JPH0750664B2 - レチクルの検査方法 - Google Patents
レチクルの検査方法Info
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- JPH0750664B2 JPH0750664B2 JP11323083A JP11323083A JPH0750664B2 JP H0750664 B2 JPH0750664 B2 JP H0750664B2 JP 11323083 A JP11323083 A JP 11323083A JP 11323083 A JP11323083 A JP 11323083A JP H0750664 B2 JPH0750664 B2 JP H0750664B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は、レチクルの検査方法に係り、特に、データベ
ースとの比較で検査する方法に関す。
ースとの比較で検査する方法に関す。
（ｂ）技術の背景 半導体装置の高集積化等に伴い、ウエハプロセスで使用
されるフォトマスクはパターンが微細化・高集積化し
て、その品質確保が一段と重要になってきている。
されるフォトマスクはパターンが微細化・高集積化し
て、その品質確保が一段と重要になってきている。
このフォトマスクの製造工程前段において製造されるレ
チクルのパターンは、該フォトマスクのパターンの基盤
になるもので、欠陥の存在が許されない。
チクルのパターンは、該フォトマスクのパターンの基盤
になるもので、欠陥の存在が許されない。
このため、レチクルパターンの検査には、近年、設計値
をデータベースとして、例えば磁気テープに収録し、レ
チクルテスターを使用して、該パターンを直接該データ
ベースと比較する方式が採用されるようになった。
をデータベースとして、例えば磁気テープに収録し、レ
チクルテスターを使用して、該パターンを直接該データ
ベースと比較する方式が採用されるようになった。
（ｃ）従来技術と問題点 第１図はレチクルの一例の平面図、第２図は従来のレチ
クルテスターの主要部構成図で、１はレチクル、2a・2b
・３はパターン、４は走査線、５はXYステージ、６は制
御回路、７はカメラ、８は変換回路、９は磁気テープ、
10は変換回路、11は比較回路、12はメモリをそれぞれ示
す。
クルテスターの主要部構成図で、１はレチクル、2a・2b
・３はパターン、４は走査線、５はXYステージ、６は制
御回路、７はカメラ、８は変換回路、９は磁気テープ、
10は変換回路、11は比較回路、12はメモリをそれぞれ示
す。
第１図のレチクル１は、その表面に、全く同一の２個の
パターン2a・2bが横に並んで形成され、その周囲に別の
パターン３が形成されている。このレチクル１をデータ
ベースとの比較で検査するには、レチクル１のパターン
2a・2b・３が形成されている面において、該面を例えば
左から右へ（Ｘ方向に）観察点が走査してなる走査線４
が例えば上から下へ（Ｙ方向に）順次移動してレチクル
１の全面を覆い、走査線４に沿って走査する観察点にお
ける遮光膜の有無を光学的信号で捕らえ、該信号を予め
用意されたデータベースと比較する、第２図の構成でな
るレチクルテスターを使用して行う。
パターン2a・2bが横に並んで形成され、その周囲に別の
パターン３が形成されている。このレチクル１をデータ
ベースとの比較で検査するには、レチクル１のパターン
2a・2b・３が形成されている面において、該面を例えば
左から右へ（Ｘ方向に）観察点が走査してなる走査線４
が例えば上から下へ（Ｙ方向に）順次移動してレチクル
１の全面を覆い、走査線４に沿って走査する観察点にお
ける遮光膜の有無を光学的信号で捕らえ、該信号を予め
用意されたデータベースと比較する、第２図の構成でな
るレチクルテスターを使用して行う。
XYステージ５に載置されたレチクル１のパターン2a・2b
・３形成面は、制御回路６に制御されるXYステージ５お
よびカメラ７の作動により、前記のように走査線４で覆
われ、走査線４に沿って走査する前記観察点の前記光学
的信号は、カメラ７および変換回路８を経て影像信号と
なり比較回路11に入る。一方、設計値によるデータベー
スを収録してある磁気テープ９からの信号は変換回路10
により比較の基準となる影像信号に変換されて比較回路
11に入るので、両影像信号が比較されて、差がなければ
良、差があれば不良と判定し、判定信号が制御回路６か
らのレチクル１における位置信号と共にメモリ12に記憶
されて検査結果となる。
・３形成面は、制御回路６に制御されるXYステージ５お
よびカメラ７の作動により、前記のように走査線４で覆
われ、走査線４に沿って走査する前記観察点の前記光学
的信号は、カメラ７および変換回路８を経て影像信号と
なり比較回路11に入る。一方、設計値によるデータベー
スを収録してある磁気テープ９からの信号は変換回路10
により比較の基準となる影像信号に変換されて比較回路
11に入るので、両影像信号が比較されて、差がなければ
良、差があれば不良と判定し、判定信号が制御回路６か
らのレチクル１における位置信号と共にメモリ12に記憶
されて検査結果となる。
このレチクルテスターの構成によれば、走査線４で覆わ
れる全てのパターン、第１図で云うならば斜線を入れた
パターン2a・2b・３が検査対象になるため、レチクルの
パターンが微細になると、データベースの情報量が多く
なり、所要の磁気テープの長さが大になってくる。半導
体装置の高集積化等によるレチクルパターンの微細化が
高度に進展してきている現状において、データベース
は、これに対応して情報量が増加し、今や、従来の検査
方法では、磁気テープ９にそのデータベースを収容しき
れない欠点が生じてきた。
れる全てのパターン、第１図で云うならば斜線を入れた
パターン2a・2b・３が検査対象になるため、レチクルの
パターンが微細になると、データベースの情報量が多く
なり、所要の磁気テープの長さが大になってくる。半導
体装置の高集積化等によるレチクルパターンの微細化が
高度に進展してきている現状において、データベース
は、これに対応して情報量が増加し、今や、従来の検査
方法では、磁気テープ９にそのデータベースを収容しき
れない欠点が生じてきた。
（ｄ）発明の目的 本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、従来の磁気テー
プに収容可能な情報量のデータベースで、パターンが微
細化されたレチクルの検査を可能にする検査方法を提供
するにある。
プに収容可能な情報量のデータベースで、パターンが微
細化されたレチクルの検査を可能にする検査方法を提供
するにある。
（ｅ）発明の構成 上記の目的は、１つの半導体素子を構成する複数のパタ
ーンのうちの複数の同一パターンと単独パターンよりな
るレチクルを、前記パターンのすべてを含む領域を走査
しながらデータベースと比較して検査する際、単独パタ
ーンと前記複数の同一パターンのうち少なくとも１個と
を検査対象とし、他の複数の同一パターンは前記走査す
るにもかかわらず検査対象から除外し、設計値によるデ
ータベースと比較して該レチクルの検査を行い、該検査
対象から除外された前記複数の同一パターンは、該検査
に於いて検査対象とした同一パターンと比較することに
より、別途検査することを特徴とする特徴とするレチク
ルの検査方法によって達成される。
ーンのうちの複数の同一パターンと単独パターンよりな
るレチクルを、前記パターンのすべてを含む領域を走査
しながらデータベースと比較して検査する際、単独パタ
ーンと前記複数の同一パターンのうち少なくとも１個と
を検査対象とし、他の複数の同一パターンは前記走査す
るにもかかわらず検査対象から除外し、設計値によるデ
ータベースと比較して該レチクルの検査を行い、該検査
対象から除外された前記複数の同一パターンは、該検査
に於いて検査対象とした同一パターンと比較することに
より、別途検査することを特徴とする特徴とするレチク
ルの検査方法によって達成される。
パターンの微細化に裏付けられた高集積化では、半導体
素子のパターンのなかに同一パターンが複数個形成され
ているのが一般であり、また、パターンの微細化に裏付
けられて半導体素子が小型化した場合は、一つのレチク
ルのなかに該半導体素子のパターンが複数個形成される
ことが多い。
素子のパターンのなかに同一パターンが複数個形成され
ているのが一般であり、また、パターンの微細化に裏付
けられて半導体素子が小型化した場合は、一つのレチク
ルのなかに該半導体素子のパターンが複数個形成される
ことが多い。
この点に着目し、複数個ある同一パターンのうち、幾つ
かのパターンを検査対象から除外することにより、除外
されたパターンに対応するデータベースの情報を削減す
ることが出来て、所要のデータベースを従来の磁気テー
プに収容することが可能になる。
かのパターンを検査対象から除外することにより、除外
されたパターンに対応するデータベースの情報を削減す
ることが出来て、所要のデータベースを従来の磁気テー
プに収容することが可能になる。
当然のことながら、前記複数個ある同一パターンののう
ち、少なくとも一個は検査対象にしておく必要がある。
検査対象から除外された複数の同一パターンは、別途、
前記検査対象となり検査に合格した同一パターンの映
像、又はパターンデータを基準として比較することによ
り検査する装置によってレチクルの全パターンの検査を
完結することが出来る。このような、基準となるパター
ンの映像又はパターンデータと比較して他の同一パター
ンを検査する方法に就いては、本願の出願人が先に出願
している特願昭56-81604及び特願昭56-82538に詳細に述
べられている。
ち、少なくとも一個は検査対象にしておく必要がある。
検査対象から除外された複数の同一パターンは、別途、
前記検査対象となり検査に合格した同一パターンの映
像、又はパターンデータを基準として比較することによ
り検査する装置によってレチクルの全パターンの検査を
完結することが出来る。このような、基準となるパター
ンの映像又はパターンデータと比較して他の同一パター
ンを検査する方法に就いては、本願の出願人が先に出願
している特願昭56-81604及び特願昭56-82538に詳細に述
べられている。
（ｆ）発明の実施例 以下本発明の実施例を図により説明する。全図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
一符号は同一対象物を示す。
第３図は第１図のレチクルで本発明による検査方法を説
明する図、第４図は本発明によるレチクルテスターの主
要部構成図で、6aは制御回路、11aは比較回路、13は検
査除外範囲設定回路、Ｐ・Ｑは検査除外範囲指定座標を
それぞれ示す。
明する図、第４図は本発明によるレチクルテスターの主
要部構成図で、6aは制御回路、11aは比較回路、13は検
査除外範囲設定回路、Ｐ・Ｑは検査除外範囲指定座標を
それぞれ示す。
第３図において、前述の通り2aと2bは同一のパターンで
横に並んでいる。従って、パターン2bを前記マスク比較
検査装置によってパターン2aと比較検査することにすれ
ば、レチクルテスターではパターン2bの検査を除外する
ことが出来て、磁気テープ９に収録するデータベースの
情報量は、パターン2bに対応した分が減少し、斜線を入
れたパターン2a・３の情報だけでよい量となる。かくし
て、磁気テープ９の収容能力を越えていた情報量を収容
可能な情報量にすることが出来る。
横に並んでいる。従って、パターン2bを前記マスク比較
検査装置によってパターン2aと比較検査することにすれ
ば、レチクルテスターではパターン2bの検査を除外する
ことが出来て、磁気テープ９に収録するデータベースの
情報量は、パターン2bに対応した分が減少し、斜線を入
れたパターン2a・３の情報だけでよい量となる。かくし
て、磁気テープ９の収容能力を越えていた情報量を収容
可能な情報量にすることが出来る。
パターン2bの検査除外は、レチクル１のパターン2a・2b
・３形成面における検査除外範囲指定座標Ｐ（X1,Y1）
とＱ（X2,Y2）の二点を指定して、座標（X1,Y1）・
（X2,Y1）・（X2,Y2）・（X1,Y2）の四点で囲まれた範
囲（第３図では破線で図示）を検査除外領域とすること
により可能になる。
・３形成面における検査除外範囲指定座標Ｐ（X1,Y1）
とＱ（X2,Y2）の二点を指定して、座標（X1,Y1）・
（X2,Y1）・（X2,Y2）・（X1,Y2）の四点で囲まれた範
囲（第３図では破線で図示）を検査除外領域とすること
により可能になる。
第４図は上記検査除外を実施することが出来るレチクル
テスターの主要部構成を示す。検査除外範囲設定回路13
に検査除外範囲指定座標Ｐ・Ｑの値が設定されると、走
査線４に沿って走査する観察点が前記検査除外領域にあ
る間、制御回路6aから比較回路11aに比較停止信号を送
り、比較回路11は二つの影像信号の比較を停止するよう
になっている。その他の構成および機能は、第２図と同
様であって、前記検査除外領域を除いた部分の検査結果
はメモリ12に記憶される。
テスターの主要部構成を示す。検査除外範囲設定回路13
に検査除外範囲指定座標Ｐ・Ｑの値が設定されると、走
査線４に沿って走査する観察点が前記検査除外領域にあ
る間、制御回路6aから比較回路11aに比較停止信号を送
り、比較回路11は二つの影像信号の比較を停止するよう
になっている。その他の構成および機能は、第２図と同
様であって、前記検査除外領域を除いた部分の検査結果
はメモリ12に記憶される。
（ｇ）発明の効果 以上に説明したように、本発明による構成によれば、従
来の磁気テープに収容可能な情報量のテータベースで、
パターンが微細化されたレチクルの検査を可能にする検
査方法が提供出来、従来のレチクル全面を検査する方法
では、そのためのデータベースの情報量が磁気テープの
収容能力を越えるため、レチクルテスターが使用出来な
い場合であっても、本発明の検査方法によりレチクルテ
スターを使用した能率良い確実な検査を可能にさせる効
果がある。
来の磁気テープに収容可能な情報量のテータベースで、
パターンが微細化されたレチクルの検査を可能にする検
査方法が提供出来、従来のレチクル全面を検査する方法
では、そのためのデータベースの情報量が磁気テープの
収容能力を越えるため、レチクルテスターが使用出来な
い場合であっても、本発明の検査方法によりレチクルテ
スターを使用した能率良い確実な検査を可能にさせる効
果がある。
第１図はレチクルの一例の平面図、第２図は従来のレチ
クルテスターの主要部構成図、第３図は第１図のレチク
ルで本発明による検査方法を説明する図、第４図は本発
明によるレチクルテスターの主要部構成図である。 図面において、１はレチクル、2a・2b・３はパターン、
４は走査線、５はXYステージ、６・6aは制御回路、７は
カメラ、８は変換回路、９は磁気テープ、10は変換回
路、11・11aは比較回路、12はメモリ、13は検査除外範
囲設定回路、Ｐ・Ｑは検査除外範囲指定座標をそれぞれ
示す。
クルテスターの主要部構成図、第３図は第１図のレチク
ルで本発明による検査方法を説明する図、第４図は本発
明によるレチクルテスターの主要部構成図である。 図面において、１はレチクル、2a・2b・３はパターン、
４は走査線、５はXYステージ、６・6aは制御回路、７は
カメラ、８は変換回路、９は磁気テープ、10は変換回
路、11・11aは比較回路、12はメモリ、13は検査除外範
囲設定回路、Ｐ・Ｑは検査除外範囲指定座標をそれぞれ
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−130423（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】１つの半導体素子を構成する複数のパター
ンのうちの複数の同一パターンと単独パターンよりなる
レチクルを、前記パターンのすべてを含む領域を走査し
ながらデータベースと比較して検査する際、該単独パタ
ーンと該複数の同一パターンのうち少なくとも１個とを
検査対象とし、他の複数の同一パターンは前記走査する
にもかかわらず検査対象から除外し、該検査対象とした
パターンを該検査対象としたパターンに対応するデータ
ベースと比較して該レチクルの検査を行ない、該検査対
象から除外された前記同一パターンは、前記データベー
スとの比較において検査対象とした同一パターンと比較
することにより、別途検査することを特徴とするレチク
ルの検査方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11323083A JPH0750664B2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | レチクルの検査方法 |
| KR1019840002878A KR890003904B1 (ko) | 1983-06-23 | 1984-05-25 | 반도체소자 제작을 위한 포토마스크(Photomask) 레티클(Reticle)의 검사방법 |
| DE8484106502T DE3475226D1 (en) | 1983-06-23 | 1984-06-07 | Method and apparatus for inspecting a photomask reticle for semiconductor device fabrication |
| EP84106502A EP0129751B1 (en) | 1983-06-23 | 1984-06-07 | Method and apparatus for inspecting a photomask reticle for semiconductor device fabrication |
| US07/587,557 US5125040A (en) | 1983-06-23 | 1990-09-24 | Inspection method of photomask reticle for semiconductor device fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11323083A JPH0750664B2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | レチクルの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605522A JPS605522A (ja) | 1985-01-12 |
| JPH0750664B2 true JPH0750664B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=14606857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11323083A Expired - Lifetime JPH0750664B2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | レチクルの検査方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5125040A (ja) |
| EP (1) | EP0129751B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0750664B2 (ja) |
| KR (1) | KR890003904B1 (ja) |
| DE (1) | DE3475226D1 (ja) |
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| JP3515199B2 (ja) * | 1995-01-06 | 2004-04-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 欠陥検査装置 |
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| JP3201471B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2001-08-20 | 日本電気株式会社 | レティクル検査装置 |
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