JPH03163743A - 電子分光分析装置 - Google Patents
電子分光分析装置Info
- Publication number
- JPH03163743A JPH03163743A JP1302453A JP30245389A JPH03163743A JP H03163743 A JPH03163743 A JP H03163743A JP 1302453 A JP1302453 A JP 1302453A JP 30245389 A JP30245389 A JP 30245389A JP H03163743 A JPH03163743 A JP H03163743A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- sample holder
- analysis
- electron
- ion gun
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｘ線等の電磁波あるいは電子やイオン等の粒
子を分析試料にあて、分析試料から放出される電子を捕
捉してその電子の持つエネルギー分布等を測定すること
により分析試料の同定等を行う電子分光分析装置に関す
る。
子を分析試料にあて、分析試料から放出される電子を捕
捉してその電子の持つエネルギー分布等を測定すること
により分析試料の同定等を行う電子分光分析装置に関す
る。
従来の電子分光分析装置の概略を第２図に示す。
図示した電子分光分析装置は、分析試料に電子ビームを
照射し、分析試料から放出されるオージ工電子のエネル
ギー分光を行うオージェ電子分光分析装置（ＡＥＳ）で
ある。
照射し、分析試料から放出されるオージ工電子のエネル
ギー分光を行うオージェ電子分光分析装置（ＡＥＳ）で
ある。
図示した装置においては、電子銃１から試料ホルダー２
に保持された分析試料３に電子ビーム５が照射されるよ
うになっており、試料ホルダー２は電子ビーム５に対し
て揺動自在に設けられており、電子ビーム５に対する傾
斜角を自在に調整できるようになっている。したがって
、試料ホルダー２の傾斜角を調整することにより、電子
ビーム５の分析試料３に対する入射角θを自由に調整す
ることができるようになっている。これは、分析試料に
応じて電子ビーム５の入射角θを調整する必要があるか
らである。例えば、導体の分析の際には電子ビーム５の
入射角θは小さくされ、絶縁体の分析の際には入射角θ
は大きくされる。
に保持された分析試料３に電子ビーム５が照射されるよ
うになっており、試料ホルダー２は電子ビーム５に対し
て揺動自在に設けられており、電子ビーム５に対する傾
斜角を自在に調整できるようになっている。したがって
、試料ホルダー２の傾斜角を調整することにより、電子
ビーム５の分析試料３に対する入射角θを自由に調整す
ることができるようになっている。これは、分析試料に
応じて電子ビーム５の入射角θを調整する必要があるか
らである。例えば、導体の分析の際には電子ビーム５の
入射角θは小さくされ、絶縁体の分析の際には入射角θ
は大きくされる。
また、図示したように、この装置には分析試料の表面を
スパッタリングにより削るため、スパッタリング用のイ
オン銃６が設けられており、スパッタリングを行いなが
ら電子分光分析を行うことにより、分析試料の表面ばか
りでなく深層部まで分析を行うことができ、分析試料の
深さ方向の元素分布等を得ることができるようになって
いる。
スパッタリングにより削るため、スパッタリング用のイ
オン銃６が設けられており、スパッタリングを行いなが
ら電子分光分析を行うことにより、分析試料の表面ばか
りでなく深層部まで分析を行うことができ、分析試料の
深さ方向の元素分布等を得ることができるようになって
いる。
しかし、従来のこの種の装置においては、試料ホルダー
２を電子ビーム５に対して傾斜させると、イオン銃６か
ら分析試料３に照射されるイオンビーム７の分析試料３
への入射角φが変化する。この入射角φが変化すると、
スバッタ率も変化するため、スパッタ深さを再現するこ
とが難しくなり、得られた分析結果に深さ方向の誤差を
生じる。
２を電子ビーム５に対して傾斜させると、イオン銃６か
ら分析試料３に照射されるイオンビーム７の分析試料３
への入射角φが変化する。この入射角φが変化すると、
スバッタ率も変化するため、スパッタ深さを再現するこ
とが難しくなり、得られた分析結果に深さ方向の誤差を
生じる。
そこで、上述の事情に鑑み、本発明は深さ方向の誤差の
小さい分析を行い得る電子分光分析装置を提供すること
を目的としている。
小さい分析を行い得る電子分光分析装置を提供すること
を目的としている。
上述の目的を達成するため、本発明による電子分光分析
装置においては、イオン銃が試料ホルダーとの相対的位
置関係を維持しつつ試料ホルダーに連動して試料ホルダ
ーの揺動中心軸のまわりに揺動する構成となっている。
装置においては、イオン銃が試料ホルダーとの相対的位
置関係を維持しつつ試料ホルダーに連動して試料ホルダ
ーの揺動中心軸のまわりに揺動する構成となっている。
このような構成とすることにより、イオン銃から照射さ
れるイオンビームの分析試料への入射角が常に一定に保
たれる。
れるイオンビームの分析試料への入射角が常に一定に保
たれる。
以下、本発明の実施例について第１図を参照しつつ、説
明する。
明する。
第１図は、本発明が適用されたオージェ電子分光分析装
置の概略を示している。この装置においては、分析試料
３の表面を削るために設けられたスパッタリング用のイ
オン銃６が試料ホルダー２の揺動中心軸のまわりに揺動
自在に設けられている。そして、イオン銃６と試料ホル
ダー２とは互いにリンク（図示せず）等により締結され
るなどして、連動するようになっている。したがって、
試料ホルダー２の電子ビーム５に対する傾斜角θを調整
するべく、試料ホルダー２を揺動させると、これに連動
してイオン銃６も試料ホルダー２の揺動中心軸のまわり
に揺動．し、イオン銃６と試料ホルダー２との間の相対
的位置関係は維持されるようになっている。このため、
イオン銃６から分析試料３に照射されるイオンビーム７
の入射角φは試料ホルダー２が揺動しても常に一定に保
たれ、スバッタ率の変化が抑えられる。したがって、ス
バッタ深さの再現性が向上し、分析結果に生ずる深さ方
向の誤差が小さくなる。
置の概略を示している。この装置においては、分析試料
３の表面を削るために設けられたスパッタリング用のイ
オン銃６が試料ホルダー２の揺動中心軸のまわりに揺動
自在に設けられている。そして、イオン銃６と試料ホル
ダー２とは互いにリンク（図示せず）等により締結され
るなどして、連動するようになっている。したがって、
試料ホルダー２の電子ビーム５に対する傾斜角θを調整
するべく、試料ホルダー２を揺動させると、これに連動
してイオン銃６も試料ホルダー２の揺動中心軸のまわり
に揺動．し、イオン銃６と試料ホルダー２との間の相対
的位置関係は維持されるようになっている。このため、
イオン銃６から分析試料３に照射されるイオンビーム７
の入射角φは試料ホルダー２が揺動しても常に一定に保
たれ、スバッタ率の変化が抑えられる。したがって、ス
バッタ深さの再現性が向上し、分析結果に生ずる深さ方
向の誤差が小さくなる。
なお、図示した実施例は、本発明をオージェ電子分光分
析装置に適用した場合のものであるが、本発明はこの他
の電子分光分析装置、例えばＸ線を分析試料に照射して
試料から放出される光電子を捕捉して分析を行うＸ線光
電子分光分析装置等にも適用可能である。
析装置に適用した場合のものであるが、本発明はこの他
の電子分光分析装置、例えばＸ線を分析試料に照射して
試料から放出される光電子を捕捉して分析を行うＸ線光
電子分光分析装置等にも適用可能である。
以上説明したように、本発明によれば、イオン銃から照
射されるイオンビームの分析試料への入射角が、試料ホ
ルダーの傾斜に拘らず常に一定に保たれるので、分析試
料表面のイオンビームによるスパッタ率変化がなくなる
。したがって、スバッタ深さの再現性が向上し、深さ方
向の誤差が小さな分析を行うことが可能となる。
射されるイオンビームの分析試料への入射角が、試料ホ
ルダーの傾斜に拘らず常に一定に保たれるので、分析試
料表面のイオンビームによるスパッタ率変化がなくなる
。したがって、スバッタ深さの再現性が向上し、深さ方
向の誤差が小さな分析を行うことが可能となる。
第１図は本発明の実施例を示した図、第２図は従来の電
子分光分析装置の概略を示した図である。 １・・・電子銃、２・・・試料ホルダー ３・・・分析
試料、５・・・電子ビーム、６・・・イオン銃、７・・
・イオンビーム。
子分光分析装置の概略を示した図である。 １・・・電子銃、２・・・試料ホルダー ３・・・分析
試料、５・・・電子ビーム、６・・・イオン銃、７・・
・イオンビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 分析試料を保持し、分析試料に照射されるビームの照射
方向に対して傾斜自在に揺動する試料ホルダーと、前記
分析試料にイオンを照射してその表面を削るイオン銃と
を備えた電子分光分析装置であって、 前記イオン銃は前記試料ホルダーとの相対的位置関係を
維持しつつ前記試料ホルダーに連動し、前記試料ホルダ
ーの揺動中心軸のまわりに揺動自在に配設されているこ
とを特徴とする電子分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302453A JPH03163743A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電子分光分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302453A JPH03163743A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電子分光分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163743A true JPH03163743A (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=17909120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1302453A Pending JPH03163743A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電子分光分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03163743A (ja) |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1302453A patent/JPH03163743A/ja active Pending
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