断面図と底面図
である. 第16a図および第16b図は本発明の蛍光照明器の第
1実施例の平面横断面図と斜視図である。 第17a図は本発明の蛍光照明器の第2実施例の概略図
である. 第17b図は反射光、蛍光両照明を行なえる照明器の概
略横断面図である. 第18図はスリット組立体、照明器組立体、センサ・レ
ンズおよび互いに組合わせた電子機器を有するセンサの
機械的な取り付けを説明する斜視図である. 第19図は特定の用途のために本出願人等が選んだ多セ
グメントTDTセンサの概略図である。 第20図はTDIセンサの個々のセンサ・セグメントの
詳細図である. 第21a図〜第21j図は選定した入力照明パターンに
対する所望の応答性を示すことによって選定したTDI
センサの変調仕様を説明する図である。 第22図は選定したTDIセンサの最低量子効率対波長
のグラフである。 第23図は本発明の多セクションT
DIセンサの1つのセクションのTDI電子要素のブロ
ック図である. 第24図は第23図のTDI電子要素の種々のブロック
からの選定信号のタイミング図である.第25図は第2
3図のTDI電子要素セクションの1つに対応する単一
の影像処理器電子要素セクションのブロック図である。 第26図はパターン毎の検査のために第24図の単一T
DIセンサと連絡する処理器電子機器部のブロック図で
ある. 第27図はパターン毎検査のために第24図の一対のT
DIセンサと同時に連絡する処理器電子機器部のブロッ
ク図である。 図面において、5・・・照明光、8・・・導電体、10
・・・検査装置、l4・・・基板、20・・・光学照明
器、25・・・影像処理器、26・・・CPU,30・
・・ROM,32・・・RAM,34・・・モニタ、3
6・・・xYサーボ制御器、38・・・位置センサ、4
0・・・データパス、202・・・位相錠止ループ、2
04・・・タイミング発生器、206・・・TDIセン
サ、208・・・2倍乗算器、210、212・・・サ
ンプリング・スイッチ、246、248・・・コンデン
サ、214、216、220、242・・・パッファ、
218、222、228・・・加算器、224、226
・・・乗算器、230〜236・・・DAC,238、
240・・・RAM、244・・・フラッシュA/D変
換器、602・・・被観察領域、603・・・伝導体、
901、902、903・・・ミラー904・・・ビー
ムスプリツタ、907、908、909・・・線形フィ
ラメント式タングステン・ハロゲン・ランプ、910・
・・スリット組立体、912・・・被検査領域、913
、914、915・・・フ ィ ノレ タ 、
9 2 2 ・・・ ス リ ッ ト
、 1102 、1103・・一端ミラー、
1503・・・光ファイバー束、1504・・・ミラー
1505・・・ミラー151l・・一光源
Claims (12)
- (1)、基板の表面特性を検査するための検査装置であ
って、 基板を製造するのに用いたCADシステムから基板の表
面の所望特性を記憶する記憶手段と、基板の表面の検査
しようとしている領域をほぼ均質に照明する照明手段と
、 この照明手段で照明された基板の領域を結像するTDI
センサ手段と、 記憶手段およびセンサ手段に応答して基板の結像領域を
基板の記憶されている所望特性と比較する比較手段と を包含することを特徴とする検査装置。 - (2)、基板の表面特性を検査する方法であつて、 a、基板を製造するのに用いたCADシステムからの基
板の特性をメモリに格納する段階と、b、基板の表面の
検査しようとしている領域をほぼ均質に照明する段階と
、 c、基板の照明領域をTDIセンサで結像する段階と、 d、基板の結像領域を基板の記憶されている所望特性と
比較する段階と を包含することを特徴とする方法。 - (3)、基板の表面特性を検査する方法であって、 a、基板の表面の検査しようとしている領域における少
なくとも第1のダイをほぼ均質な照明で照明する段階と
、 b、このa段階で照明された基板の照明領域にある第1
ダイをTDIセンサで結像する段階と、c、b段階の結
像ダイを記憶する段階と、 d、基板の表面の検査しようとしている領域における少
なくとも第2のダイをほぼ均質な照明で照明する段階と
、 e、このd段階で照明した基板の照明領域の第2ダイを
TDIセンサで結像する段階と、 f、e段階で結像した第2ダイをc段階で記憶した第1
ダイの像と比較する段階と を包含することを特徴とする方法。 - (4)、請求項3記載の方法において、前記第1、第2
のダイが同一であることを意図したことを特徴とする方
法。 - (5)、請求項4記載の方法において、前記第1、第2
のダイが同じ基板上にあることを特徴とする方法。 - (6)、請求項4記載の方法において、前記第1、第2
のダイが異なった基板上にあることを特徴とする方法。 - (7)、請求項3記載の方法において、さらに、g、f
段階の比較の結果を第1、第2のダイの位置と一緒に記
憶する段階と、 h、各対のダイについて先の対の第2ダイが第1ダイと
なり、もう1つのダイが第2ダイとなるようにしてa段
階からg段階を順次に繰り返す段階と を包含することを特徴とする方法。 - (8)、基板の表面特性を検査する検査装置であって、 少なくとも1つの基板の表面の検査しようとしている領
域における第1、第2のダイをほぼ均質に照明する照明
手段と、 前記第1、第2のダイを順次に結像するTDIセンサ手
段と、 第1ダイが前記TDIセンサ手段によって結像されたと
きにその像を記憶する記憶手段と、記憶手段およびTD
Iセンサ手段に応答して結像第2ダイを記憶手段に記憶
された第1ダイの像と比較する比較手段と を包含することを特徴とする検査装置。 - (9)、請求項8記載の検査装置において、前記第1、
第2のダイが同じであることを意図したことを特徴とす
る検査装置。 - (10)、請求項9記載の検査装置において、前記第1
、第2のダイが同じ基板上にあることを特徴とする検査
装置。 - (11)、請求項9記載の検査装置において、前記第1
、第2のダイが異なった基板上にあることを特徴とする
検査装置。 - (12)、請求項8記載の検査装置において、前記記憶
手段が、比較の結果を、第1、第2のダイの位置と一緒
に記憶することを特徴とする検査装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US429,859 | 1989-10-31 | ||
| US07/429,859 US5131755A (en) | 1988-02-19 | 1989-10-31 | Automatic high speed optical inspection system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160348A true JPH03160348A (ja) | 1991-07-10 |
Family
ID=23705015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2297022A Pending JPH03160348A (ja) | 1989-10-31 | 1990-10-31 | 自動高速光学検査装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5131755A (ja) |
| EP (1) | EP0426166B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03160348A (ja) |
| DE (1) | DE69028274T2 (ja) |
| IL (1) | IL96010A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000249661A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Topcon Corp | 光学測定装置 |
| JP2015175607A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 画像取得装置および検査装置 |
| KR102574579B1 (ko) * | 2022-06-23 | 2023-09-06 | 큐알티 주식회사 | 표준 시료를 이용한 빔 특성 평가 장치 및 이를 이용한 빔 특성 평가 방법 |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL99823A0 (en) * | 1990-11-16 | 1992-08-18 | Orbot Instr Ltd | Optical inspection method and apparatus |
| US5590060A (en) * | 1992-03-20 | 1996-12-31 | Metronics, Inc. | Apparatus and method for an object measurement system |
| US5825945A (en) * | 1992-05-15 | 1998-10-20 | Unisys Corp | Document imaging with illumination from lambertian surfaces |
| EP0767361B1 (en) * | 1993-07-22 | 2000-02-23 | Applied Spectral Imaging Ltd. | Method and apparatus for spectral imaging |
| US5544256A (en) * | 1993-10-22 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Automated defect classification system |
| JPH07270119A (ja) * | 1994-03-21 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 集積回路リソグラフィー用の蛍光使用の直接レチクル対ウエハ・アライメントの方法及び装置 |
| DE4434473A1 (de) * | 1994-09-27 | 1996-03-28 | Basler Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Qualitätskontrolle von Gegenständen mit polarisiertem Licht |
| DE4434474C2 (de) * | 1994-09-27 | 2000-06-15 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zur vollständigen optischen Qualitätskontrolle von Gegenständen |
| US5774222A (en) * | 1994-10-07 | 1998-06-30 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected |
| JP3570815B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2004-09-29 | 松下電器産業株式会社 | 部品実装機用画像撮像装置 |
| JP4657394B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2011-03-23 | シュルンベルジェ テクノロジーズ, インコーポレイテッド | ウエハにおける欠陥を検知する方法及び装置 |
| EP0930498A3 (en) | 1997-12-26 | 1999-11-17 | Nidek Co., Ltd. | Inspection apparatus and method for detecting defects |
| EP1076831A2 (en) * | 1998-02-13 | 2001-02-21 | Scientific Generics Limited | Circuit board assembly inspection |
| US6137570A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-24 | Kla-Tencor Corporation | System and method for analyzing topological features on a surface |
| US6324298B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-11-27 | August Technology Corp. | Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection |
| US6476913B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Inspection method, apparatus and system for circuit pattern |
| FR2786499B1 (fr) * | 1998-11-30 | 2002-02-08 | Intelligence Artificielle Appl | Appareil de lecture automatique d'un antibiogramme a contraste ameliore |
| US6616332B1 (en) | 1999-11-18 | 2003-09-09 | Sensarray Corporation | Optical techniques for measuring parameters such as temperature across a surface |
| EP1101438B1 (en) * | 1999-11-18 | 2006-10-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for acquiring fluorescence images |
| US6407810B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-06-18 | Robotic Vision Systems, Inc. | Imaging system |
| JP2001343336A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US6760471B1 (en) | 2000-06-23 | 2004-07-06 | Teradyne, Inc. | Compensation system and related techniques for use in a printed circuit board inspection system |
| IL149587A (en) * | 2001-05-11 | 2005-11-20 | Orbotech Ltd | Optical inspection system employing a staring array scanner |
| KR100889351B1 (ko) | 2001-05-15 | 2009-03-18 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Tdi 검출 디바이스, 피드-스루 장비 및 이들 디바이스를 이용하는 전자빔 장치 |
| US7009163B2 (en) * | 2001-06-22 | 2006-03-07 | Orbotech Ltd. | High-sensitivity optical scanning using memory integration |
| JP2003016463A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 図形の輪郭の抽出方法、パターン検査方法、パターン検査装置、プログラムおよびこれを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| GB2384852A (en) * | 2001-09-03 | 2003-08-06 | Millennium Venture Holdings Lt | Workpiece inspection apparatus |
| DE10146583A1 (de) * | 2001-09-21 | 2003-04-17 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zum optischen Abtasten einer Substratscheibe |
| US6834855B2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-12-28 | Edward J. Mancuso | Dice scanner |
| US7126681B1 (en) * | 2002-04-23 | 2006-10-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Closed region defect detection system |
| US7009695B2 (en) * | 2003-04-01 | 2006-03-07 | Applied Materials, Inc. | Full frame thermal pump probe technique for detecting subsurface defects |
| KR100598096B1 (ko) * | 2003-12-01 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | 패턴 검사 장치 및 검사 방법 |
| DE102005031647A1 (de) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Chromasens Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung zur Dunkelfeldbeleuchtung für eine optische Testvorrichtung und Verfahren zum optischen Abtasten eines Objektes |
| DE502005008676D1 (de) | 2005-07-13 | 2010-01-21 | Audi Ag | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Prüfung von Carbon-Keramik-Brems- und Kupplungskomponenten |
| WO2009020682A2 (en) | 2007-05-08 | 2009-02-12 | The Trustees Of Boston University | Chemical functionalization of solid-state nanopores and nanopore arrays and applications thereof |
| US20090153814A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Langrel Charles B | Self-cleaning scan head assembly |
| EP2403396B1 (en) * | 2009-03-04 | 2019-08-14 | Elie Meimoun | Wavefront analysis inspection apparatus and method |
| EP2483680A4 (en) | 2009-09-30 | 2014-01-01 | Quantapore Inc | ULTRASOUND SEQUENCING OF BIOLOGICAL POLYMERS WITH THE HELP OF A MARKED NANOPORE |
| US20110090489A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | Robert Bishop | Method and Apparatus for Detecting Small Reflectivity Variations in Electronic Parts at High Speed |
| US9049353B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Time-delay-and-integrate image sensors having variable integration times |
| US9036142B2 (en) | 2012-05-09 | 2015-05-19 | Seagate Technology Llc | Surface features mapping |
| US9212900B2 (en) | 2012-08-11 | 2015-12-15 | Seagate Technology Llc | Surface features characterization |
| US9297759B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-03-29 | Seagate Technology Llc | Classification of surface features using fluorescence |
| US9297751B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-03-29 | Seagate Technology Llc | Chemical characterization of surface features |
| US9377394B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-06-28 | Seagate Technology Llc | Distinguishing foreign surface features from native surface features |
| US9651539B2 (en) | 2012-10-28 | 2017-05-16 | Quantapore, Inc. | Reducing background fluorescence in MEMS materials by low energy ion beam treatment |
| US9217714B2 (en) | 2012-12-06 | 2015-12-22 | Seagate Technology Llc | Reflective surfaces for surface features of an article |
| CN103163155B (zh) * | 2013-02-26 | 2016-01-20 | 上海大学 | 一种键盘缺陷检测装置及方法 |
| CA2910019A1 (en) | 2013-05-24 | 2014-11-27 | Quantapore, Inc. | Nanopore-based nucleic acid analysis with mixed fret detection |
| US9217715B2 (en) | 2013-05-30 | 2015-12-22 | Seagate Technology Llc | Apparatuses and methods for magnetic features of articles |
| US9201019B2 (en) | 2013-05-30 | 2015-12-01 | Seagate Technology Llc | Article edge inspection |
| US9274064B2 (en) | 2013-05-30 | 2016-03-01 | Seagate Technology Llc | Surface feature manager |
| US9513215B2 (en) | 2013-05-30 | 2016-12-06 | Seagate Technology Llc | Surface features by azimuthal angle |
| US9870669B2 (en) * | 2014-04-24 | 2018-01-16 | Orell Füssli Sicherheitsdruck Ag | Security device for security document |
| ES2789000T3 (es) | 2014-10-10 | 2020-10-23 | Quantapore Inc | Análisis de polinucleótidos basado en nanoporos con marcadores fluorescentes que se inactivan mutuamente |
| CN107002126B (zh) | 2014-10-24 | 2021-05-25 | 昆塔波尔公司 | 使用纳米结构阵列的聚合物的高效光学分析 |
| JP2019522983A (ja) | 2016-07-05 | 2019-08-22 | クアンタポール, インコーポレイテッド | 光学ベースのナノポア配列決定 |
| JP6568245B2 (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-28 | Ckd株式会社 | 検査装置、ptp包装機、及び、検査装置の較正方法 |
| US10290091B1 (en) | 2018-07-06 | 2019-05-14 | Arevo, Inc. | Filament inspection system |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3909602A (en) * | 1973-09-27 | 1975-09-30 | California Inst Of Techn | Automatic visual inspection system for microelectronics |
| US3963354A (en) * | 1975-05-05 | 1976-06-15 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Inspection of masks and wafers by image dissection |
| JPS6017044B2 (ja) * | 1979-07-23 | 1985-04-30 | 株式会社日立製作所 | 印刷配線板のパタ−ン検査装置 |
| US4614430A (en) * | 1983-04-28 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd. | Method of detecting pattern defect and its apparatus |
| DE3422395A1 (de) * | 1983-06-16 | 1985-01-17 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren und vorrichtung zum ermitteln von verdrahtungsmustern |
| JPH0750664B2 (ja) * | 1983-06-23 | 1995-05-31 | 富士通株式会社 | レチクルの検査方法 |
| DE3475566D1 (en) * | 1984-05-14 | 1989-01-12 | Ibm Deutschland | Method and device for the inspection of surfaces |
| JPS60263807A (ja) * | 1984-06-12 | 1985-12-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント配線板のパタ−ン欠陥検査装置 |
| JPS61213612A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | Hitachi Ltd | プリント基板のパタ−ン検査装置 |
| US4806774A (en) * | 1987-06-08 | 1989-02-21 | Insystems, Inc. | Inspection system for array of microcircuit dies having redundant circuit patterns |
| US4877326A (en) * | 1988-02-19 | 1989-10-31 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for optical inspection of substrates |
| US4949172A (en) * | 1988-09-26 | 1990-08-14 | Picker International, Inc. | Dual-mode TDI/raster-scan television camera system |
-
1989
- 1989-10-31 US US07/429,859 patent/US5131755A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-15 IL IL96010A patent/IL96010A/xx active IP Right Review Request
- 1990-10-31 JP JP2297022A patent/JPH03160348A/ja active Pending
- 1990-10-31 EP EP90120932A patent/EP0426166B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-31 DE DE69028274T patent/DE69028274T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000249661A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Topcon Corp | 光学測定装置 |
| JP2015175607A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 画像取得装置および検査装置 |
| KR102574579B1 (ko) * | 2022-06-23 | 2023-09-06 | 큐알티 주식회사 | 표준 시료를 이용한 빔 특성 평가 장치 및 이를 이용한 빔 특성 평가 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69028274D1 (de) | 1996-10-02 |
| EP0426166B1 (en) | 1996-08-28 |
| US5131755A (en) | 1992-07-21 |
| IL96010A (en) | 1993-06-10 |
| EP0426166A3 (en) | 1992-01-08 |
| EP0426166A2 (en) | 1991-05-08 |
| IL96010A0 (en) | 1991-07-18 |
| DE69028274T2 (de) | 1997-04-17 |
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