JPH0316122A

JPH0316122A - 気相成長装置

Info

Publication number: JPH0316122A
Application number: JP6514190A
Authority: JP
Inventors: Akira Ishihata; 石幡　彰; Hirosuke Sato; 裕輔佐藤; Toshimitsu Omine; 大嶺　俊光
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-03-15
Filing date: 1990-03-15
Publication date: 1991-01-24
Anticipated expiration: 2014-10-25
Also published as: JP2966025B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、−１えばヘテロ構造の化合物半導体等の製造
に用いられる気相成長装置に関する。

（従来の技術）結晶基板上に化合物半導体の膜を気相戊長させて化合物
半導体を製造する従来の気相成長装置は、例えば第９図
に示すように構成されている。

この図に示すように、従来の気相成長装置は、べ−スプ
レート１００上に気密状態で固着された反応炉１０１内
に、結晶基板１０２を載置するサセプタ１０３と、サセ
プタ１０３を着脱自在に支持する回転軸１０４と、結晶
基板１０２及びサセプタ１０３を加熱するヒータ１０５
が配設されている。

反応炉１０１は、上部にガス（原料ガス、キャリアガス
等）を供給する給気口１０１ａが形成され、下部には反
応炉１０１内の未反応ガスを排出する排気口１０１ｂが
形成されている。回転軸１０４は、ベースプレート１０
０を貫通して真空シール輔受１０６（例えばマグネット
カップリングタイプ軸受）により気密状態で回転自在に
輔支されている。また、回転軸１０４の下部にはプーリ
１０７が接続されており、このプーり１０７には、ベル
ト１０８、プーり１０９を介してモータ１１０が連結さ
れている。ヒータ１０５は、サセプタ１０３の下方で回
転軸１０４の周囲に配設されている。

従来の気相成長装置は上記のように構威されており、サ
セプタ１０３上に載置された結晶基板１０２をヒータ１
０５の加熱によって所定温度に上昇させて、給気口１０
１ａから反応炉１０１内に原料ガス（例えば、Ａｓ　Ｈ
３　、ＰＨ３等）をキャリャガス（例えば、Ｈ２等）と
共に供給し、結晶基板１０２上に化合物半導体の膜を気
相戊長させる。この時、モータ１１０を駆動しブーリ１
０９、ベルト１０８を介して連結されているブーり１０
７、回転軸１０４に回転動力を伝達して、サセプタ１０
３を回転させる。そして、反応炉１０１内の残留ガスを
排気口１０ｌｂからロータリポンプ（不図示）により排
気する。

ところで、前記した気相成長装置では、気相成長により
得られる化合物半導体の膜の厚さは、均一な性能の半導
体を得るために高情度な均一性が要求される。この結晶
膜の均一性は気相成長を行う時の結晶基板の温度分布に
負うところが大きく、結晶基板の温度分布の均一性を図
ることは、均一性の良い結晶膜を得るために欠かせない
条件の一つである。

しかしながら、前記した従来の気相成長装置では、結晶
基仮１０２を載置するサセプタ１０３は回転軸１０４で
その中央部が支持されているので、サセプタ１０３を加
熱するヒータ１０５は、サセプタ１０３の下方で回転軸
１０４の周囲に配置されている。このため、サセプタ１
０３の周辺部と、回転軸１０４で支持される中央部の温
度分布の均一化が困難であった。

また、反応炉１０１内に供給される原料ガスの流れを改
善するためにサセプタ１０３を高速回転（　１　０　０
　０　ｒｐａ＋以上）させる場合、サセプタ１ｏ３の均
一な温度分布を得るために、サセプタ１０３の下方に配
置されるヒータ１０５の占める面積を太き《して回転軸
１０４の径を細くすると、回転軸１０４の固有振動数が
低くなって、運転時（気相成長時）の回転数の範囲に入
る。このため、運転時（気相成長時）にサセプタ１０３
に振動が発生して、サセプタ１０３に載置される結晶基
板１０２が動いたり、結晶基板１０２が割れ易いガリウ
ムヒ素（Ｇａ　ＡＳ　）等であれば損傷が発生する恐れ
があり、また、大型のサセプタ１０３を有する気相成長
装置の場合では、回転軸１０４の剛性不足等により回転
性能が損なわれる恐れがある。

また、前記した従来の気相成長装置では、回転軸１０４
の上部の周囲にヒータ１０５が配設されているので、回
転ＩＴｏ　１　０　４も輻射や伝熱によって温度が上昇
し、更に回転軸１０４を回転駆動す真空シール軸受１０
６の軸受けも熱が伝達されることによって温度が上昇す
る。真空シール軸受１ｏ６の軸受けの温度が上昇すると
、軸受けの潤滑油の潤滑不良等によって回転不良が生じ
易くなり、回転軸１０４の円滑な回転性能が得られなく
なって、均一な厚みの結晶膜が得られなくなる。

また、気相戊長により得られる化合物半導体の膜の厚さ
、品質は成長温度に依存するところが多い。よって、結
晶基板１０２を載置したサセプタ１０３の加熱中の温度
を正確に測定して温度制御する必要がある。

（発明が解決しようとする課題）前記したように従来の気相成長装置では、サセプタ１０
３を均一に加熱することができず、また、回転袖１０４
の輔受けの熱による影響で回転不良が生じ、また、サセ
プタ１０３の加熱時の温度測定を正確に行うことができ
なかったので、均一な厚みの結晶膜を得ることが難しか
った。

本発明は上記した課題を解決する目的でなされ、加熱手
段によって加熱されるサセプタの温度分布を均一にし、
また、回転軸を円滑に回転させ、更に、加熱されるサセ
プタの温度を正確に測定して、均一性の良い結晶膜が得
られるようにした気相成長装置を提供しようとするもの
である。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）前記した課題を解決するために本発明は、原料ガスが供
給される反応炉内に、結晶基板を載置するサセプタと、
該サセプタを回転自在に支持する駆動手段を連結した回
転軸と、前記サセプタを加熱する加熱手段とを具備した
気相成長装置において、前記加熱手段を、前記サセプタ
あるいは回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間
に配設したことを特徴としている。

また、本発明は、前記気相成長装置において、連桔した
駆動手段より上方に位置する前記回転軸を、少なくとも
２分割しその分割面相互の接触面積が小さくなるように
して接合したことを特徴としている。

また、本発明は、前記気相成長装置において、前記加熱
手段の前記サセプタに対して反対側の位置に反射板を配
設したことを特徴としている。

また、本発明発明は、前記回転軸を冷却する冷却手段を
設けたことを特徴としている。

また、本発明は、前記サセプタあるいは回転軸の少なく
とも一方の内部に形成した空間に、前記サセプタの加熱
温度を測定する熱電対を配設すると共に、前記サセプタ
に前記熱電対の先端側が押入される押入部を形成したこ
とを特徴としている。

（作用）本発明によれば、サセプタあるいは回転軸の少なくとも
一方の内容に形成した空間に、加熱手段を配設したこと
により、サセプタ全域を均一に加熱することができ、均
一な結晶膜を得ることができる。

また、サセプタ加熱時に回転軸の温度上昇が抑えられる
ことにより、回転軸の軸受けの温度上昇を抑えられ、円
滑な高速回転が可能となるので、均一な厚みの結晶膜を
得ることができる。

また、加熱手段の影響を受けることな《、サセプタの加
熱温度を正確に測定することができるので、サセプタの
加熱温度を原料ガスの反応温度に正確に合せることがで
き、良質な結晶膜を得ることができる。

（実施例）以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。

第１図は本発明の第１実施例に係る気相成長装置を示す
断面図である。この図に示すように、ペースプレート１
上に気密状態で固着された反応炉２内には、結晶基板３
を載置する川板状のサセプタ４と、サセプタ４を着脱自
在に支持する筒状の回転軸５と、結晶基板３及びサセプ
タ４を加熱する渦巻き状のヒータ６が配設されている。

反応炉２は、上部にガス（原料ガス、キャリアガス等）
を供給する給気口２ａが形成され、下部には反応炉２内
の未反応ガスをυｌ出するＩＪＩ一気口２ｂが形成され
ている。

回転軸５のサセプタ４を支持する上部５ａは、サセプタ
４の径と略同径の筒状に形成されており、ベースプレー
ト１に貫通している回転軸５の下側は、ベースプレート
１と固定フランジ７間に設けた真空シール軸受８の玉軸
受９ａ，９ｂで回転自在に支持されている。サセプタ４
と回転軸５の上部５ａの間に形成される空間１０には、
中空の支持軸１１で支持されたヒータ６が配設されてい
る。

支持情１１は、固定フランジ７に嵌着されており、その
内側には、ヒータ６に接続される一対の電極１　２ａ　
，　　１　２ｂが配設され、下端部で絶縁気密シール２
１を介し外部に貫通している。

真空シール軸受８は、上部がベースプレート１に固着さ
れ下部が固定フランジ７に固着されて回転軸５の外周に
配設される軸受ハウジング１３と、軸受ハウジング１３
の内周側に設゛けた回転軸５を回転自在に支持する玉軸
受９ａ．９ｂと、回転軸５に固着した複数の磁気カップ
リング従動リング１４と、軸受ハウジング１３の外周側
に玉軸受１５ａ，１５ｂを介して回転自在に設けたプー
り１６と、プーり１６の内側に磁気カップリング従動リ
ング１４と対向して設けた磁気カップリング回転リング
１７とから成る気密軸−受で構或されている。対向する
磁気カップリング従動リング１４と磁気カップリング回
転リング１７は、互いの磁力により吸引力が働くように
配置されている。ブ−リ１６には、ベルト１８、プーり
１９を介してモータ２０が連結されており、モータ２０
の駆動によって、プーり１９、ベルト１８を介してプー
リ１６、磁気カップリング回転リング１７が回転し、磁
気カップリング回転リング１７の磁力によって磁気カッ
プリング従動リング１４、回転？ＩＩＩ　５が一体に回
転する。

第２図は、支持軸１１を示す拡大断面図である。

尚、この図では、ベースプレート１と固定フランジ７間
に配役される真空シール軸受８は省略されている。支持
軸１１内には、上部に上端栓２２と気密栓２３が配設さ
れ、下部に気密栓２４と下端栓２５が配設されており、
気密栓２３．２４の間には、絶縁体２６で被覆された電
極１２ａ，１２ｂをその内側に隙間２７を設けて通した
管２８ａ，２８ｂが嵌着されている。上端栓２２は耐熱
性の絶縁材で形成されている。下端栓２５の下部には、
絶縁管２９を介装した抑え板３０がボルト３１ａ，３１
ｂで固着されており、下端栓２５と絶縁管２９間に設け
たＯリング３２で、電極１２ａ，１２ｂの下部が下端栓
２５、絶縁管２つ、押え板３０に気密状態に挿通されて
いる。

電極１　２ａ　．　　１　２ｂの上部とヒータ６間には
、ねじ３３ａ，３３ｂで固着された導体部材３４ａ，３
４ｂが配設されおり、電極１２ａ，１２ｂ，導体部材３
４　ａ，３４　ｂを介してヒータ６に通電される。

気密栓２３．２４の間には、冷却水が注入される冷却室
３５が形成され、また、気密栓２４と下端栓２５間には
、パージガスが供給されるバージガス室３６が形成され
ている。バージガス室３６は、電極１　２ａ　，　　１
　２ｂと管２８ａ，２８ｂ間の隙間２７を通してヒータ
６が配設されている空間１０に連通している。また、支
持軸１１の外周面には、冷却室３５に連通した給水管３
７と、パージガス室３６に連通したパージガス供給管３
８が配設され、冷却室３５の略中央部には排水管３９が
配設されており、排水管３つは気密栓２４、下端栓２５
及び押え仮３０に嵌着されている。

前記した支持＄１！１１１、上端栓２２、下端栓２５、
気密栓２３，２４、管２７ａ；２７ｂ，排水管３９のそ
れぞれの接合部は気密溶接で接合され、電鴫１　２ａ　
，　　１　２ｂの下部と下端栓２５は絶縁状態で気密に
接合されている。

次に、本発明に係る気相成長装置の動作について説明す
る。電極１２ａ，１２ｂの下部に接続した電源（不図示
）から電極１　２ａ　，　　１　２ｂ　，導体部材３４
ａ，３４ｂを通してヒータ６に通電し、反応炉２内を加
熱してサセプタ４に載置した結晶基板３の温度を所定温
度まで上昇させる。そして、パージガス供給管３８から
パージガス（例えばＨ２）を、バージガス室３６、隙間
２７を通してヒータ６が配設されている空間１０に供給
すると共に、給気口２ａから反応炉２内に原料ガス（例
えば、ＡＳ　Ｈ３　、ＰＨ３等）をキャリャガス（例え
ば、Ｈ２　）と共に供給して、結晶基板３上に化合物半
導体の膜を気相戊長形成させる。この時、モータ２０を
駆動しブーり１９、ベルト１８を介して連結されている
プーり１６に回転動力を伝達して回転させる。プーり１
６が回転するとその内側に設けた磁気カップリング回転
リング１７が回転し、更に、磁力による吸引力で回転軸
５に設けた磁気カップリング従動リング１４も一体に回
転して、サセプタを回転させる。そして、反応炉２内の
残留ガスを排気口２ｂからロータリボンプ（不図示）に
より排気する。

また、給水管３７より支持軸１１内の冷却室３５に冷却
水を供給し排水管３つから排出して循環させることによ
り、ヒータ６の放熱、負荷電流等によって高温になる電
極１　２ａ　．　　１　２ｂを空間１０に流れるパージ
ガスを介し伝導で効率よく冷却することができる。

また、前記した実施例では、電極１２ａ，１２ｂと管２
８ａ，２８ｂ間に設けた隙間２７を通してヒータ６を配
設した空間１０にバージガスを供給したが、第３図（ａ
）．（Ｌｓ）に示すように、電極１　２ａ　，　　１　
２ｂと管２８ａ，２８ｂ間に設けた隙間２７の下部に０
リング４０ａ，４０ｂを取付けて隙間２７を密封する。

そして、バージガス導入用の管４１をバージガス室３６
とヒータ６を配設した空間１０に連通して配設し、管４
１を通してパージガスを、ヒータ６を配設した空間１０
に供給し、Ｏリング４０ａ，４０ｂで密封した隙間２７
にフッ素系オイルを充填しても良い。

更に、第４図（ａ）．（ｂ）に示すように、電ｔＪｊｌ
２ａ，１２ｂの外周に設けた管２８ａ，２８ｂを外して
、電極１２ａ，１２ｂと気密栓２３、２４間に絶縁気密
シール４２ａ，４２ｂを取付ける。そして、バージガス
導入用の管４３をバージガス室３６とヒータ６を配設し
た空間１０に連通して配設し、管４３を通してパージガ
スを、ヒータ６を配設した空間１０に供給しても良い。

　また、前記した実施例では、加熱手段としてヒータを
用いたがランプ加熱でも良く、また、真空シール軸受は
磁気カップリング以外にも、磁性流体シール、または合
或樹脂等で構或されるシール構造でも良い。また、真空
シール軸受を複数個配設することも可能である。また、
加熱手段は、サセプタ４内或いは回転軸５内の少なくと
も一方の内部に配設されていれば良い。

第５図、第６図は、本発明の第２実施例に係る気相成長
装置を示す断面図である。

本実施例においては、支持軸１１の上部にモリブデン等
から成る円板状の反射板５０が、ヒータ６とその下方に
ある導体部材３４　ａ，３４ｂ間に位置するようにして
取付けられている。また、回転軸５は上部５ａと中間部
５ｂと下部５Ｃに３分割されており、サセプタ４を支持
する上部５ａはサセプタ４の径と略同径の筒状に形成さ
れ、ベースプレート１に貫通し上部５ａより小径の下部
５Ｃは、ベースプレート１と固定フランジ７間に設けた
真空シール軸受８の玉軸受９ａ，９ｂで回転自在に支持
されている。回転軸５の上部５ａと下部５Ｃは、ヒータ
６の下方に位置する中間部５ｂで連結されている。

回転軸５の上部５ａと中間部５ｂ，下部５Ｃと中間部５
ｂは、第６図に示すように、モリブデン等から成る小径
のスベーサ５１を介在してビス５２で接合されており、
それぞれ接合される相互の接触面積が小さくなるように
している。

他の構成（支持輔１１内の構成や回転軸５を回転駆動す
る真空シール軸受８の構成等）および動作は、前記第１
図、第２図に示した第１実施例と同様である。

このように本実施例においては、ヒータ６のサセプタ４
に対して反対側の位置に反射板５０を設けたことにより
、ヒータ６から下方（回転軸５側）に幅射される熱が反
射板５０で上方（サセプタ４側）に反射されるので、回
転軸５の加熱が低減される。また、回転軸５を上部５ａ
と中間部５ｂと下部５Ｃに分割して、各接合面の接触面
積が小さくなるようにスベーサ５１を介在して接合した
ことにより、ヒータ６で回転軸５が加熱されても各接合
面で熱の伝達が低減される。

よって、回転軸５の温度上昇が抑えられることにより、
回転軸５を回転駆動する真空シール輔受８の玉軸受９ａ
，９ｂの熱伝導による温度上冑も抑えられるので、玉軸
受９ａ，９ｂの潤滑浦の潤滑不良等が防止され、回転軸
５の潤滑な回転性能が得られる。

また、本実施例では回転軸５を３分割して接合したが、
２分割あるいは４分割以上にして接合しても良く、また
、各接合面の間に介在したスペーサ５１はモリブデン以
外にも例えば熱伝導串の小さい部材で形成しても良い。

第７図は、本発明の第３実施例に係る気相成長装置を示
す断面図である。

本実施例においては、真空シール軸受８の紬受ハウジン
グ１３の上部に、回転軸５の外周を囲むようにして内部
に冷却水路７０ａを形成した環状の冷却筒７０が配設さ
れている。冷却筒７０の下部には、冷却水水路７０ａに
冷却水を供給、排出する不図示の供給管と俳出管が取付
けられており、冷却水水路７０ａ内を冷却水が循環され
る。

また、回転軸５、真空シール軸受８、支持軸１１の内部
には、それぞれの下部からハージガス（例えばＨ２）が
不図示のパージガス供給口より供給される。

他の構或（支持ＩＴｏｌｌ内の構戊や回転軸５を回転駆
動する真空シール輔受８の構成等）および動作は、前記
第１図、第２図に示した免１実施例と同様である。

このように本実施例においては、ヒータ６でサセプタ４
を加熱する際に回転軸５が輻月１や伝熱によって加熱さ
れても回転軸５の外側に設けた冷却筒７０で回転軸５を
冷却することができ、更に回転軸５と冷却筒７０間の空
間７１に下方から流れているパージガス（例えばＨ２）
によっても回転？１１１　５が冷却されるので、回転軸
５の温度上昇を抑えることができる。

このように、回転軸５の温度上Ｒで抑えられることによ
り、回転軸５を回転駆動する真空シール軸受８の玉輔受
９ａ，９ｂの熱伝導による温度上昇も抑えられるので、
玉軸受９ａ，９ｂの潤滑浦の潤滑不良等が防止され、回
転軸５の円滑な回転性能が得られる。

また、本実施例では回転軸５を冷却する冷却筒７０を軸
受ハウジング１３の上部に設けたが、冷Ｊ５１１筒７０
を例えばベースプレート１に設けても良く、また、他の
冷却手段として回転軸５の外周に直径方向にフィンを設
けても良い。

第８図は、本発明の第４実施例に係る気相成長装置の断
面図である。

本実施（７）ｊにおいては、支持軸１１の上部に絶縁体
６０が嵌合されており、この絶縁体６０にはサセプタ６
を支持する導体部材３４ａ，３４ｂに接続される電極１
２ａ，１２ｂが挿通されている。

また、絶縁体６０の中央部には、サセプタ４の加熱温度
を測定する熱電対６１が挿通されており、熱電対６１の
先端側（温度δＰ１定部）は、ヒータ６に形成した穴６
ａを通してサセプタ４に形成した挿入部４ａ内に配置さ
れている。サセプタ４に形成した押入部４ａは、ヒータ
６に形成した穴６ａの中に位置しているので、熱電対６
１はヒータ６の放射熱による影響が小さくなり、また、
挿入部４ａと熱電対６１間は、サセプタ４が回転したと
きに熱電対６１が神人部４に接触しないように適当な間
隙が形成されている。

ヒータ６を配置した空間１０内には、絶縁体６０の電極
１２ａ．１２ｂ，熱電対１６がそれぞれ挿通される穴６
０ａ．６０ｂ，６０ｃを通してバージガス（例えばＨ２
）が導入され、熱電対６ｌの周囲にはモリブデン等から
なる保護筒６２が配設されている。保護筒６２の下部は
絶縁体６ｏの穴６０ｃに固着されており、熱電対６１と
保護筒６２間には熱電対６１の周囲に沿ってバージガス
が流れる流路６３が形成されている。

他の構成（支持軸ｌ１内の構成や回転軸５を回転駆動す
る真空シール輔受８の構或等）および動作は、前記第１
図、第２図に示した第↑実施例と同様である。

このように本実施例においては、熱電対６１の先端側（
温度測定部）がサセプタ４に形成した挿入部４ａに配置
されているので、ヒータ６の放射熱の影響が小さくなり
、サセプタ４の加熱温度を正確に測定することができる
。

また、熱電対６１の周囲に形成した流路６３にバージガ
スが流れることにより、反応炉２内の圧力変動等によっ
て回転軸５の内部に原料ガスが流入した場合でも、原料
ガスが熱電対６１と直接触れることかないので、熱電対
６１の披覆伺の腐食を防止することができる。よって、
熱電対６１の被覆材の腐食による微量なリークが発生す
ることもないので、微量の酸素（空気）が反応炉２に流
入することもなく、良質な結晶膜を得ることかできる。

また、熱電対６１は、サセプタ４のｔＩ人部４ａと保護
筒６２内に配置されているので、ヒータ６の放射熱を直
接受けることが少なくなり、熱電対６１のｉｆｆ材の熱
による劣化を防止することができる。

［発明の効果］以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
によれば、サセプタ上に載置される桔晶是板を加熱する
加熱手段を、サセプタとサセプタを支持する回転軸内に
形成した空間に設けたことにより、サセプタの全面を均
一に加熱することができるので、結晶基板の温度分布が
均一になり、均一性の良い結晶膜を得ることができる。

また、加熱手段を四転輔内に配設することによって回転
紬の径を太くして剛性を高くすることかできる。従って
、回転軸の固有振動数を高くすることができるので、運
転時（気相成長時）にサセプタに共娠による振動′の発
生が防止され、桔晶基板を安定してサセプタ上に載置す
ることができる。

また、請求項４，５．６に係る本発明によれば、サセプ
タの加熱時にサセプタを回転自作に支持する回転中市の
温度上刃を抑えることができる。従って、輔受の潤滑油
の潤滑不良等が防止されるので、ＩＩ＋滑な高速回転が
可能となり、均一な厚みの拮晶膜を得ることができる。

また、請求項７に係る本発明によれれば、サセプタの加
熱温度を正確に測定することができるので、サセプタの
加熱温度を原１４ガスの反応温度に１［確に合わせるこ
とが可能となり、良質な結晶膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１実施例に係る気…成長装置を示
す断面図、第２図は、同気相成長装置の支持軸を示す断
面図、第３図（ａ），（ｂ）及び第４図（ａ），（ｂ）
は、それぞれ本発明の他の実施例に係る気相成長装置の
支持軸を示す断面図、第５図は、本発明の第２実施例に
係る気相成長装置を示す断面図、第６図は、同気相成長
装置の要部を示す拡大断面図、第７図は、本発明の第３
実施例に係る気相成長装置を示す断面図、第８図は、本
発明の第４実施例にかかる気Ｉ［１成長装置の要部を示
す拡大断面図、第９図は、従来の気…成長装置を示す断
面図である。１・・ベースプレート　　　２・・・反応炉３・・・粘
品基板　　　　　　４・・・サセプタ４ａ・・・挿入部
　　　　　　５・・・回転軸５ａ・・・上部　　　　　
　　５ｂ・・・中間部５Ｃ・・・下部　　　　　　　６
・・・ヒータ８・・・真空シール軸受　　　１０・・・
空間１１・・・支持軸　　　　　　１　２ａ　，　　１
　２ｂ・・・電極１４・・・磁気カップリング従動リン
グ１６・・・ブーリ１７・・・磁気カップリング回転リング２０・・・モー
タ　　　　　　２２・・・上端栓２３２７３９６１６３２４・・・気密栓・・隙間・・排水管・・熱電対・・流路２５・・下端栓２８ａ　，２８ｂ　−・・管５０・・・反射阪６２・・保護筒７０・・・冷却筒

Claims

【特許請求の範囲】

（１）原料ガスが供給される反応炉内に、結晶基板を載
置するサセプタと、該サセプタを回転自在に支持する駆
動手段を連結した回転軸と、前記サセプタを加熱する加
熱手段とを具備した気相成長装において、前記加熱手段
を、前記サセプタあるいは回転軸の少なくとも一方の内
部に形成した空間に配設したことを特徴とする気相成長
装置。
（２）前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転さ
せる真空シール軸受であることを特徴とする請求項（１
）記載の気相成長装置。
（３）前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手
段を支持する中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に
前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記
支持軸内に前記電極を冷却する冷却媒体を注入すること
を特徴とする請求項（１）記載の気相成長装置。
（４）連結した駆動手段より上方に位置する前記回転軸
を、少なくとも２分割しその分割面相互の接触面積が小
さくなるようにして接合したことを特徴とする請求項（
１）記載の気相成長装置。
（５）前記加熱手段の前記サセプタに対して反対側の位
置に反射板を配設したことを特徴とする請求項（１）記
載の気相成長装置。
（６）前記回転軸を冷却する冷却手段を設けたことを特
徴とする請求項（１）記載の気相成長装置。
（７）前記サセプタあるいは回転軸の少なくとも一方の
内部に形成した空間に、前記サセプタの加熱温度を測定
する熱電対を配設すると共に、前記サセプタに前記熱電
対の先端側が挿入される挿入部を形成したことを特徴と
する請求項（１）記載の気相成長装置。
（８）前記熱電対の周囲に沿ってパージガスが流れる流
路を形成したことを特徴とする請求項（７）記載の気相
成長装置。