JPH0316095Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は電子スチルカメラ等に用いられるマル
チトラツク型磁気ヘツドに関する。

(ロ) 従来技術 静止画情報を記録媒体に格納、記録する電子ス
チルカメラの研究、開発が進められている。記録
情報はテレビジヨン信号に変換されテレビジヨン
受像機のスクリーン上に表示されたり、或いは適
当な紙に表示されたりして利用される。この電子
スチルカメラでは基本的には従来のVTRと同等
の情報量をもつことが要請され、周波数帯域、記
録媒体と磁気ヘツドの相対速度もそれぞれ１〜
12MHz、７〜９ｍ／ｓで使用されているものと同
様な性能をもつものが必要とされている。また、
この電子スチルカメラではより高忠実な画像を得
るためにフレーム記録方式すなわちテレビジヨン
信号の２フイールド分の信号を２つの記録トラツ
クに各別に記録し再生時にはこれを順次繰り返し
再生する記録方式を採用する傾向にあり、この場
合VTRで多用されている従来の単一チヤンネル
の磁気ヘツドでは回路系及び機構系がともに複雑
になるから、２チヤンネル分のコアを極めて近接
してしかもギヤツプの並びを揃え更にお互いのク
ロストークをできるだけ少なくした２チヤンネル
インライン型の磁気ヘツドの開発が必要とされて
いる。そして、この磁気ヘツドは電子スチルカメ
ラをコンパクトにする必要性から小さい記録媒体
（例えば直径４７mm程度の磁気デイスク）に多数
のトラツクを形成するためトラツク幅を極めて小
さく（約60μｍ）しなければならず、また稠密化
のため記録媒体をメタル塗布或いはメタル蒸着タ
イプとしている関係上飽和磁束密度の大きいFe
−Al−Si系合金或いは非晶質磁性合金によるも
のとする必要がある。２チヤンネルインライン型
の磁気ヘツドの種々の形態が特公昭55−2647号公
報に記載されているが、何れも電子スチルカメラ
に適するものとは認められない。コアの大きさに
ついての例示を欠くがその構成からみて、即ちテ
ープ当接面が２つのコアとそれにより挾まれた非
磁性体とで構成されそれによつて耐摩耗性をもた
せるようにしていることからみて、オーデイオ用
に適する大型のものと認められるからである。

ところで電子スチルカメラ用磁気ヘツドは第７
図において、トラツク軸Ａは約60μｍ、トラツク
ピツチＢは100μｍ、２つのヘツドの間隔Ｃは40μ
ｍと規格されている。このように一対のヘツド間
隔Ｃが極めて小さいため両者間のクロストークが
大きな問題となる。因みにオーデイオ用ではヘツ
ド間隔Ｃは数百μｍあるので、その間隔内に非磁
性物を十分につめ込んでクロストークの防御をは
かることができる。

電子スチルカメラ用磁気ヘツドとして本発明者
等が試作した従来の磁気ヘツド（公知ではない）
は第８図に示すように主コア１と補強コア２から
なる第１、第２ヘツドＨ１，Ｈ２間にベリウム
銅、銀などのシールド板３を設けたものであつ
た。しかしながら、これだけではクロストーク防
止が十分でないことが確認された。それは第９図
に示すようにシールド板３は高周波磁界中では渦
電流４を発生し、各チヤンネルの主コア１，１の
漏洩磁束５，６をシールドし、クロストークを低
減する効果を有するが、主コア１，１に発生する
渦電流７，８との関係においては、シールド板３
内に発生した渦電流９は接着層の切れ目で主コア
１，１のそれと容易に連通し、主コア１，１を短
絡させるからである。尚、渦電流は信号の周波数
に対応するから他方の４チヤンネルへの混入はク
ロストークとして作用する。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 本考案は上述のシールド板内に発生する渦電流
による主コアの短絡を防止して２ヘツド間のクロ
ストーク防止を確実にするものである。

(ニ) 問題点を解決するための手段 シールド板と主コア間に設けた絶縁膜。

(ホ) 作用 接着層に切れ目が生じてもシールド板内部の渦
電流と主コアの渦電流とは絶縁膜を介して遮蔽さ
れた状態となり主コア間に短絡は生じない。

(ヘ) 実施例 第１図、第２図において、Ｈ１，Ｈ２はそれぞ
れ主コア１と補強コア２からなる第１、第２ヘツ
ドであり、シールド板３を挾んで合体される。主
コア１はフロントギヤツプ１０と、一定の間隔を
空けて対向する磁脚部１ａ，１ｂとを備えてお
り、センダスト等の高透磁率、高飽和磁束密度を
有する磁性材料で形成される。補強コア２はＵ字
状の酸化物磁性材料からなる磁性体部２ａと、こ
の磁性体部の上方に配され該磁性体部２ａの開口
を塞ぐように構成された非磁性体部２ｂとを備
え、中央にコイル１０を巻くための貫通孔１１を
備えるようにしている。主コア１にはSiO₂等を
コーテイングすることにより形成された絶縁膜１
２が形成されている。第３図は斯る主コア１と補
強コア２を接合したヘツドＨ１，Ｈ２をシールド
板３に接合する様子を示している。本考案の磁気
ヘツドを製造するに際し、絶縁膜１２は予め主ヘ
ツド側に設ける必要はなく、シールド板３側に設
けてもよいことはいうまでもない。ただし、主コ
アはセンダスト材で形成されていて固いものであ
るから、この主コアの上に設ける方が作成し易い
という長所がある。シールド材は銀の場合には硬
度が低く絶縁膜の蒸着は難しいが、チタニウム銅
の場合には、その上に蒸着が不能である。

第５図は前記絶縁膜１２をシールド板３にコー
テイングする場合の工程例を示す。シールド材は
エツチングにより所定形状に打抜きされたシート
１３として形成され、ヘツド対接部１４をマスク
１５の窓１６より露出させた状態でマスク１５に
より全体が固定されている。このシールド材シー
ト１３の両側面にSiO₂膜を蒸着乃至スパツタリ
ング、イオンプレーテイング法などにより形成し
絶縁膜１２とする。絶縁膜１２の膜厚はトラツク
幅が60μｍ、トラツク間隔が40μｍという規格か
ら2μｍ以上とすることは不可能であるが、実用
上5000Å程度の膜厚で十分な絶縁効果が確認でき
た。

第６図は上述の方法により製造された絶縁膜１
２付きシールド板と第１、第２ヘツドＨ１，Ｈ２
とのアセンブル工程を示した図である。絶縁膜１
２としてSiO₂の蒸着等によるコーテイングの代
りに第５図におけるシールド材シート１３のエツ
チング等による打抜きを行なう場合に用いられる
レジスタ膜、例えばポリアミド樹脂などの有機物
樹脂を除去せずにそれをそのまま絶縁膜として使
用することも可能である。以上の如き本考案の構
造によれば第４図に示すようにシールド板１２に
励起される渦電流と主コア１に梨励起される渦電
流７，８は絶縁膜１２によつて好適に短絡が防止
される。勿論主コア１の漏洩磁束５，６は高周波
磁界によつてシールド板３内に励起される渦電流
４により第９図の従来例の場合と同様シールドさ
れることはいうまでもない。

尚、上述の実施例はバルク型の磁気ヘツドであ
るが、薄膜磁気ヘツドにおいても、主コアとシー
ルド部との間に絶縁膜を形成することにより上述
と同様の効果を得ることが出来る。

(ト) 考案の効果 以上の通り本考案によれば渦電流による主コア
の短絡が防止できるのでマルチトラツク型に構成
された磁気ヘツドのクロストーク防止が確実とな
り、有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案を実施した磁気ヘツドの正面図
であり、第２図はその分解斜視図、第３図はその
組立て工程を示す図、第４図は本考案磁気ヘツド
の効果を説明する図、第５図は製造方法を説明す
る図である。第６図は本考案の磁気ヘツドの他の
製造方法を説明するための図である。第７図は本
考案の対象とする電子スチルカメラ用磁気ヘツド
の規格を説明するための図である。第８図は従来
の電子スチルカメラ用磁気ヘツドの平面図、第９
図はその説明図である。 １…主コア、３…シールド板、１２…絶縁膜、
Ｈ１…第１ヘツド、Ｈ２…第２ヘツド。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) センダストよりなりフロントギヤツプを備え
   る主コアの外面に補強コアを接合してなる第
   １、第２ヘツドと、該第１、第２ヘツドの主コ
   アの内面間に介在するシールド板とからなるマ
   ルチトラツク型磁気ヘツドにおいて、前記第
   １、第２ヘツドの主コアの前記内面に膜厚2μ
   ｍ以下の絶縁膜を設けたことを特徴とするマル
   チトラツク型磁気ヘツド。 (2) 前記絶縁膜はSiO₂膜であることを特徴とす
   る実用新案登録請求の範囲第１項記載のマルチ
   トラツク型磁気ヘツド。 (3) 前記絶縁膜はフオトレジスト等の有機物樹脂
   よりなることを特徴とする実用新案登録請求の
   範囲第１項記載のマルチトラツク型磁気ヘツ
   ド。