JPH03160618A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03160618A JPH03160618A JP30123689A JP30123689A JPH03160618A JP H03160618 A JPH03160618 A JP H03160618A JP 30123689 A JP30123689 A JP 30123689A JP 30123689 A JP30123689 A JP 30123689A JP H03160618 A JPH03160618 A JP H03160618A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンビ一一夕等の外部メモリとして使用され
る固定磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体、特
に潤滑性能の優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
る固定磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体、特
に潤滑性能の優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
近年、情報処理の増大につれてコンピュータなどのメモ
リの大容量化が進み、磁気ディスク装置の記憶素子は、
従来の塗布型磁気ディスクにかわって、より高密度記録
が可能な強磁性金属からなる連続磁性薄膜を記録層とす
る、いわゆる薄膜磁気ディスクが主流となってきている
。
リの大容量化が進み、磁気ディスク装置の記憶素子は、
従来の塗布型磁気ディスクにかわって、より高密度記録
が可能な強磁性金属からなる連続磁性薄膜を記録層とす
る、いわゆる薄膜磁気ディスクが主流となってきている
。
固定磁気ディスク装置では、一般にＣＳＳ方式が採られ
る。磁気ディスクは磁気ヘッドと組み合わせて装置内に
組み込まれ、磁気ヘッドは装置停止中は停止している磁
気ディスク表面に接触して停止しており、装置駆動時（
情報の記録・再生時）には高速回転している磁気ディス
ク表面上を僅かに浮上して走行し、装置の駆動開始時と
中止時には磁気ディスク表面と接触摺動する。従って、
磁気ディスクは高密度記録に対応できる優れた磁気特性
とともに、その表面に対して、磁気ヘッドとの接触摺勤
が良好に行われ、しかも停止中の磁気ヘッドの吸着が起
きないように適度に粗れた面で優れた潤滑特性を有し、
かつ、高密度記録を可能とするための磁気ヘッドの低浮
上走行を乱すような微小突起が存在しないことが要求さ
れる。
る。磁気ディスクは磁気ヘッドと組み合わせて装置内に
組み込まれ、磁気ヘッドは装置停止中は停止している磁
気ディスク表面に接触して停止しており、装置駆動時（
情報の記録・再生時）には高速回転している磁気ディス
ク表面上を僅かに浮上して走行し、装置の駆動開始時と
中止時には磁気ディスク表面と接触摺動する。従って、
磁気ディスクは高密度記録に対応できる優れた磁気特性
とともに、その表面に対して、磁気ヘッドとの接触摺勤
が良好に行われ、しかも停止中の磁気ヘッドの吸着が起
きないように適度に粗れた面で優れた潤滑特性を有し、
かつ、高密度記録を可能とするための磁気ヘッドの低浮
上走行を乱すような微小突起が存在しないことが要求さ
れる。
このために、薄膜磁気ディスクは、通常、八１合金基板
に無電解めっき法でＮｉ−Ｐの非磁性基体層を形戊した
非磁性基板．あるいはガラスを材料とする非磁性基板上
に、必要に応じて磁気特性を向上させるための非磁性金
属下地層．例えばＣｒ下地層を設・け、その上にスパッ
タ法あるいは蒸着法などで強磁性金属．例えばＣＯ合金
からなる連続磁性層．同じく薄膜の硬質保護層とが順次
戊膜積層されている。硬質保護層は磁性層を保謹するた
めに設けられるもので、炭素．二酸化シリコンなどの酸
化物．あるいは他のセラミック材料などの安定で硬質な
材料からなる。この硬質保護層の表面は、良好な潤滑特
性と磁気ヘッドの安定な低浮上走行《浮上量０．１μｍ
〜０．３μｍ）とを実現するために、中心線平均粗さＲ
ａで２０人〜１００人に微細に粗れた面とされ、かつ、
′表面の微小突起は除去されている。そうして、この保
護層表面には潤滑特性をさらに改善するために液体潤滑
剤の塗布された潤滑層が形成されている。
に無電解めっき法でＮｉ−Ｐの非磁性基体層を形戊した
非磁性基板．あるいはガラスを材料とする非磁性基板上
に、必要に応じて磁気特性を向上させるための非磁性金
属下地層．例えばＣｒ下地層を設・け、その上にスパッ
タ法あるいは蒸着法などで強磁性金属．例えばＣＯ合金
からなる連続磁性層．同じく薄膜の硬質保護層とが順次
戊膜積層されている。硬質保護層は磁性層を保謹するた
めに設けられるもので、炭素．二酸化シリコンなどの酸
化物．あるいは他のセラミック材料などの安定で硬質な
材料からなる。この硬質保護層の表面は、良好な潤滑特
性と磁気ヘッドの安定な低浮上走行《浮上量０．１μｍ
〜０．３μｍ）とを実現するために、中心線平均粗さＲ
ａで２０人〜１００人に微細に粗れた面とされ、かつ、
′表面の微小突起は除去されている。そうして、この保
護層表面には潤滑特性をさらに改善するために液体潤滑
剤の塗布された潤滑層が形成されている。
液体潤滑剤としては、フオンブリン（商品名；モンテジ
ソン社製〉，クライトックス（商品名：デュポン社製）
，デムナム（商品名；ダイキン工業＠製）などの７口ロ
カーボン系の液体潤滑剤が有効であることが知られてい
る。また、液体潤滑剤の塗布方法としては、スピンコー
ト法．スプレー法，パフ法．浸漬法などが知られている
が、生産性の高い浸漬法が多用されている。
ソン社製〉，クライトックス（商品名：デュポン社製）
，デムナム（商品名；ダイキン工業＠製）などの７口ロ
カーボン系の液体潤滑剤が有効であることが知られてい
る。また、液体潤滑剤の塗布方法としては、スピンコー
ト法．スプレー法，パフ法．浸漬法などが知られている
が、生産性の高い浸漬法が多用されている。
磁気ディスクの表面に形成される潤滑層の膜厚はｌＯ八
〜２０人程度の薄層であることが要求される。
〜２０人程度の薄層であることが要求される。
１０人程度より薄いと均一な安定な層の形成が難しく、
良好な潤滑特性が得られない。２ＯＡ程度以上に厚くな
ると磁気ヘッドの吸着が起きやすくなる。
良好な潤滑特性が得られない。２ＯＡ程度以上に厚くな
ると磁気ヘッドの吸着が起きやすくなる。
液体潤滑剤をこのように薄く均一に塗布することは非常
に難しい。
に難しい。
また、いったん潤滑層を形成した液体潤滑剤は、ディス
ク表面に強固に密着していて、使用中にマイグレーショ
ンをおこしたり離脱したリせずに安定に存在することが
必要である。ところが、潤滑層の下地の保護層表面は極
めて微細にあれた粗面であるために液体潤滑剤との機械
的密着力は弱く、かつ、保護層の材質は不活性であり、
物理的．化学的結合力も弱く、強固な密着性が得られに
くいという問題があった。
ク表面に強固に密着していて、使用中にマイグレーショ
ンをおこしたり離脱したリせずに安定に存在することが
必要である。ところが、潤滑層の下地の保護層表面は極
めて微細にあれた粗面であるために液体潤滑剤との機械
的密着力は弱く、かつ、保護層の材質は不活性であり、
物理的．化学的結合力も弱く、強固な密着性が得られに
くいという問題があった。
さらに、高分子材料である液体潤滑剤は分子量分布をも
ち、低分子量成分は気化しやすい。このために、磁気デ
ィスク表面に塗布された液体潤滑剤の低分子量戊分は使
用中に揮発していき、潤滑層の潤滑特性が変化するとい
う問題もあった。
ち、低分子量成分は気化しやすい。このために、磁気デ
ィスク表面に塗布された液体潤滑剤の低分子量戊分は使
用中に揮発していき、潤滑層の潤滑特性が変化するとい
う問題もあった。
これらの問題を解消するために、保護層材料，潤滑剤材
料．あるいは潤滑層の形成方法などについて多くの提案
がなされているが、まだ充分満足できる状況にはいたっ
ていない。
料．あるいは潤滑層の形成方法などについて多くの提案
がなされているが、まだ充分満足できる状況にはいたっ
ていない。
また、保護層特にカーボンスパッタ膜からなる保護層の
表面に液体潤滑剤を塗布する場合、その表面は清浄で、
かつ吸着水が少ないことが望ましい。しかし、実際には
カーボンスパッタ以降の吸着水からなる吸着層の膜厚は
エリブソメータによる測定結果を示した第２図で表され
る様に経時的に増加し、この吸着層が潤滑層に影響を与
え安定した潤滑特性が得られない。
表面に液体潤滑剤を塗布する場合、その表面は清浄で、
かつ吸着水が少ないことが望ましい。しかし、実際には
カーボンスパッタ以降の吸着水からなる吸着層の膜厚は
エリブソメータによる測定結果を示した第２図で表され
る様に経時的に増加し、この吸着層が潤滑層に影響を与
え安定した潤滑特性が得られない。
またこの吸着水の量は別の手段によって測定ができ、第
３図にその測定結果を示す。第３図は各種条件に磁気記
録媒体を１時間放置した後のカーボン保護層表面の仕事
関数を低エネルギ電子分光装置で測定したものである。
３図にその測定結果を示す。第３図は各種条件に磁気記
録媒体を１時間放置した後のカーボン保護層表面の仕事
関数を低エネルギ電子分光装置で測定したものである。
図中１は３３℃８０％ＲＨの高湿条件．２は２３℃５０
％ＲＨの常温常湿条件．３は１５０℃の加熱条件，４は
２００℃の加熱条件にそれぞれ放置した後、さらに２３
℃５０％ＲＨの常温常湿で１時間放置した後測定しｔこ
結果である。
％ＲＨの常温常湿条件．３は１５０℃の加熱条件，４は
２００℃の加熱条件にそれぞれ放置した後、さらに２３
℃５０％ＲＨの常温常湿で１時間放置した後測定しｔこ
結果である。
この図はカーボン保護層表面に、水が吸着することによ
り、カーボン表面がプラスに帯電していることを示し、
吸着量が測定できることが判る。
り、カーボン表面がプラスに帯電していることを示し、
吸着量が測定できることが判る。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、磁気ディスク表面に密着性が良好で、経時的に安定で
耐久性に優れた潤滑層を形戊できる、磁気ディスクの製
造方法を提供することを目的とする。
、磁気ディスク表面に密着性が良好で、経時的に安定で
耐久性に優れた潤滑層を形戊できる、磁気ディスクの製
造方法を提供することを目的とする。
上記の課題は、本発明によれば、基板上に、非磁性基体
層を形成し、核非磁性基体層上に非磁性金属下地層．磁
性層．保護層および潤滑層を順次形成して成る磁気記録
媒体において、核保護層の形成後に媒体の加熱または該
保護層のバニシ加工を施し、その後潤滑層を形戊するこ
とによって解決される。また、別の手段として、核潤滑
層の形成後に媒体の加熱をすることでも良い。さらに別
の手段として核保護層の形成後に媒体の加熱を行い、そ
の後潤滑層を形成し、さらに潤滑層形成後に媒体の加熱
と潤滑層のバニシ加工を施すことでも良い。
層を形成し、核非磁性基体層上に非磁性金属下地層．磁
性層．保護層および潤滑層を順次形成して成る磁気記録
媒体において、核保護層の形成後に媒体の加熱または該
保護層のバニシ加工を施し、その後潤滑層を形戊するこ
とによって解決される。また、別の手段として、核潤滑
層の形成後に媒体の加熱をすることでも良い。さらに別
の手段として核保護層の形成後に媒体の加熱を行い、そ
の後潤滑層を形成し、さらに潤滑層形成後に媒体の加熱
と潤滑層のバニシ加工を施すことでも良い。
保！Ｉ層形成後液体潤滑剤塗布までの放置期間中に保護
層表面は雰囲気の影響を受けるが、一般的には水分の影
響が最も大きい。液体潤滑剤塗布前に加熱処理を行うこ
とにより、保護層表面の吸着水の状態．あるいは水分に
よる変質の状態（例えば、炭素保護層表面のハイドロカ
ーボンの状態など）を放置期間の長短に左右されること
なく一定化させることができ、密着性が良好で均一な潤
滑層を形成することができる。
層表面は雰囲気の影響を受けるが、一般的には水分の影
響が最も大きい。液体潤滑剤塗布前に加熱処理を行うこ
とにより、保護層表面の吸着水の状態．あるいは水分に
よる変質の状態（例えば、炭素保護層表面のハイドロカ
ーボンの状態など）を放置期間の長短に左右されること
なく一定化させることができ、密着性が良好で均一な潤
滑層を形成することができる。
また、前述のように、有機高分子材料である液体潤滑剤
は分子量分布を有し、低分子量或分は揮発しやすいが、
液体潤滑剤塗布後、後加熱処理を行うことにより、塗布
された液体潤滑剤中の低分子Ｉｔ分が揮発し除去され、
安定に存在し得る液体潤滑剤だけが保護層上にとどまり
、経時的に安定な潤滑層を形成することになる。低分子
量戒分およびその含有量は液体潤滑剤により異なるが、
１００℃以上２００℃以下の温度で少なくとも１時間加
熱処理を行うことにより、不安定な低分子量或分を実用
上問題とならない程度に除去することができる。
は分子量分布を有し、低分子量或分は揮発しやすいが、
液体潤滑剤塗布後、後加熱処理を行うことにより、塗布
された液体潤滑剤中の低分子Ｉｔ分が揮発し除去され、
安定に存在し得る液体潤滑剤だけが保護層上にとどまり
、経時的に安定な潤滑層を形成することになる。低分子
量戒分およびその含有量は液体潤滑剤により異なるが、
１００℃以上２００℃以下の温度で少なくとも１時間加
熱処理を行うことにより、不安定な低分子量或分を実用
上問題とならない程度に除去することができる。
さらに、テープバニシをかけることにより、厚く余分に
付きすぎた潤滑剤を拭き取ると共に単に浸漬するだけで
は必ずしも保護層上に均一に存在していなかった液体潤
滑剤は非常に均一化された状態で存在するようになる。
付きすぎた潤滑剤を拭き取ると共に単に浸漬するだけで
は必ずしも保護層上に均一に存在していなかった液体潤
滑剤は非常に均一化された状態で存在するようになる。
これらにより液体潤滑剤は保護層表面に均一な膜厚で安
定して存在するようになり、その後マイグレーションな
どを起こすことはない。
定して存在するようになり、その後マイグレーションな
どを起こすことはない。
実施例１
外径９５ｌＩＩＩｌ． 内径２５ｇ＋ｓ，厚さ２．７
Ｍのディスク状のＡｌ−Ｍｇ合金基板の表面に無電解め
っき法でＮｉ −Ｐ合金層を形成し、その表面を研磨し
て平滑にした後、さらに研磨テープにより円周方向にテ
クスチャを施し、表面粗さが中心線平均粗さＲａで約３
５Ａの磁気ディスクの基板とした。この基板上にスパッ
タ法により膜厚ｌ５００人のＣｒ下地層、膜厚４５０Ａ
のＣｏ −Ｎｉ−Ｃｒ合金磁性層，膜厚３７０人のカー
ボン保護層を順次戒膜した。
Ｍのディスク状のＡｌ−Ｍｇ合金基板の表面に無電解め
っき法でＮｉ −Ｐ合金層を形成し、その表面を研磨し
て平滑にした後、さらに研磨テープにより円周方向にテ
クスチャを施し、表面粗さが中心線平均粗さＲａで約３
５Ａの磁気ディスクの基板とした。この基板上にスパッ
タ法により膜厚ｌ５００人のＣｒ下地層、膜厚４５０Ａ
のＣｏ −Ｎｉ−Ｃｒ合金磁性層，膜厚３７０人のカー
ボン保護層を順次戒膜した。
第４図は加熱処理前後でのカーボン膜厚の変化を入射光
に対する反射光の偏光角測定による膜厚測定機であるエ
リプソメータによって測定したものである。この図によ
ると、カーボン膜厚の変化は何らかの表面汚染層の存在
を示しており、加熱処理によってそれが取り除かれるこ
とを示している。しかし、加熱処理によって取り除かれ
ても、その後ま゜た放置することによって汚染層が形成
されることは容易に推測できる。第５図は液体潤滑剤を
形成した基板表面に水滴を落とし、その接触角を測定し
たものである。この接触角は表面密着性能の目やすとす
ることができ、接触角が大きいほど密着性が悪いと言え
る。この図から明らかなように時間の経過と共に接触角
は大きくなっていき、加熱処理をすることで接触角が小
さくなる。
に対する反射光の偏光角測定による膜厚測定機であるエ
リプソメータによって測定したものである。この図によ
ると、カーボン膜厚の変化は何らかの表面汚染層の存在
を示しており、加熱処理によってそれが取り除かれるこ
とを示している。しかし、加熱処理によって取り除かれ
ても、その後ま゜た放置することによって汚染層が形成
されることは容易に推測できる。第５図は液体潤滑剤を
形成した基板表面に水滴を落とし、その接触角を測定し
たものである。この接触角は表面密着性能の目やすとす
ることができ、接触角が大きいほど密着性が悪いと言え
る。この図から明らかなように時間の経過と共に接触角
は大きくなっていき、加熱処理をすることで接触角が小
さくなる。
つまり、カーボン保護層表面の汚染層の存在が潤滑剤の
密着性に影響を与えていることが判る。このように保護
層形成後に加熱処理をすることによって基板表面が清浄
となり、液体潤滑剤の安定固着を促し、摩擦特性を向上
させることができる。
密着性に影響を与えていることが判る。このように保護
層形成後に加熱処理をすることによって基板表面が清浄
となり、液体潤滑剤の安定固着を促し、摩擦特性を向上
させることができる。
加熱処理の条件としてはカーボン保護層の吸着水を蒸発
させるため下限は１００℃であり、Ｎｉ−Ｐ基体層の磁
化を防ぐため上限は２７０℃である。 さらに好ましく
は室温との温度差がなるべく小さく、かつ温度勾配が少
ないという条件で１２０℃〜２２０℃が望ましい。本実
施例では１４０℃２時間の加熱処理を行った。
させるため下限は１００℃であり、Ｎｉ−Ｐ基体層の磁
化を防ぐため上限は２７０℃である。 さらに好ましく
は室温との温度差がなるべく小さく、かつ温度勾配が少
ないという条件で１２０℃〜２２０℃が望ましい。本実
施例では１４０℃２時間の加熱処理を行った。
次にカーボン保護層形成直後のもの，数時間放置． 加
熱処理（１４０℃２時間〉．テープバニシ加工（＃４０
００テープ，５００ｒｐｍ ）をしたそれぞれの基板に
フロロカーボン系液体潤滑剤（フォンプリンＡＭ２００
！モンテジソン社塾）をフロン１１３（ＣＦＣ１１３）
で０．２％に希釈した溶液中に浸漬し、６０帥／ｍｉｎ
の速度で引上げ液体潤滑剤を塗布した。続いて、クリー
ンオーブン内で１４０℃の温度で２時間、後加熱処理を
行った。さらに続いてテーブバニシ加工をした。これら
の磁気ディスクについて、ＣＳＳ（コンタクト・スター
ト・ストップ〉を行い、摩擦係数の測定を行った。その
測定結果を第ｌ図の線図に示す。第ｌ図より加熱処理ま
たはバニシ加工をすることで実用上充分な低い摩擦係数
となり、良好で耐久性の優れた潤滑層が形成されること
が判る。なお、潤滑層形成前のバニシ加工はカーボン保
護層の最表面をソフトに削ることが目的であるため、使
用するテーブの番手は＃３０００〜＃６０００ ，回転
数はｉｏｏｒｐｍ 〜２００Ｏｒｐｍ回数は３往復以内
が好ましい。
熱処理（１４０℃２時間〉．テープバニシ加工（＃４０
００テープ，５００ｒｐｍ ）をしたそれぞれの基板に
フロロカーボン系液体潤滑剤（フォンプリンＡＭ２００
！モンテジソン社塾）をフロン１１３（ＣＦＣ１１３）
で０．２％に希釈した溶液中に浸漬し、６０帥／ｍｉｎ
の速度で引上げ液体潤滑剤を塗布した。続いて、クリー
ンオーブン内で１４０℃の温度で２時間、後加熱処理を
行った。さらに続いてテーブバニシ加工をした。これら
の磁気ディスクについて、ＣＳＳ（コンタクト・スター
ト・ストップ〉を行い、摩擦係数の測定を行った。その
測定結果を第ｌ図の線図に示す。第ｌ図より加熱処理ま
たはバニシ加工をすることで実用上充分な低い摩擦係数
となり、良好で耐久性の優れた潤滑層が形成されること
が判る。なお、潤滑層形成前のバニシ加工はカーボン保
護層の最表面をソフトに削ることが目的であるため、使
用するテーブの番手は＃３０００〜＃６０００ ，回転
数はｉｏｏｒｐｍ 〜２００Ｏｒｐｍ回数は３往復以内
が好ましい。
実施例２
実施例ｌとカーボン保護層の或膜までは同じである。カ
ーボン保護層を戊膜後、基板にフロロカーボン系液体潤
滑剤（フォンプリンＡ Ｍ２００１ ：モンテジソン社
製）をフロン１１３ （Ｃ Ｆ Ｃｌｌ３）で０，２％
に希釈した溶液中に浸ａ Ｌ、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度
で引上げ液体潤滑剤を塗布した。続いて、クリーンオー
ブン内で１４０℃の温度で２時間、後加魅処理を行った
。このようにして作威された磁気記録媒体表面の潤滑層
膜厚の経時的変化と塗布後なにもしていない潤滑層の膜
厚の変化を第６図の線図に示す。また、潤滑性能として
後加熱を行った場合と、行っていない場合それぞれのス
ライディングコンタクトテストによる測定結果を第７図
の線図に示す。これらの結果より液体潤滑剤塗布後に加
熱することによって良好な潤滑層が形成されることが判
る。この潤滑層形成後の加熱条件は潤滑層形成前の加熱
条件と同じく１００℃〜２７０℃の範囲と考えられるが
、今回用いたフォンプリンＡＭ２（１０１ （モンテジ
ソン社製）はＩｌｌ Ｏ℃くらいで分解が始まってしま
うので、１００℃〜１６０℃の範囲が好ましい。
ーボン保護層を戊膜後、基板にフロロカーボン系液体潤
滑剤（フォンプリンＡ Ｍ２００１ ：モンテジソン社
製）をフロン１１３ （Ｃ Ｆ Ｃｌｌ３）で０，２％
に希釈した溶液中に浸ａ Ｌ、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度
で引上げ液体潤滑剤を塗布した。続いて、クリーンオー
ブン内で１４０℃の温度で２時間、後加魅処理を行った
。このようにして作威された磁気記録媒体表面の潤滑層
膜厚の経時的変化と塗布後なにもしていない潤滑層の膜
厚の変化を第６図の線図に示す。また、潤滑性能として
後加熱を行った場合と、行っていない場合それぞれのス
ライディングコンタクトテストによる測定結果を第７図
の線図に示す。これらの結果より液体潤滑剤塗布後に加
熱することによって良好な潤滑層が形成されることが判
る。この潤滑層形成後の加熱条件は潤滑層形成前の加熱
条件と同じく１００℃〜２７０℃の範囲と考えられるが
、今回用いたフォンプリンＡＭ２（１０１ （モンテジ
ソン社製）はＩｌｌ Ｏ℃くらいで分解が始まってしま
うので、１００℃〜１６０℃の範囲が好ましい。
実施例３
実施例ｌとカーボン保護層の戒膜までは同じである。カ
ーボン保護層戊膜後、１４０℃２時間加熱を行う。加熱
後１時間以内にディップコー夕により実施例１．２と同
じ液体潤滑剤を塗布した。続いてクリーンオーブン内で
１４０℃の温度で２時間加熱をした後、テープバニシ加
工をする。潤滑剤塗布後のテープバニシは塗布した潤滑
剤を拭いて均一な厚さにすることが目的であり、テープ
としては＄１００００以上の細かい番手で、５０ｒｐｍ
〜３［）Ｏｒｐｍという低速での加工が望ましい。本
実施例では＃２００００． １０Ｏｒｐｍ ２往復とし
た。潤滑性能として加熱およびバニシ加工をした場合と
、行っていない場合それぞれのＣＳＳによる測定結果を
第８図の線図に示す。ＣＳＳ１万回後で摩擦係数が、行
っていない場合の０．５から行った場合の０．３へと改
善したことが判る。また、３３℃，８０％ＲＨの環境下
に２４時間放置後の吸着力の測定結果を第９図．第ｌＯ
図に示す。第９図は加熱処理．バニシ加工を行ってない
媒体、第１０図は加熱処理，バニシ加工を行った媒体の
測定結果であり、加熱処理．バニシ加工を行うことによ
り吸着力が０．６から０．３に改善していることが判る
。
ーボン保護層戊膜後、１４０℃２時間加熱を行う。加熱
後１時間以内にディップコー夕により実施例１．２と同
じ液体潤滑剤を塗布した。続いてクリーンオーブン内で
１４０℃の温度で２時間加熱をした後、テープバニシ加
工をする。潤滑剤塗布後のテープバニシは塗布した潤滑
剤を拭いて均一な厚さにすることが目的であり、テープ
としては＄１００００以上の細かい番手で、５０ｒｐｍ
〜３［）Ｏｒｐｍという低速での加工が望ましい。本
実施例では＃２００００． １０Ｏｒｐｍ ２往復とし
た。潤滑性能として加熱およびバニシ加工をした場合と
、行っていない場合それぞれのＣＳＳによる測定結果を
第８図の線図に示す。ＣＳＳ１万回後で摩擦係数が、行
っていない場合の０．５から行った場合の０．３へと改
善したことが判る。また、３３℃，８０％ＲＨの環境下
に２４時間放置後の吸着力の測定結果を第９図．第ｌＯ
図に示す。第９図は加熱処理．バニシ加工を行ってない
媒体、第１０図は加熱処理，バニシ加工を行った媒体の
測定結果であり、加熱処理．バニシ加工を行うことによ
り吸着力が０．６から０．３に改善していることが判る
。
実施例４
実施例１とカーボン保護層の威膜までは同じである。カ
ーボン保護層成膜後、＃４０００のホワイトアルミナか
らなる研磨テープを用い、ワーク回転数を５０Ｏｒｐｍ
としてテープバニシ加工をする。次に大気中において、
２００℃１時間の加熱処理を行う。
ーボン保護層成膜後、＃４０００のホワイトアルミナか
らなる研磨テープを用い、ワーク回転数を５０Ｏｒｐｍ
としてテープバニシ加工をする。次に大気中において、
２００℃１時間の加熱処理を行う。
その後、基板にフロロカーボン系液体潤滑剤（フォンプ
リンＡＭ２００１：モンテジソン社製〉をフロ７１１３
（ Ｃ Ｆ Ｃ１１３）でＱ，３ｗｔ％に希釈した溶
液中に浸漬し、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引上げ液体潤
滑剤を塗布した。続いて、１２０℃の温度で１時間加熱
処理を行い、さらにワイピングクロスを用いて、回転数
ＩＱＱｒｐｍ，押し付け圧２． ５ ｋｇ／ ｃｔｌ
，回数８回の条件でパフ仕上げをした。このようにして
作威された磁気記録媒体の潤滑性能としてＣＳＳによる
測定結果を潤滑層形成前の加熱を行っていない比較例と
共に第１１図の線図に示す。第１１図よりＣＳＳサイク
ル１万回後の動産擦係数は比較例が０．６であるのに対
し、本実施例は０．２と低く安定した値である。なお、
潤滑剤形戊前の加熱を大気中で行っているため、真空槽
が不要であるので、真空引き．大気圧リークといった工
程がいらず、容易に加熱処理が行え、かつ良好な潤滑層
が形成される。
リンＡＭ２００１：モンテジソン社製〉をフロ７１１３
（ Ｃ Ｆ Ｃ１１３）でＱ，３ｗｔ％に希釈した溶
液中に浸漬し、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引上げ液体潤
滑剤を塗布した。続いて、１２０℃の温度で１時間加熱
処理を行い、さらにワイピングクロスを用いて、回転数
ＩＱＱｒｐｍ，押し付け圧２． ５ ｋｇ／ ｃｔｌ
，回数８回の条件でパフ仕上げをした。このようにして
作威された磁気記録媒体の潤滑性能としてＣＳＳによる
測定結果を潤滑層形成前の加熱を行っていない比較例と
共に第１１図の線図に示す。第１１図よりＣＳＳサイク
ル１万回後の動産擦係数は比較例が０．６であるのに対
し、本実施例は０．２と低く安定した値である。なお、
潤滑剤形戊前の加熱を大気中で行っているため、真空槽
が不要であるので、真空引き．大気圧リークといった工
程がいらず、容易に加熱処理が行え、かつ良好な潤滑層
が形成される。
本発明によれば、磁気ディスクの保護層表面に液体潤滑
剤を浸漬塗布する前または後に、基板をそれぞれ加熱処
理し、またはバニシ加工を施して、液体潤滑剤からなる
潤滑層を形成する。このような製造方法を採ることによ
り、磁気ディスク表面に、密着性が良好で経時的に安定
で耐久性に優れた潤滑層を形戊することができ、潤滑特
性の優れた信頼性の高い磁気ディスクを得ることができ
る。
剤を浸漬塗布する前または後に、基板をそれぞれ加熱処
理し、またはバニシ加工を施して、液体潤滑剤からなる
潤滑層を形成する。このような製造方法を採ることによ
り、磁気ディスク表面に、密着性が良好で経時的に安定
で耐久性に優れた潤滑層を形戊することができ、潤滑特
性の優れた信頼性の高い磁気ディスクを得ることができ
る。
第１図は磁気ディスクのＣＳＳ回数と摩擦係数との関係
を示す線図、第２図は吸着層膜厚の経時的変化を示す線
図、第３図はカーボン保護層表面の仕事関数を示す線図
、第４図はカーボン膜厚の経時的変化を示す線図、第５
図は接触角の経時的変化を示す線図、第６図は潤滑層膜
厚の経時的変化を示す線図、第７図はスライディング時
間と摩擦係数との関係を示す線図、第８図はＣＳＳ回数
と摩擦係数との関係を示す線図、第９図，第１０図は吸
着力を示す線図、第１１図はＣＳＳ回数と摩擦第 １ 図 スバッタ後経過時間（時間） 第２図 ４．６ ５．０ ５．４ ５．８ ６．２紫外線
エネルギ（ｅＶ） 第３図 第 ４ 図 時間 （ｍｉｎ） 第 時間（ｍｉｎ） ５図 第 ６ 図 時間（ｍｉｎ） 第７図 ＣＳＳ回数 第８図 第 ９ 図 第 １０ 図 ＣＳＳ回数 第 １１ 図
を示す線図、第２図は吸着層膜厚の経時的変化を示す線
図、第３図はカーボン保護層表面の仕事関数を示す線図
、第４図はカーボン膜厚の経時的変化を示す線図、第５
図は接触角の経時的変化を示す線図、第６図は潤滑層膜
厚の経時的変化を示す線図、第７図はスライディング時
間と摩擦係数との関係を示す線図、第８図はＣＳＳ回数
と摩擦係数との関係を示す線図、第９図，第１０図は吸
着力を示す線図、第１１図はＣＳＳ回数と摩擦第 １ 図 スバッタ後経過時間（時間） 第２図 ４．６ ５．０ ５．４ ５．８ ６．２紫外線
エネルギ（ｅＶ） 第３図 第 ４ 図 時間 （ｍｉｎ） 第 時間（ｍｉｎ） ５図 第 ６ 図 時間（ｍｉｎ） 第７図 ＣＳＳ回数 第８図 第 ９ 図 第 １０ 図 ＣＳＳ回数 第 １１ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に、非磁性基体層を形成し、該非磁性基体層
上に非磁性金属下地層、磁性層、保護層および潤滑層を
順次形成して成る磁気記録媒体において、該保護層の形
成後に媒体の加熱または該保護層のバニシ加工を施し、
その後潤滑層を形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 ２）基板上に、非磁性基体層を形成し、該非磁性基体層
上に非磁性金属下地層、磁性層、保護層および潤滑層を
順次形成して成る磁気記録媒体において、該潤滑層の形
成後に媒体の加熱をすることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 ３）基板上に、非磁性基体層を形成し、該非磁性基体層
上に非磁性金属下地層、磁性層、保護層および潤滑層を
順次形成して成る磁気記録媒体において、該保護層の形
成後に媒体の加熱を行い、その後潤滑層を形成し、さら
に潤滑層形成後に媒体の加熱と潤滑層のバニシ加工を施
すことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301236A JP2638228B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301236A JP2638228B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160618A true JPH03160618A (ja) | 1991-07-10 |
| JP2638228B2 JP2638228B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=17894421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1301236A Expired - Fee Related JP2638228B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638228B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261820A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-19 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気デイスク媒体の製造方法 |
| JPS62282858A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-08 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6470921A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Nippon Telegraph & Telephone | Extremely highly clean magnetic disk medium and its production |
| JPH01184624A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-24 | Canon Inc | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01277319A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Seiko Epson Corp | 磁気記憶体及びその製造方法及び磁気記憶装置 |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1301236A patent/JP2638228B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261820A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-19 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気デイスク媒体の製造方法 |
| JPS62282858A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-08 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6470921A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Nippon Telegraph & Telephone | Extremely highly clean magnetic disk medium and its production |
| JPH01184624A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-24 | Canon Inc | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01277319A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Seiko Epson Corp | 磁気記憶体及びその製造方法及び磁気記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2638228B2 (ja) | 1997-08-06 |
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