JPH0316239Y2 - - Google Patents

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JPH0316239Y2
JPH0316239Y2 JP1982112047U JP11204782U JPH0316239Y2 JP H0316239 Y2 JPH0316239 Y2 JP H0316239Y2 JP 1982112047 U JP1982112047 U JP 1982112047U JP 11204782 U JP11204782 U JP 11204782U JP H0316239 Y2 JPH0316239 Y2 JP H0316239Y2
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JP
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electrodes
groove
holes
electrode
positive temperature
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JP1982112047U
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、正特性サーミスタを用いた発熱装置
に関する。
〈従来の技術〉 正特性サーミスタを用いた発熱装置は、過熱の
危険がなく、高信頼度である。従来のこの種の発
熱装置としては、第1図または第2図に示すもの
が知られている。まず、第1図に示すものは、平
板状に形成された正特性サーミスタ素体1の厚さ
方向の両面に、オーム性または非オーム性の電極
2,3をそれぞれ被着形成した構造となつてい
る。
次に第2図に示すものは、正特性サーミスタ素
体1の表面に、ギヤツプGを隔てて対向する櫛歯
状等の電極2,3を被着形成した構造となつてい
る。
〈考案が解決しようとする課題〉 しかし、第1図に示す発熱装置は、第3図に示
すように、電極2,3上に電極板7,8を対接さ
せ、その上に絶縁シート9,10等を間に挟んで
被加熱体11,12を重ねる等して、電極2,3
のある表面から熱を取出す構成であるため、第3
図の曲線イで示すように、電極2,3のある表面
で低く、中間部で最も高くなる温度勾配を示す。
このことは、正特性サーミスタ素体1の中間部に
発生した熱の表面方向への熱伝導率が非常に悪い
ことを意味する。また、正特性サーミスタ素体1
の熱容量が働くため、温度上昇が遅く、即応性に
欠ける欠点もある。
次に第2図に示すものは、電極2,3を形成し
た表面が発熱面となるため、この電極形成面側か
ら熱を取出し得る利点はある。しかしながら、電
極2,3を正特性サーミスタ素体1の表面上に設
けた構造であるため、第4図に示すように、電極
2,3の上に電極板13、絶縁シート14及び被
加熱体15等を重ねて熱を取出す場合、電極2,
3と最下層にある電極板13との間に電極2,3
の膜厚及び前記ギヤツプGに相当する空隙16が
発生し、熱伝導効率が悪くなる欠点がある。
そこで、本考案の課題は、上述する従来の欠点
を除去し、温度の立上がりが非常に鋭く即応性に
富み、外部の被加熱体に対する熱伝導性が良好
で、被加熱体を効率良く急速に平面的に加熱する
ことができる等、能力及び特性に優れ、しかも正
特性サーミスタ素体の製造及び電極の形成が容易
で、製造コスト低減及び材料費節約等にも寄与し
得る発熱装置を提供することである。
〈課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本考案に係る発熱装
置は、正特性サーミスタ素体の厚さ方向の両面に
多数の貫通孔を開口させ、前記正特性サーミスタ
素体の前記貫通孔を構成する格子の一端面に、前
記貫通孔のそれぞれを包囲し、かつ、連続する凹
溝を設け、前記凹溝内に、その両側に現われる前
記格子の表面よりも低くなるように、等電位とな
る電極を連続して被着形成し、前記貫通孔の内面
の全面に前記凹溝内の前記電極から電気的に独立
する他の電極を被着形成し、前記他の電極を前記
格子の他端面側で等電位となるように接続したこ
とを特徴とする。
〈作用〉 格子の一端面に設けられた凹溝内に、その両側
に現われる格子の表面よりも低くなるように、等
電位となる電極を連続して形成すると共に、格子
によつて形成される貫通孔の内面の全面に他の電
極を被着形成し、この他の電極を格子の他端面側
で等電位となるように接続したから、凹溝内の電
極と貫通孔内の全面に設けられた他の電極との間
に電圧を印加することにより、格子の一端面を発
熱面とし、格子の一端面に重ねられた被加熱体に
対して最短距離で直接的に伝達し、熱伝導効率を
向上させ、被加熱体を急速に平面的に加熱でき
る。
しかも、多数の貫通孔が設けられているので、
正特性サーミスタ素体の熱容量が小さくなると共
に、熱が内部にこもることがない。このため、発
熱温度の立上りが非常に鋭くなり、即応性が著し
く向上する。
〈実施例〉 第5図は本考案に係る発熱装置の斜視図、第6
図は同じく部分的な拡大斜視図、第7図は同じく
部分的な拡大断面図である。この実施例では、正
特性サーミスタ素体1を円形状となつていて、そ
の厚さ方向の両面に多数の貫通孔17を開口させ
ると共に、該貫通孔17を構成する格子18の一
端面上に、第6図及び第7図に示すように、格子
18の幅よりは小さい幅の凹溝19を、貫通孔1
7を包囲し、かつ、連続するように形成した構造
となつている。このような構造、形状の正特性サ
ーミスタ素体1は、従来の湿式もしくは乾式成形
設備を利用して成形することができるから、製造
が容易になると同時に、製造コストが安価にな
る。しかも、貫通孔17のある分だけ、正特性サ
ーミスタ素体1の実質的な体積が減少するから、
材料費が節約され、コストが安価になる。
凹溝19の内部には電極20を電気的に等電位
となるよう連続させた状態で被着形成してある。
電極20は凹溝19の両側に現われる格子18の
表面よりは低くなるように形成する。また、貫通
孔17の内面の全面に、正特性サーミスタ素体1
の他面側で電気的に連続する他の電極21を被着
形成してある。電極20及び21の形成に当つて
は、正特性サーミスタ素体1の全面にNi無電解
メツキ処理等を施した後、電極20のある端面に
被着しているメツキ層をセンタレス研磨またはラ
ツプ研磨等の手段で削除するだけでよい。従つ
て、電極20及び21の形成作業が容易になり、
電極形成コストが安価になる。
この発熱装置を駆動するに当つて、電極20と
電極21との間に電圧を印加すると、電極20と
電極21との間にある格子18に電流が流れ、電
極20のまわりの格子18の表面ロが発熱面とな
る。このため、第8図に示すように、電極20の
ある一面上に電極板、絶縁シートまたは被加熱体
等で構成される放熱ユニツト22を対接させた場
合、格子18の表面ロに発生した熱が、放熱ユニ
ツト22に対して最短距離で直接的に伝達され、
熱伝導効率が高くなり、放熱ユニツト22が急速
に平面的に加熱される。
しかも、多数の貫通孔17が設けられているの
で、正特性サーミスタ素体1の熱容量が小さくな
ると共に、熱が内部にこもることがない。このた
め、発熱温度の立上りが非常に鋭くなり、即応性
が著しく向上する。また、キユリー点の低いもの
でも、それより高いものと同程度の能力のもの
や、キユリー点の更に高いものを実現できる等の
利点も得られる。
上記実施例では円形状のものを例にとつて説明
したが、多角形状等、他の形状のものにも適用が
可能である。
〈考案の効果〉 以上述べたように、本考案によれば、次のよう
な効果が得られる。
(a) 正特性サーミスタ素体の貫通孔を構成する格
子の一端面に、貫通孔のそれぞれを包囲し、か
つ、連続する凹溝を設け、凹溝内に、その両側
に現われる格子の表面よりも低くなるように、
等電位となる電極を連続して被着形成し、貫通
孔の内面の全面に凹溝内の電極から電気的に独
立する他の電極を被着形成し、他の電極を格子
の他端面側で等電位となるように接続したか
ら、格子の一端面により被加熱体を平面的に加
熱する発熱面を構成し、被加熱体に対する熱伝
導性が良好で、被加熱体を効率良く急速に平面
的に加熱し得る発熱装置を提供できる。
(b) 正特性サーミスタ素体の厚さ方向の両面に多
数の貫通孔を開口させてあるから、温度の立上
がりが非常に鋭く即応性に富む発熱装置を提供
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の発熱装置の斜視図、
第3図は第1図に示した従来の正特性サーミスタ
の欠点を説明する図、第4図は第2図に示した発
熱装置の欠点を説明する図、第5図は本考案に係
る発熱装置の斜視図、第6図は同じく部分的な拡
大斜視図、第7図は同じく部分的な拡大断面図、
第8図は本考案に係る発熱装置の使用状態を示す
図である。 1……正特性サーミスタ素体、17……貫通
孔、18……格子、19……凹部、20……電
極、21……電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 正特性サーミスタ素体の厚さ方向の両面に多数
    の貫通孔を開口させ、前記正特性サーミスタ素体
    の前記貫通孔を構成する格子の一端面に、前記貫
    通孔のそれぞれを包囲し、かつ、連続する凹溝を
    設け、前記凹溝内に、その両側に現われる前記格
    子の表面よりも低くなるように、等電位となる電
    極を連続して被着形成し、前記貫通孔の内面の全
    面に前記凹溝内の前記電極から電気的に独立する
    他の電極を被着形成し、前記他の電極を前記格子
    の他端面側で等電位となるように接続したことを
    特徴とする発熱装置。
JP11204782U 1982-07-22 1982-07-22 発熱装置 Granted JPS5916091U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11204782U JPS5916091U (ja) 1982-07-22 1982-07-22 発熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11204782U JPS5916091U (ja) 1982-07-22 1982-07-22 発熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5916091U JPS5916091U (ja) 1984-01-31
JPH0316239Y2 true JPH0316239Y2 (ja) 1991-04-08

Family

ID=30259898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11204782U Granted JPS5916091U (ja) 1982-07-22 1982-07-22 発熱装置

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JP (1) JPS5916091U (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55136487A (en) * 1979-04-10 1980-10-24 Nippon Soken Positive temperature coefficient porcelain semiconductor
US4264888A (en) * 1979-05-04 1981-04-28 Texas Instruments Incorporated Multipassage resistor and method of making

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5916091U (ja) 1984-01-31

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