JPH03163845A - パターン検査装置 - Google Patents
パターン検査装置Info
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- JPH03163845A JPH03163845A JP30393489A JP30393489A JPH03163845A JP H03163845 A JPH03163845 A JP H03163845A JP 30393489 A JP30393489 A JP 30393489A JP 30393489 A JP30393489 A JP 30393489A JP H03163845 A JPH03163845 A JP H03163845A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術 （第８図）発明が解決しよ
うとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の原理説明 （第１図） 本発明の一実施例 （第２〜７図）発明の効果 〔概要〕 パターン検査装置に関し、 高密度なパターンであっても、最適な許容量にあわせて
検査することができ、疑似欠陥パターンの発生を減少さ
せて真の欠陥パターンを効率良く検査することのできる
パターン検査装置を提供することを目的とし、 所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、該被検査パターンを所定の
検査基準パターンと比較・照合して該検査マスクの検査
を行うパターン検査装置であって、前記検査基準パター
ンを、所定の設計データに基づいて作成された目標パタ
ーンを特定方向に所定のシフト量だけシフトすることに
より作成し、特定方向に所定のシフト量だけシフトして
作成された検査基準パターンと前記被検査パターンとの
内包関係を照合してパターン検査を行うように構威する
。
うとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の原理説明 （第１図） 本発明の一実施例 （第２〜７図）発明の効果 〔概要〕 パターン検査装置に関し、 高密度なパターンであっても、最適な許容量にあわせて
検査することができ、疑似欠陥パターンの発生を減少さ
せて真の欠陥パターンを効率良く検査することのできる
パターン検査装置を提供することを目的とし、 所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、該被検査パターンを所定の
検査基準パターンと比較・照合して該検査マスクの検査
を行うパターン検査装置であって、前記検査基準パター
ンを、所定の設計データに基づいて作成された目標パタ
ーンを特定方向に所定のシフト量だけシフトすることに
より作成し、特定方向に所定のシフト量だけシフトして
作成された検査基準パターンと前記被検査パターンとの
内包関係を照合してパターン検査を行うように構威する
。
本発明は、パターン検査装置に係り、詳しくは半導体製
品製造におけるＬＳＩのパターンの検査に関する。
品製造におけるＬＳＩのパターンの検査に関する。
近年のＬＳＩパターンの微細化、高密度化により特定方
向に対しての設計ルールチェソクが、設計ルール違反と
ならない方向のパターン幅やバターン間隔違反を大量に
検出してしまうといった不具合を招くようになってきい
る。そのため、検査対象と無関係な方向への設計ルール
チェンク検出を適切に防く手段が必要となっている。
向に対しての設計ルールチェソクが、設計ルール違反と
ならない方向のパターン幅やバターン間隔違反を大量に
検出してしまうといった不具合を招くようになってきい
る。そのため、検査対象と無関係な方向への設計ルール
チェンク検出を適切に防く手段が必要となっている。
従来のパターンの設計ルールチェソクの一方法として、
例えば第８図に示すパターン検査装置がある。第８図に
おいて、このパターンの設計ルールチェソク方法ではパ
ターン形成の目標パターンデータ１を、設計ルール許容
値ａ， ｂ （但し、ａ＝ｂ）だけ、パターン寸法をシ
フＩ・させた検査基準パターン（データ）２と被検査対
象パターンの内包関係とを照合検査することにより、設
計ルール違反となるパターン検査を行う検査方法を採用
している。
例えば第８図に示すパターン検査装置がある。第８図に
おいて、このパターンの設計ルールチェソク方法ではパ
ターン形成の目標パターンデータ１を、設計ルール許容
値ａ， ｂ （但し、ａ＝ｂ）だけ、パターン寸法をシ
フＩ・させた検査基準パターン（データ）２と被検査対
象パターンの内包関係とを照合検査することにより、設
計ルール違反となるパターン検査を行う検査方法を採用
している。
しかしながら、このような従来のパターン検査装置にあ
っては、パターン形或の目標パターンデ一夕を単に設計
ルール許容値だけパターン寸法をシフトさせる構成とな
っていたため、実際の設計ルールには、方向により許容
値の異なるルールが多数存在し、より許容値の大きい方
向に合わせて検査するようにすると許容値の小さい方向
のルール違反検出ができず、より許容値の小さい方向に
合わせて検査すると許容値の大きい木来違反とならない
部分まで検出してしまいルール違反パターンの検出が困
難であった。したがって、高密度なパターンにおいては
、小さい許容値に合わせて検査した際の疑似欠陥パター
ンが、大量に検出されてしまい、真の欠陥パターン固定
が困難になるという問題点があった。
っては、パターン形或の目標パターンデ一夕を単に設計
ルール許容値だけパターン寸法をシフトさせる構成とな
っていたため、実際の設計ルールには、方向により許容
値の異なるルールが多数存在し、より許容値の大きい方
向に合わせて検査するようにすると許容値の小さい方向
のルール違反検出ができず、より許容値の小さい方向に
合わせて検査すると許容値の大きい木来違反とならない
部分まで検出してしまいルール違反パターンの検出が困
難であった。したがって、高密度なパターンにおいては
、小さい許容値に合わせて検査した際の疑似欠陥パター
ンが、大量に検出されてしまい、真の欠陥パターン固定
が困難になるという問題点があった。
そこで本発明は、高密度なパターンであっても、最適な
許容値にあわせて検査することかでぎ、疑似欠陥バクー
ンの発生を現象させて真の欠陥バクーンを効率良く検査
することのできるパターン検査装置を提供することを目
的としている。
許容値にあわせて検査することかでぎ、疑似欠陥バクー
ンの発生を現象させて真の欠陥バクーンを効率良く検査
することのできるパターン検査装置を提供することを目
的としている。
本発明によるパターン検査装置は上記目的達或のため、
所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、該被検査パターンを所定の
検査基準パターンと比較・照合して該検査マスクの検査
を行うパターン検査装置であって、前記検査裁準パター
ンを、所定の設計データに基づいて作成された目標パタ
ーンを特定方向に所定のシフ１・量だけシフｌ・するこ
とにより作成し、特定方向に所定のシフト量だけシフト
して作成された検査基準パターンと前記被検査パターン
との内包関係を照合して検査を行うようにしている。
所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、該被検査パターンを所定の
検査基準パターンと比較・照合して該検査マスクの検査
を行うパターン検査装置であって、前記検査裁準パター
ンを、所定の設計データに基づいて作成された目標パタ
ーンを特定方向に所定のシフ１・量だけシフｌ・するこ
とにより作成し、特定方向に所定のシフト量だけシフト
して作成された検査基準パターンと前記被検査パターン
との内包関係を照合して検査を行うようにしている。
本発明では、設計データに基づいて作成された目標パタ
ーン（原パターン）が所定方向（例えば、Ｘ軸方向、Ｙ
軸方向、θ１〜θ７方向）に所定のシフト量だけシフ１
・されて検査基準バクーンが作成され、該検査基準パタ
ーンと被検査パターンとの内包関係が照合される。
ーン（原パターン）が所定方向（例えば、Ｘ軸方向、Ｙ
軸方向、θ１〜θ７方向）に所定のシフト量だけシフ１
・されて検査基準バクーンが作成され、該検査基準パタ
ーンと被検査パターンとの内包関係が照合される。
したがって、設計ルールに合わせた最適なシフト量（許
容量）が設定され、疑似欠陥パターンの発生が大幅に減
少して、真の欠陥パターンが効率良く検査される。
容量）が設定され、疑似欠陥パターンの発生が大幅に減
少して、真の欠陥パターンが効率良く検査される。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
簸理説班
第１図は本発明の原理を説明するための図である。
上記問題点は、特定方向によりシフト量ａ′ｂ’（但し
、ａ′≠ｂ’）を変えた検査基準パターン３を用いて内
包関係を照合検査すれば、解決される。
、ａ′≠ｂ’）を変えた検査基準パターン３を用いて内
包関係を照合検査すれば、解決される。
二尖廠皿
次に、上記原理に基づくパターン検査装置を実施例とし
て説明する。・・第２〜７図は本発明の一実施例を示す
図である。第２図は本方法を実施するためのマスクパタ
ーン検査装置のハード的構威を示す図であり、マスク、
レチクル上に形成されたマスクパターンを検査する場合
の例である。この図において、１１はマスクパターン検
査装置（パターン検査装置）、１２はステージｌ３上に
載置され、マスクパターン１２ａが形成されたマスク（
あるいは、レチクル〉であり、マスクくあるいは、レチ
クル）１２上ムこ形成されたマスクパターン１２ａは、
例えば顕微鏡付き撮像装置からなる画像取得手段１４に
より小領域が拡大されて画像記憶千段１５に取り込まれ
、画像記憶手段１５ではこの小領域の画面を細かい画素
に分け、各画素の白黒を判定した画像情報を記憶する。
て説明する。・・第２〜７図は本発明の一実施例を示す
図である。第２図は本方法を実施するためのマスクパタ
ーン検査装置のハード的構威を示す図であり、マスク、
レチクル上に形成されたマスクパターンを検査する場合
の例である。この図において、１１はマスクパターン検
査装置（パターン検査装置）、１２はステージｌ３上に
載置され、マスクパターン１２ａが形成されたマスク（
あるいは、レチクル〉であり、マスクくあるいは、レチ
クル）１２上ムこ形成されたマスクパターン１２ａは、
例えば顕微鏡付き撮像装置からなる画像取得手段１４に
より小領域が拡大されて画像記憶千段１５に取り込まれ
、画像記憶手段１５ではこの小領域の画面を細かい画素
に分け、各画素の白黒を判定した画像情報を記憶する。
一方、磁気テーブｌ６に記憶されている設計データは磁
気テープ読取千段ｌ７により読み取られ、読み取られた
設計データはデータ変換千段１８により所定の画像デー
タに変換された後、画像シフト千段１９により後述する
第４図に示す処理方法に従ってシフトされて基準パター
ンとして画像記憶手段２０に出力される。画像記憶手段
１５に記憶されている被検査パターンおよび画像記憶千
段２０に記憶されている基準パターンは欠陥検出判断手
段（パターン比較手段）２ｌに出力され、欠陥検出判断
千段２１ではパターン座標位、置制御手段２２からの出
力に従って基準パターンと被検査パターンとの比較照合
処理を行う。パターン座標位置制御手段２２はステージ
１３、磁気テープ読取手段１７および欠陥検出判断千段
２ｌに所定の制御信号を出力してこれらを制御し、パタ
ーン座標位置を制御する。
気テープ読取千段ｌ７により読み取られ、読み取られた
設計データはデータ変換千段１８により所定の画像デー
タに変換された後、画像シフト千段１９により後述する
第４図に示す処理方法に従ってシフトされて基準パター
ンとして画像記憶手段２０に出力される。画像記憶手段
１５に記憶されている被検査パターンおよび画像記憶千
段２０に記憶されている基準パターンは欠陥検出判断手
段（パターン比較手段）２ｌに出力され、欠陥検出判断
千段２１ではパターン座標位、置制御手段２２からの出
力に従って基準パターンと被検査パターンとの比較照合
処理を行う。パターン座標位置制御手段２２はステージ
１３、磁気テープ読取手段１７および欠陥検出判断千段
２ｌに所定の制御信号を出力してこれらを制御し、パタ
ーン座標位置を制御する。
次に、作用を説明するが、まず、検査基準パターンと被
検査対象パターンとの内包関係について述べる。
検査対象パターンとの内包関係について述べる。
本実施例におけるパターン形或の検査方法は、第３図に
示すように被検査対象パターン（パターンＡ）を特定方
向〈例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）ヘシフト（拡大縮
小）させた検査基準パターン（パターンＢ）を作成し、
この検査基準パターン（パターンＢ）と被検査対象パタ
ーン（パターンＡ）との互いの内包関係を照合検査する
。すなわち、第３図のパターンＡはパターンＢよりは大
きくては不適合な場合の例を示す図であり、この図にお
いて、被検査対象パターン（パターンＡ）のＸ軸方向の
長さ（幅）をＷＡ，Ｙ軸方向の長さ（高さ）をｌＡ，基
準パターン（パターンＢ）のＸ軸方向の長さ（幅）をＷ
．，Ｙ軸方向の長さ（高さ）をｌＢとし、Ｘ軸方向（片
側）、Ｙ軸方向く片側〉の許容値をそれぞれΔＸ、Δｙ
とすると、 ＷＢ≧ｗａ＋２ΔＸのとき、 →パターンＡはパターンＢに内包され、正パターン（Ｘ
方向ルール）となり、 ＷＢ ＜ＷＡ ＋２ΔＸのとき、 →パターンＡはパターンＢに内包されず、欠陥パターン
（Ｘ方向ルール）となる。
示すように被検査対象パターン（パターンＡ）を特定方
向〈例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）ヘシフト（拡大縮
小）させた検査基準パターン（パターンＢ）を作成し、
この検査基準パターン（パターンＢ）と被検査対象パタ
ーン（パターンＡ）との互いの内包関係を照合検査する
。すなわち、第３図のパターンＡはパターンＢよりは大
きくては不適合な場合の例を示す図であり、この図にお
いて、被検査対象パターン（パターンＡ）のＸ軸方向の
長さ（幅）をＷＡ，Ｙ軸方向の長さ（高さ）をｌＡ，基
準パターン（パターンＢ）のＸ軸方向の長さ（幅）をＷ
．，Ｙ軸方向の長さ（高さ）をｌＢとし、Ｘ軸方向（片
側）、Ｙ軸方向く片側〉の許容値をそれぞれΔＸ、Δｙ
とすると、 ＷＢ≧ｗａ＋２ΔＸのとき、 →パターンＡはパターンＢに内包され、正パターン（Ｘ
方向ルール）となり、 ＷＢ ＜ＷＡ ＋２ΔＸのとき、 →パターンＡはパターンＢに内包されず、欠陥パターン
（Ｘ方向ルール）となる。
また、ｌＢ≧ＡＡ＋２Δｙのとき、
峠パターンＡはパターンＢに内包され、正パターン（Ｙ
方向ルール）となり、 ａＢ＜ＡＡ＋２Δｙのとき、 峠パターンＡはパターンＢに内包されず、欠陥パターン
（Ｙ方向ルール）となる。
方向ルール）となり、 ａＢ＜ＡＡ＋２Δｙのとき、 峠パターンＡはパターンＢに内包されず、欠陥パターン
（Ｙ方向ルール）となる。
第４図は画像シフト手段１９で処理ざれる基準パ１０
ターン作戒のプログラムを示すフローチャートであり、
本フローにより第５図に示す基準パターンを作或する。
本フローにより第５図に示す基準パターンを作或する。
図中、Ｐ Ｉ””’ Ｐ ｓはフローの各ステップを示
しており、ステップＰ１からステップＰ４までの処理順
序は任意である。まず、基準パターン作或プログラムが
スタートすると、Ｐ１で設計品種のマスクパターンレイ
アウト設計のため、基準のパターン幅、パターン間隔の
許容値より、Ｘ軸方向パターンシフトを設定し（Ｘ軸方
向パターンシフト値設定）、Ｐ２で設計品種のマスクパ
ターンレイアウト設計のため、基準のパターン幅、パタ
ーン間隔の許容値より、Ｙ軸方向パターンシフトを設定
する（Ｙ軸方向パターンシフト値設定）。
しており、ステップＰ１からステップＰ４までの処理順
序は任意である。まず、基準パターン作或プログラムが
スタートすると、Ｐ１で設計品種のマスクパターンレイ
アウト設計のため、基準のパターン幅、パターン間隔の
許容値より、Ｘ軸方向パターンシフトを設定し（Ｘ軸方
向パターンシフト値設定）、Ｐ２で設計品種のマスクパ
ターンレイアウト設計のため、基準のパターン幅、パタ
ーン間隔の許容値より、Ｙ軸方向パターンシフトを設定
する（Ｙ軸方向パターンシフト値設定）。
次イで、Ｐ３で設計品種のマスクパターンレイアウト設
計のため、基準のパターン幅、パターン間隔の許容値よ
り、θ１方向パターンシフトを設定し（θ１方向パター
ンシフト値設定）、Ｐ４で設計品種のマスクパターンレ
イアウト設計のかめ、基準のパターン幅、パターン間隔
の許容値より、θ、方向パターンシフトを設定する（θ
７方向パ１１ ？ーンシフト値設定）。本実施例では、変換前の原パタ
ーンには第５図（ａ）に示すようにＸ軸方向パターンシ
フト値、Ｙ軸方向パターンシフト値の他にθ１方向パタ
ーンシフト値しか必要なく、実際にはステップＰ４の処
理は不要である。次いで、Ｐ５で第５図（ｂ）に示すよ
うにパターン構威線分の垂直方向へのパターンシフト値
による各線分パターンシフト処理により得られる直線を
用いてパターンへの変換処理（パターンシフト処理）を
行って基準パターン作或を終了する。これにより、変換
後に第５図（Ｃ）に示すような基準パターンが作成され
る。
計のため、基準のパターン幅、パターン間隔の許容値よ
り、θ１方向パターンシフトを設定し（θ１方向パター
ンシフト値設定）、Ｐ４で設計品種のマスクパターンレ
イアウト設計のかめ、基準のパターン幅、パターン間隔
の許容値より、θ、方向パターンシフトを設定する（θ
７方向パ１１ ？ーンシフト値設定）。本実施例では、変換前の原パタ
ーンには第５図（ａ）に示すようにＸ軸方向パターンシ
フト値、Ｙ軸方向パターンシフト値の他にθ１方向パタ
ーンシフト値しか必要なく、実際にはステップＰ４の処
理は不要である。次いで、Ｐ５で第５図（ｂ）に示すよ
うにパターン構威線分の垂直方向へのパターンシフト値
による各線分パターンシフト処理により得られる直線を
用いてパターンへの変換処理（パターンシフト処理）を
行って基準パターン作或を終了する。これにより、変換
後に第５図（Ｃ）に示すような基準パターンが作成され
る。
第６図は欠陥検出判断千段２１で処理される欠陥検出の
プログラムを示すフローチャートである。
プログラムを示すフローチャートである。
まず、Ｐ．で第７図（ａ）に示すように基準パターンと
被検査パターンとの比較照合処理を行い、Ｐ１■でパタ
ーン間の照合により、被検査パターンが基準パターンに
内包されない線分座標値を検出（欠陥検出）する。次い
で、ＰＩ３で検出された欠陥座標の集合において直線線
分をなす集合の線分１２ 両端座標値を検出し、Ｐｌ４で欠陥線分の表示を行うと
ともに、欠陥線分両端座標値等の欠陥画像、データを出
力して処理を終える。これにより、第７図（ｂ）の大実
線に示すような欠陥となるパターン構或線分が検出され
る。
被検査パターンとの比較照合処理を行い、Ｐ１■でパタ
ーン間の照合により、被検査パターンが基準パターンに
内包されない線分座標値を検出（欠陥検出）する。次い
で、ＰＩ３で検出された欠陥座標の集合において直線線
分をなす集合の線分１２ 両端座標値を検出し、Ｐｌ４で欠陥線分の表示を行うと
ともに、欠陥線分両端座標値等の欠陥画像、データを出
力して処理を終える。これにより、第７図（ｂ）の大実
線に示すような欠陥となるパターン構或線分が検出され
る。
以上述べたように、ＩＣ，ＬＳＩのパターンの設計ルー
ルチェンクにおいて、原パターンを特定方向（本実施例
ではＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ，方向）にそれぞれ所定の
シフト値だけシフトさせて検査基準パターンを作成し、
特定方向によりパターン寸法シフトｉｔの異なる検査基
準パターンと被検査対象パターンとの内包関係を照合検
査するようにしている。したがって、方向により許容値
の異なる設計ルールが多数存在する場合であっても、そ
れぞれの方向に合わせて最適なシフトＮ（許容値）を設
定することができ、許容値の大小によるルール違反パタ
ーンの検出の可否および精度の低下を防止することがで
きる。特に、高密度なパターンを検査する場合に際し、
小さい許容値に合わせて検査した際に疑似欠陥のパター
ンが、大量に１３ 検出されてしまい、真の欠陥パターン固定が困難となる
といった不具合が解消される。その結果、パターン検査
の効率化が図れ、検査時間の大幅な短縮が可能になる。
ルチェンクにおいて、原パターンを特定方向（本実施例
ではＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ，方向）にそれぞれ所定の
シフト値だけシフトさせて検査基準パターンを作成し、
特定方向によりパターン寸法シフトｉｔの異なる検査基
準パターンと被検査対象パターンとの内包関係を照合検
査するようにしている。したがって、方向により許容値
の異なる設計ルールが多数存在する場合であっても、そ
れぞれの方向に合わせて最適なシフトＮ（許容値）を設
定することができ、許容値の大小によるルール違反パタ
ーンの検出の可否および精度の低下を防止することがで
きる。特に、高密度なパターンを検査する場合に際し、
小さい許容値に合わせて検査した際に疑似欠陥のパター
ンが、大量に１３ 検出されてしまい、真の欠陥パターン固定が困難となる
といった不具合が解消される。その結果、パターン検査
の効率化が図れ、検査時間の大幅な短縮が可能になる。
本発明によれば、高密度なパターンであっても、最適な
許容値にあわせて検査することができ、疑似欠陥パター
ンの発生を減少させて真の欠陥パターンを効率良く検査
することができる。
許容値にあわせて検査することができ、疑似欠陥パター
ンの発生を減少させて真の欠陥パターンを効率良く検査
することができる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２〜７図は本発明に係るパターン検査装置の一実施例
を示す図であり、 第２図はそのマスクパターン検査装置の構或図、第３図
はその検査基準パターンと被検査対象パターンとの内包
関係を説明するための図、第４図はその基準パターン作
成のプログラムを示すフローチャート、 ｌ４ 第５図はその基準パターン作成例を示す図、第６図はそ
の欠陥パターン検出のプログラムを示すフローチャ−１
・、 第７図はその欠陥パターン検出例を示す図、第８図は従
来のパターン検査装置を示す図である。 １１・・・・・・マスクパターン検査装置査装置）、 Ｉ２・・・・・・マスク、 １２ａ・・・・・・マスクパターン、 １３・・・・・・ステージ、 １４・・・・・一画像取得手段、 １５・・・・・・画像記憶手段、 １６・・・・・・磁気テープ、 １７・・・・・・磁気テープ読取手段、１８・・・・・
・データ変換手段、 １９・・・・・・画像シフト手段、 ２０・・・・−・画像記憶手段、 ２１・・・・・・欠陥検出判断手段、 （パターン検 １５ ２２−・・・・・パターン座標位置制御手段。 ｌ６ 特開平３ １６３８４５ （７） （ａ） 口：基準パターン 匝』：被検査パターン （ｂ） 一二欠陥となるパターン構戒線分 一実施例の欠陥パターン検出例を示す図第７図 一’；）７，Ｉｉ− ａ＝ｂ 従来のパターン検査装置を示す図 第８図
を示す図であり、 第２図はそのマスクパターン検査装置の構或図、第３図
はその検査基準パターンと被検査対象パターンとの内包
関係を説明するための図、第４図はその基準パターン作
成のプログラムを示すフローチャート、 ｌ４ 第５図はその基準パターン作成例を示す図、第６図はそ
の欠陥パターン検出のプログラムを示すフローチャ−１
・、 第７図はその欠陥パターン検出例を示す図、第８図は従
来のパターン検査装置を示す図である。 １１・・・・・・マスクパターン検査装置査装置）、 Ｉ２・・・・・・マスク、 １２ａ・・・・・・マスクパターン、 １３・・・・・・ステージ、 １４・・・・・一画像取得手段、 １５・・・・・・画像記憶手段、 １６・・・・・・磁気テープ、 １７・・・・・・磁気テープ読取手段、１８・・・・・
・データ変換手段、 １９・・・・・・画像シフト手段、 ２０・・・・−・画像記憶手段、 ２１・・・・・・欠陥検出判断手段、 （パターン検 １５ ２２−・・・・・パターン座標位置制御手段。 ｌ６ 特開平３ １６３８４５ （７） （ａ） 口：基準パターン 匝』：被検査パターン （ｂ） 一二欠陥となるパターン構戒線分 一実施例の欠陥パターン検出例を示す図第７図 一’；）７，Ｉｉ− ａ＝ｂ 従来のパターン検査装置を示す図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、 該被検査パターンを所定の検査基準パターンと比較・照
合して該検査マスクの検査を行うパターン検査装置であ
って、 前記検査基準パターンを、所定の設計データに基づいて
作成された目標パターンを特定方向に所定のシフト量だ
けシフトすることにより作成し、特定方向に所定のシフ
ト量だけシフトして作成された検査基準パターンと前記
被検査パターンとの内包関係を照合してパターン検査を
行うようにしたことを特徴とするパターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30393489A JPH03163845A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | パターン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30393489A JPH03163845A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | パターン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163845A true JPH03163845A (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=17927044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30393489A Pending JPH03163845A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | パターン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03163845A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132129A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置 |
| JPS62261048A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-13 | Omron Tateisi Electronics Co | プリント基板検査装置 |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP30393489A patent/JPH03163845A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132129A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置 |
| JPS62261048A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-13 | Omron Tateisi Electronics Co | プリント基板検査装置 |
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