JPH03164491A - ガーネット型フェライト単結晶の製造方法 - Google Patents
ガーネット型フェライト単結晶の製造方法Info
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- JPH03164491A JPH03164491A JP10319590A JP10319590A JPH03164491A JP H03164491 A JPH03164491 A JP H03164491A JP 10319590 A JP10319590 A JP 10319590A JP 10319590 A JP10319590 A JP 10319590A JP H03164491 A JPH03164491 A JP H03164491A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
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- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
- H01F1/346—[(TO4) 3] with T= Si, Al, Fe, Ga
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、多結晶体に種単結晶を接合して熱処理するこ
とにより多結晶体を単結晶化するガーネット型フェライ
ト単結晶の製造方法に関し、特に光アイソレークなどの
磁気光学素子として使用するガーネット型フェライト単
結晶の製造方法に関するものである。
とにより多結晶体を単結晶化するガーネット型フェライ
ト単結晶の製造方法に関し、特に光アイソレークなどの
磁気光学素子として使用するガーネット型フェライト単
結晶の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
ガーネット型フェライトは、Ｙ：３７゜５モル％、Ｆｅ
：６２．５モル％を主な組成とし、必要に応じてＹの
一部およびＦｅの一部を置換した組成として知られてい
る。磁気光学素子として使用するガーネット型フェライ
ト結晶としては、多結晶体は粒界に気孔等が残存し光を
通しにくいため、単結晶体を使用していた。
：６２．５モル％を主な組成とし、必要に応じてＹの
一部およびＦｅの一部を置換した組成として知られてい
る。磁気光学素子として使用するガーネット型フェライ
ト結晶としては、多結晶体は粒界に気孔等が残存し光を
通しにくいため、単結晶体を使用していた。
従来、ガーネット型フェライト単結晶体を得る方法とし
て、多結晶体に種単結晶を接合して熱処理することによ
り、同相反応を利用して多結晶体を単結晶化し、ガーネ
ット型フェライト単結晶体を製造する方法が、特公昭６
１−１３９１号公報および特開昭６３−３５４９０号公
報において知られている。
て、多結晶体に種単結晶を接合して熱処理することによ
り、同相反応を利用して多結晶体を単結晶化し、ガーネ
ット型フェライト単結晶体を製造する方法が、特公昭６
１−１３９１号公報および特開昭６３−３５４９０号公
報において知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した単結晶の製造方法においては、
鉄の含有量（一部鉄以外の組成と置換したときは鉄に換
算した値）が目標値である６２．５モル％より多い組成
では、単結晶中に酸化鉄の第２相が残留してしまう問題
があった。また、イツトリウムの含有量（一部イットリ
ウム以外の組成と置換したときはイツトリウムに換算し
た値）が目標値である３７．５モル％より多い組成では
、単結晶が成長しないという問題もあった。そのため、
このような場合は、安定した単結晶の育成を実施するこ
とができなかった。
鉄の含有量（一部鉄以外の組成と置換したときは鉄に換
算した値）が目標値である６２．５モル％より多い組成
では、単結晶中に酸化鉄の第２相が残留してしまう問題
があった。また、イツトリウムの含有量（一部イットリ
ウム以外の組成と置換したときはイツトリウムに換算し
た値）が目標値である３７．５モル％より多い組成では
、単結晶が成長しないという問題もあった。そのため、
このような場合は、安定した単結晶の育成を実施するこ
とができなかった。
本発明の目的は上述した課題を解消して、安定した単結
晶育成が可能なガーネット型フェライト単結晶の製造方
法を提供しようとするものである。
晶育成が可能なガーネット型フェライト単結晶の製造方
法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明のガーネット型フェライト単結晶の製造方法は、
多結晶体に種単結晶を接合して熱処理することにより、
多結晶体を単結晶化するガーネット型フェライト単結晶
の製造方法において、多結晶体の組成を目標値に対して
±０．１モル％以下に制御することを特徴とするもので
ある。
多結晶体に種単結晶を接合して熱処理することにより、
多結晶体を単結晶化するガーネット型フェライト単結晶
の製造方法において、多結晶体の組成を目標値に対して
±０．１モル％以下に制御することを特徴とするもので
ある。
ここで、ガーネット型フェライトとは、一般式Ａ３Ｂ６
０１２で表され、ＡとしてはＹ、希土類元素（Ｌａ、
Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｐｍ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｇ
ｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ。
０１２で表され、ＡとしてはＹ、希土類元素（Ｌａ、
Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｐｍ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｇ
ｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ。
Ｅｒ、 Ｔｍ、 Ｙｂ、 Ｌｕ）、 Ｂｉ、 Ｃａ、
Ｐｂ等を、ＢとしてはＦｅを基本元素として、ＡＡ、
Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｚｒ、 Ｔｉ。
Ｐｂ等を、ＢとしてはＦｅを基本元素として、ＡＡ、
Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｚｒ、 Ｔｉ。
Ｇｅ＋ Ｖｔ Ｓｂ、Ｓｃ等を含むものである。
また、ここでいう目標値とは、ガーネットの結晶構造（
組成）のＡ３Ｂ５Ｏ□２におけるＡ：Ｂ＝３７．５０：
６２．５０を示すものである。Ａに含まれる元素のモル
数の和とＢに含まれる元素のモル数の和が、この目標値
に近い場合のみガーネット単一相のものが得られ、それ
以外では第２相が存在する。即ち、固溶範囲が非常に狭
い。
組成）のＡ３Ｂ５Ｏ□２におけるＡ：Ｂ＝３７．５０：
６２．５０を示すものである。Ａに含まれる元素のモル
数の和とＢに含まれる元素のモル数の和が、この目標値
に近い場合のみガーネット単一相のものが得られ、それ
以外では第２相が存在する。即ち、固溶範囲が非常に狭
い。
（作 用）
上述した構成において、多結晶体の組成を、それぞれ目
標値に対して±０．１モル％以下好ましくは±０．０５
モル％以下に制御することにより、多結晶体に種単結晶
を接合して熱処理することによる固相反応により単結晶
を得る・場合に、酸化鉄の第２相の残留もなく、単結晶
の育成の成長距離が良好なガーネット型フェライト単結
晶を得ることができることを見出したことによる。
標値に対して±０．１モル％以下好ましくは±０．０５
モル％以下に制御することにより、多結晶体に種単結晶
を接合して熱処理することによる固相反応により単結晶
を得る・場合に、酸化鉄の第２相の残留もなく、単結晶
の育成の成長距離が良好なガーネット型フェライト単結
晶を得ることができることを見出したことによる。
その際、組成制御の方法として、２種類の組成の近似し
て異なるガーネット型フェライト粉末、すなわちある元
素の含有量が多い粉末と少ない粉末を、そのうちの一方
は目標とする組成より高く他の一方が低いフェライト粉
末を所定比で混合すると、本発明で目標とする±０．１
０％程度の精度をより簡単に達成できるため好ましい。
て異なるガーネット型フェライト粉末、すなわちある元
素の含有量が多い粉末と少ない粉末を、そのうちの一方
は目標とする組成より高く他の一方が低いフェライト粉
末を所定比で混合すると、本発明で目標とする±０．１
０％程度の精度をより簡単に達成できるため好ましい。
なお、上記調合補正のほかに、工程の安定化等により上
記精度に組成を制御できる場合はその方法でも組成制御
できる。
記精度に組成を制御できる場合はその方法でも組成制御
できる。
また、熱処理を熱間静水圧プレス処理（以下、ＨＩＰ又
はＨＩＰ処理と記す）で行うと、さらに安定した単結晶
育成が可能になるため好ましいとともに、酸素を含む雰
囲気ガス好ましくは酸素を０．１％以上２０％以下含有
する雰囲気ガス中で熱処理すると、ガーネットの分解溶
融温度が上昇するためより焼結温度も高くでき焼結しや
すくなり、さらに各組成が分解しにく（なり他の相の発
生を防止できるため好ましい。
はＨＩＰ処理と記す）で行うと、さらに安定した単結晶
育成が可能になるため好ましいとともに、酸素を含む雰
囲気ガス好ましくは酸素を０．１％以上２０％以下含有
する雰囲気ガス中で熱処理すると、ガーネットの分解溶
融温度が上昇するためより焼結温度も高くでき焼結しや
すくなり、さらに各組成が分解しにく（なり他の相の発
生を防止できるため好ましい。
なお、ここで光吸収係数αは、以下の式より得ることが
できる。
できる。
■０
ここで Ｉｏ：入射光の強度（反射を除く）■ ＝出射
光の強度 ｌ ：多結晶体の厚さ（ｃｍ） である。
光の強度 ｌ ：多結晶体の厚さ（ｃｍ） である。
（実施例）
以下、本発明について詳細に説明する。
まず、原料となるガーネット型フェライト粉末の製造法
について説明する。本発明においては所定組成のガーネ
ット型フェライト粉末が得られればどのような製造法で
あっても問題はないが、特に以下に述べる共沈法による
２方法が好ましい。
について説明する。本発明においては所定組成のガーネ
ット型フェライト粉末が得られればどのような製造法で
あっても問題はないが、特に以下に述べる共沈法による
２方法が好ましい。
すなわち、（１）少なくとも２価の鉄イオンとイツトリ
ウムまたは希土類金属イオンを含む混合水溶液から、塩
基により水酸化物を共沈させ、次いで鉄を３価に酸化し
つつ共沈物を合成した後、分離・乾燥・仮焼する方法、
および（２）少なくとも３価の硝酸鉄とイツトリウムま
たは希土類金属の硝酸塩を含む混合水溶液を原料とし、
この金属塩混合水溶液を塩基の水溶液中に滴下すること
により水酸化物を共沈させた後、分離・乾燥・仮焼する
方法が好ましい。
ウムまたは希土類金属イオンを含む混合水溶液から、塩
基により水酸化物を共沈させ、次いで鉄を３価に酸化し
つつ共沈物を合成した後、分離・乾燥・仮焼する方法、
および（２）少なくとも３価の硝酸鉄とイツトリウムま
たは希土類金属の硝酸塩を含む混合水溶液を原料とし、
この金属塩混合水溶液を塩基の水溶液中に滴下すること
により水酸化物を共沈させた後、分離・乾燥・仮焼する
方法が好ましい。
次に、このようにして得られた粉末を目標値に対して±
０．１０モル％以下好ましくは±０．０５モル％以下と
なるよう制御する。本発明においては、その精度が目標
値の±０．ｌＯモル％以下となるよう調合できればどの
ような方法でもよいが、以下に述べる調合補正方法が好
ましい。すなわち、例えばＹ３Ｆ２５０１ｚの結晶でＹ
３７．５モル％、 Ｆｅ６２．５モル％の組成を目標と
した場合について説明する。この場合は、粉末Ａ （Ｙ
３８モル％＋ Ｆｅ６２モル％）と粉末Ｂ （Ｙ３７モ
ル％、 Ｆｅ６３モル％）を準備し、この粉末Ａと粉末
Ｂを割合を変えて混合することにより、目標値（Ｙ３７
．５モル％、 Ｆｅ６２．５モル％）に対してそれぞれ
の値のずれが±０．０５モル％の範囲に入るように制御
している。粉末Ａと粉末Ｂとのモル％の差は出来るだけ
小さい方が望ましい。差が大きいと粉末特性が大きく異
なり成形性、焼結性が良くないことが考えられる。調合
補正のような工程をとらない場合、工程中の組成変動要
因、特に粉砕工程での鉄分の混合やビスマス置換体では
仮焼によるビスマス成分の揮発のため±０．１０モル％
以下での組成制御は難しい。
０．１０モル％以下好ましくは±０．０５モル％以下と
なるよう制御する。本発明においては、その精度が目標
値の±０．ｌＯモル％以下となるよう調合できればどの
ような方法でもよいが、以下に述べる調合補正方法が好
ましい。すなわち、例えばＹ３Ｆ２５０１ｚの結晶でＹ
３７．５モル％、 Ｆｅ６２．５モル％の組成を目標と
した場合について説明する。この場合は、粉末Ａ （Ｙ
３８モル％＋ Ｆｅ６２モル％）と粉末Ｂ （Ｙ３７モ
ル％、 Ｆｅ６３モル％）を準備し、この粉末Ａと粉末
Ｂを割合を変えて混合することにより、目標値（Ｙ３７
．５モル％、 Ｆｅ６２．５モル％）に対してそれぞれ
の値のずれが±０．０５モル％の範囲に入るように制御
している。粉末Ａと粉末Ｂとのモル％の差は出来るだけ
小さい方が望ましい。差が大きいと粉末特性が大きく異
なり成形性、焼結性が良くないことが考えられる。調合
補正のような工程をとらない場合、工程中の組成変動要
因、特に粉砕工程での鉄分の混合やビスマス置換体では
仮焼によるビスマス成分の揮発のため±０．１０モル％
以下での組成制御は難しい。
次に、調合補正の終了したガーネット型フェライト粉末
を所定形状に成形した後、焼成し、ガーネット型フェラ
イト多結晶体を得ることができる。
を所定形状に成形した後、焼成し、ガーネット型フェラ
イト多結晶体を得ることができる。
その後、得られたガーネット型フェライト多結晶体から
単結晶体を得るには、固相反応による方法、その−例と
して例えば本願人による特開昭６３−３５４９０号公報
に開示された単結晶ガーネット体の製造法が好適に使用
できる。
単結晶体を得るには、固相反応による方法、その−例と
して例えば本願人による特開昭６３−３５４９０号公報
に開示された単結晶ガーネット体の製造法が好適に使用
できる。
以下、実際の例について説明する。
実施例１
硫酸鉄、硝酸イツトリウムを出発原料とする共沈法によ
り、２種類の合成粉末Ａ（モル比でＦｅ ： Ｙ＝６２
．Ｏ： ３８．０）およびＢ（モル比でＦｅ：Ｙ＝
６３． Ｏ二３７． Ｏ）を製造し、これらの粉末を以
下に述べるように混合比を変えて調合補正することによ
りＹ３ＦｅｓＯ＋２を目標組成とした。
り、２種類の合成粉末Ａ（モル比でＦｅ ： Ｙ＝６２
．Ｏ： ３８．０）およびＢ（モル比でＦｅ：Ｙ＝
６３． Ｏ二３７． Ｏ）を製造し、これらの粉末を以
下に述べるように混合比を変えて調合補正することによ
りＹ３ＦｅｓＯ＋２を目標組成とした。
すなわち、合成粉末ＡおよびＢを乾燥弓２００°Ｃで仮
焼・粉砕後、２種の粉末を第１表に示す割合で湿式混合
した後乾燥した。これらの混合粉末を成形し、１４００
℃で８時間焼成した。焼成後の成形体を５ ｍｍ Ｘ
１０＋＋＋ｍ Ｘ １０ｍｍのブロックに切り出し、Ｙ
ａＦｅｓＯ＋□単結晶から作製した種単結晶を接合し、
常圧で酸素雰囲気、１５００ａｔｍのＨＩＰでＡｒ雰囲
気および１５００ａｔｍのＨＩＰで２０％酸素雰囲気で
それぞれ１５００°Ｃにおいて単結晶育成を行った。
焼・粉砕後、２種の粉末を第１表に示す割合で湿式混合
した後乾燥した。これらの混合粉末を成形し、１４００
℃で８時間焼成した。焼成後の成形体を５ ｍｍ Ｘ
１０＋＋＋ｍ Ｘ １０ｍｍのブロックに切り出し、Ｙ
ａＦｅｓＯ＋□単結晶から作製した種単結晶を接合し、
常圧で酸素雰囲気、１５００ａｔｍのＨＩＰでＡｒ雰囲
気および１５００ａｔｍのＨＩＰで２０％酸素雰囲気で
それぞれ１５００°Ｃにおいて単結晶育成を行った。
その後、得られたガーネット型フェライト単結晶の接合
面からの成長距離と第２相が存在するか否かを調べた。
面からの成長距離と第２相が存在するか否かを調べた。
結果を第１表に示す。第１表には、あわせて各試料の目
標値に対する制御の結果を示す。
標値に対する制御の結果を示す。
第１表の結果から、固相反応を利用した単結晶の育成に
おいて、多結晶体の調合補正により組成を目標値に対し
て±０．１モル％以下に制御した場合は、いずれの雰囲
気においても単結晶の育成距離が長（また第２相が存在
せず、安定した単結晶育成が可能なことがわかった。な
お、ＨＩＰにより育成した単結晶は、密度９９．９９％
以上で磁気光学単結晶特有の磁区の迷図パターンの認め
られる結晶性のよいものであった。なおこ・の単結晶は
、１．３．ｃｚｍの波長でファラデー回転角２００ｄｅ
ｇ／ｃｍ ％吸収係数は、Ａｒ雰囲気では１．２ｃｍ’
、０２雰囲気では０．５ｃｍ”−’であった。これに対
し、鉄過剰では、酸化鉄を主成分とする第２相が生成し
、鉄不足では単結晶が成長しなかった。
おいて、多結晶体の調合補正により組成を目標値に対し
て±０．１モル％以下に制御した場合は、いずれの雰囲
気においても単結晶の育成距離が長（また第２相が存在
せず、安定した単結晶育成が可能なことがわかった。な
お、ＨＩＰにより育成した単結晶は、密度９９．９９％
以上で磁気光学単結晶特有の磁区の迷図パターンの認め
られる結晶性のよいものであった。なおこ・の単結晶は
、１．３．ｃｚｍの波長でファラデー回転角２００ｄｅ
ｇ／ｃｍ ％吸収係数は、Ａｒ雰囲気では１．２ｃｍ’
、０２雰囲気では０．５ｃｍ”−’であった。これに対
し、鉄過剰では、酸化鉄を主成分とする第２相が生成し
、鉄不足では単結晶が成長しなかった。
実施例２
硝酸ビスマス、硝酸鉄、硝酸イツトリウムを出発原料と
する共沈法により、２種類の合成粉末Ａ（モル比でＢｉ
：Ｆｅ：Ｙ ＝ １２．０：６２．５：２５．０）及び
Ｂ（モル比でＢｉ：Ｆｅ：Ｙ ＝ １３．０：６２．５
：２５．０）を製造し、これらの粉末を以下に述べるよ
うに混合比を変えて調合補正することによりＢｉＹｚＦ
ｅｓＯ＋ｚ（Ｂｉ １２．５モル％、Ｆｅ６２．５モル
％、Ｙ２５．０モル％）を目標組成とした。
する共沈法により、２種類の合成粉末Ａ（モル比でＢｉ
：Ｆｅ：Ｙ ＝ １２．０：６２．５：２５．０）及び
Ｂ（モル比でＢｉ：Ｆｅ：Ｙ ＝ １３．０：６２．５
：２５．０）を製造し、これらの粉末を以下に述べるよ
うに混合比を変えて調合補正することによりＢｉＹｚＦ
ｅｓＯ＋ｚ（Ｂｉ １２．５モル％、Ｆｅ６２．５モル
％、Ｙ２５．０モル％）を目標組成とした。
すなわち、合成粉末ＡおよびＢを乾燥８００℃で仮焼・
粉砕後、２種の粉末を第１表に示す割合で湿式混合した
後乾燥した。これらの混合粉末を成形し、９５０℃で１
０時間焼成した。
粉砕後、２種の粉末を第１表に示す割合で湿式混合した
後乾燥した。これらの混合粉末を成形し、９５０℃で１
０時間焼成した。
焼成後の成形体を５ ｍｍＸ １０ｍｍＸ １０ｍｍの
ブロックに切り出し、Ｂｉ＋ＹｚＦｅｓＯｕ単結晶から
作製した種単結晶を接合し、常圧で酸素雰囲気、１５０
０ａｔｍのＨＩＰでＡ「雰囲気および１５００ａｔｍの
旧Ｐで２０％酸素雰囲気でそれぞれ１０００°Ｃにおい
て単結晶育成を行った。
ブロックに切り出し、Ｂｉ＋ＹｚＦｅｓＯｕ単結晶から
作製した種単結晶を接合し、常圧で酸素雰囲気、１５０
０ａｔｍのＨＩＰでＡ「雰囲気および１５００ａｔｍの
旧Ｐで２０％酸素雰囲気でそれぞれ１０００°Ｃにおい
て単結晶育成を行った。
その後、得られたガーネット型フェライト単結晶の接合
面からの成長距離と第２相が存在するか否かを調べた。
面からの成長距離と第２相が存在するか否かを調べた。
結果を第２表に示す。第２表には、あわせて各試料の目
標値に対する制御の結果を示す。
標値に対する制御の結果を示す。
第２表の結果から、実施例１とは組成の異なるガーネッ
ト型フェライト単結晶の製造方法においても、本発明に
よれば実施例１と同様に安定した単結晶育成が可能なこ
とがわかった。この単結晶は、密度が９９．９９％以上
で磁気光学単結晶特有の磁区の迷図パターンの認められ
る結晶性のよいものであった。なおこの単結晶は、ファ
ラデー回転角が２２００ｄｇｅ／ｃｍ、光吸収係数は、
Ａ「雰囲気では１゜３ｃｍ−’、０□雰囲気では０．６
ｃｍ−’であった。なお、鉄過剰では酸化鉄を主成分と
する第２相が生成し、鉄不足ではビスマス酸化物を主成
分とする第２相が生成した。
ト型フェライト単結晶の製造方法においても、本発明に
よれば実施例１と同様に安定した単結晶育成が可能なこ
とがわかった。この単結晶は、密度が９９．９９％以上
で磁気光学単結晶特有の磁区の迷図パターンの認められ
る結晶性のよいものであった。なおこの単結晶は、ファ
ラデー回転角が２２００ｄｇｅ／ｃｍ、光吸収係数は、
Ａ「雰囲気では１゜３ｃｍ−’、０□雰囲気では０．６
ｃｍ−’であった。なお、鉄過剰では酸化鉄を主成分と
する第２相が生成し、鉄不足ではビスマス酸化物を主成
分とする第２相が生成した。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明のガーネット型
フェライト単結晶の製造方法によれば、固相反応を利用
した単結晶の製造において、多結晶体の原料となるフェ
ライト粉末の組成を好ましくは調合補正により所定の範
囲内の誤差にするとともに、好ましくはＨＩＰ処理を酸
化雰囲気内で実施することにより、第２相の残留もなく
十分に育成された単結晶を得ることができる。
フェライト単結晶の製造方法によれば、固相反応を利用
した単結晶の製造において、多結晶体の原料となるフェ
ライト粉末の組成を好ましくは調合補正により所定の範
囲内の誤差にするとともに、好ましくはＨＩＰ処理を酸
化雰囲気内で実施することにより、第２相の残留もなく
十分に育成された単結晶を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多結晶体に種単結晶を接合して熱処理することによ
り、多結晶体を単結晶化するガーネット型フェライト単
結晶の製造方法において、多結晶体の組成を目標値に対
して±０．１モル％以下に制御することを特徴とするガ
ーネット型フェライト単結晶の製造方法。 ２、前記組成制御の方法として、２種類の組成の異なる
ガーネット型フェライト粉末を所定比で混合した後、成
形し焼成することを特徴とする請求項１記載のガーネッ
ト型フェライト単結晶の製造方法。 ３、前記熱処理を、熱間静水圧プレス処理で行うことを
特徴とする請求項１記載のガーネット型フェライト単結
晶の製造方法。 ４、酸素を含有する雰囲気ガスを用いることを特徴とす
る請求項３記載のガーネット型フェライト単結晶の製造
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103195A JP2523205B2 (ja) | 1989-08-29 | 1990-04-20 | ガ―ネット型フェライト単結晶の製造方法 |
| DE69016699T DE69016699T2 (de) | 1989-04-28 | 1990-04-26 | Verfahren zur Herstellung von Ferritkristallen und Verfahren zur Herstellung von vorzugsweise dafür verwendeten Ferritpulvern. |
| EP90304505A EP0399665B1 (en) | 1989-04-28 | 1990-04-26 | Method of manufacturing ferrite crystals and method of producing ferrite powders preferably used therefor |
| CA002015606A CA2015606C (en) | 1989-04-28 | 1990-04-27 | Method of manufacturing shaped body made of ferrite crystals of garnet polycrystal structure |
| US07/516,907 US5256242A (en) | 1989-04-28 | 1990-04-30 | Method of manufacturing ferrite crystals |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22017889 | 1989-08-29 | ||
| JP1-220178 | 1989-08-29 | ||
| JP2103195A JP2523205B2 (ja) | 1989-08-29 | 1990-04-20 | ガ―ネット型フェライト単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03164491A true JPH03164491A (ja) | 1991-07-16 |
| JP2523205B2 JP2523205B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=26443844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2103195A Expired - Lifetime JP2523205B2 (ja) | 1989-04-28 | 1990-04-20 | ガ―ネット型フェライト単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523205B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702259A1 (en) | 1994-09-16 | 1996-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Material for wide-band optical isolators and process for producing the same |
| CN114133235A (zh) * | 2021-11-03 | 2022-03-04 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种红外透过性好的稀土铁石榴石磁光陶瓷的轴向热压烧结制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5926994A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物単結晶の製造方法 |
| JPS6335490A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Ngk Insulators Ltd | 単結晶体の製造法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2103195A patent/JP2523205B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5926994A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物単結晶の製造方法 |
| JPS6335490A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Ngk Insulators Ltd | 単結晶体の製造法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702259A1 (en) | 1994-09-16 | 1996-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Material for wide-band optical isolators and process for producing the same |
| US5584928A (en) * | 1994-09-16 | 1996-12-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Material for wide-band optical isolators and process for producing the same |
| CN114133235A (zh) * | 2021-11-03 | 2022-03-04 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种红外透过性好的稀土铁石榴石磁光陶瓷的轴向热压烧结制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523205B2 (ja) | 1996-08-07 |
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