JPH0316280Y2 - - Google Patents

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JPH0316280Y2
JPH0316280Y2 JP2009581U JP2009581U JPH0316280Y2 JP H0316280 Y2 JPH0316280 Y2 JP H0316280Y2 JP 2009581 U JP2009581 U JP 2009581U JP 2009581 U JP2009581 U JP 2009581U JP H0316280 Y2 JPH0316280 Y2 JP H0316280Y2
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wafer
end wall
wafers
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、半導体ウエハを処理するためのバス
ケツトに関するもので、さらに詳しくは例えば薄
い円盤状に形成されたシリコン半導体ウエハの表
面処理を行うに際し、これが一定数を内部に収容
するに適した相対向する縦方向の区画筋を一体成
型で構成した弗素樹脂製のバスケツトに係るもの
である。
従来、半導体製造工業では、前記シリコンウエ
ハの一定数をバスケツトの内部に縦に並列するよ
うに挿着した状態で、エツチングから洗浄および
乾燥その他の表面処理を自動機構にかけて行う
が、従来のバスケツトは自動機構にかける都合
上、その設定位置に対応する形状として、両側壁
と両端壁の各間隔をはじめ、ウエハの挿入数に合
う両側壁の内部リブおよび一方の端壁に設けた横
棒と各フランジの幅等が規正されるほか、横棒の
ある端壁と、末端に挿入したウエハとの間隙が挾
少で底部に抜孔を作れないため、ウエハ面への処
理液の流動接触とその通り抜けが悪るく、また乾
燥にも時間を要する等作業性に欠ける支障を有し
ていた。
そこで本考案の目的としては、この種ウエハ用
バスケツトの横棒を設けた端壁の内面に縦方向の
空洞部を形成し、該空洞部の底部に透孔を設け、
末端に挿入したウエハと端壁との間に相当の間隔
と底部に透液性の透孔を形成することで、末端の
ウエハに対し処理液の流動接触と空気接触性の向
上による良好な乾燥とにより該処理作業能率を増
進することに在る。
本考案の構成を図面について説明すると、全体
を弗素樹脂による一体成型で製作したバスケツト
主体Aには両側壁1,2と両端壁3と4,4aと
があり、両側壁1,2の内面には対向し、かつ規
定数のウエハBを挿着するリブ5,6が縦方向に
設けられ、その下部は該ウエハBを支えるのに適
するよう内方へ向け僅かに屈曲している。
然して一方の端壁4と4aのほぼ中央部には、
横方向に連結する横棒7と、この横棒7の内方の
上下両縁に拡げたフランジ8,9が設けられ、両
者の両方の端末は端壁4,4aの各内縁に取付け
られている。
該端壁4,4aの各内面には両方共に縦方向に
空洞部10,11が形成されて居り、その下底部
に透孔12,13が穿通するように設けられ、前
記空洞部10,11のある端部4,4aの内面と
側壁のリブ5,6の末端に挿入されたウエハBと
には相当の間隙を存するように形成する。
本考案は以上の構成により、半導体ウエハ処理
用のバスケツトとして使用するが、バスケツトA
の内部で、一方の端壁3の方は従来相当の間隙を
有しているので処理上の支障はないが、もう一方
の端壁4,4aの方は、バスケツトAの全体構成
と収容するウエハの数量が規正されているため、
末端に挿入するウエハBの表面の接合部分に対す
る間隙が狭く、かつ底部に透孔等を作り得なかつ
たが、本考案においては、両方の端壁4,4aの
内面に縦方向の空洞部10,11を作り、その下
部に続いて透孔12,13を形成できたので、バ
スケツトAの内端に挿入したウエハBと端壁4,
4aとは空洞部10,11を介して相対向するの
で、それだけ間隙を拡げるばかりでなく透孔1
2,13により、空洞部10,11は内外連通す
ることになり、処理液の流動接触と、乾燥性を良
好にし、その処理能率を増進する効果を奏するも
のである。
【図面の簡単な説明】
図面は本考案の実施態様を示し、第1図はバス
ケツト主体の平面図、第2図は第1図の右端面
図、第3図は端壁の1部を内方よりみた斜面図、
第4図は端壁の他の1部を外方よりみた斜面図で
ある。 符号の説明、1,2……側壁、3……他の端
壁、4,4a……本案の端壁、5,6……リブ、
7……横棒、8,9……フランジ、10,11…
…空洞部、12,13……透孔。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 両側壁1,2の下部に続き、かつ内方へ後退し
    た底部の内面に、ウエハBを挿通する均等ピツチ
    のリブ5,6を並列状に形成してなるバスケツト
    主体Aにおいて、 該主体Aの一方の横棒7とフランジ8,9を設
    けた端壁4,4aの各内面に、縦方向の空洞部1
    0,11を形成し、該空洞部10,11の底部に
    それぞれ透孔12,13を穿設してなる半導体ウ
    エハ処理用バスケツト。
JP2009581U 1981-02-17 1981-02-17 Expired JPH0316280Y2 (ja)

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JPS57134842U JPS57134842U (ja) 1982-08-23
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