JPH0316287Y2 - - Google Patents

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JPH0316287Y2
JPH0316287Y2 JP17376485U JP17376485U JPH0316287Y2 JP H0316287 Y2 JPH0316287 Y2 JP H0316287Y2 JP 17376485 U JP17376485 U JP 17376485U JP 17376485 U JP17376485 U JP 17376485U JP H0316287 Y2 JPH0316287 Y2 JP H0316287Y2
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wafers
wafer
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gas pressure
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、半導体製造プロセスに於いて、キヤ
リアに搭載されたウエハの枚数をカウントする装
置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention relates to an apparatus for counting the number of wafers mounted on a carrier in a semiconductor manufacturing process.

従来の技術 半導体製造プロセスでは、ウエハに対してはク
リーンルーム内に於いて各種の処理が施される
が、エツチング処理、水洗等の工程に於いてはウ
エハは、第3図に示すようなキヤリアC中に整列
されて搭載されて処理されている。このようなキ
ヤリアCには、溝9が所定間隔で形成されてお
り、各溝9のそれぞれに1枚ずつ、通常25枚程度
のウエハW(第3図では8枚用のキヤリアを示し
ている)が所定間隔で整列されて処理が行われる
のであるが、ウエハ自体が極めて薄い(通浄、約
250〜400μm)ものであるため、液処理や遠心乾
燥処理中にウエハが割れてしまうことがある。こ
のような場合、破損クズが他のウエハにウエハに
付着したり、そのまま遠心乾燥を行うとバランス
がくずれてしまうので、ウエハの枚数をチエツク
する必要がある。
Prior Art In the semiconductor manufacturing process, wafers are subjected to various treatments in a clean room, but during processes such as etching and water washing, wafers are placed in a carrier C as shown in Figure 3. They are lined up inside, loaded and processed. In such a carrier C, grooves 9 are formed at predetermined intervals, and each groove 9 has one wafer W, which normally holds about 25 wafers (Fig. 3 shows a carrier for 8 wafers). ) are lined up at predetermined intervals for processing, but the wafers themselves are extremely thin (cleaning, approx.
(250 to 400 μm), the wafer may break during liquid processing or centrifugal drying. In such a case, it is necessary to check the number of wafers because broken debris may adhere to other wafers or the balance will be lost if centrifugal drying is continued.

考案が解決しようとする問題点 従来、このウエハ枚数カウントの作業は人間が
行つていたのであるが、クリーンルーム内に人間
が入るのは好ましくないので、キヤリア中のウエ
ハ枚数を自動的にカウントする装置の開発が要望
されていた。このような自動カウント装置として
は、接触レバーを接触させて検出する機械的検出
装置、或いは、光センサを用いて検出する光学的
検出装置を用いることが考えられる。
Problems that the invention aims to solve Conventionally, this work of counting the number of wafers was done by humans, but since it is not desirable for humans to enter the clean room, the number of wafers in the carrier is automatically counted. There was a demand for the development of a device. As such an automatic counting device, it is possible to use a mechanical detection device that detects by bringing a contact lever into contact, or an optical detection device that detects by using an optical sensor.

しかしながら、機械的検出装置を用いる場合に
は、接触レバーをウエハに接触しなければならな
いので、ウエハを汚損したり、傷を付けてしまう
という問題がある。また、光学的検出装置による
場合は、処理液等の蒸気による光センサの曇り等
によつて光センサが誤動作してしまうという問題
がある。
However, when using a mechanical detection device, the contact lever must come into contact with the wafer, which poses a problem of contaminating or scratching the wafer. Further, in the case of using an optical detection device, there is a problem that the optical sensor malfunctions due to clouding of the optical sensor due to vapor of the processing liquid or the like.

本考案は、このような現状に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、ウエハを汚
したり、傷めたりすることがなく、処理液蒸気等
にも影響されずに、キヤリア中のウエハの枚数を
カウントすることのできる装置を提供することで
ある。
The present invention was devised in view of the current situation, and its purpose is to clean the wafer during the carrier without contaminating or damaging the wafer, and without being affected by processing liquid vapor. An object of the present invention is to provide an apparatus capable of counting the number of wafers.

問題点を解決するための手段 上記目的は、キヤリア中に整列されて搭載され
たウエハの枚数をカウントする装置であつて、所
定圧力のガスを噴出しながらウエハの整列方向に
走査させられるノズルと、該ノズル内のガス圧力
を検出する検出部を備え、検出されたガス圧力の
変化に基づいてキヤリア中のウエハの枚数をカウ
ントするものであることを特徴とするキヤリア中
のウエハ枚数カウント装置によつて達成される。
Means for Solving the Problem The above object is a device for counting the number of wafers aligned and loaded in a carrier, which includes a nozzle that can scan in the direction in which the wafers are aligned while ejecting gas at a predetermined pressure. , a device for counting the number of wafers in a carrier, comprising a detection unit for detecting gas pressure in the nozzle, and counting the number of wafers in the carrier based on a change in the detected gas pressure. It is achieved by doing so.

作 用 本考案のキヤリア中のウエハ枚数カウント装置
に於いては、ノズルが所定圧力のガスを噴出しな
がら、ウエハの整列方向にウエハ上を走査させら
れると、該ノズル内のガス圧力がウエハのない所
では低く、ウエハのある所では高くなるので、上
記の走査に伴つて該ガス圧力値は、各パルスがそ
れぞれのウエハに対応したパルス列を呈するよう
になる。従つて、パルスの数をカウントすること
によつてキヤリア中のウエハの枚数がカウントさ
れることになる。
Function: In the device for counting the number of wafers in a carrier according to the present invention, when the nozzle is scanned over the wafers in the wafer alignment direction while ejecting gas at a predetermined pressure, the gas pressure inside the nozzle increases Since the gas pressure value is low where there is no wafer and high where there is a wafer, the gas pressure value comes to exhibit a pulse train in which each pulse corresponds to each wafer as a result of the above scanning. Therefore, by counting the number of pulses, the number of wafers in the carrier can be counted.

実施例 以下に、本考案の実施例を添付図面と共に説明
する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第2図は、本考案に係るウエハ枚数カウント装
置の一実施例の斜視図である。本実施例装置は、
ウエハをエツチング液により処理し、その後ウエ
ハを水洗する工程に使用されるものである。図に
於いて、1は処理槽、2は水洗槽、3は搬送装置
である。搬送装置3は、昇降アーム31に設けら
れた4個の吊り金具32の下端にキヤリアCを保
持し、壁4の中空部42に設けられた駆動装置3
3によつて、壁4に櫛形状に形成された溝穴41
に沿つて上下左右に移動させられ、キヤリアCを
所定時間処理槽1内に入れてウエハWをエツチン
グ処理し、続いて同じく所定時間だけキヤリアC
を水洗槽2,2内に順次入れてウエハWを水洗さ
せるようにする。これら搬送装置3の一連の動作
の制御は制御装置5によつてなされる。
FIG. 2 is a perspective view of an embodiment of the wafer number counting device according to the present invention. The device of this embodiment is
This is used in the process of treating a wafer with an etching solution and then washing the wafer with water. In the figure, 1 is a processing tank, 2 is a washing tank, and 3 is a transport device. The transport device 3 holds the carrier C at the lower ends of four hanging fittings 32 provided on the lifting arm 31, and the drive device 3 is provided in the hollow part 42 of the wall 4.
3, a comb-shaped slot 41 is formed in the wall 4.
The carrier C is moved vertically and horizontally along the wafer C, and the carrier C is placed in the processing tank 1 for a predetermined period of time to perform the etching process on the wafer W.
are sequentially put into the washing tanks 2 and 2 to wash the wafers W with water. A series of operations of these transport devices 3 are controlled by a control device 5.

本実施例のカウント装置6のうちガス噴出ノズ
ル61及びガス圧力検出部62は、搬送装置3に
取り付けられており、例えば、乾燥N2ガス等の
ガスを所定圧力Poで供給するガス供給源G側の
弁63を開くと、ガスはガス圧力検出部62を介
してガス噴出ノズル61に送られるようにされて
いる。該ノズル61は、その先端がキヤリアC中
に整列されたウエハWより一定距離を保ちながら
ウエハW上を通過するように、搬送装置3に取り
付けられたエアシリンダ64によつてウエハWの
整列方向に移動させられる。
A gas ejection nozzle 61 and a gas pressure detection unit 62 of the counting device 6 of this embodiment are attached to the conveyance device 3, and are, for example, a gas supply source G that supplies gas such as dry N 2 gas at a predetermined pressure Po. When the side valve 63 is opened, gas is sent to the gas ejection nozzle 61 via the gas pressure detection section 62. The nozzle 61 is moved in the alignment direction of the wafers W by an air cylinder 64 attached to the transfer device 3 so that its tip passes over the wafers W while keeping a constant distance from the wafers W aligned in the carrier C. be moved to.

本実施例に於いては、ガス圧力検出部62は、
第1図aに示すように、第一のガス圧力検出装置
A及び第二のガス圧力検出装置Bを有しており、
両検出装置A,Bには、ノズル61内のガス圧力
に比例して撓み量が変化する薄膜A1,B1と、
薄膜A1,B1の撓み量がある設定値以上になる
とONし、それ以下ではOFFとなるマイクロスイ
ツチA2,B2がそれぞれ設けられている。ここ
で、第一のガス圧力検出装置Aのマイクロスイツ
チA2の作動ガス圧力値PAと、第二のガス圧力
検出装置BのマイクロスイツチB2の作動ガス圧
力値PBとの関係は、PA>PBとなるように設定
されている。
In this embodiment, the gas pressure detection section 62 is
As shown in FIG. 1a, it has a first gas pressure detection device A and a second gas pressure detection device B,
Both detection devices A and B include thin films A1 and B1 whose deflection amount changes in proportion to the gas pressure inside the nozzle 61;
Microswitches A2 and B2 are provided, respectively, which are turned on when the amount of deflection of the thin films A1 and B1 exceeds a certain set value, and turned off when the amount of deflection is less than that. Here, the relationship between the working gas pressure value PA of the micro switch A2 of the first gas pressure detecting device A and the working gas pressure value PB of the micro switch B2 of the second gas pressure detecting device B is PA>PB. It is set to be.

第1図aに示すように、マイクロスイツチA
2,B2の一方の電極は、図外の直流定電圧源に
接続されており、他方の電極は、AND回路65
を介してカウンタ67に接続されている。また、
マイクロスイツチA2の他方の電極はカウンタ6
6にも接続されている。
As shown in Figure 1a, micro switch A
2, one electrode of B2 is connected to a DC constant voltage source (not shown), and the other electrode is connected to an AND circuit 65.
It is connected to the counter 67 via. Also,
The other electrode of micro switch A2 is connected to counter 6.
6 is also connected.

例えば、処理工程が終了し、搬送装置3が作動
して、キヤリアCが上昇すると、エアシリンダ6
4が作動して、キヤリアC中に整列されて搭載さ
れたウエハW上を一定の間隔を保つて、ガスを噴
出しているノズル61が図中の矢印の方向に走査
される。この場合、キヤリアC中のウエハのうち
3番目に搭載されていたウエハは破損によりその
全部がキヤリアCより脱落しており、5番目のウ
エハW5は破損していて、長さbだけ部分的に欠
落しているものとする。
For example, when the processing step is completed and the conveyance device 3 is activated and the carrier C is raised, the air cylinder 6
4 is activated, and the nozzles 61 ejecting gas are scanned at a constant interval over the wafers W aligned and mounted in the carrier C in the direction of the arrow in the figure. In this case, the third wafer in carrier C is damaged and has completely fallen from carrier C, and the fifth wafer, W5, is damaged and only a portion of length b is missing. Assume that it is missing.

ここで、ノズル61の開口端がウエハWがない
部分を指向している時には、前述の如く、噴出し
ているガスに対する障害物はないので、ノズル6
1内のガス圧力は供給圧力Poと略同じであるが、
走査の途中に於いて、ノズル61の開口端が健全
なウエハ、例えばウエハW1を指向している時に
は、該ウエハはガスの噴出に対する障害物となる
ので、ノズル61内のガス圧力はPaに上昇する。
一方、ノズル開口端が、部分的に欠落している5
番目のウエハW5を指向するようになつた時は、
該ウエハもガス噴出に対する障害となるのでノズ
ル61内のガス圧力は上昇するが、障害の度合い
は健全なウエハのそれより小さいので、この時の
ノズル内のガス圧力はPb(Pb<Pa)となる。こ
のノズル内のガス圧力とノズル61の走査距離と
の関係を図示すると、第1図bに示すようなパル
ス列となる。
Here, when the opening end of the nozzle 61 is directed toward the part where the wafer W is not present, as described above, there is no obstacle to the ejected gas, so the nozzle 6
The gas pressure in 1 is approximately the same as the supply pressure Po, but
During scanning, when the opening end of the nozzle 61 is pointing toward a healthy wafer, for example, wafer W1, the wafer becomes an obstacle to the gas ejection, so the gas pressure inside the nozzle 61 increases to Pa. do.
On the other hand, the nozzle opening end is partially missing.
When the direction is directed to the th wafer W5,
The wafer also becomes an obstacle to gas ejection, so the gas pressure inside the nozzle 61 increases, but the degree of the obstacle is smaller than that of a healthy wafer, so the gas pressure inside the nozzle at this time is Pb (Pb<Pa). Become. The relationship between the gas pressure within the nozzle and the scanning distance of the nozzle 61 is illustrated as a pulse train as shown in FIG. 1b.

マイクロスイツチA2の作動ガス圧力値PAを、
ガス圧力Paより少し低い値に設定し、マイクロ
スイツチB2の作動ガス圧力値PBを、ガス圧力
Pbより少し低い値に設定しておけば、ノズル6
1が1番目及び2番目のウエハW1,W2の上に
ある時にはノズル内のガス圧力はPaとなるので、
マイクロスイツチA2がONされ、カウンタ66
に信号が送られ、カウンタ66はカウントアツプ
される。ノズル61が3番目のウエハがあつた位
置を指向するようになつても、前述のようにノズ
ル61内のガス圧力は上昇しないのでマイクロス
イツチA2,B2ともOFFのままであり、両カ
ウンタ66,67は作動しない。4番目のウエハ
W4によつて、カウンタ66がカウントアツプさ
れる。部分的に欠落している5番目のウエハW5
の位置では、前述の如く、ノズル内のガス圧力値
はPbまでしか上昇しないので、マイクロスイツ
チB2のみがONし、マイクロスイツチA2は
OFFのままである。従つて、カウンタ67のみ
がカウントアツプされる。6番目のウエハW6に
於いては、カウンタ66がカウントアツプされ
る。以下、同様にして、ノズル61がキヤリアC
全体を走査し終われば、カウンタ66のカウント
値が健全なウエハの枚数であり、カウンタ67の
カウント値は破損が生じて欠落しているウエハの
枚数となる。
The working gas pressure value PA of micro switch A2 is
Set the working gas pressure value PB of micro switch B2 to a value slightly lower than the gas pressure Pa.
If you set it to a value slightly lower than Pb, nozzle 6
When wafer 1 is on top of the first and second wafers W1 and W2, the gas pressure inside the nozzle is Pa, so
Micro switch A2 is turned on and counter 66
A signal is sent to the counter 66, and the counter 66 is counted up. Even when the nozzle 61 is directed to the position where the third wafer was placed, the gas pressure inside the nozzle 61 does not increase as described above, so both microswitches A2 and B2 remain OFF, and both counters 66, 67 does not work. The counter 66 is counted up by the fourth wafer W4. Partially missing 5th wafer W5
At the position, as mentioned above, the gas pressure inside the nozzle only rises to Pb, so only micro switch B2 is turned on, and micro switch A2 is turned on.
It remains OFF. Therefore, only the counter 67 is counted up. For the sixth wafer W6, the counter 66 is incremented. Thereafter, similarly, the nozzle 61 is connected to the carrier C.
When the entire area is scanned, the count value of the counter 66 is the number of healthy wafers, and the count value of the counter 67 is the number of wafers that are damaged and missing.

キヤリアに搭載されたウエハの枚数より、カウ
ントされた健全なウエハの枚数が少なければ、破
損したウエハがあることになるので、その破損ク
ズによつて他のウエハが損害を破るのを防止する
ため、洗浄装置の運転を停止する等の適宜の処置
が採られる。更に、本実施例のカウント装置で
は、破損したウエハの枚数をもカウントすること
ができるので、より適切な処置を採るようにする
ことができる。
If the number of healthy wafers counted is less than the number of wafers loaded on the carrier, it means that there is a damaged wafer, so this is to prevent other wafers from being damaged by the damaged debris. , appropriate measures will be taken, such as stopping the operation of the cleaning equipment. Furthermore, since the counting device of this embodiment can also count the number of damaged wafers, more appropriate measures can be taken.

尚、ウエハには、第5図に示すように、一方の
側に位置決め用のオリエンテーシヨンフラツト
(以下、「OF」という。)7が形成されているのが
通常である。このようなウエハWをキヤリアCに
ランダムに搭載するならば、OF7がノズル61
に向いているウエハとそうでないウエハとが混在
するようになり、そのままの状態で上記のカウン
トを行うならば、OF7がノズルに向いているウ
エハを、破損したウエハとして誤つてカウントし
てしまう恐れがある。これを防止するためには、
例えば、ウエハWをキヤリアCに搭載する際に、
第6図aに示すように、キヤリアCの下部に配さ
れたローラ8をウエハWの端面に接触させながら
回転させると、OF7の位置でローラ8はウエハ
Wと接触しなくなりウエハWは回転しなくなるの
で(第6図b参照)、OF7が上部にある状態のま
までウエハWがキヤリアに搭載されるのを防止す
ることができる。
Incidentally, as shown in FIG. 5, the wafer usually has an orientation flat (hereinafter referred to as "OF") 7 formed on one side for positioning. If such wafers W are loaded randomly on the carrier C, OF7 will be placed in the nozzle 61.
If you continue counting as described above, there is a risk that OF7 will incorrectly count wafers that are facing the nozzle as damaged wafers. There is. To prevent this,
For example, when loading wafer W onto carrier C,
As shown in FIG. 6a, when the roller 8 disposed at the bottom of the carrier C is rotated while contacting the end surface of the wafer W, the roller 8 stops contacting the wafer W at the position OF7 and the wafer W stops rotating. (see FIG. 6b), it is possible to prevent the wafer W from being loaded onto the carrier with the OF7 still at the top.

考案の効果 以上の説明から明らかなように、本考案の装置
は、キヤリアに搭載されたウエハの枚数をカウン
トする際に、ウエハと機械的に接触することがな
いので、ウエハを於損したり、損傷することがな
く、光学的手段は用いていないので、処理液等の
蒸気等に影響されることがなく正確なカウントを
行うことができる。
Effects of the invention As is clear from the above explanation, the device of the invention does not come into mechanical contact with the wafers when counting the number of wafers loaded on the carrier, so it does not damage or damage the wafers. Since there is no damage and no optical means is used, accurate counting can be performed without being affected by vapor of processing liquid or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a,bは本考案の一実施例の説明図、第
2図はこの実施例の使用例の説明図、第3図はキ
ヤリアの一例の斜視図、第4図はこのキヤリアに
ウエハを搭載した状態の斜視図、第5図はウエハ
の平面図、第6図a,bはウエハの配向の仕方の
説明図である。 A……第一のガス圧力検出装置、B……第二の
ガス圧力検出装置、C……キヤリア、G……ガス
供給源、W,W1〜W8……ウエハ、6……ガス
圧力検出部、61……ノズル。
Figures 1a and b are explanatory diagrams of an embodiment of the present invention, Figure 2 is an explanatory diagram of an example of the use of this embodiment, Figure 3 is a perspective view of an example of a carrier, and Figure 4 is a wafer attached to this carrier. FIG. 5 is a plan view of the wafer, and FIGS. 6a and 6b are illustrations of how to orient the wafer. A...First gas pressure detection device, B...Second gas pressure detection device, C...Carrier, G...Gas supply source, W, W1 to W8...Wafer, 6...Gas pressure detection unit , 61... Nozzle.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] キヤリア中に整列されて搭載されたウエハの枚
数をカウントする装置であつて、所定圧力のガス
を噴出しながらウエハの整列方向に走査させられ
るノズルと、該ノズル内のガス圧力を検出する検
出部を備え、検出されたガス圧力の変化に基づい
てキヤリア中のウエハの枚数をカウントするもの
であることを特徴とするキヤリア中のウエハ枚数
カウント装置。
A device that counts the number of wafers aligned and loaded in a carrier, including a nozzle that scans in the wafer alignment direction while ejecting gas at a predetermined pressure, and a detection unit that detects the gas pressure in the nozzle. 1. A device for counting the number of wafers in a carrier, comprising: a device for counting the number of wafers in the carrier based on a detected change in gas pressure.
JP17376485U 1985-11-12 1985-11-12 Expired JPH0316287Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17376485U JPH0316287Y2 (en) 1985-11-12 1985-11-12

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JP17376485U JPH0316287Y2 (en) 1985-11-12 1985-11-12

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Publication Number Publication Date
JPS6282738U JPS6282738U (en) 1987-05-27
JPH0316287Y2 true JPH0316287Y2 (en) 1991-04-08

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